KR920010791A - 열처리 방법 및 열처리 장치 - Google Patents
열처리 방법 및 열처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920010791A KR920010791A KR1019910021816A KR910021816A KR920010791A KR 920010791 A KR920010791 A KR 920010791A KR 1019910021816 A KR1019910021816 A KR 1019910021816A KR 910021816 A KR910021816 A KR 910021816A KR 920010791 A KR920010791 A KR 920010791A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- jig
- predetermined
- heat treatment
- heat
- thickness
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/14—Substrate holders or susceptors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 열처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도,
제2도는 상기 장치에 이용한 링 형성 트레이의 구조를 나타내는 단면도,
제3도는 가열 타이밍과 가스공급 타이밍과의 관계를 나타내는 모식도.
Claims (8)
- 열처리 되는 대상의 복수의 피처리기체(12)와, 상기 피처리기체를 지지하는 지그(17)와, 상기 지그에 의해서로 평행하게 배열된 복수의 상기 피처리기체에 대하여 열을 공급하는 가열히터(14)를 가지고, 상기 가열히터(14)는 상기 피처리기체를 소정의 거리를 통하여 서로 평행하게 포위하는 위치에 배설된 열처리 장치에 있어서, 상기 열처리 장치를 이용하여 상기 피처리기체(12)에 소정의 열처리를 시행하는 열처리 방법으로서, 상기 피처리기체(12)와 상기 지그(17)를 포함한 합계의 열용량이, 상기 피처리기체의 중앙부에 비교하여 상기 피처리기체의 주변부의 쪽의 열용량이 커지는 것 같은 형상으로 설정하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피처리기체와 상기 지그를 함유한 합계의 열용량이, 상기 피처리기체의 주변부 근방에서, 그 내측보다도 외측의 쪽의 열용량이 커지는 것 같은 형상을 설정하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 열처리 되는 대상의 복수의 피처리기체(12)와, 상기 피처리기체를 지지하는 지그(17)와, 상기 지그에 의해 서로 평행하게 배열된 복수의 상기 피처리기체에 대하여 열을 공급하는 가열히터(14)를 가지고, 상기 가열히터(14)는 상기 피처리기체를 소정의 거리를 통하여 서로 평행하게 포위하는 위치에 배설된 열처리장치를 이용하여 상기 피처리기체(12)에 소정의 열처리를 시행하는 열처리 방법으로서, 상기 피처리기체의 가열처리에 있어서 그 지름방향의 온도분포를 균일하게 하기 위해 상기 지그(17)의 형상을 결정하기 위한 소정의 형상 결정 순서로 구성하는 열처리 방법이며, 상기의 형상 결정 순서는, 상기 지그의 형상(각 부위치수, 재질)결정의 전제로 되는 상기 가열히터의 설정조건 및 상기 피처리 기체(e·g·웨이퍼)의 형상(각 부위치수, 재질)조건을 미리 설정하는 초기설정스텝(S1)과; 상기 초기설정스텝의 설정조건에 있어서, 상기 지그(e·g·링 트레이)가 붙어 있지 않은 상태의 열처리 장치를 가열하여 그 기체의 슬립 발생의 유무를(웨이퍼 피치를 패러미터로 하여) 실험적으로 구하는 예비실험스텝(S2)과; 상기 가열히터로부터의 복사열량의 지름방향의 분포를(웨이퍼 피치를 페러미터로 하여)시뮬레이션에 의해 구하는 시뮬레이션 계산스텝(S3)과; 상기 예비설험스텝에서 슬립이 발생하지 않는 것이 확인된 4배 피치를 가지는 지그의 최대경사와, 실제로 실현 형성하려고 하는 1배치를 가지는 지그의 최대경사에 관한 최대경사(구배)비율(r)을 소정의 그래프를 토대로 하여 구하는 스텝(S4)과; 두께가 일정한 경우의 상기 지그인 링 트렌인(17)의 형상치수중에서 「폭」 및 「두께」를 결정하기 위한 상기 최대경사(구배)비율(r)을 이용하여, 링 트레이의 바람직한 두께를 결저하는 소정의 순서(SA)와, 링 트레이의 바람직한 폭을 결정하는 소정의 순서(SB)로부터 구성되고 있는 열처리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기의 두께를 결정하는 소정의 순서(SA)는, 상기 피처리기체인 웨이퍼의 단위면적당의 열용량(GW)과, 링형상의 상기 지그인 링트레이의 단위면적당의 열용량(Gr)을 구하고, 상기 최대경사(구배)비율(r)과의 소정의 관계식(Gr=(r-1)GW)에 따라, 웨이퍼의 두께(tw)와, 링트레이의 비열(Cr) 및 밀도(ρr)와, 웨이퍼의 비열(Cw) 및 밀도(ρr)와의 사이에 성립하는 소정의 관계식(tw=(r-1)(ρw Cw)tw/ρr Cr)을 구하는 스텝(S5,S6)과; 소망에 의해 웨이퍼의 재질에 소정의 제1재질(e·g·실리콘)을 또 링 트레이의 재질에 소정의 제2재료(g·e·석영)를 채용한다고 가정하고, 각각 고유의 비열(Cw,Cr) 및 밀도(ρw,ρr) 및 웨이퍼 두께(tw)를 각각 상기 관계식에 대입하는 스텝(S7)과; 상기 링 트레이의 두께(tr)를 구함으로써, 상기 소정의 관계식에 따라 계산을 행하는 스텝(S8)과; 인접하는 2개의 웨이퍼 사이의 거리를 나타내는 웨이퍼 퍼치를 근사적으로 상기 링 트레이의 최대 두께라고 가정하고, 링 트레이의 바람직한 두께(tr)의 상한치 및 그 하한치의 범위(두께의 하한치(tl)바람직한 두께(tr)두께의 상한치(=웨이퍼피치))에 따라서 링 트레이의 두께를 상기 범위내에 결정하는 스텝(S9)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 제3항에 있어서, 상기의 링 트레이의 바람직한 폭을 결정하는 소정의 순서(SB)는, 웨이퍼 에지에서의 복사열량(ø1)을 계산하고, 이 복사열량(ø1)과 상기 최대경사(구배)비율(r)에서 ø1/r을 계산한 후, 이 값 ø1/r과 일체하는 복사열량을 받는 웨이퍼 에지에서의 거리(위치)를 소정의 그래프를 토대로 하여 구하고, 링 트레이의 폭의 하한(n)을 결정하는 스텝(S10)과; 이어서, 다시 소정의 마진을 취하여 4배 피치의 최대경사를 얻는 위치를 소정의 그래프를 토대로 하여 구하고, 링 트레이폭의 상한(m)을 결정하는 스텝(S11)과; 최종적으로, 상기의 링 트레이폭의 상한 및 하한을 결정하는 스텝(S10,S11)에 의해 결정된 상한치 및 하한치의 범위(n폭(w)m)에 따라 링 트레이를 그 폭의 범위로 설형하는 스텝(S12)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리 방법.
- 소정의 가스가 도입되는 가열실(11)과, 이 가열실의 주위에 설치된 가열히터(14)와, 상기 가열실내에 배치되어 복수의 피처리기체를 서로 평행하게 지지하는 지그(17)로 구성된 열처리장치로서, 상기 지그(17)는 상기 피처리기체를 지지하여 일체로 되었을 때 그 기체의 지름방향에서, 그 내측보다도 외측의 쪽의 열용량이 커지는 것 같은 형상으로 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 지그(17)는, 상기 피처리기체를 그 주변부에서 유지하는 링형상의 트레이로 구성되는 것이며, 상기 트레이의 두께는 일정(균일), 또는 그 내주측보다도 외주측의 쪽이 두껍게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 지그(17)는, 상기 피처리기체를 그 주변부에서 유지하는 링형상의 트레인로 구성되는 것이며, 상기 트레이는 복수종류의 재료에서 형성되고, 또한, 그 내주측 보다도 외주측의 쪽이 비열의 커다란 재료로 형성되고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34062290 | 1990-11-30 | ||
