JPH07105356B2 - 縦型拡散炉装置 - Google Patents
縦型拡散炉装置Info
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- JPH07105356B2 JPH07105356B2 JP60049962A JP4996285A JPH07105356B2 JP H07105356 B2 JPH07105356 B2 JP H07105356B2 JP 60049962 A JP60049962 A JP 60049962A JP 4996285 A JP4996285 A JP 4996285A JP H07105356 B2 JPH07105356 B2 JP H07105356B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、縦型拡散炉装置に関する。
従来、半導体装置の製造に際して第３図に示すような縦
型拡散炉装置が使用されている。図中１はガス制御部で
ある。ガス制御部１にはウエハセッター部２が設けられ
ている。ガス制御部１の側部には、反応炉３が設けられ
ている。反応炉３の外周面の部分は、ヒータ４で囲まれ
ている。反応炉４の底部には、ガス制御部１から導出さ
れた反応ガス供給管５が接続されている。反応炉３の上
部には、被処理体であるウエハ６を搭載したボート７の
出し入れするための開口部が形成されている。開口部は
石英で形成されたヒートバリア８で開閉されるようにな
っている。而して、ボート７はボートローダ９に接続し
た状態でウエハセッター部２から反応炉３内に出し入れ
されるようになっている。
型拡散炉装置が使用されている。図中１はガス制御部で
ある。ガス制御部１にはウエハセッター部２が設けられ
ている。ガス制御部１の側部には、反応炉３が設けられ
ている。反応炉３の外周面の部分は、ヒータ４で囲まれ
ている。反応炉４の底部には、ガス制御部１から導出さ
れた反応ガス供給管５が接続されている。反応炉３の上
部には、被処理体であるウエハ６を搭載したボート７の
出し入れするための開口部が形成されている。開口部は
石英で形成されたヒートバリア８で開閉されるようにな
っている。而して、ボート７はボートローダ９に接続し
た状態でウエハセッター部２から反応炉３内に出し入れ
されるようになっている。
このような従来の縦型拡散炉10では、ボート７を反応炉
３内に出し入れする際に開口部が完全に開放された状態
になる。このためガス対流及び熱輻射による熱損失と気
圧の低下が起き、開口部付近で炉内温度の低下と空気の
巻込みを招く。その結果、炉内温度の低下によりボート
７挿入後の炉内温度の不安定時間が長くなる。また、空
気の巻込みによってはウエハ６を汚染する問題があっ
た。
３内に出し入れする際に開口部が完全に開放された状態
になる。このためガス対流及び熱輻射による熱損失と気
圧の低下が起き、開口部付近で炉内温度の低下と空気の
巻込みを招く。その結果、炉内温度の低下によりボート
７挿入後の炉内温度の不安定時間が長くなる。また、空
気の巻込みによってはウエハ６を汚染する問題があっ
た。
本発明は、ウエハ出し入れの際に発生する対流及び熱輻
射に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウエ
ハ汚染を防止することができる縦型拡散炉装置を提供す
ることをその目的とするものである。
射に起因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウエ
ハ汚染を防止することができる縦型拡散炉装置を提供す
ることをその目的とするものである。
本発明は、開口部の上方に、この開口部を覆って予備収
納室を設けたことにより、ウエハ出し入れの際に発生す
る対流及び熱輻射に起因する炉温の低下防止、空気の巻
込みによるウエハの汚染防止を達成した縦型拡散炉装置
である。
納室を設けたことにより、ウエハ出し入れの際に発生す
る対流及び熱輻射に起因する炉温の低下防止、空気の巻
込みによるウエハの汚染防止を達成した縦型拡散炉装置
である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明
図である。図中11は、ガス制御部である。ガス制御部11
上には、ウエハセッター部12が設けられている。ガス制
御部11の側部には、反応炉13が設けられている。反応炉
13の外周面の部分には、加熱手段であるヒータ14が設け
られている。反応炉13の底部には、ガス制御部１から導
出された反応ガス供給管15が接続されている。反応炉13
の上部には、被処理体であるウエハ16を搭載したボート
17を出し入れするための開口部が形成されている。ウエ
ハセッター部12の側部には炉13の開口部を覆ってウエハ
予備収納室19が設けられている。このウエハ予備収納室
19の下部には開口部が設けられている。この開口部は反
応炉13の開口部と対向され、ウエハ予備収納室19及び反
応炉13はこれら開口部を介して連通される。このウエハ
予備収納室19と反応炉13の相互間には、反応炉13の開口
部を開閉するヒートバリア18が設けられている。ウエハ
予備収納室19を構成する壁は、第２図（Ａ）の示す如
く、例えば内側が厚さ約3mmの石英層20で形成され、外
側が厚さ約2mmの鏡面仕上げステンレス層21で形成され
ている。ウエハ予備収納室19の底部には、例えばN2ガス
のような雰囲気ガスの供給管22が４ケ所に形成されてい
る。ウエハ予備収納室19の頂部には、雰囲気ガスの排気
