JPS60143628A - 熱処理用管 - Google Patents
熱処理用管Info
- Publication number
- JPS60143628A JPS60143628A JP14052284A JP14052284A JPS60143628A JP S60143628 A JPS60143628 A JP S60143628A JP 14052284 A JP14052284 A JP 14052284A JP 14052284 A JP14052284 A JP 14052284A JP S60143628 A JPS60143628 A JP S60143628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tube
- reaction tube
- heat treatment
- silicon wafers
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱処理用管、特に半導体ウェーハの減圧熱処
理炉に使用される管に関する。
理炉に使用される管に関する。
半導体装置の製作にあたっては、シリコン等からなる半
導体ウェー八をスターティングマテリアルとし、ＣＶＤ
炉や拡散炉等の減圧熱処理炉を使用して半導体ウェー八
に種々の熱処理を行なうことが考えられる。−例として
特開昭５０−１２０７６９号公報に開示されている。
導体ウェー八をスターティングマテリアルとし、ＣＶＤ
炉や拡散炉等の減圧熱処理炉を使用して半導体ウェー八
に種々の熱処理を行なうことが考えられる。−例として
特開昭５０−１２０７６９号公報に開示されている。
この種の減圧熱処理炉においては、被熱処理体である半
導体ウェーハ（ウェーへ治共に数多くチ、ヤージした半
導体ウェーハ）に減圧状態下の反応管中で種々の態様の
熱処理反応を行なうものであるため、その反応物の一部
が反応管内壁にも付着して反応管を汚染する問題がある
。そのため、汚染（１） した反応管を定期的に減圧熱処理炉から取り外して洗し
ようを行なう必要があるが、この反応管の洗しよう作業
そのものが困難でやっかいなものであると共に、洗しよ
う後の反応管を再び減圧熱処理炉にセットする際に種々
の点検とチェックが必要であり、この間は、減圧熱処理
炉は使用で外ぬ状態となることにより稼動率の低下をま
ぬがれない。これは、減圧熱処理炉における反応管は、
被処理体である半導体ウェーハを挿出入する部分を密閉
する装置をその一部に有し、しかも、反応管を減圧状態
にするための真空ポンプを連結するための装置を兼備し
ているものである。そのため、汚染した反応管を洗しよ
うするために炉から取り外したり取りつけたりする際に
は、真空系の反応管に付随する種々の装置を入念にセッ
トリセットする必要があることと、真空系の反応管であ
るために複雑な構造を有していることよりその洗しよう
作業そのものが困難で手数のかかるものであることにも
とづく。
導体ウェーハ（ウェーへ治共に数多くチ、ヤージした半
導体ウェーハ）に減圧状態下の反応管中で種々の態様の
熱処理反応を行なうものであるため、その反応物の一部
が反応管内壁にも付着して反応管を汚染する問題がある
。そのため、汚染（１） した反応管を定期的に減圧熱処理炉から取り外して洗し
ようを行なう必要があるが、この反応管の洗しよう作業
そのものが困難でやっかいなものであると共に、洗しよ
う後の反応管を再び減圧熱処理炉にセットする際に種々
の点検とチェックが必要であり、この間は、減圧熱処理
炉は使用で外ぬ状態となることにより稼動率の低下をま
ぬがれない。これは、減圧熱処理炉における反応管は、
被処理体である半導体ウェーハを挿出入する部分を密閉
する装置をその一部に有し、しかも、反応管を減圧状態
にするための真空ポンプを連結するための装置を兼備し
ているものである。そのため、汚染した反応管を洗しよ
うするために炉から取り外したり取りつけたりする際に
は、真空系の反応管に付随する種々の装置を入念にセッ
トリセットする必要があることと、真空系の反応管であ
るために複雑な構造を有していることよりその洗しよう
作業そのものが困難で手数のかかるものであることにも
とづく。
それゆえ、本発明の目的は、半導体ウェーハの（２）
減圧熱処理炉における反応管の汚染を小として反応管の
洗しよう作業を軽減すると共に、それにともなう炉の稼
動率の向上をはかることを提供することにある。
洗しよう作業を軽減すると共に、それにともなう炉の稼
動率の向上をはかることを提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においては、反
応管に着脱自在に内挿してセットし、かつ半導体ウェー
ハをすっぽりと収納できる反応副管を提供するものであ
る。
応管に着脱自在に内挿してセットし、かつ半導体ウェー
ハをすっぽりと収納できる反応副管を提供するものであ
る。
以下、本発明を適用した減圧拡散炉を詳述する。
第１図は、本発明にかかるシリコンウェーへの減圧拡散
炉およびそれにシリコンウェーハをセットしたものを示
す要部断面図である。同図において、１は反応管で、一
端をしぼった中空円筒形状のもので、他端は、バッキン
グ２を介在させて密閉蓋３を装着できるようになってい
仝。４は反応管１内を減圧状態にするための真空ポンプ
であり、連結装置５をもって反応管１に装着している。
炉およびそれにシリコンウェーハをセットしたものを示
す要部断面図である。同図において、１は反応管で、一
端をしぼった中空円筒形状のもので、他端は、バッキン
グ２を介在させて密閉蓋３を装着できるようになってい
仝。４は反応管１内を減圧状態にするための真空ポンプ
であり、連結装置５をもって反応管１に装着している。
６は反応管１を取り巻いている高周波加熱体等の減圧熱
