JPH02174225A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH02174225A JPH02174225A JP63329947A JP32994788A JPH02174225A JP H02174225 A JPH02174225 A JP H02174225A JP 63329947 A JP63329947 A JP 63329947A JP 32994788 A JP32994788 A JP 32994788A JP H02174225 A JPH02174225 A JP H02174225A
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、処理装置に関する。
(従来の技術)
被処理体例えば半導体ウェハの熱処理工程即ち酸化工程
、拡散工程、CVD工程等で、反応管を備えた熱処理装
置が用いられている。この熱処理装置は、発熱自在なヒ
ーター線を巻回した石英ガラス製の反応管内に、複数枚
のウエノ\を配列搭・−載したボートを上記反応管の開
口端から即ちフランジ側から挿入し、反応管内の予め定
められた位置に設定した後、上記開口端を蓋体により封
止し、上記ヒーター線の発熱により上記ウェハを加熱し
た状態で所定の反応ガスを導入して熱処理を行なうもの
である。このような熱処理技術としては、例えば特公昭
GO−4184号、特開昭GO−11971(i号公報
等に開示されている。
、拡散工程、CVD工程等で、反応管を備えた熱処理装
置が用いられている。この熱処理装置は、発熱自在なヒ
ーター線を巻回した石英ガラス製の反応管内に、複数枚
のウエノ\を配列搭・−載したボートを上記反応管の開
口端から即ちフランジ側から挿入し、反応管内の予め定
められた位置に設定した後、上記開口端を蓋体により封
止し、上記ヒーター線の発熱により上記ウェハを加熱し
た状態で所定の反応ガスを導入して熱処理を行なうもの
である。このような熱処理技術としては、例えば特公昭
GO−4184号、特開昭GO−11971(i号公報
等に開示されている。
このような熱処理技術では、上記反応管内で処理するウ
ェハの重金属汚染を防止するために、上記反応管の少な
くとも内面を非金属で構成している。例えば上記公報で
は石英ガラスにより構成し、また、エツチング処理装置
では、特公昭57−52423号、特公昭63−419
86号公報等では5i02、Si3N4或いはAg2O
3により構成している。
ェハの重金属汚染を防止するために、上記反応管の少な
くとも内面を非金属で構成している。例えば上記公報で
は石英ガラスにより構成し、また、エツチング処理装置
では、特公昭57−52423号、特公昭63−419
86号公報等では5i02、Si3N4或いはAg2O
3により構成している。
上記熱処理においては、上記反応管内で人体に有害であ
る反応ガスを使用するために、上記反応ガスが外部へリ
ークすることを防止する必要があった。そのため、加工
精度の良いSUS (ステンレススチール)製のフラン
ジ及び蓋体で上記反応管の開口端を封止し、上記反応管
の気密を保持している。
る反応ガスを使用するために、上記反応ガスが外部へリ
ークすることを防止する必要があった。そのため、加工
精度の良いSUS (ステンレススチール)製のフラン
ジ及び蓋体で上記反応管の開口端を封止し、上記反応管
の気密を保持している。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら上記従来の技術では、SUS製のフランジ
及び蓋体により気密封止した反応管内で高温例えば70
0〜1400℃程度で熱処理を行なうと、上記SUS製
のフランジ及びの蓋体からFe(鉄)等の重金属が飛散
し、これが上記ウェハに付着及び拡散し、このウェハに
形成されているパターンをショートさせる等の欠陥を発
生させてしまう問題点かあった。
及び蓋体により気密封止した反応管内で高温例えば70
0〜1400℃程度で熱処理を行なうと、上記SUS製
のフランジ及びの蓋体からFe(鉄)等の重金属が飛散
し、これが上記ウェハに付着及び拡散し、このウェハに
形成されているパターンをショートさせる等の欠陥を発
生させてしまう問題点かあった。
