JP3204699B2 - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
- Publication number
- JP3204699B2 JP3204699B2 JP29272591A JP29272591A JP3204699B2 JP 3204699 B2 JP3204699 B2 JP 3204699B2 JP 29272591 A JP29272591 A JP 29272591A JP 29272591 A JP29272591 A JP 29272591A JP 3204699 B2 JP3204699 B2 JP 3204699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- temperature
- heat
- processed
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハやガラス
基板等に熱処理を施すための熱処理装置に関する。
基板等に熱処理を施すための熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハやガラス基板等に対
し、拡散層を形成したり、シリコン酸化膜やシリコン窒
化膜等を形成するには、各種の熱処理装置が用いられ
る。これらの装置は一般に、反応容器（加熱室）内に収
容した被処理基体を加熱すると共に、該容器内に不活性
ガス若しくは反応性ガスを導入することにより、所定の
熱処理が行われる。
し、拡散層を形成したり、シリコン酸化膜やシリコン窒
化膜等を形成するには、各種の熱処理装置が用いられ
る。これらの装置は一般に、反応容器（加熱室）内に収
容した被処理基体を加熱すると共に、該容器内に不活性
ガス若しくは反応性ガスを導入することにより、所定の
熱処理が行われる。
【０００３】熱処理装置として要求される性能として
は、 (1) 形成される拡散層の抵抗や深さ、シリコン酸化膜，
シリコン窒化膜等の膜厚がウェハ面内及びウェハ間で均
一で、且つ再現性が高いこと。 (2) 温度差による熱歪みでウェハにスリップが発生した
り、反ったりしないこと。 (3) 操作１回当たりに大量枚数のウェハが処理できるこ
と。 (4) 操作１回当たりの処理時間が短いこと。 (5) 被処理基体を容器内に出し入れする際に空気が同時
に混入し、この空気に起因して被処理基体表面に酸化膜
が成長しないこと。 等である。
は、 (1) 形成される拡散層の抵抗や深さ、シリコン酸化膜，
シリコン窒化膜等の膜厚がウェハ面内及びウェハ間で均
一で、且つ再現性が高いこと。 (2) 温度差による熱歪みでウェハにスリップが発生した
り、反ったりしないこと。 (3) 操作１回当たりに大量枚数のウェハが処理できるこ
と。 (4) 操作１回当たりの処理時間が短いこと。 (5) 被処理基体を容器内に出し入れする際に空気が同時
に混入し、この空気に起因して被処理基体表面に酸化膜
が成長しないこと。 等である。
【０００４】従来、半導体集積回路に対して、１０００
℃近い高温下で酸化したり熱処理する工程では、温度の
均一性を高めるためにヒータ周辺に断熱材を設けたり、
ヒータとプロセスチューブの間に炭化珪素等の均熱管を
設けたりしている。このような半導体熱処理装置を用い
て高温の熱処理を施すに当たり、半導体ウェハを容器内
に出し入れする際に空気が同時に混入し、制御されない
雰囲気中で酸化膜が形成され、高温での熱処理によって
形成される膜や拡散層の均一性が低下したり、膜質の低
下をもたらしたりする。それを防止するには、半導体ウ
ェハを容器内に挿入する時の温度を低くし、窒素，アル
ゴン若しくは酸素等の純度の高いガスで混入空気を追い
出したのち昇温し、熱処理後は降温した後に取り出す方
法が採られている。
℃近い高温下で酸化したり熱処理する工程では、温度の
均一性を高めるためにヒータ周辺に断熱材を設けたり、
ヒータとプロセスチューブの間に炭化珪素等の均熱管を
設けたりしている。このような半導体熱処理装置を用い
て高温の熱処理を施すに当たり、半導体ウェハを容器内
に出し入れする際に空気が同時に混入し、制御されない
雰囲気中で酸化膜が形成され、高温での熱処理によって
形成される膜や拡散層の均一性が低下したり、膜質の低
下をもたらしたりする。それを防止するには、半導体ウ
ェハを容器内に挿入する時の温度を低くし、窒素，アル
ゴン若しくは酸素等の純度の高いガスで混入空気を追い
出したのち昇温し、熱処理後は降温した後に取り出す方
法が採られている。
【０００５】そのため、加熱源の熱容量が大きい熱処理
装置を用いると、所望の温度での酸化や熱処理以外に前
後の昇降温に時間がかかり、生産性の低下を招いたり、
不純物拡散層の深さを浅く保つことができない等の問題
がある。また、酸化や熱処理を施した後、容器から急速
に引き出して冷却しようとすると、半導体ウェハ面内に
大きな温度差が生じ、スリップが発生したり、反って変
形したりするという問題がある。
装置を用いると、所望の温度での酸化や熱処理以外に前
後の昇降温に時間がかかり、生産性の低下を招いたり、
不純物拡散層の深さを浅く保つことができない等の問題
がある。また、酸化や熱処理を施した後、容器から急速
に引き出して冷却しようとすると、半導体ウェハ面内に
大きな温度差が生じ、スリップが発生したり、反って変
形したりするという問題がある。
【０００６】そこで、石英製プロセスチューブの外周に
ヒータを巻き、その外周に高反射膜を被覆し、加熱源の
熱容量を小さくして昇降温速度を高めた熱処理装置が考
案されている。しかし、この装置でも高温熱処理ができ
るようにヒータの最大出力を上げようとすると熱容量が
大きくなり、降温速度が低下するという問題がある。ま
た、従来の熱処理装置の昇降温速度が、毎分２〜３℃程
度であるのに対して、これらの装置の昇降温速度は毎分
３０℃程度と比較的高いものの十分に高いとはいえなか
った。
ヒータを巻き、その外周に高反射膜を被覆し、加熱源の
熱容量を小さくして昇降温速度を高めた熱処理装置が考
案されている。しかし、この装置でも高温熱処理ができ
るようにヒータの最大出力を上げようとすると熱容量が
大きくなり、降温速度が低下するという問題がある。ま
た、従来の熱処理装置の昇降温速度が、毎分２〜３℃程
度であるのに対して、これらの装置の昇降温速度は毎分
３０℃程度と比較的高いものの十分に高いとはいえなか
った。
【０００７】また、容器内に設置された炭素製の加熱体
に被処理基体を接触させ、誘導加熱により昇温する方法
も知られているが、この方法では加熱体に被処理基体を
接触させるため、容器の体積が大きくなり、被処理基体
の大口径化に対して不利であった。さらに、特開昭６１
−１９１０１５号公報のように容器内に加熱体を設置
し、加熱体内部に半導体ウェハを水平に一定間隔で配置
し、容器外に設けた加熱源により加熱することが提案さ
れているが、加熱体と被処理基体との距離が近付いて、
且つ被処理基体径が大きくなると、被処理基体の半径方
向に温度分布が生じてしまうという問題があった。
に被処理基体を接触させ、誘導加熱により昇温する方法
も知られているが、この方法では加熱体に被処理基体を
接触させるため、容器の体積が大きくなり、被処理基体
の大口径化に対して不利であった。さらに、特開昭６１
−１９１０１５号公報のように容器内に加熱体を設置
し、加熱体内部に半導体ウェハを水平に一定間隔で配置
し、容器外に設けた加熱源により加熱することが提案さ
れているが、加熱体と被処理基体との距離が近付いて、
且つ被処理基体径が大きくなると、被処理基体の半径方
向に温度分布が生じてしまうという問題があった。
【０００８】また、これらのヒータに対して垂直に複数
枚の被処理基体を設置する場合、昇温速度をより高めよ
うとヒータの加熱速度を大きくすると、加熱は原理的に
ヒータから放射された熱線を前記被処理基体が吸収して
なされるが、互いに平行に設置された複数枚の被処理基
体が互いに影を作るため、昇温時，降温時共にこの被処
理基体の周辺の温度変化が中央部よりも速くなり、被処
理基体の半径方向の温度分布を均一にすることは困難で
あった。
枚の被処理基体を設置する場合、昇温速度をより高めよ
うとヒータの加熱速度を大きくすると、加熱は原理的に
ヒータから放射された熱線を前記被処理基体が吸収して
なされるが、互いに平行に設置された複数枚の被処理基
体が互いに影を作るため、昇温時，降温時共にこの被処
理基体の周辺の温度変化が中央部よりも速くなり、被処
理基体の半径方向の温度分布を均一にすることは困難で
あった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、大量
枚数のウェハを１度（バッチ型）に熱処理するには、反
応容器内で加熱ヒータに対して垂直で、且つ複数のウェ
ハを互いに平行に設置するのが望ましいが、ウェハを急
昇温又は急降温、さらにアンローディングさせる際に、
ウェハの径方向に温度差が生じ、熱歪みによりスリップ
や結晶欠陥が発生したり、ウェハに反りが発生する等の
問題があった。また、特に８インチウェハ以上になる
と、ウェハ面内（径方向）に大きな温度分布が生じるこ
とから、昇温速度及び降温速度をあまり速くすることは
困難であった。
枚数のウェハを１度（バッチ型）に熱処理するには、反
応容器内で加熱ヒータに対して垂直で、且つ複数のウェ
ハを互いに平行に設置するのが望ましいが、ウェハを急
昇温又は急降温、さらにアンローディングさせる際に、
ウェハの径方向に温度差が生じ、熱歪みによりスリップ
や結晶欠陥が発生したり、ウェハに反りが発生する等の
問題があった。また、特に８インチウェハ以上になる
と、ウェハ面内（径方向）に大きな温度分布が生じるこ
とから、昇温速度及び降温速度をあまり速くすることは
困難であった。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、加熱ヒータに対して垂
