JPS6271220A - 半導体拡散装置のシ−ル方法 - Google Patents
半導体拡散装置のシ−ル方法Info
- Publication number
- JPS6271220A JPS6271220A JP21016485A JP21016485A JPS6271220A JP S6271220 A JPS6271220 A JP S6271220A JP 21016485 A JP21016485 A JP 21016485A JP 21016485 A JP21016485 A JP 21016485A JP S6271220 A JPS6271220 A JP S6271220A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylinder
- quartz tube
- heat
- tapered portion
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
従来から半導体製品の製造工程は半導体ウェーハに機能
素子や回路を造り込む前工程と、この機能素子や回路毎
に分割した半導体素子を組立る後工程に大別される。
素子や回路を造り込む前工程と、この機能素子や回路毎
に分割した半導体素子を組立る後工程に大別される。
しかし、旺盛な需要及び激しい競走下に置かれているこ
の半導体産業では生産性の高い生産ラインの確立が課題
とされており、このため極端に高い清浄度を求められる
前工程でも自動化が進められているのが現状である。
の半導体産業では生産性の高い生産ラインの確立が課題
とされており、このため極端に高い清浄度を求められる
前工程でも自動化が進められているのが現状である。
これに加え、超ＬＳＩに代表される最近の半導体装置は
高性能化、高集積化の進歩が著るしく、これにつれて製
造プロセスも複雑多岐にわたっており、製造ラインの清
浄度が歩溜りに与える影響は大きく、じんあいの発生源
である人体を遠ざける意味からも自動化の意義は大きく
、このためその開発が精力的に進められており製造設備
にも細心の注意が払われているのが現状である。
高性能化、高集積化の進歩が著るしく、これにつれて製
造プロセスも複雑多岐にわたっており、製造ラインの清
浄度が歩溜りに与える影響は大きく、じんあいの発生源
である人体を遠ざける意味からも自動化の意義は大きく
、このためその開発が精力的に進められており製造設備
にも細心の注意が払われているのが現状である。
ところで、半導体素子の製造工程にとって不可欠な拡散
炉等の加熱炉にあってはヒータ等を埋め込んだ断熱性に
富んだ中空炉体を使用しており、半導体素子の表面安定
化物質として適用される材料もしくはこれに化学的特性
が似ている石英又はＳＩＣから成る筒体を中空炉体に挿
入して適用されている。
炉等の加熱炉にあってはヒータ等を埋め込んだ断熱性に
富んだ中空炉体を使用しており、半導体素子の表面安定
化物質として適用される材料もしくはこれに化学的特性
が似ている石英又はＳＩＣから成る筒体を中空炉体に挿
入して適用されている。
この拡散炉にあっては、石英管の端末を中空炉体外に出
してその温度勾配を調整する工夫がされているが第４図
により詳細に説明する。
してその温度勾配を調整する工夫がされているが第４図
により詳細に説明する。
中空炉体（２０）には石英管（２工）を挿出入可能に設
けるが、最近ではこれらを複数段重ねたいわゆる縦型構
造が賞用されているが図では割愛した。
けるが、最近ではこれらを複数段重ねたいわゆる縦型構
造が賞用されているが図では割愛した。
中空炉体（２０）からクリーンルーム内にはみ出た部分
には仕切板（２２）が設置されており、これは後述する
石英管（２１）内に添加される気体をクリーンルームの
天井に設けたダクトに集める機能を持っており、更にク
リーンルーム内に露出した石英管端末部分にはテーパ部
（２３）を設け、ここに石英製の蓋（２４）を取付ける
構造となっている。その一部には排ガス用排気孔（２５
）が設けられている。
には仕切板（２２）が設置されており、これは後述する
石英管（２１）内に添加される気体をクリーンルームの
天井に設けたダクトに集める機能を持っており、更にク
リーンルーム内に露出した石英管端末部分にはテーパ部
（２３）を設け、ここに石英製の蓋（２４）を取付ける
構造となっている。その一部には排ガス用排気孔（２５
）が設けられている。
現在半導体ウェーハの直径はその生産性向上の一環から
大口径化の方向をたどっており、しかも拡散炉も４段炉
が使用されているために、炉口は高くなり石英管用の蓋
を取り扱う作業が困難となっており、その自動化の要請
が高まっている。しかし石英製の蓋をテーパ部を形成し
た石英管端末に嵌め込む方法では拡散等の工程に必要な
約１０００℃の高温から嵌合部分が焼き付いてその脱着
が極めて難かしく、場合によっては破損により取り除く
ことも起る。しかし、通常はこの蓋部に軽い衝撃を与え
て緩みを作ってから取り外すが、何れにしても炉温１０
００℃程度に加熱された石英管端末を素手で扱うことは
できず当然石綿製の手袋が必要となる。このような作業
は当然であるが作業者の勘に頼った力によっており当然
一定の調整は不能となる。
大口径化の方向をたどっており、しかも拡散炉も４段炉
が使用されているために、炉口は高くなり石英管用の蓋
を取り扱う作業が困難となっており、その自動化の要請
が高まっている。しかし石英製の蓋をテーパ部を形成し
た石英管端末に嵌め込む方法では拡散等の工程に必要な
約１０００℃の高温から嵌合部分が焼き付いてその脱着
が極めて難かしく、場合によっては破損により取り除く
ことも起る。しかし、通常はこの蓋部に軽い衝撃を与え
て緩みを作ってから取り外すが、何れにしても炉温１０
００℃程度に加熱された石英管端末を素手で扱うことは
できず当然石綿製の手袋が必要となる。このような作業
は当然であるが作業者の勘に頼った力によっており当然
一定の調整は不能となる。
この嵌合部分には耐熱性ならびに耐食性をもった０リン
グを設置して、拡散炉内を所望の雰囲気に維持するが、
炉温１０００℃ではこのＯリング近辺は約３００℃とな
り水冷しても焼損する事故が発生した。
グを設置して、拡散炉内を所望の雰囲気に維持するが、
炉温１０００℃ではこのＯリング近辺は約３００℃とな
り水冷しても焼損する事故が発生した。
本発明は上記難点を除去した新規な半導体装置のシール
方法を提供するものである。
方法を提供するものである。
上記目的を達成するため本発明では中空炉体からはみ出
た石英管端末に耐熱性金属筒体を嵌め込み、しかもこの
両部品の封止用にその接触部分に中空の耐熱性に富んだ
弾性合成樹脂筒体を設け、かつ耐熱性金属筒体に設けた
冷却路ならびに弾性合成樹脂筒体内を水冷等の方式で冷
却する方式を採用した。
た石英管端末に耐熱性金属筒体を嵌め込み、しかもこの
両部品の封止用にその接触部分に中空の耐熱性に富んだ
弾性合成樹脂筒体を設け、かつ耐熱性金属筒体に設けた
冷却路ならびに弾性合成樹脂筒体内を水冷等の方式で冷
却する方式を採用した。
第１図乃至第３図により本発明を詳述する。
第１図は本発明に使用する装置の断面図であり。
１段の中空炉体（１）を図示しであるが、通常は４段積
み重ねたものを適用する。
み重ねたものを適用する。
中空炉体（１）からはみ出した石英管（２）の端末部に
はテーパ部（３）を設け、ここにステンレス製の筒体（
４）を嵌め込みこの両者の接触部、即ちテーパ部（３）
の一部周面にバイトン製の筒体からなる○リング（５）
を配置して両者を封止する。
はテーパ部（３）を設け、ここにステンレス製の筒体（
４）を嵌め込みこの両者の接触部、即ちテーパ部（３）
の一部周面にバイトン製の筒体からなる○リング（５）
を配置して両者を封止する。
この筒体には第２図に示すように仕切り（６）を設けて
冷却水注入口（７）からの冷却水が排水口（８）から排
水する構造として循環しない。
冷却水注入口（７）からの冷却水が排水口（８）から排
水する構造として循環しない。
一方金属筒体（４）には排ガス排出孔（９）を設けると
共にその周囲を冷媒で冷却する冷却路（ｌＯ）を形成す
るが、この冷却路（９）にも第３図に示すように仕切り
（１１）を設置し、冷媒注入口（１２）と排出口（１３
）を形成する。更に、この金属筒体（４）には蓋部（１
４）を○リング（１５）によって封止可能とする。
共にその周囲を冷媒で冷却する冷却路（ｌＯ）を形成す
るが、この冷却路（９）にも第３図に示すように仕切り
（１１）を設置し、冷媒注入口（１２）と排出口（１３
）を形成する。更に、この金属筒体（４）には蓋部（１
４）を○リング（１５）によって封止可能とする。
又従来例に示したように隔壁（１５）を設けてクリーン
ルーム内の天井に設置したダクトによって排出可能とす
るが、この隔壁は通常スカベンジャと言われている。
ルーム内の天井に設置したダクトによって排出可能とす
るが、この隔壁は通常スカベンジャと言われている。
本発明では合成樹脂製で弾力のある筒体によって金属筒
体と石英管を封止する外、この弾力のある筒体と金属筒
体に設けた冷却路を冷媒１通常は水で冷却するので、こ
の弾力のある筒体を焼損することなく長期にわたってそ
の機能を発揮させることができる。
体と石英管を封止する外、この弾力のある筒体と金属筒
体に設けた冷却路を冷媒１通常は水で冷却するので、こ
の弾力のある筒体を焼損することなく長期にわたってそ
の機能を発揮させることができる。
このように冷却した金属筒体を適用しているので石英管
