JPH08124870A - 半導体製造装置のドライクリーニング方法 - Google Patents
半導体製造装置のドライクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH08124870A JPH08124870A JP25684394A JP25684394A JPH08124870A JP H08124870 A JPH08124870 A JP H08124870A JP 25684394 A JP25684394 A JP 25684394A JP 25684394 A JP25684394 A JP 25684394A JP H08124870 A JPH08124870 A JP H08124870A
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- furnace
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 炉口部等の金属部品が腐食されず、その寿命
を延長し、メンテナンスを容易にし、構成が簡単で安価
に実施できるばかりでなく、クリーニング後の成膜への
金属汚染を防止できる半導体製造装置のドライクリーニ
ング方法を提供する。 【構成】 反応炉の温度を５００〜６５０℃に保持し，
反応炉の圧力を１０〜２００Torrに保持して、反応管及
びボート等を、ＮＦ3 ガス又はＮＦ3 ガスを含むガスを
流すことによりクリーニングすることを特徴とする。
を延長し、メンテナンスを容易にし、構成が簡単で安価
に実施できるばかりでなく、クリーニング後の成膜への
金属汚染を防止できる半導体製造装置のドライクリーニ
ング方法を提供する。 【構成】 反応炉の温度を５００〜６５０℃に保持し，
反応炉の圧力を１０〜２００Torrに保持して、反応管及
びボート等を、ＮＦ3 ガス又はＮＦ3 ガスを含むガスを
流すことによりクリーニングすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置等の半導体
製造装置のドライクリーニング方法に関する。
製造装置のドライクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置、例えばＣＶＤ装置のド
ライクリーニング方法は、図１を参照して説明すると、
内，外側反応管１，２よりなる反応炉内にボート３を置
き、炉口部フランジ４にシールキャップ５を密閉して反
応炉内をヒータ６により加熱状態に保持し、炉口部フラ
ンジ４に設けたガス導入口７からクリーニング用ガスを
導入して反応炉内を流通させ、炉口部フランジ４に設け
たガス排気口８から排気することにより内，外側反応管
１，２及びボート３等に推積したＣＶＤ膜、例えばシリ
コン膜やドープトシリコン膜をエッチング除去しドライ
クリーニングするものである。従来方法には、クリーニ
ング用ガスとしてＣｌＦ3 ガスを用いる方法とＮＦ3ガ
スを用いる方法がある。
ライクリーニング方法は、図１を参照して説明すると、
内，外側反応管１，２よりなる反応炉内にボート３を置
き、炉口部フランジ４にシールキャップ５を密閉して反
応炉内をヒータ６により加熱状態に保持し、炉口部フラ
ンジ４に設けたガス導入口７からクリーニング用ガスを
導入して反応炉内を流通させ、炉口部フランジ４に設け
たガス排気口８から排気することにより内，外側反応管
１，２及びボート３等に推積したＣＶＤ膜、例えばシリ
コン膜やドープトシリコン膜をエッチング除去しドライ
クリーニングするものである。従来方法には、クリーニ
ング用ガスとしてＣｌＦ3 ガスを用いる方法とＮＦ3ガ
スを用いる方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＣｌＦ3 ガ
ス使用によるドライクリーニング方法にあっては、腐食
性が強く、炉口部金属部品がひどく腐食し、その寿命が
短かく、頻繁に部品交換を行う必要があり、メンテナン
スが容易でない。そこで、ニッケル合金等の耐腐食性材
料の部品を用いると高価になるという課題がある。又、
クリーニング後に成膜したウェーハが金属汚染されると
いう課題もある。従来のＮＦ3 ガス使用によるプラズマ
クリーニング方法にあっては、プラズマ発生用の電極及
び回路が必要であり、構成が複雑になるばかりでなく、
反応炉内への電極挿入等の作業を必要とし、安価に実施
することができないという課題がある。
ス使用によるドライクリーニング方法にあっては、腐食
性が強く、炉口部金属部品がひどく腐食し、その寿命が
短かく、頻繁に部品交換を行う必要があり、メンテナン
スが容易でない。そこで、ニッケル合金等の耐腐食性材
料の部品を用いると高価になるという課題がある。又、
クリーニング後に成膜したウェーハが金属汚染されると
いう課題もある。従来のＮＦ3 ガス使用によるプラズマ
クリーニング方法にあっては、プラズマ発生用の電極及
び回路が必要であり、構成が複雑になるばかりでなく、
反応炉内への電極挿入等の作業を必要とし、安価に実施
することができないという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題に
鑑みてなされたものであって、炉口部等の金属部品が腐
食されず、その寿命を延長し、メンテナンスを容易に
し、構成が簡単で安価に実施できるばかりでなく、クリ
ーニング後の成膜への金属汚染を防止できる半導体製造
装置のドライクリーニング方法を提供しようとするもの
である。即ち、本発明方法は、図１に示すように反応炉
の温度を５００〜６５０℃に保持し，反応炉の圧力を１
０〜２００Torrに保持して、反応管及びボート等を、Ｎ
Ｆ3 ガス又はＮＦ3 ガスを含むガスを流すことによりク
リーニングすることを特徴とする。
鑑みてなされたものであって、炉口部等の金属部品が腐
食されず、その寿命を延長し、メンテナンスを容易に
し、構成が簡単で安価に実施できるばかりでなく、クリ
ーニング後の成膜への金属汚染を防止できる半導体製造
装置のドライクリーニング方法を提供しようとするもの
である。即ち、本発明方法は、図１に示すように反応炉
の温度を５００〜６５０℃に保持し，反応炉の圧力を１
０〜２００Torrに保持して、反応管及びボート等を、Ｎ
Ｆ3 ガス又はＮＦ3 ガスを含むガスを流すことによりク
リーニングすることを特徴とする。
【０００５】
【作 用】このようにＮＦ3 ガス又はＮＦ3 ガスを含む
ガスを使用すると、該ＮＦ3 ガスは安定なガスであり、
ＣｌＦ3 ガスのような強い腐食性がないため、炉口部の
金属部品は腐食されず、ステンレス製で充分であり、高
価なニッケル合金等の材料の部品を使用する必要はな
い。反応炉の温度が５００℃以下或いは反応炉の圧力が
１０Torr以下ではエッチング速度が遅く実用的ではな
い。又、反応炉の温度が５００℃以下では、ポリシリコ
ンの成膜温度よりかなり降温する必要があるため、メン
テナンス時間の短縮のメリットが少なくなる。一方、反
応炉の温度が６５０℃以上の高温では、ポリシリコンの
成膜温度よりもかなり高い温度となり、昇温によって石
英反応管等の石英部品とその表面に付着したポリシリコ
ン膜との間に強い応力が生じ、石英部品へのマイクロク
ラックの発生やポリシリコン膜の剥離等の問題を生じ
る。従って、反応炉の温度を５００〜６５０℃に保持す
ることが必要である。又、反応炉の圧力を１０〜２００
Torr程度の比較的高い圧力にすることにより実用的なエ
ッチング速度を確保することができる。
ガスを使用すると、該ＮＦ3 ガスは安定なガスであり、
ＣｌＦ3 ガスのような強い腐食性がないため、炉口部の
金属部品は腐食されず、ステンレス製で充分であり、高
価なニッケル合金等の材料の部品を使用する必要はな
い。反応炉の温度が５００℃以下或いは反応炉の圧力が
１０Torr以下ではエッチング速度が遅く実用的ではな
い。又、反応炉の温度が５００℃以下では、ポリシリコ
ンの成膜温度よりかなり降温する必要があるため、メン
テナンス時間の短縮のメリットが少なくなる。一方、反
応炉の温度が６５０℃以上の高温では、ポリシリコンの
成膜温度よりもかなり高い温度となり、昇温によって石
英反応管等の石英部品とその表面に付着したポリシリコ
ン膜との間に強い応力が生じ、石英部品へのマイクロク
ラックの発生やポリシリコン膜の剥離等の問題を生じ
る。従って、反応炉の温度を５００〜６５０℃に保持す
ることが必要である。又、反応炉の圧力を１０〜２００
Torr程度の比較的高い圧力にすることにより実用的なエ
ッチング速度を確保することができる。
【０００６】
【実施例】図１は本発明方法の１実施例の構成説明図で
ある。本発明の実施方法は、例えばポリシリコン膜等の
ＣＶＤ膜を生成するＣＶＤ装置において、内，外側反応
管１，２よりなる反応炉内にボート３を置き、炉口部フ
ランジ４にシールキャップ５を密閉して反応炉内をヒー
タ６により５００〜６５０℃の温度に保持し、反応炉の
圧力を１０〜２００Torrに保持し、炉口部フランジ４に
設けたガス導入口７からＮＦ3 ガスを導入して反応炉内
を流通させ、炉口部フランジ４に設けたガス排気口８か
らポンプ１０によりバルブ９、除害装置１１を経て排気
することにより内，外側反応管１，２及びボート３等に
推積したシリコン膜，ポリシリコン膜，ドープトシリコ
ン膜等のＣＶＤ膜をエッチング除去しクリーニングせし
める。
ある。本発明の実施方法は、例えばポリシリコン膜等の
ＣＶＤ膜を生成するＣＶＤ装置において、内，外側反応
管１，２よりなる反応炉内にボート３を置き、炉口部フ
ランジ４にシールキャップ５を密閉して反応炉内をヒー
タ６により５００〜６５０℃の温度に保持し、反応炉の
圧力を１０〜２００Torrに保持し、炉口部フランジ４に
設けたガス導入口７からＮＦ3 ガスを導入して反応炉内
を流通させ、炉口部フランジ４に設けたガス排気口８か
らポンプ１０によりバルブ９、除害装置１１を経て排気
することにより内，外側反応管１，２及びボート３等に
推積したシリコン膜，ポリシリコン膜，ドープトシリコ
ン膜等のＣＶＤ膜をエッチング除去しクリーニングせし
める。
【０００７】本実施方法は、上記のような構成であるか
ら、ＮＦ3 ガスはＣｌＦ3 ガスに比べ安定なガスであ
り、同一条件ではエッチング速度が遅い。そこで１０〜
２００Torr程度の比較的高い圧力にして実用的なエッチ
ング速度を確保する。ＮＦ3 ガスはＣｌＦ3 ガスの様な
強い腐食性がないので、炉口部の金属部品は腐食され
ず、ステンレス製で充分であり、高価なニッケル合金等
の部品を使用する必要はない。ＮＦ3 ガスは、１００％
で使用しても良いし、Ｎ2 ガスの様な不活性ガスで希釈
して使用しても良い。反応炉の温度が５００℃以下或い
は反応炉の圧力が１０Torr以下ではエッチング速度が遅
く実用的ではない。又、反応炉の温度が５００℃以下で
は、ポリシリコンの成膜温度よりかなり降温する必要が
あるため、メンテナンス時間の短縮のメリットが少なく
なる。一方、反応炉の温度が６５０℃以上の高温では、
ポリシリコンの成膜温度よりもかなり高い温度となり、
昇温によって石英反応管等の石英部品とその表面に付着
したポリシリコン膜との間に強い応力が生じ、石英部品
へのマイクロクラックの発生やポリシリコン膜の剥離等
の問題を生じる。従って、反応炉の温度を５００〜６５
０℃に保持することが必要である。。
ら、ＮＦ3 ガスはＣｌＦ3 ガスに比べ安定なガスであ
り、同一条件ではエッチング速度が遅い。そこで１０〜