処理炉における加熱部である。７は被熱処理体であるシ
リコンウェーハであり、８はこの（３） シリコンウェーハを１０〜５０枚程度チャージするウェ
ーハ治具である。そして、９は本発明の特徴である反応
副管すなわち熱処理用管であり、その形状は第２図にそ
の斜視図を示すように反応管１に着脱自在に内挿して装
着できる中空円筒体で、少なくともシリコンウェーハ７
およびウェーハ治具８をすっぽりと収納でき得る大軽さ
のもので、その材料としては、石英またはシリコンある
いはカーボランダム等の耐熱性材料でかつ高温減圧状態
下において有害なコンタミネーションを放射しないもの
である。なお、この反応副管９としては、種々の態様の
ものが適用でき、複数のシリコンウェーハを直接チャー
ジできる構造のものと腰つヱーへ治兵８の役割をも兼備
した反応副管とすることもできるものである。
処理炉における加熱部である。７は被熱処理体であるシ
リコンウェーハであり、８はこの（３） シリコンウェーハを１０〜５０枚程度チャージするウェ
ーハ治具である。そして、９は本発明の特徴である反応
副管すなわち熱処理用管であり、その形状は第２図にそ
の斜視図を示すように反応管１に着脱自在に内挿して装
着できる中空円筒体で、少なくともシリコンウェーハ７
およびウェーハ治具８をすっぽりと収納でき得る大軽さ
のもので、その材料としては、石英またはシリコンある
いはカーボランダム等の耐熱性材料でかつ高温減圧状態
下において有害なコンタミネーションを放射しないもの
である。なお、この反応副管９としては、種々の態様の
ものが適用でき、複数のシリコンウェーハを直接チャー
ジできる構造のものと腰つヱーへ治兵８の役割をも兼備
した反応副管とすることもできるものである。
第１図よりあきらかのように、シリコンウェーハの減圧
拡散は、従来のものに比較して、シリコンウェーハ７並
びにシリコンウェーハ７をチャージするウェーハ治具８
を反応副管９ですっぽりと収納して行なう。したがって
これによって、シリ（４） コンウェーハ７に減圧高温状態下でボロン？ディポジシ
ョン処理等を行なうことによってボロン等が反応副管９
内壁に付着するが反応管１にはほとんど付着しなく反応
管１を汚染することはない。
拡散は、従来のものに比較して、シリコンウェーハ７並
びにシリコンウェーハ７をチャージするウェーハ治具８
を反応副管９ですっぽりと収納して行なう。したがって
これによって、シリ（４） コンウェーハ７に減圧高温状態下でボロン？ディポジシ
ョン処理等を行なうことによってボロン等が反応副管９
内壁に付着するが反応管１にはほとんど付着しなく反応
管１を汚染することはない。
そのため、汚染のはげしい反応副管９を反応管１より取
り外して洗しようすることにより、常に清浄度の高い状
態をもってシリコンウェーハに種々の熱処理を施こすこ
とがで外ると共、に、汚染度の極めて少なくなった反応
管１の洗しよう作業は長期間性なう必要がない。そして
、反応副管９は、その形状が中空円筒体であり、反応管
１より取りはずしたり、取すイ１けたすすることが容易
なものであることにより、その竺しよう作業は簡便であ
る。、ま午、この反応副管９は、シリコンウェーハ７の
反応管１へのセットリセットの際に反応管１にセットリ
セットすることができるものであることにより、炉の稼
動率を反応副管９の洗しよう作業によって低下させるこ
とはない。
り外して洗しようすることにより、常に清浄度の高い状
態をもってシリコンウェーハに種々の熱処理を施こすこ
とがで外ると共、に、汚染度の極めて少なくなった反応
管１の洗しよう作業は長期間性なう必要がない。そして
、反応副管９は、その形状が中空円筒体であり、反応管
１より取りはずしたり、取すイ１けたすすることが容易
なものであることにより、その竺しよう作業は簡便であ
る。、ま午、この反応副管９は、シリコンウェーハ７の
反応管１へのセットリセットの際に反応管１にセットリ
セットすることができるものであることにより、炉の稼
動率を反応副管９の洗しよう作業によって低下させるこ
とはない。
また、本発明にかかるシリコンウェーハの減圧竺散炉は
次にのべるような諸利点をも有する。
次にのべるような諸利点をも有する。
（５）
１、反応管１は、汚染度が極めて少なくなるので、長期
間洗しようを行なう必要はない。そのため、複雑な反応
管１の真空系にともなう種々の付随する装置からリセッ
トしたリセットしたりする困難な作業は不要となると共
に、高価な反応管１の寿命が長くなり、しかも炉の稼動
時間が大幅に改善されて熱処理作業性が向上する。
間洗しようを行なう必要はない。そのため、複雑な反応
管１の真空系にともなう種々の付随する装置からリセッ
トしたリセットしたりする困難な作業は不要となると共
に、高価な反応管１の寿命が長くなり、しかも炉の稼動
時間が大幅に改善されて熱処理作業性が向上する。
２、反応副管９の構造並びに材質は、所定の熱処理目的
に応じて選定できることより、反応管１内の雰囲気およ
び熱反応条件を最適なものにできる。
に応じて選定できることより、反応管１内の雰囲気およ
び熱反応条件を最適なものにできる。
３、シリコンウェーハの減圧拡散炉に限定されず、本発
明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハにＣＸＩＤ
法により酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の種々
の材質からなる膜を堆積することができる減圧ＣＶＤ炉
や種々の不純物を半導体ウェーハにディポジションした
り拡散したりする減圧拡散炉等の種々の態様の半導体ウ
ェーハの減圧熱処理炉に適用できる。
明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハにＣＸＩＤ
法により酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の種々
の材質からなる膜を堆積することができる減圧ＣＶＤ炉
や種々の不純物を半導体ウェーハにディポジションした
り拡散したりする減圧拡散炉等の種々の態様の半導体ウ
ェーハの減圧熱処理炉に適用できる。
（６）
第１図は、本発明の一実施例であるシリコンウェーハの
減圧拡散炉およびそれにシリコンウェーハをセットした
状況を示す要部断面図、第２図は、反応副管の斜視図で
ある。 １・・・反応管、２・・・バッキング、３・・・密閉蓋
、４・・・真空ポンプ、５・・・連結装置、６・・・加
熱部、７・・・シリコンウェーハ、８・・・ウヱーハ治
具、９・・・反応副管。 （７） 第 １ 図 第 ２ 図
減圧拡散炉およびそれにシリコンウェーハをセットした
状況を示す要部断面図、第２図は、反応副管の斜視図で
ある。 １・・・反応管、２・・・バッキング、３・・・密閉蓋
、４・・・真空ポンプ、５・・・連結装置、６・・・加
熱部、７・・・シリコンウェーハ、８・・・ウヱーハ治
具、９・・・反応副管。 （７） 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 両端部が開口端をなし、反応管内に収納するための中空
円筒状の熱処理用管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14052284A JPS60143628A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 熱処理用管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14052284A JPS60143628A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 熱処理用管 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7216376A Division JPS6038018B2 (ja) | 1976-06-21 | 1976-06-21 | 半導体ウエ−ハの減圧熱処理炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143628A true JPS60143628A (ja) | 1985-07-29 |
Family
ID=15270616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14052284A Pending JPS60143628A (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 熱処理用管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276824A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-12-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
| EP0328817A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
| JPH04180619A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造用横形反応炉 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA530299A (en) * | 1956-09-11 | A. Johnson Stanley | Formation of metallic films by thermal evaporation |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP14052284A patent/JPS60143628A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA530299A (en) * | 1956-09-11 | A. Johnson Stanley | Formation of metallic films by thermal evaporation |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62276824A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-12-01 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 縦型半導体熱処理装置の外気混入防止装置 |
| EP0328817A2 (en) * | 1988-02-18 | 1989-08-23 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
| EP0328817A3 (en) * | 1988-02-18 | 1991-03-13 | Nortel Networks Corporation | Method and apparatus for marking silicon-on-insulator subtrates |
| JPH04180619A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Nec Yamagata Ltd | 半導体製造用横形反応炉 |
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