直で、且つ互いに平行に設置された複数枚の被処理基体
を昇温若しくは降温させる際に生じる被処理基体内の温
度差を抑制し、熱歪みによるスリップ，結晶欠陥及び反
りの発生等を防止することのできる熱処理装置を提供す
ることにある。
ので、その目的とするところは、加熱ヒータに対して垂
直で、且つ互いに平行に設置された複数枚の被処理基体
を昇温若しくは降温させる際に生じる被処理基体内の温
度差を抑制し、熱歪みによるスリップ，結晶欠陥及び反
りの発生等を防止することのできる熱処理装置を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、被処理
基体に対して径方向に熱容量の差を設けることによっ
て、昇温時及び降温時の被処理基体の径方向における温
度差を低減することにある。
基体に対して径方向に熱容量の差を設けることによっ
て、昇温時及び降温時の被処理基体の径方向における温
度差を低減することにある。
【００１２】
【００１３】また本発明は、所定のガスが導入される加
熱室と、この加熱室の周囲に設置された加熱ヒータと、
前記加熱室内に配置され複数の被処理基体を相互に平行
に支持する治具とを備えた熱処理装置において、前記治
具が、前記被処理基体の径方向に対し、内側よりも外側
の方の熱容量が大きくなるように形成されていることを
特徴としている。
熱室と、この加熱室の周囲に設置された加熱ヒータと、
前記加熱室内に配置され複数の被処理基体を相互に平行
に支持する治具とを備えた熱処理装置において、前記治
具が、前記被処理基体の径方向に対し、内側よりも外側
の方の熱容量が大きくなるように形成されていることを
特徴としている。
【００１４】ここで、本発明におけるより望ましい実施
態様としては、治具材料を石英とした場合、次の (1)〜
(7) があげられる。 (1) 被処理基体及び該基体を支持する治具を含めた熱容
量を、該基体の周辺部近傍において内側よりも外側の方
を大きくしたこと。 (2) 被処理基体を支持する治具をリング状のトレーで形
成し、該トレーの厚さを内周側よりも外周側の方を厚く
形成すること。具体的には、トレーの厚さを一定の傾斜
を持って外側の方を厚くする、又は階段状の変化を持っ
て外側の方を厚くすること。 (3) 被処理基体を支持する治具をリング状のトレーで形
成すると共に、該トレーを複数種類の材料から形成し、
且つ内周側よりも外周側の方を比熱の大きな材料で形成
すること。
態様としては、治具材料を石英とした場合、次の (1)〜
(7) があげられる。 (1) 被処理基体及び該基体を支持する治具を含めた熱容
量を、該基体の周辺部近傍において内側よりも外側の方
を大きくしたこと。 (2) 被処理基体を支持する治具をリング状のトレーで形
成し、該トレーの厚さを内周側よりも外周側の方を厚く
形成すること。具体的には、トレーの厚さを一定の傾斜
を持って外側の方を厚くする、又は階段状の変化を持っ
て外側の方を厚くすること。 (3) 被処理基体を支持する治具をリング状のトレーで形
成すると共に、該トレーを複数種類の材料から形成し、
且つ内周側よりも外周側の方を比熱の大きな材料で形成
すること。
【００１５】
【作用】加熱ヒータで囲まれた加熱室内にて、この加熱
ヒータを昇温することによって被処理基体の温度を変化
させる際には、該被処理基体は主に加熱ヒータからの輻
射により加熱される。その際、加熱ヒータが一定温度の
場合、被処理基体の加熱量は、被処理基体の各点と加熱
ヒータの各点との距離に依存する。
ヒータを昇温することによって被処理基体の温度を変化
させる際には、該被処理基体は主に加熱ヒータからの輻
射により加熱される。その際、加熱ヒータが一定温度の
場合、被処理基体の加熱量は、被処理基体の各点と加熱
ヒータの各点との距離に依存する。
【００１６】ここで、被処理基体が互いに平行に設置さ
れている場合は、図５に示すように被処理基体Ａの各点
は、隣接する被処理基体Ｂ及びＢ′が遮蔽物となって、
加熱ヒータＣの全ての点を望むことができない。従っ
て、上記のように加熱ヒータ内に平行に設置された被処
理基体は、図６に示すように、周辺部の輻射量が多く周
辺部で加熱が先行し、被処理基体の径方向の温度分布が
不均一になる。
れている場合は、図５に示すように被処理基体Ａの各点
は、隣接する被処理基体Ｂ及びＢ′が遮蔽物となって、
加熱ヒータＣの全ての点を望むことができない。従っ
て、上記のように加熱ヒータ内に平行に設置された被処
理基体は、図６に示すように、周辺部の輻射量が多く周
辺部で加熱が先行し、被処理基体の径方向の温度分布が
不均一になる。
【００１７】しかし、同じ量の輻射熱を得ても、熱容量
が大きければ温度上昇は小さく、熱容量が小さければ温
度上昇は大きくなる。従って本発明のように、被処理基
体及び該基体を支持する治具を含めた合計の熱容量が径
方向に対して異なり、周辺部を中央部より大きくする
と、加熱時において被処理基体の周辺部が中央部より高
温になることを抑制することができる。
が大きければ温度上昇は小さく、熱容量が小さければ温
度上昇は大きくなる。従って本発明のように、被処理基
体及び該基体を支持する治具を含めた合計の熱容量が径
方向に対して異なり、周辺部を中央部より大きくする
と、加熱時において被処理基体の周辺部が中央部より高
温になることを抑制することができる。
【００１８】加熱ヒータＣを降温し、被処理基体からの
熱放射を促して冷却する場合も、同様に考えることがで
きる。降温時には、被処理基体Ａの各点から熱放射する
が、被処理基体が互いに平行に設置されている場合に
は、熱放射と同時に隣接する被処理基体Ｂ及びＢ′から
の輻射を受けることになり、被処理基体中央部において
は放熱効率が低下し、降温速度が低下する。一方、被処
理基体の周辺部は、温度の低い加熱ヒータ等の外部への
放熱量が大きく、降温速度が大きくなり、結果的に径方
向の温度分布が不均一になる。
熱放射を促して冷却する場合も、同様に考えることがで
きる。降温時には、被処理基体Ａの各点から熱放射する
が、被処理基体が互いに平行に設置されている場合に
は、熱放射と同時に隣接する被処理基体Ｂ及びＢ′から
の輻射を受けることになり、被処理基体中央部において
は放熱効率が低下し、降温速度が低下する。一方、被処
理基体の周辺部は、温度の低い加熱ヒータ等の外部への
放熱量が大きく、降温速度が大きくなり、結果的に径方
向の温度分布が不均一になる。
【００１９】しかし、同じ量の熱放射があっても、熱容
量が大きければ温度低下は小さくなる。従って、昇温時
と同様に、放射効率の高い周辺部の熱容量を大きくする
と、降温速度は抑えられ、周辺部の温度が先行して降温
することを抑制することができる。
量が大きければ温度低下は小さくなる。従って、昇温時
と同様に、放射効率の高い周辺部の熱容量を大きくする
と、降温速度は抑えられ、周辺部の温度が先行して降温
することを抑制することができる。
【００２０】上記の如く、加熱ヒータに覆われた加熱室
内に、互いに平行に複数枚設置された被処理基体に対
し、径方向に熱容量の異なる治具を具備することは、昇
温時及び降温時の双方において、被処理基体の温度分布
の均一性を高めるのに効果的である。本発明によれば、
１０００℃以上の高温での熱処理も可能で、被処理基体
の径方向の温度差を抑えて昇降温速度を大きくし、例え
ば半導体ウェハ内に形成された不純物拡散領域の拡散深
さが深くなるのをできるだけ抑えながら、所望の高温熱
処理を施すことができる。
内に、互いに平行に複数枚設置された被処理基体に対
し、径方向に熱容量の異なる治具を具備することは、昇
温時及び降温時の双方において、被処理基体の温度分布
の均一性を高めるのに効果的である。本発明によれば、
１０００℃以上の高温での熱処理も可能で、被処理基体
の径方向の温度差を抑えて昇降温速度を大きくし、例え
ば半導体ウェハ内に形成された不純物拡散領域の拡散深
さが深くなるのをできるだけ抑えながら、所望の高温熱
処理を施すことができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００２２】図１は、本発明の一実施例に係わる熱処理
装置を示す概略構成図である。図中１１は加熱室を構成
する石英管であり、この石英管１１内には被処理基体と
しての半導体ウェハ１２を複数枚収容する石英製のボー
ト１３が配置されている。石英管１１の回りには、例え
ば石英管１１と同軸的に石英管１１の長手方向に並列に
加熱ヒータ１４が設置されている。ここで、ウェハ１２
の円周方向の温度均一性を向上させるため、ボート１３
を図示しないモータにより回転させることによりウェハ
１２を回転させてもよい。そして、石英管１１内には導
入口１５を介して所定のガスが導入され、石英管１１内
のガスは排出口１６を介して排気されるものとなってい
る。
装置を示す概略構成図である。図中１１は加熱室を構成
する石英管であり、この石英管１１内には被処理基体と
しての半導体ウェハ１２を複数枚収容する石英製のボー
ト１３が配置されている。石英管１１の回りには、例え
ば石英管１１と同軸的に石英管１１の長手方向に並列に
加熱ヒータ１４が設置されている。ここで、ウェハ１２
の円周方向の温度均一性を向上させるため、ボート１３
を図示しないモータにより回転させることによりウェハ
１２を回転させてもよい。そして、石英管１１内には導
入口１５を介して所定のガスが導入され、石英管１１内
のガスは排出口１６を介して排気されるものとなってい
る。
【００２３】ボート１３には図２に示すように、ウェハ
１２を支持する治具としてリング状トレー１７が設けら
れている。これらのトレー１７に複数枚のウェハ１２が
それぞれ載置され、ウェハ１２は相互に平行に支持され
る。トレー１７は、ウェハ１２と接する部分の厚さが周
辺部で厚く、内側部で薄く形成されている。
１２を支持する治具としてリング状トレー１７が設けら