２００Torr程度の比較的高い圧力にして実用的なエッチ
ング速度を確保する。ＮＦ3 ガスはＣｌＦ3 ガスの様な
強い腐食性がないので、炉口部の金属部品は腐食され
ず、ステンレス製で充分であり、高価なニッケル合金等
の部品を使用する必要はない。ＮＦ3 ガスは、１００％
で使用しても良いし、Ｎ2 ガスの様な不活性ガスで希釈
して使用しても良い。反応炉の温度が５００℃以下或い
は反応炉の圧力が１０Torr以下ではエッチング速度が遅
く実用的ではない。又、反応炉の温度が５００℃以下で
は、ポリシリコンの成膜温度よりかなり降温する必要が
あるため、メンテナンス時間の短縮のメリットが少なく
なる。一方、反応炉の温度が６５０℃以上の高温では、
ポリシリコンの成膜温度よりもかなり高い温度となり、
昇温によって石英反応管等の石英部品とその表面に付着
したポリシリコン膜との間に強い応力が生じ、石英部品
へのマイクロクラックの発生やポリシリコン膜の剥離等
の問題を生じる。従って、反応炉の温度を５００〜６５
０℃に保持することが必要である。。
【０００８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、ＣｌＦ3
ガスのように腐食性の強いガスを使用せず、ＮＦ3 ガス
又はＮＦ3 ガスを含むガスを使用しているので、炉口部
等の金属部品が腐食されず、その寿命を延長し、メンテ
ナンスを容易にし、構成が簡単で安価に実施できるばか
りでなく、クリーニング後の成膜への金属汚染を防止で
きる。又、ウエットエッチングのように反応管等を取外
す必要がないので、メンテナンスに要する時間を短縮す
ることができる。
ガスのように腐食性の強いガスを使用せず、ＮＦ3 ガス
又はＮＦ3 ガスを含むガスを使用しているので、炉口部
等の金属部品が腐食されず、その寿命を延長し、メンテ
ナンスを容易にし、構成が簡単で安価に実施できるばか
りでなく、クリーニング後の成膜への金属汚染を防止で
きる。又、ウエットエッチングのように反応管等を取外
す必要がないので、メンテナンスに要する時間を短縮す
ることができる。
【図１】図１は本発明方法の１実施例の構成説明図であ
る。
る。
１ 内側反応管 ２ 外側反応管 ３ ボート ４ 炉口部フランジ ５ シールキャップ ６ ヒータ ７ ガス導入口 ８ ガス排気口 ９ バルブ １０ ポンプ １１ 除害装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 21/304 ３４１ Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】 反応炉の温度を５００〜６５０℃に保持
して、反応管及びボート等を、ＮＦ3 ガス又はＮＦ3 ガ
スを含むガスを流すことによりクリーニングすることを
特徴とする半導体製造装置のドライクリーニング方法。 - 【請求項２】 反応炉の圧力を１０〜２００Torrとする
ことを特徴とする請求項１の半導体製造装置のドライク
リーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25684394A JPH08124870A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25684394A JPH08124870A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124870A true JPH08124870A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17298192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25684394A Pending JPH08124870A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体製造装置のドライクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432215B2 (en) | 1999-11-24 | 2008-10-07 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| CN100447944C (zh) * | 2005-09-15 | 2008-12-31 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体设备的干燥方法 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP25684394A patent/JPH08124870A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7432215B2 (en) | 1999-11-24 | 2008-10-07 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| CN100447944C (zh) * | 2005-09-15 | 2008-12-31 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体设备的干燥方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050331 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050726 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |