JPS62276824A - 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ボートローダを収納する色画空間に不活性
カスを供給し、不活性ガス雰囲気下でウェーハが搬入比
される縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置に関す
る。

〔従来技術〕

半導体基板、たとえば、シリコンウェーハ（以下、ウェ
ーハという）は、ウェーハポートに積載され、ボートロ
ーダによって　縦型半導体熱処理装置の反Ｉ５管内に搬
入される。ボートローダにょって、ウェーハポート、つ
まりは、ウェーハを搬入した後、酸素ガス、水素ガスの
ような所定の反応ガスが、　１２００℃程度に加熱され
た反応管内に供給される。そして、酸化、拡散、ＣＶＤ
等の所定の熱処理（化学処理も含める）が、ウェーハに
施される。反応管内に供給される反応カスの純度は。

熱処理の結果に大きく影響する。そして、膜厚の不均一
、導通不良等を防止して、高い歩留りを確保するために
、極めて高純度の反応ガスが、反応管内に供給される。

縦型半導体熱処理装首の主要部分は、通常、クリーンル
ーム内に配置され、高性能フィルター（ＨＥＰＡフィル
ター）によって十分に浄化された空気が、クリーンル−
ムに供Ｓ合される。クリーンル−ムは、気密化されてお
り、供給された浄化空気は、クリーンルーム内を流れた
後、流出口に集められて流出される。しかし、高性能フ
ィルターによって十分浄化されたとはいえ、塵芥、水分
、ナトリウム等の不純物を、空気から完全に排除するこ
とは、極めて難しい。そのため、不純物が、クリーンル
ーム内の空気中に、僅かとはいえ、包含されている。

ところで、ウェーハは、ウェーバカセントに収納されて
移送位置に運ばれる。移送位置において、ウェーハは、
移送装乙によって、カセットからウェーハポートに移さ
れ、垂直方向に離間して、ウェーハポート上に積載され
る。そして、ウェーハポートは、ボートトランスファー
に移され、ボートトランスファーに支持されて、炉体に
隣接した位置まで運ばれる。ウェーハポートは、ボート
トランスファーから、ボートローダの支持軸、たとえば
、懸吊軸に移され、ボートローダの懸吊軸は、反応管の
、たとえば、上方まで移動される。

そして、熱処理の前後に、８００°Ｃ程度に既に降温さ
れている反応管に、ボートローダの懸吊軸が、昇降され
ることによって、ウェーハは、反応管に搬入または搬出
される。

反応管は、井戸型と称する上端間ロタイブと、ベル型と
称される下端間ロタイブとに分類される、そして、いず
れのタイプにおいても、反応管の開口は、ヒートバリア
ーと称する移動可能な、たとえば、旋回可能な、カバー
によって、開閉される。なお、井戸型反応管においては
、ボートローダの支持軸が降下するとき、ウェーハは反
応管に搬入され、Ｊ：昇するとき、搬出される。他方、
ベル型反応管においては、ボートローダの支持、軸が上
昇するとき、ウェーノ＼が反応管に搬入され、降下する
とき、搬出されることは自明であろう。

しかし、上記のようなウェーハの搬入出方法において、
ウェーハの搬入用のために１反応管の上端開口（井戸型
反応管の場合）または下端開口（ベル型反応管の場合）
が解放されると、クリーンルームの空気が、開口を介し
て反応管に流入する、また、ウェーハ搬入の際、クリー
ンルームの空気が、ウェーハポート上のウェー／＼間に
介在して、ウェーハとともに反応管内に搬入される。そ
して、このように反応管に流入および搬入（混入と総称
する）する空気、つまり、外気は、８００°Ｃ程度の反
応管内で加熱され、ウェー／＼に不要な化学反応を生じ
る虞れがある。不要な化学反応として、たとえば、不要
な酊化膜をウェーハに形成する酸化反応が、指摘できる
。

加えて、と記のように、クリーンルームの空気は、塵芥
、水分等の不純物によって汚染されている。そのため、
反応管に混入する外気は、所定の熱処理前に不要な酸化
膜等をウェーハに形成するだけでなく、反応管に供給さ
れる反応ガスを汚染する。そのため、熱処理において、
膜厚の不均一、導通不良等が生じ１歩留りの低下を招く
虞れがある。