れている。これらのトレー１７に複数枚のウェハ１２が
それぞれ載置され、ウェハ１２は相互に平行に支持され
る。トレー１７は、ウェハ１２と接する部分の厚さが周
辺部で厚く、内側部で薄く形成されている。
【００２４】次に、上記装置を用いた熱処理方法（ここ
では拡散層形成のための熱処理）について、図３及び図
４を参照して説明する。図３は加熱タイミングとガス供
給タイミングを示す模式図、図４は拡散層の製造工程を
示す断面図である。
では拡散層形成のための熱処理）について、図３及び図
４を参照して説明する。図３は加熱タイミングとガス供
給タイミングを示す模式図、図４は拡散層の製造工程を
示す断面図である。
【００２５】まず、図４（ａ）に示すように、６インチ
径のシリコンウェハ４１上に、１×１０20ｃｍ-3のボロ
ン（Ｂ）と５×１０20ｃｍ-3の砒素（Ａｓ）が添加され
たシリケートガラス（ＢＡｓＳＧ）４２を堆積する。こ
れを複数枚用意し、被処理基体として図２に示すトレー
１７上にそれぞれ載置する。これらのトレー１７を図１
に示す装置のボート１３に設置した後、石英管１１内に
配置する。そして、後述するような熱工程を経て、Ｂと
Ａｓの拡散層を同時に形成する。
径のシリコンウェハ４１上に、１×１０20ｃｍ-3のボロ
ン（Ｂ）と５×１０20ｃｍ-3の砒素（Ａｓ）が添加され
たシリケートガラス（ＢＡｓＳＧ）４２を堆積する。こ
れを複数枚用意し、被処理基体として図２に示すトレー
１７上にそれぞれ載置する。これらのトレー１７を図１
に示す装置のボート１３に設置した後、石英管１１内に
配置する。そして、後述するような熱工程を経て、Ｂと
Ａｓの拡散層を同時に形成する。
【００２６】加熱ヒータ１４により５００〜７００℃程
度の一定温度に維持され、石英管１１によって雰囲気的
に隔離された処理室内に、前記ボート１３を導入し、導
入の際に巻き込まれた空気を十分に水素１０％添加され
た窒素で置換する。続いて、加熱ヒータ１４により９０
０℃に加熱し、一旦シリケートガラス中のＡｓを還元
し、拡散し難くした後、１０００℃まで毎分１００℃の
速度で昇温し、Ｂをシリコンウェハ４１の深い領域まで
拡散し、図４（ｂ）に示すようにＢの拡散層４３を形成
する。
度の一定温度に維持され、石英管１１によって雰囲気的
に隔離された処理室内に、前記ボート１３を導入し、導
入の際に巻き込まれた空気を十分に水素１０％添加され
た窒素で置換する。続いて、加熱ヒータ１４により９０
０℃に加熱し、一旦シリケートガラス中のＡｓを還元
し、拡散し難くした後、１０００℃まで毎分１００℃の
速度で昇温し、Ｂをシリコンウェハ４１の深い領域まで
拡散し、図４（ｂ）に示すようにＢの拡散層４３を形成
する。
【００２７】次いで、毎分１００℃の速度で９００℃ま
で降温し、酸素を含む雰囲気に置換し、シリケートガラ
ス中のＡｓを酸化状態に切り替えて、Ａｓの拡散を容易
にしたのち、再び９５０℃まで昇温し、図４（ｃ）に示
すように、シリコンウェハ４１の表面にＡｓの拡散層４
４を形成する。最後に、毎分１００℃で７００℃以下に
降温したのち、石英ボート１３に設置されたシリコンウ
ェハ４１を処理室より取り出す。
で降温し、酸素を含む雰囲気に置換し、シリケートガラ
ス中のＡｓを酸化状態に切り替えて、Ａｓの拡散を容易
にしたのち、再び９５０℃まで昇温し、図４（ｃ）に示
すように、シリコンウェハ４１の表面にＡｓの拡散層４
４を形成する。最後に、毎分１００℃で７００℃以下に
降温したのち、石英ボート１３に設置されたシリコンウ
ェハ４１を処理室より取り出す。
【００２８】これにより、シリコンウェハ４１の表面近
傍には、ＡｓとＢの同時拡散によって、２つの拡散層４
３，４４、即ち深さの異なるｐｎ接合を形成することが
できる。
傍には、ＡｓとＢの同時拡散によって、２つの拡散層４
３，４４、即ち深さの異なるｐｎ接合を形成することが
できる。
【００２９】ここで、前記図１に示す装置において、加
熱ヒータ１４の昇温によって、シリコンウェハ１２の温
度を上昇させる際には、おもに加熱ヒータ１４からの輻
射によりウェハ１２が加熱される。その際、シリコンウ
ェハ１２の加熱量は、シリコンウェハ１２の各点と加熱
ヒータ１４の各点との距離に依存する。シリコンウェハ
１２が互いに平行に設置されてる場合、図５に示すよう
に、シリコンウェハＡの各点は隣接するシリコンウェハ
Ｂ及びＢ′が遮蔽物となって、加熱ヒータＣの全ての点
を望むことができない。従って、リング状トレー１７が
なければ、加熱ヒータ１４内に平行に設置されたシリコ
ンウェハ１２は、図６に示すように中央部に比較して周
辺部の輻射量が多く加熱が先行し、ウェハ１２の径方向
の温度分布が不均一になる。なお、図６において、△印
はウェハ間隔を14.2875 mm、□印はウェハ間隔を9.525m
m 、○印はウェハ間隔を4.7625mmとしてシミュレーショ
ンした結果である。
熱ヒータ１４の昇温によって、シリコンウェハ１２の温
度を上昇させる際には、おもに加熱ヒータ１４からの輻
射によりウェハ１２が加熱される。その際、シリコンウ
ェハ１２の加熱量は、シリコンウェハ１２の各点と加熱
ヒータ１４の各点との距離に依存する。シリコンウェハ
１２が互いに平行に設置されてる場合、図５に示すよう
に、シリコンウェハＡの各点は隣接するシリコンウェハ
Ｂ及びＢ′が遮蔽物となって、加熱ヒータＣの全ての点
を望むことができない。従って、リング状トレー１７が
なければ、加熱ヒータ１４内に平行に設置されたシリコ
ンウェハ１２は、図６に示すように中央部に比較して周
辺部の輻射量が多く加熱が先行し、ウェハ１２の径方向
の温度分布が不均一になる。なお、図６において、△印
はウェハ間隔を14.2875 mm、□印はウェハ間隔を9.525m
m 、○印はウェハ間隔を4.7625mmとしてシミュレーショ
ンした結果である。
【００３０】しかし、同じ量の輻射熱を得ても、熱容量
が大きければ温度上昇は小さく、大きく熱容量が小さけ
れば温度上昇は大きくなる。従って、リング状トレー１
７がウェハ周辺に設置されて、シリコンウェハ１２を含
めた熱容量が径方向に対して異なり、周辺部を中央部よ
り大きくすると、昇温時にシリコンウェハ１２の周辺部
が中央部より高温になることを抑制することができる。
図６に示すように、ウェハ間隔を4.7625mmとした場合、
シリコンウェハ１２の周辺の極近傍に対して、周辺より
１０mm内側では輻射量は約１０％に、２０mm内側では約
３％に、３０mm内側では２％まで減少している。また、
当然のことながら、この輻射量は並列に並べられたシリ
コンウェハ１２の間隔に依存し、図６の結果を見ると、
ウェハ間隔を 9.525mmとすると、３０mm内側で５％程度
に、ウェハ間隔14.2875mm では３０mm内側で１０％に減
少している。
が大きければ温度上昇は小さく、大きく熱容量が小さけ
れば温度上昇は大きくなる。従って、リング状トレー１
７がウェハ周辺に設置されて、シリコンウェハ１２を含
めた熱容量が径方向に対して異なり、周辺部を中央部よ
り大きくすると、昇温時にシリコンウェハ１２の周辺部
が中央部より高温になることを抑制することができる。
図６に示すように、ウェハ間隔を4.7625mmとした場合、
シリコンウェハ１２の周辺の極近傍に対して、周辺より
１０mm内側では輻射量は約１０％に、２０mm内側では約
３％に、３０mm内側では２％まで減少している。また、
当然のことながら、この輻射量は並列に並べられたシリ
コンウェハ１２の間隔に依存し、図６の結果を見ると、
ウェハ間隔を 9.525mmとすると、３０mm内側で５％程度
に、ウェハ間隔14.2875mm では３０mm内側で１０％に減
少している。
【００３１】そこで、リング状トレー１７は、前記図２
に示したように、間隔9.525mmで並列に設置された６イ
ンチ径シリコンウェハの周辺部で接する形状を持ち、幅
３０mmで内周部は厚さ0.5mm ，外周部は厚さ４mmで、途
中一定傾斜を持って厚さが変化している。従って、周辺
部ほど熱容量が大きくなっていて、昇温時においても降
温時においても温度差が小さく抑えられ、スリップや反
りを発生することもない。また、本実施例のリング状ト
レーを用いない場合は、昇降温速度を大きくとることは
できず、高々毎分５℃であり、処理能力が低く、また拡
散深さの制御性を高めることが困難で、Ａｓの拡散層を
浅く形成することも困難であった。
に示したように、間隔9.525mmで並列に設置された６イ
ンチ径シリコンウェハの周辺部で接する形状を持ち、幅
３０mmで内周部は厚さ0.5mm ，外周部は厚さ４mmで、途
中一定傾斜を持って厚さが変化している。従って、周辺
部ほど熱容量が大きくなっていて、昇温時においても降
温時においても温度差が小さく抑えられ、スリップや反
りを発生することもない。また、本実施例のリング状ト
レーを用いない場合は、昇降温速度を大きくとることは
できず、高々毎分５℃であり、処理能力が低く、また拡
散深さの制御性を高めることが困難で、Ａｓの拡散層を
浅く形成することも困難であった。
【００３２】なお、本実施例において、スリップの発生
の要因はウェハエッジの微細な形状やシリコンウェハ中
の格子間酸素濃度や最高温度等にも依存する。また、リ
ング状トレーの厚さを本実施例では、一定傾斜を持って
厚さを変化させたが、厚さの変化は図６に示した計算曲
線に沿うことがより効果的であるが、本実施例のように
傾き一定、或いは段階的でも上記の目的を達成すること
はできる。
の要因はウェハエッジの微細な形状やシリコンウェハ中
の格子間酸素濃度や最高温度等にも依存する。また、リ
ング状トレーの厚さを本実施例では、一定傾斜を持って
厚さを変化させたが、厚さの変化は図６に示した計算曲
線に沿うことがより効果的であるが、本実施例のように
傾き一定、或いは段階的でも上記の目的を達成すること
はできる。
【００３３】このように本実施例では、ウェハ１２を支