との取り外しは一定の力で行うことができるので自動化
が可能となり拡散処理シーケンスを一貫して自動化ライ
ンの構築ができ、大幅な歩溜り向上ならびに省力化が可
能となる。更に、冷却された金属筒体の適用により石綿
層の手袋を使用しなくて済むのでクリーンルーム内の清
浄度を乱す恐れはなく、更に一定の荷重でスムースに石
英管と金属筒体の離脱が可能となるので同様にクリーン
ルーム内の清浄度維持が図られ、ひいては小潮り向上に
資するところが大きい。
との取り外しは一定の力で行うことができるので自動化
が可能となり拡散処理シーケンスを一貫して自動化ライ
ンの構築ができ、大幅な歩溜り向上ならびに省力化が可
能となる。更に、冷却された金属筒体の適用により石綿
層の手袋を使用しなくて済むのでクリーンルーム内の清
浄度を乱す恐れはなく、更に一定の荷重でスムースに石
英管と金属筒体の離脱が可能となるので同様にクリーン
ルーム内の清浄度維持が図られ、ひいては小潮り向上に
資するところが大きい。
更に、金属筒体の取り外しやキャップの着脱も自動化さ
れるために作業者を約２ｍの高所作業から解放されるた
め安全性の観点からも作業環境を大巾に向上できる。
れるために作業者を約２ｍの高所作業から解放されるた
め安全性の観点からも作業環境を大巾に向上できる。
第１図は本発明方法に使用する設備の概要を示す断面図
、第２図及び第３図はその冷却構、造の断面図、第４図
は従来の拡散装置の断面図である。
、第２図及び第３図はその冷却構、造の断面図、第４図
は従来の拡散装置の断面図である。
Claims (1)
- 中空炉体にこれより突出する部分を持つ耐熱性管体を
挿入配置し、この突出する耐熱性管体端末に耐熱性金属
筒体を嵌合し、その接触面を弾性の合成樹脂性筒体で封
止すると共に、この耐熱性金属筒体に設ける冷却路及び
弾性合成樹脂製筒体内を冷却することを特徴とする半導
体拡散装置のシール方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21016485A JPS6271220A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 半導体拡散装置のシ−ル方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21016485A JPS6271220A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 半導体拡散装置のシ−ル方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271220A true JPS6271220A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16584825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21016485A Pending JPS6271220A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | 半導体拡散装置のシ−ル方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271220A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446919A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Sealing mechanism of heat-resistant tube for heating wafer |
| JPH02174225A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21016485A patent/JPS6271220A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446919A (en) * | 1987-08-17 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Sealing mechanism of heat-resistant tube for heating wafer |
| JPH02174225A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Tel Sagami Ltd | 処理装置 |
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