反応管に混入する外気は、反応ガスを直接汚染するだけ
でなく、反応管を汚染し、反応ガスを間接的に汚染する
。つまり、空気中（外気中）のナトリウム、水分等の不
純物が、反応管の側壁に付着し、反応管を汚染する。そ
して、側壁に付着したナトリウム等は、熱処理中に、析
出して１反応カスを７９染する。

反応管が外気から隔離されれば、１肥のような外気の混
入に起因する弊害が除去される。そのため、ウェーハの
搬入当時における外気の混入を防１卜するように、ガス
シャワーを利用した外気混入病１ト装置が広く採用され
ている。

ガスシャワーを利用した外気混入防止装置では反応管の
開口に隣接して、スカベンジャーボックスが配置され、
スカベンジャーボックス内にガスシャワーが設けられる
。そして、ウェーハは、スカベンジャボックスを介して
１反応管内に搬入される。つまり、高圧の不活性ガスが
、スカベンジャーボックスに供給され、ウェーハに浴び
せられて、ガスシャワーが形成される。ガスシャワーは
ウェーハポート上のウェーハ間に介在する外気をウェー
ハ間から押出し、外気は、不活性ガスとともに、排気管
に吸引され、排除さ机る。

ウェーハ搬入出のために、反応管の開口が解放されたと
き、外気が反応管内に流入しようとしても、ガスシャワ
ーに妨げられ、外気の流入が防止される。

このようにガスシャワーを利用した外気混入防止装置に
よれば、外気の混入が防止できる。

〔従来技術の問題点〕

しかし、公知のカスンヤワーによる外気混入病１ト装置
でも、外気の混入はある程度防止されるが、必ずしも十
分でない。

また、最近では、クリーンルームのほぼ常温の空気に起
因する化学反応による悪影響が、注目されている。つま
り、従来は、ウェーハ搬入出の際、反応管内に混入して
加熱された外気による化学反応が、注目されていた。こ
れに対して、最近では、ウェーハをｖｉ戦したウェーハ
ポートが、搬入量のために、ボートトランスファー、ボ
ートローダによって、クリーンルーム内を搬送（＠送工
程も広い意味では、搬入量工程の一部と考えられる）さ
れる際、クリーンルームの空気中の不純物と化学反応し
、不要な酸化膜等がウェーハに形成されることが、指摘
されている。空気中の不純物は、不要な化学反応をウェ
ーハに生じるだけでなく、ウェーハに付着することによ
って、ウェーハの特質を変える虞れもある。たとえば、
空気中のナトリウムがウェーハの表面に付着してウェー
ハを汚染すれば、異なる特質の酸化膜がウェーハに生成
され、歩留りが低下する。

ここで、ホードトランスファー、ボートローダは、縦型
半導体熱処理装置にＦＡ接して位置され、ウェーハは、
反応管の上方、または、下方に、比較的迅速に搬送され
る。しかし、その後の反応管へのウェーへの搬入量は、
迅速に行なえない。つまり、ウェーハ搬入出のために、
反応管は降温されるとはいえ、ウェーハは８００″Ｃ程
度の反応管内に搬入量される。そして、急激な温度変化
にょる熱ひずみがウェーハに発生するのを防止するため
に、ボートローダによって、ウェーハポートは反応管内
に徐々に降下、および、上昇される。この昇降速度は、
５　ｃｍ／分程度であり、ウェーハポートが、反応管内
に完全に降下、または、そこから上昇されるまで、２０
分程度の時間が必要とされる、そして、ウェーハは、こ
の昇降中、クリーンルーム内のほぼ常温の空気にさらさ
れる。そのため、空気中の不純物と化学反応して不要な
酸化膜等がウェーハに形成される。このような化学反応
は、特に搬入の際に生じやすい。

上記の不要な酸化膜等の生成、ウェーハの汚染は、外気
から隔離した状態でウェーハの搬入量を行なえば、防Ｅ
できる。しかしながら、外気から隔離した状態でウェー
ハの搬入量を行なうように構成された外気混入防止装置
は、いまだ提供されていない。