持するリング状トレー１７の厚さを内周側より外周側の
方で厚く形成しているので、トレー１７の熱容量が内周
側よりも外周側のほうが大きくなり、ウェハ１２におけ
る等価的な熱容量も内側よりも外側の方を大きくするこ
とができる。従って、加熱ヒータ１４による昇温時及び
降温時におけるウェハ１２の径方向の温度分布を均一化
しながら、昇温速度及び降温速度を高速化することがで
きる。このため、スループットを大きくできると共に、
ウェハの結晶欠陥，スリップ及び反り等を招くことな
く、浅い拡散層を形成することが可能となり、半導体装
置の製造に極めて有効である。また従来装置に比して、
リング状トレーの形状を改良するのみで、簡易に実現し
得る等の利点もある。次に、リング状トレーを用いた場
合の作用について、より詳しく説明する。
持するリング状トレー１７の厚さを内周側より外周側の
方で厚く形成しているので、トレー１７の熱容量が内周
側よりも外周側のほうが大きくなり、ウェハ１２におけ
る等価的な熱容量も内側よりも外側の方を大きくするこ
とができる。従って、加熱ヒータ１４による昇温時及び
降温時におけるウェハ１２の径方向の温度分布を均一化
しながら、昇温速度及び降温速度を高速化することがで
きる。このため、スループットを大きくできると共に、
ウェハの結晶欠陥，スリップ及び反り等を招くことな
く、浅い拡散層を形成することが可能となり、半導体装
置の製造に極めて有効である。また従来装置に比して、
リング状トレーの形状を改良するのみで、簡易に実現し
得る等の利点もある。次に、リング状トレーを用いた場
合の作用について、より詳しく説明する。
【００３４】バッチ式の炉で、ウェハに対して垂直に位
置する加熱ヒータに囲まれた空間に配置された複数枚の
ウェハは、ヒータが加熱されて急激に昇温されると、図
５に示されるように、隣接するウェハが影となり、ウェ
ハ中央部に対してウェハ周辺部がより多くの熱量を受
け、より高温になる。従来炉においては、大口径化と共
に昇温速度を低下し、ウェハ内の熱伝導による均一化を
はかりつつ、昇温している。従って、今後、さらに大口
径化していくウェハを、バッチ単位で熱処理していくた
めには、スループットの低下を余儀なくされている。
置する加熱ヒータに囲まれた空間に配置された複数枚の
ウェハは、ヒータが加熱されて急激に昇温されると、図
５に示されるように、隣接するウェハが影となり、ウェ
ハ中央部に対してウェハ周辺部がより多くの熱量を受
け、より高温になる。従来炉においては、大口径化と共
に昇温速度を低下し、ウェハ内の熱伝導による均一化を
はかりつつ、昇温している。従って、今後、さらに大口
径化していくウェハを、バッチ単位で熱処理していくた
めには、スループットの低下を余儀なくされている。
【００３５】シリコンウェハ内の熱拡散による温度の均
一化に比較して、ヒータから受ける熱量によりウェハ温
度が上昇する場合、ウェハに極く短時間に受けたδＰな
る熱量により、質量ｍ，比熱Ｃのシリコンと支持体は温
度δＴだけ上昇する。 δＴ＝δＰ／ｍＣ … (1) いま、熱容量をＧとすると、Ｇ＝ｍＣが成立ち、(1) 式
は、 δＴ＝δＰ／Ｇ … (2)
一化に比較して、ヒータから受ける熱量によりウェハ温
度が上昇する場合、ウェハに極く短時間に受けたδＰな
る熱量により、質量ｍ，比熱Ｃのシリコンと支持体は温
度δＴだけ上昇する。 δＴ＝δＰ／ｍＣ … (1) いま、熱容量をＧとすると、Ｇ＝ｍＣが成立ち、(1) 式
は、 δＴ＝δＰ／Ｇ … (2)
【００３６】と表わすことができる。従って、ヒータか
ら受ける熱量の変化率に応じてシリコンと支持体の熱容
量を変化させれば、ウェハ面内温度差を抑えることがで
きる。図７に、単位時間当たりにヒータから受ける熱量
によるウェハ面内の温度分布を示す。ウェハのみの場合
が実線であるのに対して、リングトレーが具備されて熱
容量が例えば５倍に増大すると、リングトレー上のウェ
ハ温度はほぼ１／５に低下し、図中の点線のようにな
る。
ら受ける熱量の変化率に応じてシリコンと支持体の熱容
量を変化させれば、ウェハ面内温度差を抑えることがで
きる。図７に、単位時間当たりにヒータから受ける熱量
によるウェハ面内の温度分布を示す。ウェハのみの場合
が実線であるのに対して、リングトレーが具備されて熱
容量が例えば５倍に増大すると、リングトレー上のウェ
ハ温度はほぼ１／５に低下し、図中の点線のようにな
る。
【００３７】ウェハの昇温時に、δＰが場所に依存しな
いとき、温度は均一に上昇する。しかし、ヒータに対し
てウェハが図５に示すような位置にある場合について、
単純化して加熱時のウェハの径方向のヒータから受ける
熱量を計算すると、図８のようになる。計算は、ヒータ
とウェハの位置関係を、図９のように想定した。このと
き、形態係数は、 Ｌ1 Ｌ2 ／πＳ4 … (3)
いとき、温度は均一に上昇する。しかし、ヒータに対し
てウェハが図５に示すような位置にある場合について、
単純化して加熱時のウェハの径方向のヒータから受ける
熱量を計算すると、図８のようになる。計算は、ヒータ
とウェハの位置関係を、図９のように想定した。このと
き、形態係数は、 Ｌ1 Ｌ2 ／πＳ4 … (3)
【００３８】となる。境界条件は、ヒータの内半径Ｒが
１５０mm、ウェハ径ｒが７５mm、ウェハ間隔ｔが4.7625
mmとした。周辺２０mm当たりから周辺に向かって急激に
熱量が多くなることが分かる。
１５０mm、ウェハ径ｒが７５mm、ウェハ間隔ｔが4.7625
mmとした。周辺２０mm当たりから周辺に向かって急激に
熱量が多くなることが分かる。
【００３９】図１０は、ヒータ内半径Ｒ及びウェハ間隔
ｔを一定とし、ウェハ径つまりウェハ中心からウェハエ
ッジまでの距離ｒをパラメータとしたウェハの各点が受
ける熱容量の計算結果を示す。ヒータ径Ｒに対してウェ
ハ径ｒが小さいときには、ウェハエッジが受ける熱量の
増大の程度も小さく、その領域の幅も狭いことが分か
る。
ｔを一定とし、ウェハ径つまりウェハ中心からウェハエ
ッジまでの距離ｒをパラメータとしたウェハの各点が受
ける熱容量の計算結果を示す。ヒータ径Ｒに対してウェ
ハ径ｒが小さいときには、ウェハエッジが受ける熱量の
増大の程度も小さく、その領域の幅も狭いことが分か
る。
【００４０】同様に、図１１は、ウェハ径ｒとウェハ間
隔ｔを一定とした場合について、ヒータ径Ｒをパラメー
タとして計算した結果を示す。ヒータ径Ｒが大きくなる
と共に、ウェハエッジでの受ける熱量の増大が小さくな
り、増大している幅も狭くなっていることが分かる。
隔ｔを一定とした場合について、ヒータ径Ｒをパラメー
タとして計算した結果を示す。ヒータ径Ｒが大きくなる
と共に、ウェハエッジでの受ける熱量の増大が小さくな
り、増大している幅も狭くなっていることが分かる。
【００４１】次に、ヒータ径Ｒとウェハ径ｒを一定と
し、ウェハ間隔ｔをパラメータとした場合の計算結果
も、図１２に示す。間隔が広い程なだらかにウェハ中心
に向かって、受ける熱量が減少している様子が分かる。
し、ウェハ間隔ｔをパラメータとした場合の計算結果
も、図１２に示す。間隔が広い程なだらかにウェハ中心
に向かって、受ける熱量が減少している様子が分かる。
【００４２】図１３は、パターンがまだ形成されていな
いウェハにおいて、スリップが発生する面内温度差の下
限を、中心温度の関数としてプロットしたもので、中心
温度が高いほど、スリップは小さい温度差で発生するこ
とが分かる。これは、シリコン単結晶の降伏応力が、温
度と共に低下することを反映しているものである。ちな
みに、７００℃，８００℃，そして９００℃でのスリッ
プが発生する下限面内温度差は、それぞれ約６５℃，４
５℃，そして３３℃である。
いウェハにおいて、スリップが発生する面内温度差の下
限を、中心温度の関数としてプロットしたもので、中心
温度が高いほど、スリップは小さい温度差で発生するこ
とが分かる。これは、シリコン単結晶の降伏応力が、温
度と共に低下することを反映しているものである。ちな
みに、７００℃，８００℃，そして９００℃でのスリッ
プが発生する下限面内温度差は、それぞれ約６５℃，４
５℃，そして３３℃である。
【００４３】次に、従来の縦型炉と同一のボートによる
ウェハ支持方法を用いて、６００℃から１０００℃まで
平均昇温速度１００℃／ｍｉｎで加熱した際の、ウェハ
の中心温度に対する面内温度差をプロットすると、図１
４に示すようになる。中心温度が６３０℃程度になる
と、既にスリップが発生するだけの面内温度差を生じて
いることが分かる。７００℃付近で、最大の面内温度差
を示したのちは、スリップ発生領域にはあるが、減少し
ていく。
ウェハ支持方法を用いて、６００℃から１０００℃まで
平均昇温速度１００℃／ｍｉｎで加熱した際の、ウェハ
の中心温度に対する面内温度差をプロットすると、図１
４に示すようになる。中心温度が６３０℃程度になる
と、既にスリップが発生するだけの面内温度差を生じて
いることが分かる。７００℃付近で、最大の面内温度差
を示したのちは、スリップ発生領域にはあるが、減少し
ていく。
【００４４】また、昇温速度が小さい場合には、シリコ
ンウェハ中の熱拡散が効果的になり面内温度差が減少す
ることが予想される。そこで、種々の平均昇温速度に対
し、９５０℃通過時の面内温度差を実験的に求めたとこ
ろ、図１５に示すように、平均昇温速度に比例するよう
に、面内温度差は大きくなり、８５℃／ｍｉｎを越える
と、スリップ発生の下限面内温度差より大きくなってし
まい、スリップが発生する。
ンウェハ中の熱拡散が効果的になり面内温度差が減少す
ることが予想される。そこで、種々の平均昇温速度に対
し、９５０℃通過時の面内温度差を実験的に求めたとこ
ろ、図１５に示すように、平均昇温速度に比例するよう
に、面内温度差は大きくなり、８５℃／ｍｉｎを越える
と、スリップ発生の下限面内温度差より大きくなってし
まい、スリップが発生する。
【００４５】一方、ウェハ間隔を 4.7625mm から２倍，