管23が形成されている。また、ウエハ予備収納室19の側
部には、ボート17を出し入れするための開閉扉24と、ボ
ート17を反応炉13に出し入れするためのボートローダ25
の移動用スリット26が形成されている。この移動用スリ
ット26の内部にはボートローダ25の移動時にガス漏れを
防止するために、図示せぬシール部材が設けられてい
る。
る。第１図は、本発明の一実施例の概略構成を示す説明
図である。図中11は、ガス制御部である。ガス制御部11
上には、ウエハセッター部12が設けられている。ガス制
御部11の側部には、反応炉13が設けられている。反応炉
13の外周面の部分には、加熱手段であるヒータ14が設け
られている。反応炉13の底部には、ガス制御部１から導
出された反応ガス供給管15が接続されている。反応炉13
の上部には、被処理体であるウエハ16を搭載したボート
17を出し入れするための開口部が形成されている。ウエ
ハセッター部12の側部には炉13の開口部を覆ってウエハ
予備収納室19が設けられている。このウエハ予備収納室
19の下部には開口部が設けられている。この開口部は反
応炉13の開口部と対向され、ウエハ予備収納室19及び反
応炉13はこれら開口部を介して連通される。このウエハ
予備収納室19と反応炉13の相互間には、反応炉13の開口
部を開閉するヒートバリア18が設けられている。ウエハ
予備収納室19を構成する壁は、第２図（Ａ）の示す如
く、例えば内側が厚さ約3mmの石英層20で形成され、外
側が厚さ約2mmの鏡面仕上げステンレス層21で形成され
ている。ウエハ予備収納室19の底部には、例えばN2ガス
のような雰囲気ガスの供給管22が４ケ所に形成されてい
る。ウエハ予備収納室19の頂部には、雰囲気ガスの排気
管23が形成されている。また、ウエハ予備収納室19の側
部には、ボート17を出し入れするための開閉扉24と、ボ
ート17を反応炉13に出し入れするためのボートローダ25
の移動用スリット26が形成されている。この移動用スリ
ット26の内部にはボートローダ25の移動時にガス漏れを
防止するために、図示せぬシール部材が設けられてい
る。
このように構成された縦型拡散炉装置30において、ウエ
ハ予備収納室19内にN2ガス等の所定の雰囲気ガスを連続
的に供給した状態で、被処理体としてのウエハ16を複数
枚搭載したボート17を開閉扉24を開けてウエハ予備収納
室19内に入れ、ボートローダ25を取付ける。なお、ウエ
ハ予備収納室19内に供給されるガスは、ウエハ予備収納
室19内を洗浄化するためのものである。次いで、開閉扉
24を閉じてボートローダ25を駆動し、これに連動してヒ
ートバリア18を移動して反応炉13の開口部を開放する。
この状態で反応炉13内へのボート17の出入操作を行う。
この際、反応炉13の開口部は、ウエハ予備収納室19に連
通し、外部には直接露出していない。このため、ボート
17の出し入れの際に発生する対流及び熱輻射はウエハ予
備収納室19内に止まるため、対流及び熱輻射に起因する
炉内温度の低下、空気の巻込みを防止することができ
る。その結果、炉内の熱損失を低減できると共にボート
17の出し入れ時の炉内温度の不安定時間を短縮すること
ができる。
ハ予備収納室19内にN2ガス等の所定の雰囲気ガスを連続
的に供給した状態で、被処理体としてのウエハ16を複数
枚搭載したボート17を開閉扉24を開けてウエハ予備収納
室19内に入れ、ボートローダ25を取付ける。なお、ウエ
ハ予備収納室19内に供給されるガスは、ウエハ予備収納
室19内を洗浄化するためのものである。次いで、開閉扉
24を閉じてボートローダ25を駆動し、これに連動してヒ
ートバリア18を移動して反応炉13の開口部を開放する。
この状態で反応炉13内へのボート17の出入操作を行う。
この際、反応炉13の開口部は、ウエハ予備収納室19に連
通し、外部には直接露出していない。このため、ボート
17の出し入れの際に発生する対流及び熱輻射はウエハ予
備収納室19内に止まるため、対流及び熱輻射に起因する
炉内温度の低下、空気の巻込みを防止することができ
る。その結果、炉内の熱損失を低減できると共にボート
17の出し入れ時の炉内温度の不安定時間を短縮すること
ができる。
因みに、炉内温度の不安定時間は従来の装置では約40分
であったが、実施例のものでは約15分となり、炉内への
外気の巻込み量は従来のものでは界面準位及び酸化膜中
可動イオン密度換算で１〜２×1011/cm2であったが、実
施例のものでは３〜５×1010/cm2に低減できることが実
験的に確認されている。
であったが、実施例のものでは約15分となり、炉内への
外気の巻込み量は従来のものでは界面準位及び酸化膜中
可動イオン密度換算で１〜２×1011/cm2であったが、実
施例のものでは３〜５×1010/cm2に低減できることが実
験的に確認されている。
以上説明した如く、本発明に係る縦型拡散炉装置によれ
ば、ウエハ出し入れの際に発生する対流及び熱輻射に起
因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウエハの汚
染防止を達成することができるものである。
ば、ウエハ出し入れの際に発生する対流及び熱輻射に起
因する炉温の低下防止、空気の巻込みによるウエハの汚
染防止を達成することができるものである。
第１図は、本発明の概略構成を示す説明図、第２図
（Ａ）は、同実施例の要部の斜視図、同図（Ｂ）は、同
要部の平面図、第３図は、従来の縦型拡散炉装置の概略
構成を示す説明図である。 11……ガス制御部、12……ウエハセッター部、13……反