また、ウェハ表面に例えばSi(シリコン)膜を形成す
る場合、5iH2CJl)2 (ジクロロシラン)を使
用し、これを分解してSi及びHCg(塩化水素)を生
成して、このStを上記ウェハ表面に被着させる。この
時、生成したHCIにより、上記SUS製のフランジ及
び蓋体が酸化してしまい、これにより塵を発生し、上記
反応管内を汚染してしまう他、上記ウェハも汚染してし
まう問題があった。
る場合、5iH2CJl)2 (ジクロロシラン)を使
用し、これを分解してSi及びHCg(塩化水素)を生
成して、このStを上記ウェハ表面に被着させる。この
時、生成したHCIにより、上記SUS製のフランジ及
び蓋体が酸化してしまい、これにより塵を発生し、上記
反応管内を汚染してしまう他、上記ウェハも汚染してし
まう問題があった。
本発明は上記点に対処してなされたもので、汚染による
被処理体の歩留まりの低下を抑止することを可能とした
処理装置を提供しようとするものである。
被処理体の歩留まりの低下を抑止することを可能とした
処理装置を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、反応管内にフランジ部から被処理体を搬入し
、蓋体により封止状態で反応ガスにより上記被処理体を
処理する装置において、上記フランジ部及び蓋体の少な
くとも上記反応管内表面を非金属で被覆することを特徴
とする処理装置を青るものである。
、蓋体により封止状態で反応ガスにより上記被処理体を
処理する装置において、上記フランジ部及び蓋体の少な
くとも上記反応管内表面を非金属で被覆することを特徴
とする処理装置を青るものである。
(作 用)
即ち本発明は、処理室内の反応ガスが接触するフランジ
部及び蓋体の少なくとも表面部分を非金属で構成するこ
とにより、上記反応ガスによる腐食を抑止でき、これに
よる塵の発生を防止することかできる。そのため、上記
処理室内で上記腐食による塵の発生はなく、上記処理室
内処理される被処理体の19染を防止することが可能と
なる。
部及び蓋体の少なくとも表面部分を非金属で構成するこ
とにより、上記反応ガスによる腐食を抑止でき、これに
よる塵の発生を防止することかできる。そのため、上記
処理室内で上記腐食による塵の発生はなく、上記処理室
内処理される被処理体の19染を防止することが可能と
なる。
また、Fe等の重金属の発生も抑止でき、上記被処理体
の歩留まりの低下を減少することを可能とする。
の歩留まりの低下を減少することを可能とする。
(実施例)
以下、本発明装置を半導体ウェハのCVD処理工程に適
用した一実施例につき、図面を参照して説明する。
用した一実施例につき、図面を参照して説明する。
まず、CVD装置の構成を説明する。
この装置は、例えば第1図に示すように縦型CVD装置
で、軸方向を垂直にした処理室例えば反応管1から成る
処理部2と、この処理部2に搬入・搬出される被処理体
例えば半導体ウェハ3を上記垂直方向に複数枚例えば1
00〜150枚程度所定間隔を設けて積載した支持体例
えばボート4と、このボート4を、上記反応管1下方の
予め定められたボート4受は渡し位置5から上記反応管
1内にロード・アンロードする搬送機構6とから構成さ
れている。
で、軸方向を垂直にした処理室例えば反応管1から成る
処理部2と、この処理部2に搬入・搬出される被処理体
例えば半導体ウェハ3を上記垂直方向に複数枚例えば1
00〜150枚程度所定間隔を設けて積載した支持体例
えばボート4と、このボート4を、上記反応管1下方の
予め定められたボート4受は渡し位置5から上記反応管
1内にロード・アンロードする搬送機構6とから構成さ
れている。
上記処理部2の上記反応管1は、第2図に示すように、
耐熱性で反応ガスに対して反応しにくい非金属材質例え
ば石英ガラスにより構成され、上端か封止された筒状構
造となっている。この反応管1は2重管構造となってお
り、上記と同様に非金属材質例えば石英ガラスにより構
成された筒状内管1aが、上記反応管1内に非接触状態
で設けられている。上記反応管1の内面及び上記内管1
aの外面との間には、所定の間隔の隙間7が設けられて
おり、この隙間7を下端で封止している環状のフランジ
8が設けられている。このフランジ8は、例えばSUS
(ステンレススチール)製で、露出表面に非金属材質
例えばセラミックスが被着されている。このフランジ8
の下端に、上記搬送機溝6の昇降により当接可能とされ
た板状の蓋体9が設けられている。この蓋体9も、例え
ばSUS製で上記内管la側露出表面に非金属材質例え
ば石英ガラスか肢管されている。この蓋体9の上記フラ
ンジ8との当接部には、シール部材例えば0リング10
が設けられ、上記内管1a及び上記反応管1内を気密に
保持可能となっている。また、上記フランジ8には排気
管11が接続しており、上記隙間7を介して上記内管l
a内のガスを排、気可能としている。更にまた、上記フ
ランジ8を貫通して上記内管la内に延びた反応ガス導
入管12が設けられている。この反応ガス導入管12は
、上記内管1a内面に沿って垂直に延び、先端は上記ボ
ート4の上面とほぼ同じ高さに配設されている。そして
、その反応ガス導入管12には、上記ボート4に積載さ
れているδウェハ3に対応する位置に複数の開孔(図示
せず)か設けられており、この開孔から上記ウェハ3に
反応ガスを供給可能としている。また、上記フランジ8
を貫通して上記隙間7から反応管1内に不活性ガス例え
ばN2(窒素)ガスを供給可能な知<、不活性ガス導入
性13が設けられている。また、上記蓋体9のほぼ中央
部には、表面に非金属例えば石英ガラスが1m Hされ
た支持体14が設けられている。この支持体]4は、保
温筒15下面に設けられている非金属例えばセラミック
スか、ら成る保温筒受は台16と接続し、上記保温筒1
5及びボート4を支持する如く構成されている。上記保
温筒15は、非金属例えば石英ガラスより成る筒状体で
、上記反応管1内の熱を下方に逃がさないために配設さ
れている。この保温筒15上端には、上記ボート4が連
設しており、上記蓋体9の搬送機構6による昇降移動に
連動する構造となっている。また、上記反応管1を同軸
的に囲繞する如く筒状加熱機構例えばコイル状に巻回さ
れたヒータ17が設けられ、このヒータ17は上記ウェ
ハ3の載置される6r1域内部を所望する温度例えば7
00〜1400℃程度に均一加熱する如く設けられてい
る。このヒータ17による上記ウェハ3の載置される領
域の加熱を、より均一な温度分布で加熱する如く、上記
ヒータ17及び上記反応管1外壁との間には、例えばS
iC(シリコンカーバイト)製均熱管18が配設されて
いる。このようにしてCVD装置が構成されている。
耐熱性で反応ガスに対して反応しにくい非金属材質例え
ば石英ガラスにより構成され、上端か封止された筒状構
造となっている。この反応管1は2重管構造となってお
り、上記と同様に非金属材質例えば石英ガラスにより構
成された筒状内管1aが、上記反応管1内に非接触状態
で設けられている。上記反応管1の内面及び上記内管1
aの外面との間には、所定の間隔の隙間7が設けられて
おり、この隙間7を下端で封止している環状のフランジ
8が設けられている。このフランジ8は、例えばSUS
(ステンレススチール)製で、露出表面に非金属材質
例えばセラミックスが被着されている。このフランジ8
の下端に、上記搬送機溝6の昇降により当接可能とされ
た板状の蓋体9が設けられている。この蓋体9も、例え
ばSUS製で上記内管la側露出表面に非金属材質例え
ば石英ガラスか肢管されている。この蓋体9の上記フラ
ンジ8との当接部には、シール部材例えば0リング10
が設けられ、上記内管1a及び上記反応管1内を気密に
保持可能となっている。また、上記フランジ8には排気
管11が接続しており、上記隙間7を介して上記内管l
a内のガスを排、気可能としている。更にまた、上記フ
ランジ8を貫通して上記内管la内に延びた反応ガス導
入管12が設けられている。この反応ガス導入管12は
、上記内管1a内面に沿って垂直に延び、先端は上記ボ
ート4の上面とほぼ同じ高さに配設されている。そして
、その反応ガス導入管12には、上記ボート4に積載さ
れているδウェハ3に対応する位置に複数の開孔(図示
せず)か設けられており、この開孔から上記ウェハ3に
反応ガスを供給可能としている。また、上記フランジ8
を貫通して上記隙間7から反応管1内に不活性ガス例え
ばN2(窒素)ガスを供給可能な知<、不活性ガス導入