３倍，そして４倍と大きくしていくと、図１２の計算結
果から予測されるように、面内温度差は減少し、２倍
で、既にスリップの発生が抑制されることが分かる。こ
こでは、スリップ発生の下限面内温度差を、図１３のパ
ターンのないウェハの実験結果に基づいて３０℃とした
が、集積回路の作成プロセスにおいては、当然、既にシ
リコンウェハ表面に窒化膜や酸化膜がパターン形成され
ていることが殆どであり、ＬＯＣＯＳではシリコン基板
と熱膨脹係数が大きく異なるシリコン酸化膜が、シリコ
ン基板中に入り込んでおり、上記実験の状態よりスリッ
プを発生しやすい状況にあることが多い。従って、実際
の集積回路の製造プロセスに使用する装置の設計に当た
っては、下限の面内温度差は、さらに低いものに設定す
る必要がある。通常、これを１０℃に設定すれば十分で
あり、昇温速度１００℃／min を実現するには、ウェハ
間隔４倍以上を確保する必要があり、生産性の著しい低
下をもたらすことになる。
３倍，そして４倍と大きくしていくと、図１２の計算結
果から予測されるように、面内温度差は減少し、２倍
で、既にスリップの発生が抑制されることが分かる。こ
こでは、スリップ発生の下限面内温度差を、図１３のパ
ターンのないウェハの実験結果に基づいて３０℃とした
が、集積回路の作成プロセスにおいては、当然、既にシ
リコンウェハ表面に窒化膜や酸化膜がパターン形成され
ていることが殆どであり、ＬＯＣＯＳではシリコン基板
と熱膨脹係数が大きく異なるシリコン酸化膜が、シリコ
ン基板中に入り込んでおり、上記実験の状態よりスリッ
プを発生しやすい状況にあることが多い。従って、実際
の集積回路の製造プロセスに使用する装置の設計に当た
っては、下限の面内温度差は、さらに低いものに設定す
る必要がある。通常、これを１０℃に設定すれば十分で
あり、昇温速度１００℃／min を実現するには、ウェハ
間隔４倍以上を確保する必要があり、生産性の著しい低
下をもたらすことになる。
【００４６】図１６に示すような、厚さ一定のリングト
レーをウェハのエッジ近傍に設けると、その領域におい
て (2)式の熱容量Ｇを大きくすることができる。従っ
て、高速昇温時の極短時間に受ける熱量δＰが周辺部で
大きくなっても、Ｇが大きいだけ過剰な温度上昇を抑制
でき、面内温度差を低減でき、スリップの発生も抑える
ことができる。
レーをウェハのエッジ近傍に設けると、その領域におい
て (2)式の熱容量Ｇを大きくすることができる。従っ
て、高速昇温時の極短時間に受ける熱量δＰが周辺部で
大きくなっても、Ｇが大きいだけ過剰な温度上昇を抑制
でき、面内温度差を低減でき、スリップの発生も抑える
ことができる。
【００４７】いま、シリコンウェハ内の熱の伝搬に比較
して、昇温速度が大きく、例えば図１６に示すように、
単位時間当りのδＰなる熱量がヒータよりウェハに供給
される場合、(2) 式のように、ウェハの（微小幅を持
つ）各点での温度上昇δＴは、各点の熱容量Ｇに依存す
る。ウェハの周辺部にリング状のトレーが設けられた場
合、リングトレーと接する各点は、リングトレー分だけ
熱容量が増加する。いまリングトレーの形状は、図１６
に示すように、厚さｔ，幅ｄ共に一定とする。Ａ点はリ
ングトレーに接触しないウェハの外周に最も近い位置、
Ｂ点はリングトレーと接触する中心に最も近い位置、Ｃ
点はヒータから受ける熱量が急激に立ち上がる位置（外
周より約２５mmの位置）、Ｄ点は外周に近い位置（外周
より約１０mmの位置）である。スリップが発生しない理
想的な温度分布は、勿論、面内の温度差がない場合であ
るから、各点の温度上昇分δＴが一定の場合である。つ
まり、 δＴA ＝δＴB ＝δＴC ＝δＴD δＰA ／ＧA ＝δＰB ／ＧB ＝δＰC ／ＧC ＝δＰD ／ＧD … (4)
して、昇温速度が大きく、例えば図１６に示すように、
単位時間当りのδＰなる熱量がヒータよりウェハに供給
される場合、(2) 式のように、ウェハの（微小幅を持
つ）各点での温度上昇δＴは、各点の熱容量Ｇに依存す
る。ウェハの周辺部にリング状のトレーが設けられた場
合、リングトレーと接する各点は、リングトレー分だけ
熱容量が増加する。いまリングトレーの形状は、図１６
に示すように、厚さｔ，幅ｄ共に一定とする。Ａ点はリ
ングトレーに接触しないウェハの外周に最も近い位置、
Ｂ点はリングトレーと接触する中心に最も近い位置、Ｃ
点はヒータから受ける熱量が急激に立ち上がる位置（外
周より約２５mmの位置）、Ｄ点は外周に近い位置（外周
より約１０mmの位置）である。スリップが発生しない理
想的な温度分布は、勿論、面内の温度差がない場合であ
るから、各点の温度上昇分δＴが一定の場合である。つ
まり、 δＴA ＝δＴB ＝δＴC ＝δＴD δＰA ／ＧA ＝δＰB ／ＧB ＝δＰC ／ＧC ＝δＰD ／ＧD … (4)
【００４８】が成り立つ場合である。しかし、図１６の
ようにリングトレーの厚さを一定とする場合、(4) 式を
成立させることはできないことは明らかである。従っ
て、各点間の温度差の減少をはかり、スリップが発生す
る下限温度差内に止めることが必要である。次に、肉厚
一定リングトレーの形状決定方法について、図１８，図
１９のフローチャートを参照して説明する。
ようにリングトレーの厚さを一定とする場合、(4) 式を
成立させることはできないことは明らかである。従っ
て、各点間の温度差の減少をはかり、スリップが発生す
る下限温度差内に止めることが必要である。次に、肉厚
一定リングトレーの形状決定方法について、図１８，図
１９のフローチャートを参照して説明する。
【００４９】まず、ステップＳにおいて、実現しようと
する要件を決める。例えば、昇温速度１００℃／min 、
ヒータ内径３００mm（半径１５０mm）、ウェハ径１５０
mm（半径７５mm）、ウェハピッチ 4.7625mm （１倍ピッ
チ）とする。
する要件を決める。例えば、昇温速度１００℃／min 、
ヒータ内径３００mm（半径１５０mm）、ウェハ径１５０
mm（半径７５mm）、ウェハピッチ 4.7625mm （１倍ピッ
チ）とする。
【００５０】次いで、ステップＳ２において、ステップ
Ｓ１の設計条件において、予備実験としてリングトレー
を用いずに加熱し、スリップの発生の有無を、ウェハピ
ッチをパラメータとして調べる。ここで、３倍ピッチ
（14.2875mm）はＮＧ、４倍ピッチ（19.050mm）はＯＫ
であった。
Ｓ１の設計条件において、予備実験としてリングトレー
を用いずに加熱し、スリップの発生の有無を、ウェハピ
ッチをパラメータとして調べる。ここで、３倍ピッチ
（14.2875mm）はＮＧ、４倍ピッチ（19.050mm）はＯＫ
であった。
【００５１】次いで、ステップＳ３で、計算機シミュレ
ーションにより、ヒータからの輻射熱量の径方向の分布
をウェハピッチをパラメータとして、図１７に示すよう
に求める。Ａ，Ｂは、それぞれ１倍ピッチ，４倍ピッチ
の場合の輻射熱量の径方向分布である。
ーションにより、ヒータからの輻射熱量の径方向の分布
をウェハピッチをパラメータとして、図１７に示すよう
に求める。Ａ，Ｂは、それぞれ１倍ピッチ，４倍ピッチ
の場合の輻射熱量の径方向分布である。
【００５２】図１７のウェハピッチ 4.7625mm の結果は
輻射熱量の分布であり、各領域の熱容量に従った温度分
布に変換される。従って、温度分布を均一とするために
は、ウェハの径方向に対して、リングトレーを含めた熱
容量の比を、図１７に従ったものとすればよい。
輻射熱量の分布であり、各領域の熱容量に従った温度分
布に変換される。従って、温度分布を均一とするために
は、ウェハの径方向に対して、リングトレーを含めた熱
容量の比を、図１７に従ったものとすればよい。
【００５３】形状の簡単化のために、傾斜状，階段状に
することでも改善される。勿論、図１７の形状をより忠
実に反映させたリングトレーの方が均一性が高まる。最
も簡単な形状は、肉厚均一なリングトレーである。
することでも改善される。勿論、図１７の形状をより忠
実に反映させたリングトレーの方が均一性が高まる。最
も簡単な形状は、肉厚均一なリングトレーである。
【００５４】次に、この肉厚一定のリングトレーの形状
を決める手順を述べる。最初にリングトレーの望ましい
厚さを求める手順を述べる。まず、ステップＳ４におい
て、図１７の結果から、実験でスリップがないことが確
認された４倍ピッチと実現しようとする１倍ピッチの最
大傾斜の比ｒを求める。図１７では、ｒ＝３．５とな
る。このｒの値は、次の意味を持つ。即ち、前記した曲
線の最大傾斜はウェハの最大面内温度差なる量に相当
し、ｒの値は１倍ピッチと４倍ピッチでの最大面内温度
差の比に相当する。
を決める手順を述べる。最初にリングトレーの望ましい
厚さを求める手順を述べる。まず、ステップＳ４におい
て、図１７の結果から、実験でスリップがないことが確
認された４倍ピッチと実現しようとする１倍ピッチの最
大傾斜の比ｒを求める。図１７では、ｒ＝３．５とな
る。このｒの値は、次の意味を持つ。即ち、前記した曲
線の最大傾斜はウェハの最大面内温度差なる量に相当
し、ｒの値は１倍ピッチと４倍ピッチでの最大面内温度
差の比に相当する。
【００５５】次いで、ステップＳ５において、ウェハと
リングトレーの熱容量をウェハのみの３．５倍以上、つ
まりウェハに対して２．５倍以上の熱容量のリングトレ
ーを設けることにより、図１７のピッチ 4.7625mm の輻
射熱量分布を受けて、輻射熱量は図７に示す曲線のよう
に改善される。即ち、単位時間当たりの上昇温度分も同
様に改善される。４倍ピッチのウェハでは、上記最大傾
斜に相当する位置、即ち最大面内温度差となる位置にお
いても、スリップが発生しないので、１倍ピッチの場合
の上記最大傾斜を４倍ピッチの時の最大傾斜以下とすれ
ば、１倍ピッチのウェハにおいてもスリップの発生はな
い。このようにウェハウェハエッジ近傍領域では温度上
昇が抑えられ、傾きも小さくなる。