応炉、14……ヒータ、15……反応ガス供給管、16……ウ
エハ、17……ボート、18……ヒートバリア、19……ウエ
ハ予備収納室、20……石英層、21……ステンレス層、22
……供給管、23……排気管、24……開閉扉、25……ボー
トローダ、26……移動用スリット、30……縦型拡散炉装
置。
（Ａ）は、同実施例の要部の斜視図、同図（Ｂ）は、同
要部の平面図、第３図は、従来の縦型拡散炉装置の概略
構成を示す説明図である。 11……ガス制御部、12……ウエハセッター部、13……反
応炉、14……ヒータ、15……反応ガス供給管、16……ウ
エハ、17……ボート、18……ヒートバリア、19……ウエ
ハ予備収納室、20……石英層、21……ステンレス層、22
……供給管、23……排気管、24……開閉扉、25……ボー
トローダ、26……移動用スリット、30……縦型拡散炉装
置。
フロントページの続き (72)発明者 園部 浩徳 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (56)参考文献 特公 昭46−15856（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (1)
- 【請求項１】上部に開口部を有し、この開口部を介して
被処理体としてのウエハが搭載されたボートが出し入れ
される炉と、 前記炉の外側に設けられ炉内を加熱する加熱手段と、 前記炉の開口部を開閉するヒートバリアと、 前記炉の上方に前記炉の開口部を覆って設置され、内部
に前記ボートが収容されるとともに前記炉の開口部と対
向する開口部を有し、前記ヒートバリアが移動され、前
記炉の開口部が開放された状態で前記炉内と前記内部が
連通される予備収納室と、 前記予備収納室の下方に設けられ、前記予備収納室内に
不活性ガスを供給する供給部と、 前記予備収納室の上方に設けられ、前記予備収納室内の
不活性ガスを排出する排出部と、 前記ヒートバリアが移動され、前記炉の開口部が開放さ
れた状態において、前記ボートを前記炉に対して移動さ
せる移動手段と を具備することを特徴とする縦型拡散炉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049962A JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60049962A JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208218A JPS61208218A (ja) | 1986-09-16 |
| JPH07105356B2 true JPH07105356B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=12845649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049962A Expired - Lifetime JPH07105356B2 (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 縦型拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105356B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0447956Y2 (ja) * | 1985-04-16 | 1992-11-12 | ||
| JPS62276824A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-12-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
| JPH0715729B2 (ja) * | 1987-10-02 | 1995-02-22 | キヤノン株式会社 | データ再生装置 |
| JP2763537B2 (ja) * | 1987-10-20 | 1998-06-11 | 松下電器産業株式会社 | 半導体基板の処理方法 |
| JP2905857B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1999-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
| JP2584521B2 (ja) * | 1990-02-19 | 1997-02-26 | ローム株式会社 | 縦型加熱装置 |
| JP3131601B2 (ja) * | 1995-03-02 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| KR100203782B1 (ko) * | 1996-09-05 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 웨이퍼 열처리장치 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP60049962A patent/JPH07105356B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208218A (ja) | 1986-09-16 |
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