性13が設けられている。また、上記蓋体9のほぼ中央
部には、表面に非金属例えば石英ガラスが1m Hされ
た支持体14が設けられている。この支持体]4は、保
温筒15下面に設けられている非金属例えばセラミック
スか、ら成る保温筒受は台16と接続し、上記保温筒1
5及びボート4を支持する如く構成されている。上記保
温筒15は、非金属例えば石英ガラスより成る筒状体で
、上記反応管1内の熱を下方に逃がさないために配設さ
れている。この保温筒15上端には、上記ボート4が連
設しており、上記蓋体9の搬送機構6による昇降移動に
連動する構造となっている。また、上記反応管1を同軸
的に囲繞する如く筒状加熱機構例えばコイル状に巻回さ
れたヒータ17が設けられ、このヒータ17は上記ウェ
ハ3の載置される6r1域内部を所望する温度例えば7
00〜1400℃程度に均一加熱する如く設けられてい
る。このヒータ17による上記ウェハ3の載置される領
域の加熱を、より均一な温度分布で加熱する如く、上記
ヒータ17及び上記反応管1外壁との間には、例えばS
iC(シリコンカーバイト)製均熱管18が配設されて
いる。このようにしてCVD装置が構成されている。
次に、上述したCVD装置の動作作用を説明する。
まず、図示しないウェハ移替え装置によりウェハ3が積
載されたボート4を、受は渡し位置5に設定した保温筒
15上に、ハンドラ19により把持搬送し載置する。そ
して、上記ボート4を、搬送機構6により所定量上昇さ
せ、上記反応管1内の予め定められた位置に反応管1内
壁に接触させることなく搬入する。この時、上記反応管
1下端部のフランジ8と上記蓋体9を当接させることに
より、自動的にウェハ3を位置決めすると共に上記反応
管1内部を気密にする。次に、上記反応管1内を所望の
低圧状態例えば0.1〜3 Torrに保つように図示
しない真空ポンプでυ[気制御し、ヒータ17により所
望の温度例えば700〜1400℃程度に設定する。そ
して、この設定後上記排気制御しながらガス供給源から
図示しないマスフローコントローラ等で流量を調節しつ
つ、反応ガス例えば5iH4(シラン)と02 (酸
素)を反応管1内に反応ガス導入管12から所定時間供
給する。すると、反応管1内に設置されたウェハ3表面
には、下式■に示す5i02 (二酸化珪素)膜が堆
積する。
載されたボート4を、受は渡し位置5に設定した保温筒
15上に、ハンドラ19により把持搬送し載置する。そ
して、上記ボート4を、搬送機構6により所定量上昇さ
せ、上記反応管1内の予め定められた位置に反応管1内
壁に接触させることなく搬入する。この時、上記反応管
1下端部のフランジ8と上記蓋体9を当接させることに
より、自動的にウェハ3を位置決めすると共に上記反応
管1内部を気密にする。次に、上記反応管1内を所望の
低圧状態例えば0.1〜3 Torrに保つように図示
しない真空ポンプでυ[気制御し、ヒータ17により所
望の温度例えば700〜1400℃程度に設定する。そ
して、この設定後上記排気制御しながらガス供給源から
図示しないマスフローコントローラ等で流量を調節しつ
つ、反応ガス例えば5iH4(シラン)と02 (酸
素)を反応管1内に反応ガス導入管12から所定時間供
給する。すると、反応管1内に設置されたウェハ3表面
には、下式■に示す5i02 (二酸化珪素)膜が堆
積する。
S iH4+02−”S i02 +2H2・・・・・
・・・・■また、上記ウェハ3表面にSi膜を堆積させ
る場合、下式■に示すように5iH2C12を使用する
。
・・・・■また、上記ウェハ3表面にSi膜を堆積させ
る場合、下式■に示すように5iH2C12を使用する
。
S iH2CD 2 +H2→S i +2HC,Q・
・・■この場合、上記反応管1内で強い酸化力を有する
HO2が生成される。しかし、上記反応管1内の反応ガ
スが接触する部分が、石英ガラス、セラミックス等の非
金属により構成されているため、上記HCpが生成され
ても、これによる腐食の発生はなく、塵の発生による上
記反応管1内及びウェハ3の汚染を防止することができ
る。
・・■この場合、上記反応管1内で強い酸化力を有する
HO2が生成される。しかし、上記反応管1内の反応ガ
スが接触する部分が、石英ガラス、セラミックス等の非