リングトレーの熱容量をウェハのみの３．５倍以上、つ
まりウェハに対して２．５倍以上の熱容量のリングトレ
ーを設けることにより、図１７のピッチ 4.7625mm の輻
射熱量分布を受けて、輻射熱量は図７に示す曲線のよう
に改善される。即ち、単位時間当たりの上昇温度分も同
様に改善される。４倍ピッチのウェハでは、上記最大傾
斜に相当する位置、即ち最大面内温度差となる位置にお
いても、スリップが発生しないので、１倍ピッチの場合
の上記最大傾斜を４倍ピッチの時の最大傾斜以下とすれ
ば、１倍ピッチのウェハにおいてもスリップの発生はな
い。このようにウェハウェハエッジ近傍領域では温度上
昇が抑えられ、傾きも小さくなる。
【００５６】次いで、ステップＳ６において、リングト
レーの厚さを求めるために、ウェハとリングトレーの厚
さと比熱と密度を、それぞれｔw とｔr、Ｃw とＣr 、
ρwとρr とすれば、ｔr は ｔr ＝（ｒ−１）（ρw Ｃw ）ｔw ／ρr Ｃr … (5) のようになる。
レーの厚さを求めるために、ウェハとリングトレーの厚
さと比熱と密度を、それぞれｔw とｔr、Ｃw とＣr 、
ρwとρr とすれば、ｔr は ｔr ＝（ｒ−１）（ρw Ｃw ）ｔw ／ρr Ｃr … (5) のようになる。
【００５７】ステップＳ７で、例えばウェハをシリコ
ン、リングトレーを石英とすれば、 ｔw ＝６２５μｍ，Ｃw ＝０．７ cal/g℃cm3 ，ρw ＝２．３３ｇ Ｃr ＝１．０ cal/g℃cm3 ，ρr ＝２．２７ｇ である。ステップＳ８から、ｔ1 は(5) 式から１．１mm
が得られる。
ン、リングトレーを石英とすれば、 ｔw ＝６２５μｍ，Ｃw ＝０．７ cal/g℃cm3 ，ρw ＝２．３３ｇ Ｃr ＝１．０ cal/g℃cm3 ，ρr ＝２．２７ｇ である。ステップＳ８から、ｔ1 は(5) 式から１．１mm
が得られる。
【００５８】リングトレーはウェハ間に設置されるもの
であるから、原理的にウェハピッチがリングトレーの最
大厚さである。よって、ステップＳ９において、リング
トレーの望ましい厚さを求めると、 １．１mm≦厚さ≦ウェハピッチ となる。
であるから、原理的にウェハピッチがリングトレーの最
大厚さである。よって、ステップＳ９において、リング
トレーの望ましい厚さを求めると、 １．１mm≦厚さ≦ウェハピッチ となる。
【００５９】次に、リングトレーの望ましい幅を求める
手順について述べる。まず、ステップＳ１０において、
図１７の計算結果から、ウェハエッジでの輻射熱量φ１
とｒからφ１／ｒを求め、この値と一致する輻射熱量を
受ける位置を図１７の結果から求める。図１７では、φ
１が２．８、ｒが３．５だから、φ＝φ１／ｒは０．８
となる。Ａの曲線において、輻射熱量が少なくともφ＝
０．８以下となるように、リングトレーの幅を設定する
必要がある。φが０．８を示す位置は、図１７より中心
から６４mm（ウェハエッジから１１mm）になる。従っ
て、リングトレーの幅の下限は、１１mmとなる。
手順について述べる。まず、ステップＳ１０において、
図１７の計算結果から、ウェハエッジでの輻射熱量φ１
とｒからφ１／ｒを求め、この値と一致する輻射熱量を
受ける位置を図１７の結果から求める。図１７では、φ
１が２．８、ｒが３．５だから、φ＝φ１／ｒは０．８
となる。Ａの曲線において、輻射熱量が少なくともφ＝
０．８以下となるように、リングトレーの幅を設定する
必要がある。φが０．８を示す位置は、図１７より中心
から６４mm（ウェハエッジから１１mm）になる。従っ
て、リングトレーの幅の下限は、１１mmとなる。
【００６０】次いで、ステップＳ１１で、さらにマージ
ンを取り、４倍ピッチの最大傾斜の１／20をとる位置を
求めると、図１７から、ウェハ中心から４０mmとなる。
従ってリングトレー幅の上限は、３５mmとなる。そし
て、ステップＳ１２で、これらをまとめると、 １１ｍｍ≦幅≦３５ｍｍ である。なお、上記したリングトレーの幅はステップＳ
１０のｍの値に近い程好ましく、上記マージンとしては
最大傾斜の１／４、さらには１／２が好ましい。なお、
本発明は上述した実施例に限定されるものではない。実
施例では、トレー材料として石英ガラスを用いたが、単
結晶珪素，多結晶珪素は勿論のこと、窒化珪素や炭化珪
素等でも同様であることは言うまでもない。また、ウェ
ハ径は６インチに限らず、種々の径のウェハに適用でき
るのは勿論である。現在、例えばシリコン集積回路では
８インチが検討され、製造プロセスの廉価のため、ウェ
ハの大口径化の傾向は続いている。従って、本発明に係
わるシリコンウェハの輻射熱の径方向の変化も相似的に
変化するため、リング状トレーの形状も大口径化に従っ
て相似的に変化させればよい。
ンを取り、４倍ピッチの最大傾斜の１／20をとる位置を
求めると、図１７から、ウェハ中心から４０mmとなる。
従ってリングトレー幅の上限は、３５mmとなる。そし
て、ステップＳ１２で、これらをまとめると、 １１ｍｍ≦幅≦３５ｍｍ である。なお、上記したリングトレーの幅はステップＳ
１０のｍの値に近い程好ましく、上記マージンとしては
最大傾斜の１／４、さらには１／２が好ましい。なお、
本発明は上述した実施例に限定されるものではない。実
施例では、トレー材料として石英ガラスを用いたが、単
結晶珪素，多結晶珪素は勿論のこと、窒化珪素や炭化珪
素等でも同様であることは言うまでもない。また、ウェ
ハ径は６インチに限らず、種々の径のウェハに適用でき
るのは勿論である。現在、例えばシリコン集積回路では
８インチが検討され、製造プロセスの廉価のため、ウェ
ハの大口径化の傾向は続いている。従って、本発明に係
わるシリコンウェハの輻射熱の径方向の変化も相似的に
変化するため、リング状トレーの形状も大口径化に従っ
て相似的に変化させればよい。
【００６１】また、実施例ではリング状トレーの熱容量
の差を石英ガラスの厚さによって変化させたが、これを
窒化珪素や炭化珪素等の材質の変化により達成すること
もできる。さらに、被処理基体はシリコンウェハに限る
ものではなく、他の半導体ウェハ、さらにガラス基板に
対しても全く同様に適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
の差を石英ガラスの厚さによって変化させたが、これを
窒化珪素や炭化珪素等の材質の変化により達成すること
もできる。さらに、被処理基体はシリコンウェハに限る
ものではなく、他の半導体ウェハ、さらにガラス基板に
対しても全く同様に適用することが可能である。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。
【００６２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、被
処理基体に対して径方向に熱容量の差を設けることによ
り、昇温時及び降温時の被処理基体の径方向における温
度差を低減することができる。従って、結晶欠陥やスリ
ップの発生をもたらすことなく所望の熱処理を施す前後
の被処理基体の昇降温速度を大きくすることができ、ス
ループットが大きくなるだけでなく、拡散層の伸び等の
昇降温時の余分な熱工程による寄生効果を抑制すること
が可能となる。
処理基体に対して径方向に熱容量の差を設けることによ
り、昇温時及び降温時の被処理基体の径方向における温
度差を低減することができる。従って、結晶欠陥やスリ
ップの発生をもたらすことなく所望の熱処理を施す前後
の被処理基体の昇降温速度を大きくすることができ、ス
ループットが大きくなるだけでなく、拡散層の伸び等の
昇降温時の余分な熱工程による寄生効果を抑制すること
が可能となる。
【図１】第１図は本発明の一実施例に係わる熱処理装置
の概略構成を示す断面図、
の概略構成を示す断面図、
【図２】第２図は上記装置に用いたリング状トレーの構
造を示す断面図、
造を示す断面図、
【図３】第３図は加熱タイミングとガス供給タイミング
との関係を示す模式図、
との関係を示す模式図、
【図４】第４図は上記装置を用いた拡散層形成工程を示
す断面図、
す断面図、
【図５】第５図はウェハが加熱ヒータから受ける熱輻射
の様子を示す模式図、
の様子を示す模式図、
【図６】第６図は輻射熱の計算結果でウェハの温度依存
性を示す特性図、
性を示す特性図、
【図７】リングトレーのウェハ内温度分布に及ぼす効果
を説明するための模式図、
を説明するための模式図、
【図８】ウェハの半径方向の位置とヒータから受ける熱
量との関係を示す特性図、
量との関係を示す特性図、
【図９】ヒータとウェハの位置関係を示す模式図、
【図１０】ウェハ中心からウェハエッジまでの距離ｒを
パラメータとして、ウェハの各点が受ける熱量の計算結
果を示す特性図、
パラメータとして、ウェハの各点が受ける熱量の計算結
果を示す特性図、
【図１１】ヒータ径Ｒをパラメータとして、ウェハの各
点が受ける熱容量の計算結果を示す特性図、
点が受ける熱容量の計算結果を示す特性図、
【図１２】ウェハ間隔ｔをパラメータとして、ウェハの
各点が受ける熱容量の計算結果を示す特性図、
各点が受ける熱容量の計算結果を示す特性図、
【図１３】スリップが発生する面内温度差の下限を、中
心温度の関数としてプロットして示す図、
心温度の関数としてプロットして示す図、
【図１４】平均昇温速度１００℃／ｍｉｎで加熱した際
の、ウェハの中心温度に対する面内温度差をプロットし
て示す図、
の、ウェハの中心温度に対する面内温度差をプロットし
て示す図、
【図１５】種々の平均昇温速度に対して、９５０℃通過
時の面内温度差を実験的に求めた特性図、
時の面内温度差を実験的に求めた特性図、
【図１６】厚さ一定のリングトレーをウェハのエッジ近
傍に設けた状態を示す図、
傍に設けた状態を示す図、
【図１７】シングルピッチと４倍ピッチの時に、ウェハ
がヒータから受ける熱量の計算値を示す図、
がヒータから受ける熱量の計算値を示す図、