JP90-340622 | 1990-11-30 | ||
JP91-292725 | 1991-11-08 | ||
JP29272591A JP3204699B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-08 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920010791A true KR920010791A (ko) | 1992-06-27 |
KR950009940B1 KR950009940B1 (ko) | 1995-09-01 |
Family
ID=26559111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910021816A KR950009940B1 (ko) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | 열처리 방법 및 열처리 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5297956A (ko) |
JP (1) | JP3204699B2 (ko) |
KR (1) | KR950009940B1 (ko) |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3245246B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2002-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5492843A (en) * | 1993-07-31 | 1996-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device and method of processing substrate |
JPH07254591A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 熱処理装置 |
US5775889A (en) * | 1994-05-17 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment process for preventing slips in semiconductor wafers |
JP3474261B2 (ja) * | 1994-05-17 | 2003-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
JP3151118B2 (ja) * | 1995-03-01 | 2001-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5626680A (en) * | 1995-03-03 | 1997-05-06 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
US5618351A (en) * | 1995-03-03 | 1997-04-08 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
US5679168A (en) * | 1995-03-03 | 1997-10-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus and process |
EP0826233A1 (en) * | 1995-05-05 | 1998-03-04 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design |
US6193506B1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-02-27 | Brooks Automation, Inc. | Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates |
US5650347A (en) * | 1995-07-26 | 1997-07-22 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of manufacturing a lightly doped drain MOS transistor |
US5848889A (en) * | 1996-07-24 | 1998-12-15 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support with graded thermal mass |
US6005225A (en) * | 1997-03-28 | 1999-12-21 | Silicon Valley Group, Inc. | Thermal processing apparatus |
US6171982B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for heat-treating an SOI substrate and method of preparing an SOI substrate by using the same |
US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
US6200388B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
US5931666A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-03 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms |
US6280183B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
US6048403A (en) * | 1998-04-01 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Multi-ledge substrate support for a thermal processing chamber |
US6171400B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-01-09 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier |
US6099645A (en) * | 1999-07-09 | 2000-08-08 | Union Oil Company Of California | Vertical semiconductor wafer carrier with slats |
US6489184B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-12-03 | Honeywell International Inc. | Removing inherent stress via high temperature annealing |
US6494567B2 (en) * | 2000-03-24 | 2002-12-17 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element and manufacturing method and manufacturing device thereof |
JP4697909B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2011-06-08 | コバレントマテリアル株式会社 | カーボンワイヤー発熱体封入ヒータ |