〔発明の目的〕

この発明は、ウェーハが外気から隔離した状態で反応管
に搬入量される、縦型半導体熱処理装置の外気混入防止
袋この提供を目的としている。

〔発明の概略〕

この目的を達成するため、この発明によれば、遮蔽空間
が、ポートロータを収納して、クリーンルームに形成さ
れる。この蔽蔽空間は、炉体１３ＦＩ口を介して反応管
に連通ずるとともにドアを介してクリーンルームに連通
する。そして、不活性ガスが、遮蔽空間に供給されるよ
うに構成されている。遮蔽空間の壁面は、１坩熱性材お
１．特に、高温下でも不純物を析出しない、耐熱材料、
たとえば、石芙ガラス、炭化１累、結晶化ガラス、屯体
シリコン等から構成される。なお、不活性ガスは、元素
の周期表のｉｏ族元素の気体だけでなく、窒素ガスを含
む広義の不活性ガスを示す。

〔作用〕

このような構成では、不活性ガスが遮蔽空間に供給され
て、充満すれば、外気は、遮蔽空間から排除されるとと
もに、遮蔽空間への流入が防止される。また、ウェーハ
ポート上のウェーハ間に介在する外気も、不活性ガスに
駆逐され、遮蔽空間から排除される。そして、外気が遮
蔽空間に存在する余地がなく、遮蔽空間は、不活性ガス
雰囲気化される。そのため、遮蔽空間内のボートローダ
は、外気から隔離される。そのため、ボートローダに支
持されたウェーハポート上のウェーハは、当然に、外気
から隔離される。従って、昇降されて反応管に搬入出さ
れる際、ウェーハに、不要な酸化膜等が生じる虞れがな
い。また、外気中のナトリウム等の不純物がウェーハに
付着することもなく、外気によるウェーハの汚染が防止
される。

更に、外気は、遮蔽空間から排除されるとともに、遮蔽
空間の不活性カスに妨げられ、反応管に混入しない。つ
まり、反応管は、外気から十分に隔離される。従って、
反応ガスは、外気によって、直接的にも間接的にも、汚
染されない。

また、ウェーへの搬出入のために、反応管の開口が開放
されると、８００℃程度の反応管に加熱された高温の反
応ガスが、開口を介して、反応管から遮蔽空間に流出す
る。この高温の反応ガスによって遮蔽空間の壁面が、加
熱される。ウェーハ、反応管の汚染防止のために、不活
性ガスが汚染されないことが前提であることはいうまで
もない。

しかし、もし、遮蔽空間の壁面が加熱されることによっ
て、不純物が壁面から析出すれば、不活性ガスが汚染さ
れる。しかし、上記のように、壁面は、高温下でも不純
物を析出しない耐熱材料から構成されている。そのため
、壁面から不純物が析出せず、遮蔽空間内の不活性ガス
の汚染が防止される。

〔実施例〕

以下、図面を参照しながらこの発明の実施例について詳
細に説明する。

実施例では、第１図に示すように、３個の縦型半導体熱
処理装置１０．１１．１２（縦型半導体熱処理装置１２
は一部のみを図示する）が、クリーンルーム１４内に配
設されている。各縦型半導体熱処理装置の炉体１６は、
壁面１５と乎行に連設されている。

そして、上端に開口を有する、いわゆる井戸型の、反応
Ｖ（図示しない）が、炉体１８内に配設され、反応管は
、炉体の開口１８を介して、クリーンルーム１４に連通
している。

この発明の外気混入防止装置１３によれば、互いに隔離
された遮蔽空間２０．２１．２２が、各炉体１Ｂの上方
に構成される。そして、不活性ガス供給用の導管２４が
遮蔽空間２０．２１．２２の上方に配設され、導′ｆ２
４の分岐管３０．３１．３２が各遮蔽空間に運出してい
る。各分岐管の先端は対応する遮蔽空間に開口し、旋量
制御弁４０．４＋、４２が、各遮蔽空間への不活性カス
の供給をＭ制御するように、分岐管３０゜３１．３２に
設けられている。

遮蔽空間２０．２１．２２は、そのドア６０も含めて壁
面が、高温下でも不純物を析出しない耐熱材料かｇら構
成されている。耐熱材料として、たとえば、石英ガラス
、炭化珪素、結晶化ガラス、単体シリコンが、選らばれ
る。結晶化ガラスとして、たとえば、日本電気硝子ｋｋ
のネオセラム（商標）や、西ドイツ、ＪＥＮＡ　ＧＬＡ
ＳＷＥＲＫ　５ＣＨＯＴＴ　＆　ＧＥＮ（７）　セｏ　
−ダ（登録前ｅｉ）があげられる、なお、壁面全体を耐
熱材料から構成する必要はなく、高温の反応ガスに触れ
るその内面を耐熱材料で被覆するだけでもよい。

水平に延びた軌道２６が壁面１５に設けられ、ボートト
ランスファー２８が、この軌道にガイドされて、壁面と
各遮蔽空間との間の空間３日を走行するように構成され
ている。壁面１５は、クリーンルーム内で、外気混入防
止装置１３の背後に設けられている。高性能フィルター
３５が、壁面Ｉ５に沿って、設けられ、空気は、高性能
フィルターで浄化された後、クリーンルーム１４に流入
する。ボートトランスファー２８は切欠き２９を備え、
この切欠きはウェーハポートを係止可能に形成されてい
る。

ボートローダ５０．５１（２個のみを示す）が、対応す
る炉体１６の１端にそれぞれ設けられている。

各ウェーハポートは、炉体１６に昇降可能かつ旋回可能
に支持された昇降軸５４と、昇降軸の上端に七の一端が
固定された支持アーム５６と、支持アームの他端に回動
可能に取伺けられた懸吊軸５８とを備えている。懸吊軸
５８は、ウェーハポート３８（第２図参照）を係止して
懸吊するように構成されている。ボートローダの昇降軸
５４は、懸吊軸５８が反応管の上方に位置する搬入吊位
置Ａと、懸吊軸がドア８０を介して、遮蔽空間外に出さ
れた転送位置Ｂとの間を旋回する（第２図では、実線で
示すように、ボートローダ５１の昇降軸５４は搬入吊位
置Ａに、ボートローダ５０の昇降軸５４は転送位置Ｂに
それぞれ位置している）。懸吊軸５８は、転送位置Ｂに
おいて、ボー）ｈランスファー２８の走路内でボートト
ランスファーと交差するように位置する。そして、ボー
トトランスファーに懸吊されたウェーハポート３８は、
転送位置Ｂにおいて、ボートトランスファー２８から懸
吊軸５８に転送される。

上記構成の外気混入防止装置１３において、ウェーハは
、第２図に示すように、縦型半導体熱処理装置１０の右
方の移送位置Ｃにおいて、ウェー／＼カセント３７から
ウェーハポート３８に移される。ボートトランスファー
２８は、予め、軌道２日のほぼ右端まで移動され、ウェ
ーハがウェーハポート３８に移された後、軌道に沿って
、左方に動かされる。ここで、ウェーハポート３８の上
端は、ボートトランスファーの切欠き２９と係止可能に
ボートトランスファー２８の走路内に位置している。そ
のため、ボートトランスファー２８が左方に移動すると
、切欠き２９はウェーハポート３８を係止する。つまり
、ウェーハポート３８は、切欠き２９を介して、ボート
トランスファー２８に懸吊される。そして、ボートトラ
ンスファー２８は、ウェーハポート３日を懸吊したまま
更に左方に移動する。この間、遮蔽空間２０のドア６０
は開放される。そして、昇降軸５４は、懸吊上ｈ５８が
ボートトランスファー２８と交差する位置に移動するよ
うに、転送位置Ｂに旋回され、待機される。そのため、
左方に移動するボートトランスファー２８が、懸吊軸５
８との交差位置に至ると、ボートトランスファー上のウ
ェーハポート３８は、懸吊軸に係止され、懸吊軸に移さ
れる。懸吊軸５８がウェーハポートを懸吊した後、昇降
軸５４が旋回され、懸吊軸は、遮蔽空間外の転送位置Ｂ
から遮蔽空間内の搬入高位２ｔＡに移動される。

そして、ヒートバリアー（図示しない）が旋回され、反
応管の開口１８は、開放される。すると、８００°Ｃ程
度の反応管に加熱された数百度の反応ガスが１開口１８
を介して、反応管から遮蔽空間２０に流出する。この高
温の反応ガスによって遮蔽空間２０内の不活性ガスが加
熱されるとともに、遮蔽空間の壁面は、２００ないし３
００’Ｃまで加熱される。

そのため、壁面から不純物が析出し、不活性ガスを汚染
する虞れがある。しかし、上記のように、この発明では
、遮蔽空間の壁面は、石英ガラスのような、高温下でも
不純物を析出しない耐熱材料から構成されている。その
ため、壁面から不純物が析出せず、遮蔽空間内の不活性
ガスは汚染されない。なお、高温の反応ガスにさらされ
るボートローダ５０も、十分な＃鵡構造に構成されるこ
とはいうまでもない。

反応管の開口１８が開放された後、搬入吊位置Ａにおい
て、昇降軸５４が降下することによって、懸吊軸５８は
反応管内を降下し、ウェーハポート上のウェーハは反応
管内に搬入される。

懸吊軸５８が搬入高位ｆｉＡに動かされると、ドア６０
が閉じられ、遮蔽空間２０が気密化される。それから、
流量制御弁４０が開放され、不活性ガスが。

導管２４２分岐管３０を介して、ｒ画布間２０に供給さ
れる。ここで、不活性ガスは、第０族の元素から成る気
体だけでなく、窒素ガスを含む広義の不活性ガスを意味
し、実施例では、不活性ガスとして窒素ガスが供給され
ている。他方、ボートトランスファー２８は移送位置Ｃ
に戻される。

転送位置から遮蔽空間２０へのウェーハポート３８の搬
入中においても、窒素ガスを遮蔽空間２０に供給するこ
とが好ましい。

過剰に供給された窒素ガスは、遮蔽空間２０からクリー
ンルーム１４に漏出する。遮蔽空間２０．２１、２２は
、完全な気密でなく、過剰に供給された不活１性ガスが
、ドア８０が閉じられた後も、クリーンルーム１４に漏
出可能な程度の気密性を持てば足りるウェーハは、不活
性力゛スス囲気下の遮蔽空間２０内に置かれて、反応管
に搬入されるため、外気から十分に隔離される。そのた
め、搬入工程にがなりの時間を要しても、熱処理前のウ
ェーハに不要な化学反応が生じる虞れがない、また、外
気中のナトリウム等がウェーハに付着して、ウェーハを
汚染する虞れもない。更に、遮蔽空間２０がら空気が排
除されているため、搬入中に、外気が反応管に流入する
虞れもない、また、ウェーハポート上に離間してａｔさ
れたウェーハ間に介在する空気は、窒素ガスによって、
ウェーハ間から既に駆逐され、遮蔽空間２０からクリ−
ルーム１４に流出している。そのため、ウェーハととも
に空気が、反応管に搬入されることもない。つまり、外
気の混入が、十分に防止される。また、不活性カス雰囲
気化された遮蔽空間２０が、反応管とクリーンルーム１
４との間に設けられるため、反応管は外気から十分に隔
離される。つまり、外気が反応管に混入する虞れがない
、従って、反応管に供給された反応カスは１反応管内で
、外気によって、直接的、間接的に１弓染されない。

なお、不活性カスを直接遮蔽空間２０に供給するだけで
なく、反応管の下端に形成された反応ガス導入部から不
活、性ガスを供給することが好ましい。このような構成
では、反応管に、空気が残存していても、残存空気は、
反応ガス導入部から導入された不活性ガスとともに、反
応管から遮蔽空間に流出し１反応管から迅速に排除され
る。また、反応管から遮蔽空間２０に向う窒素ガ′スの
流れが。

反応管に生じている。この窒素ガスの流れは、遮蔽空間
２０内の残存空気の反応管への流入や、遮蔽空間を介し
た外気の反応管への流入を妨げ、反応管を外気から十分
に隔離する。

ウェーハが反応管に搬入されると、炉体１６および反応
管の開口はそれぞれ閉じられ、反応管は遮蔽空間２０か
らも隔離される。その後、反応ガスが反応ガス導入部を
介して、反応管に供給され、所定の熱処理がウェーハに
施される。熱処理中においては、流量制御弁４０が閉じ
られ、不活性ガスは遮蔽空間２０に供給されない。

熱処理中、反応ガスおよび炉体内の熱が、反応管のカバ
ーを介して、クリーンルーム１４に漏出しないように、
不活性ガスをスカベンジャーボックス（図示しない）に
供給することが好ましい。

他方、移送位置Ｃに戻されたボートトランスファー２日
は、その切欠き２８が、ウェーハの積載された別のウェ
ーハポート３８に係止されることによって、ウェーハポ
ートを懸吊する。そして、次の熱処理のため、縦型半導
体熱処理装置１１のボートローダ５１にウェーハポート
３８を転送するように、軌道２６にカイトされて、左方
に動かされる。そして、上記と同様な一連の動作が繰り
返され、ウェーハは、不活性雰囲気下で、縦型半導体熱
処理装置１１の反応管に搬入され、熱処理がそのウェー
ハに施される。

縦型半導体熱処理装置１０の反応管からのウェーへの搬
出は、搬入の際とほぼ同様な動作が繰り返ニされて行な
われる。つまり、概略的にいえば、不活性ガスが遮蔽空
間２０に再度供給され、遮蔽空間２０が不活性ガス雰囲
気化された後、ボートローダ５０の昇降軸５４が上昇す
る。昇降軸５４が上昇するにつれて１反応管、炉体１６
の開口がそれぞれ開放される。そして、ウェーハは、ウ
ェーハポート３８、懸吊軸５８とともに上昇し、反応管
から搬出される、その後、ヒートバリアーが閉じられ、
反応管が遮蔽空間２０から再度隔離される。そして、昇
降軸５４が旋回し、ウェーハは搬入吊位置Ａから転送位
２１ＪＢに移される。つまり、ウェーハは、ドア８ｏを
介して、遮蔽空間２０がら空間３Ｂに出される。そして
、ウェーハは、懸吊軸５８からボートトランスファー２
８に移され、ボートトランスファーに懸吊されて移送位
置Ｃに戻される。ウェーハの搬入出。

熱処理のためのボートトランスファー２Ｂ、ドアｅＯ昇
降軸５４、流量制御弁４０．４１．４２等の動作は、シ
ーケンス制御等によって自動的に行なわれる。

実施例では、井戸型反応管に部して説明したが、ベル型
反応管においてもこの発明の外気混入防１Ｆ装；冒が適
用できることはいうまでもない。なお、反応管の開口の
位置を考慮して、不活性ガスを選らぶことが好ましい。

たとえば、井戸型反応管においては、反応管の開口が上
端にあるため、空気より比重の大きな不活性ガス、たと
えば、アルゴンガス等を使用すれば、外気の混入が十分
防止でき、かつ、残存空気の排除が迅速になされる。

また、窒素ガスは、比較的安価であるため、比重を考慮
することなく、井戸型、ベル型のいづれの反応管におい
ても、使用できる。

懸吊軸５８を昇降して反応管にウェーハを搬入用する際
、不要な化学反応やナトリウム等による汚染がウェーハ
に顕著に生じやすい、しかし、移送位置Ｃから転送位置
Ｂへの搬送（広義では、搬入用工程の一部と考えられる
）においても、不要な化学反応や汚染がウェーハに生じ
る。そのため。

移送位＠Ｃから転送位置Ｂへのボートトランスファー２
８の走路を含むように、遮蔽空間を形成することが好ま
しい、たとえば、第２図に２点鎖線で示すように、空間
３８をクリーンルームから隔離して、気密化し、空間３
６に不活性カスを供給するとよい。

また、不活性ガスの代りに、ナトリウム等の不純物を除
去した極めて高純度の空気を遮蔽空間に供給してもよい
、このような高純度の空気を使用すれば、ウェーハおよ
び反応管の汚染が防止できる。