【図１８】リングトレーの形状決定を説明するためのフ
ローチャート、
ローチャート、
【図１９】リングトレーの形状決定を説明するためのフ
ローチャート、
ローチャート、
１１…石英管（加熱室）、 １２…シリコンウェハ（被処理基体）、 １３…石英製ボード、 １４…加熱ヒータ、 １５…ガス導入口、 １６…ガス排気口、 １７…リング状トレー（治具）、 ４１…シリコンウェハ、 ４２…シリケートガラス、 ４３…Ｂ拡散層、 ４４…Ａｓ拡散層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ Ｖ (72)発明者 奥村 勝弥 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 中尾 賢 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210 番１ 東京エレクトロン相模株式会社内 (72)発明者 上野 正光 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210 番１ 東京エレクトロン相模株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−108735（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−45932（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−124031（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−193845（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/324 H01L 21/22 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】所定のガスが導入される加熱室と、この加
熱室の周囲に設置された加熱ヒータと、前記加熱室内に
配置され複数の被処理基体を相互に平行に支持する治具
とを備えた熱処理装置において、 前記治具は、前記被処理基体を周辺部で保持するリング
状のトレーからなるもので、該トレーの厚さは一定若し
くは内周側よりも外周側の方が厚く形成されて、前記被
処理基体の径方向に対し、内側よりも外側の方の熱容量
が大きくなるように形成されていることを特徴とする熱
処理装置。 - 【請求項２】所定のガスが導入される加熱室と、この加
熱室の周囲に設置された加熱ヒータと、前記加熱室内に
配置され複数の被処理基体を相互に平行に支持する治具
とを備えた熱処理装置において、 前記治具は、前記被処理基体を周辺部で保持するリング
状のトレーからなるもので、該トレーは複数種類の材料
から形成され、且つ内周側よりも外周側の方が比熱の大
きな材料で形成され、前記被処理基体の径方向に対し、
内側よりも外側の方の熱容量が大きくなるように形成さ
れていることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29272591A JP3204699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-08 | 熱処理装置 |
| KR1019910021816A KR950009940B1 (ko) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
| US07/799,931 US5297956A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Method and apparatus for heat treating |
| US08/166,014 US5431561A (en) | 1990-11-30 | 1993-12-14 | Method and apparatus for heat treating |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-340622 | 1990-11-30 | ||
| JP34062290 | 1990-11-30 | ||
| JP29272591A JP3204699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-08 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056894A JPH056894A (ja) | 1993-01-14 |
| JP3204699B2 true JP3204699B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=26559111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29272591A Expired - Lifetime JP3204699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-08 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5297956A (ja) |
| JP (1) | JP3204699B2 (ja) |
| KR (1) | KR950009940B1 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3245246B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2002-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5492843A (en) * | 1993-07-31 | 1996-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate |
| JPH07254591A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
| JP3474261B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2003-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
| US5775889A (en) * | 1994-05-17 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment process for preventing slips in semiconductor wafers |
| JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| US5626680A (en) * | 1995-03-03 | 1997-05-06 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| US5679168A (en) * | 1995-03-03 | 1997-10-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
| KR100278731B1 (ko) * | 1995-05-05 | 2001-03-02 | 보스트 스티븐 엘. | 슬립 방지 수직 선반 |
| US6193506B1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-02-27 | Brooks Automation, Inc. | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
| US5650347A (en) * | 1995-07-26 | 1997-07-22 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing a lightly doped drain MOS transistor |
| US5848889A (en) * | 1996-07-24 | 1998-12-15 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support with graded thermal mass |
| US6005225A (en) * | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
| US6171982B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same |
| US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
| US6200388B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
| US5931666A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-03 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms |
| US6048403A (en) * | 1998-04-01 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber |
| US6280183B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