金属により構成されているため、上記HCpが生成され
ても、これによる腐食の発生はなく、塵の発生による上
記反応管1内及びウェハ3の汚染を防止することができ
る。
また、上記反応ガスが接触する部分即ち反応管1内露出
表面が非金属であるため、上記反応管1内の熱処理によ
るFe笠の重金属の発生を抑止でき、この重金属による
上記ウェハ3の汚染も防止することができる。
表面が非金属であるため、上記反応管1内の熱処理によ
るFe笠の重金属の発生を抑止でき、この重金属による
上記ウェハ3の汚染も防止することができる。
このようなCVD処理後、反応ガスの供給を停止し、不
活性ガス導入管13から不活性ガス例えばN2ガスを導
入することで、上記反応管1内を常圧に復帰させる。そ
して、上記処理後のウェハ3を積載したボート4を、受
は渡し位置5に搬送機構6により搬送し、処理が終了す
る。
活性ガス導入管13から不活性ガス例えばN2ガスを導
入することで、上記反応管1内を常圧に復帰させる。そ
して、上記処理後のウェハ3を積載したボート4を、受
は渡し位置5に搬送機構6により搬送し、処理が終了す
る。
このようにしてCVD処理が行なわれるが、この処理を
繰り返し実行すると、上記反応管1内にも反応生成物が
付着する。そのため、汚染防止として定期的に上記反応
生成物を除去する必要がある。この除去手段として、上
記反応管1外周に設けた複数の電極間にプラズマ放電さ
せて、導入したエツチングガスによりエツチング除去す
るものが使用される。このような、電極間に放電を発生
させる場合でも、上記反応管1内部の露出表面が非金属
で構成されているため、この露出表面がスパッタリング
されず、これによる塵の発生も防止することができる。
繰り返し実行すると、上記反応管1内にも反応生成物が
付着する。そのため、汚染防止として定期的に上記反応
生成物を除去する必要がある。この除去手段として、上
記反応管1外周に設けた複数の電極間にプラズマ放電さ
せて、導入したエツチングガスによりエツチング除去す
るものが使用される。このような、電極間に放電を発生
させる場合でも、上記反応管1内部の露出表面が非金属
で構成されているため、この露出表面がスパッタリング
されず、これによる塵の発生も防止することができる。
特に、この場合は、上記非金属を導電性の悪い材質で形
成することが望ましい。
成することが望ましい。
上記実施例では、非金属としてセラミックスや石英ガラ
スを例に上げて説明したが、耐腐食性材質であれば何れ
でもよく、例えばSiCで構成しても同様な効果が得ら
れる。また、上記石英ガラスのように重金属を透過する
材質でも、熱伝導率が一悪いため、上記重金属の発生を
抑止することができる。
スを例に上げて説明したが、耐腐食性材質であれば何れ
でもよく、例えばSiCで構成しても同様な効果が得ら
れる。また、上記石英ガラスのように重金属を透過する
材質でも、熱伝導率が一悪いため、上記重金属の発生を
抑止することができる。
また、上記実施例では、CVD装置を例に上げて説明し
たが、これに限定するものではなく、例えば酸化・拡散
装置、エツチング装置、アッシング装置等で同様な効果
が得られる。
たが、これに限定するものではなく、例えば酸化・拡散
装置、エツチング装置、アッシング装置等で同様な効果
が得られる。
以上述べたようにこの実施例によれば、反応管内にフラ
ンジ部から被処理体を搬入し、蓋体により封止状態で反
応ガスにより上記被処理体を処理する装置において、上
記フランジ部及び蓋体の少なくとも上記反応管内表面を
非金属で被覆することにより、上記反応ガスによる腐食
を抑止でき、これによる塵の発生を防止することができ
る。そのため、上記反応管内で上記腐食による塵の発生
はなく、上記反応管内で処理される被処理体の汚染を防
止することが可能となる。
ンジ部から被処理体を搬入し、蓋体により封止状態で反
応ガスにより上記被処理体を処理する装置において、上
記フランジ部及び蓋体の少なくとも上記反応管内表面を
非金属で被覆することにより、上記反応ガスによる腐食
を抑止でき、これによる塵の発生を防止することができ
る。そのため、上記反応管内で上記腐食による塵の発生
はなく、上記反応管内で処理される被処理体の汚染を防
止することが可能となる。