ウェーハ上での不要な酸化膜等の生成よりウェーハおよ
び反応管の汚染防止を重視すれば、不活性ガスとして、
高純度の空気を使用してもよい。

この点に注目すれば、高純度空気も一種の不活性ガスと
して把握される。

〔発明の効果〕

上記のようにこの発明の外気混入防止装置によれば、不
活性ガスが遮蔽空間に供給され、充満すれば、外気は、
遮蔽空間から排除されるとともに、遮蔽空間への流入が
防止される。また、ウェーハポート上のウェーハ間に介
在する外気も、不活性ガスに駆逐され、遮蔽空間から排
除される。そして、外気が遮蔽空間に存在する余地がな
く、遮蔽空間は、不活性ガス雰囲気化される。そのため
、遮蔽空間内のボートローダは、外気から隔離される。

ボートローダに支持されたウェーハポートとのウェーハ
は、当然に、外気から隔離される。

従って、昇降されて反応管に搬入用される際、ウェーハ
に、不要な酸化膜等が生じる虞れがなく、ナトリウム等
の不純物によって、ウェーハが汚染されることもない。

また、外気は、遮蔽空間から排除されるとともに、遮蔽
空間の不活性ガスに妨げられ、反応管に混入しない、つ
まり１反応管は、外気から十分に隔離される。そのため
、外気によって、反応ガスが、直接的にも間接的にも、
汚染されない、従って、膜圧の不均一、導通不良等の発
生が妨げられ、高い歩留りが確保できる。

なお、ウェーハ、反応管の汚染防止のためには、不活性
ガスが、遮蔽空間内で汚染されないことはいうまでもな
い、そのため、上記のようにこの発明では、また、遮蔽
空間の壁面は、高温下でも不純物を析出しない耐熱材料
から構成されている、そのため、反応管の開口が開放さ
れたとき、高温の反応ガスが、開口を介して、遮蔽空間
に流入し、壁面を加熱しても、不純物が壁面から析出せ
ず、遮蔽空間内の不活性ガスの汚染が防止される、従っ
て、純度の高い不活性ガス雰囲気下での、ウェーハの搬
入用が保証される。

ｈＡした実施例は、この発明を説明するためのものであ
り、この発明を何等限定するものでなく、この発明の技
術範囲内で変形、改造等の施されたものも全てこの発明
に包含されることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、この発明に係る縦型半導体熱処
理装置の外気混入防止装置の配置されたクリーンルーム
の概略斜視図および概略平面図である。 １０．１１．＋２・縦型半導体熱処理装置、１３：外気
混入防止装置、１４：　クリーンルーム、１８：炉体、
２０．２１，２２　：気密空間、２４：導管、２８・ボ
ートトランスファーの軌道、２８．ボートトランスファ
ー、３０、３１．３２　：分岐管、３６．空間、３日：
　ウェーハポート、　４０，４１．４２：　Ｒ量制御弁
、５０．５１．５２　：ボートローダ、５４　　ボート
ローダの昇降軸、５８：ボートローダの懸吊軸、６０・
気密空間のドア。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）炉体開口を介して反応管に連通するとともにドア
   を介してクリーンルームに連通する遮蔽空間が、ボート
   ローダを収納して、クリーンルーム内に形成され、 この遮蔽空間に不活性ガスが供給されるように構成され
   、 遮蔽空間を構成する壁面が、高温下でも不純物を析出し
   ない耐熱材料から成る縦型半導体熱処置装置の外気混入
   防止装置。
2. （２）遮蔽空間の壁面を形成する耐熱材料が、石英ガラ
   ス、炭化珪素、結晶化ガラス、単体シリコンのいずれか
   である特許請求の範囲第１項記載の縦型半導体熱処置装
   置の外気混入防止装置。
3. （３）遮蔽空間が、ボートトランスファーの走路に沿っ
   て、ウェーハ移送位置まで延びている特許請求の範囲第
   １項または第２項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混
   入防止装置。
4. （４）反応管は上端に開口を有し、遮蔽空間は上端開口
   に隣接して形成されている特許請求の範囲第１項ないし
   第３項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置
   。
5. （５）反応管は下端に開口を有し、遮蔽空間は下端開口
   に隣接して形成されている特許請求の範囲第１項ないし
   第３項記載の縦型半導体熱処置装置の外気混入防止装置
   。