| US6171400B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
| US6099645A (en) * | 1999-07-09 | 2000-08-08 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier with slats |
| US6489184B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-12-03 | Honeywell International Inc. | Removing inherent stress via high temperature annealing |
| US6494567B2 (en) * | 2000-03-24 | 2002-12-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and manufacturing method and manufacturing device thereof |
| JP4697909B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2011-06-08 | コバレントマテリアル株式会社 | カーボンワイヤー発熱体封入ヒータ |
| WO2004030058A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Tokyo Electron Limited | 熱処理方法および熱処理装置 |
| US6799940B2 (en) | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
| US7329947B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
| TWI327761B (en) * | 2005-10-07 | 2010-07-21 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making semiconductor wafer and wafer holding article |
| US7661544B2 (en) * | 2007-02-01 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
| CN105789084B (zh) * | 2014-12-17 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
| CN106282914B (zh) * | 2015-05-15 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
| CN112740373A (zh) * | 2018-09-20 | 2021-04-30 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216516A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS6471118A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
| KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
| JPH07120634B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-12-20 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 処理装置 |
| US5054418A (en) * | 1989-05-23 | 1991-10-08 | Union Oil Company Of California | Cage boat having removable slats |
| US5221201A (en) * | 1990-07-27 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
| US5055036A (en) * | 1991-02-26 | 1991-10-08 | Tokyo Electron Sagami Limited | Method of loading and unloading wafer boat |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29272591A patent/JP3204699B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-29 US US07/799,931 patent/US5297956A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-29 KR KR1019910021816A patent/KR950009940B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-14 US US08/166,014 patent/US5431561A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5297956A (en) | 1994-03-29 |
| US5431561A (en) | 1995-07-11 |
| JPH056894A (ja) | 1993-01-14 |
| KR950009940B1 (ko) | 1995-09-01 |
| KR920010791A (ko) | 1992-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3204699B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3504784B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JP3125199B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| KR100893909B1 (ko) | 기판 홀더의 제조 방법 | |
| JP3348936B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US6596095B2 (en) | Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo and a method and apparatus for the preparation thereof | |
| EP1156518B1 (en) | Heat treating device and heat treating method | |
| JPH07254591A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3100252B2 (ja) | 被処理体用ボート及びそれを用いた被処理体の移し換え方法ならびに熱処理装置 | |
| EP1287188A1 (en) | Epitaxial silicon wafer free from autodoping and backside halo | |
| US5500388A (en) | Heat treatment process for wafers | |
| JPH09199438A (ja) | 熱処理用治具 | |
| JP3474261B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JPH0834191B2 (ja) | 半導体ウエフア中へド−パントを高温ドライブイン拡散する方法 | |
| JPH07326593A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JPH06260438A (ja) | 熱処理用ボート | |
| JP2004228462A (ja) | ウエーハの熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JP2004172564A (ja) | アニールウェーハ及びその製造方法 | |
| JPH08288372A (ja) | ウエハ支持プレート | |
| JP2000124143A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH08130192A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0878350A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JP3240187B2 (ja) | 熱処理方法及びそれに用いる縦型熱処理装置 | |
| JP3084232B2 (ja) | 縦型加熱処理装置 | |
| JP3464505B2 (ja) | 熱処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090629 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090629 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629 Year of fee payment: 11 |