また、Fe等の重金属の発生も抑止でき、上記被処理体
の歩留まりの低下を減少することを可能とする。
の歩留まりの低下を減少することを可能とする。
[発明の効果]
以上説明したように本発明の処理装置によれば、処理室
内の反応ガスが接触するフランジ部及び蓋体の少なくと
も表面部分を非金属で構成することにより、上記反応ガ
スによる腐食を抑止でき、これによる塵の発生を防止す
ることができる。そのため、上記処理室内で上記腐食に
よる塵の発生はなく、上記処理室内処理される被処理体
の汚染を防止することが可能となる。
内の反応ガスが接触するフランジ部及び蓋体の少なくと
も表面部分を非金属で構成することにより、上記反応ガ
スによる腐食を抑止でき、これによる塵の発生を防止す
ることができる。そのため、上記処理室内で上記腐食に
よる塵の発生はなく、上記処理室内処理される被処理体
の汚染を防止することが可能となる。
第1図は本発明装置の一実施例を説明するためのCVD
装置の構成図、第2図はm1図の処理部説明図である。 1・・・・・・反応管、1a・・・・・・内管、3・・
・・・・ウェハ、4・・・・・・ボート、8・・・・・
・フランジ、9・・・・・・蓋体、15・・・・・・保
温筒 出願人 チル相模株式会社 同 株式会社 東芝
装置の構成図、第2図はm1図の処理部説明図である。 1・・・・・・反応管、1a・・・・・・内管、3・・
・・・・ウェハ、4・・・・・・ボート、8・・・・・
・フランジ、9・・・・・・蓋体、15・・・・・・保
温筒 出願人 チル相模株式会社 同 株式会社 東芝
Claims (1)
- 反応管内にフランジ部から被処理体を搬入し、蓋体によ
り封止状態で反応ガスにより上記被処理体を処理する装
置において、上記フランジ部及び蓋体の少なくとも上記
反応管内装置を非金属で被覆することを特徴とする処理
装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329947A JPH07120634B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 処理装置 |
US07/543,491 US5131842A (en) | 1988-12-27 | 1990-06-26 | Corrosion resistant thermal treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63329947A JPH07120634B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02174225A true JPH02174225A (ja) | 1990-07-05 |
JPH07120634B2 JPH07120634B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=18227042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63329947A Expired - Lifetime JPH07120634B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5131842A (ja) |
JP (1) | JPH07120634B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-12-27 JP JP63329947A patent/JPH07120634B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1990
- 1990-06-26 US US07/543,491 patent/US5131842A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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JPH07120634B2 (ja) | 1995-12-20 |
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