WO2004030058A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Tokyo Electron Limited | 熱処理方法および熱処理装置 |
US6799940B2 (en) | 2002-12-05 | 2004-10-05 | Tokyo Electron Limited | Removable semiconductor wafer susceptor |
US7329947B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
TWI327761B (en) * | 2005-10-07 | 2010-07-21 | Rohm & Haas Elect Mat | Method for making semiconductor wafer and wafer holding article |
US7661544B2 (en) * | 2007-02-01 | 2010-02-16 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor wafer boat for batch processing |
CN105789084B (zh) * | 2014-12-17 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
CN106282914B (zh) * | 2015-05-15 | 2019-11-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 加热腔室以及半导体加工设备 |
CN112740373A (zh) * | 2018-09-20 | 2021-04-30 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6216516A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
JPS6471118A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Thermal treatment equipment for semiconductor wafer |
KR970008320B1 (ko) * | 1987-11-17 | 1997-05-23 | 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 | 열처리 장치 |
JPH07120634B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-12-20 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 処理装置 |
US5054418A (en) * | 1989-05-23 | 1991-10-08 | Union Oil Company Of California | Cage boat having removable slats |
US5221201A (en) * | 1990-07-27 | 1993-06-22 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical heat treatment apparatus |
US5055036A (en) * | 1991-02-26 | 1991-10-08 | Tokyo Electron Sagami Limited | Method of loading and unloading wafer boat |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP29272591A patent/JP3204699B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-29 US US07/799,931 patent/US5297956A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-29 KR KR1019910021816A patent/KR950009940B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-14 US US08/166,014 patent/US5431561A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3204699B2 (ja) | 2001-09-04 |
US5431561A (en) | 1995-07-11 |
JPH056894A (ja) | 1993-01-14 |
KR950009940B1 (ko) | 1995-09-01 |
US5297956A (en) | 1994-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920010791A (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
JP4786177B2 (ja) | サセプタを含む処理チャンバ内で半導体基板を加熱するプロセスおよびシステム | |
DE69835105T2 (de) | System zur Temperaturreglung eines Wafers | |
JPH0855810A (ja) | 拡散炉 | |
JP2001522141A (ja) | 低質量サポートを用いたウェハの加工方法 | |
EP1075015A3 (en) | A method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate | |
KR100217542B1 (ko) | 열 처리 방법 | |
JPS6220308A (ja) | 熱処理方法および装置 | |
US6602345B1 (en) | Heater arrangement for crystal growth furnace | |
JP3075254B2 (ja) | ランプアニール装置 | |
JP2583503B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPS54154376A (en) | Jig for detecting internal temperature of horizontal type heat treatment furnace | |
JPS63112495A (ja) | 気相成長装置 | |
JPS58294Y2 (ja) | 半導体拡散炉 | |
JP2676083B2 (ja) | 加熱炉 | |
JPS586136A (ja) | 半導体ウエ−ハの熱処理法 | |
JPH01104413A (ja) | 押出加工装置 | |
JPH01106423A (ja) | 縦型熱処理炉 | |
JPH06310454A (ja) | ホットウォール型熱処理装置 | |
SU844638A1 (ru) | Способ термической обработки сварныхСОЕдиНЕНий ВЕРТиКАльНО РАСпОлОжЕННыХТРуб | |
JPH0628248B2 (ja) | 二段拡散炉 | |
JPS63213924A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH01102923A (ja) | 加熱炉内温度調整方法 | |
JPH0817842A (ja) | ヒ−タ構造 | |
JPH04157717A (ja) | 気相成長用ウエハ加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] | ||
J202 | Request for trial for correction [limitation] | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR CORRECTION REQUESTED 20051219 Effective date: 20061130 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100803 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |