KR100217542B1 - 열 처리 방법 - Google Patents

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KR100217542B1
KR100217542B1 KR1019910020264A KR910020264A KR100217542B1 KR 100217542 B1 KR100217542 B1 KR 100217542B1 KR 1019910020264 A KR1019910020264 A KR 1019910020264A KR 910020264 A KR910020264 A KR 910020264A KR 100217542 B1 KR100217542 B1 KR 100217542B1
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기꾸오 야마베
게이따로 이마이
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이노우에 다케시
도꾜 일렉트론 사가미 가부시키가이샤
니시무로 타이죠
가부시키가이샤 도시바
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    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Abstract

본 발명의 열처리방법은 복수의 웨이퍼를 그 피처리면이 실질적으로 수평하게 되는 자세에서 서로 평행하게 프로세스 튜브내에 형성하고, 프로세스 튜브의 길이에 따라 프로세스 튜브를 외측부터 들러싸도록 복수개의 MoSi2선 히터를 설치하고, 히터에 대한 급전량을 조절하고, 웨이퍼 주변부의 한쪽끝에서 다른쪽끝으로 향하는 온도구배를 웨이퍼의 피처리면에 형성하고, 웨이퍼를 피처리면내에서 회전시킨다.

Description

열 처리 방법
제1도는 종래의 열처리 방법에 의해 가열된 반도체 웨이퍼의 면내의 온도 분포를 나타내는 온도 분포도.
제2도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 방법으로 이용한 열확산 장치의 노실을 나타내는 종단면 기구 블록도.
제3도는 히터 유닛을 나타내는 사시도.
제4도는 노실의 히터 주변을 나타내는 횡단면 평면 레이아웃도.
제5도는 본 발명의 실시예에 관한 열처리 방법에 의해 웨이퍼를 열처리하는 경우를 설명하기 위한 플로챠트.
제6도는 프로세서 튜브내의 온도분포도.
제7도는 웨이퍼면내 온도 분포이 측정 방법을 설명하기 위한 사시도.
제8도는 실시예의 열처리 방법에 의해 가열한 반도체 웨이퍼의 면내 온도분포의 측정결과의 경시적 변화를 나타내는 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
3 : 열확산 장치 10 : 보트
11 : 회전기구 12 : 축
15 : 히터유닛 20 : 반도체 웨이퍼
본 발명은 반도체 웨이퍼를 균일하게 열처리하는 열처리 방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 웨이퍼 제조공정의 각종의 박막 형성장치의 CVD장치, 엑피택셜(epitaxial) 성장장치나 산화막 형성장치 혹은 도핑장치의 열확산장치등에 열처리 장치가 채용되어 있다.
열처리 방치는 반도체 웨이퍼의 대구경화에 대응하여 히터의 유효내경이 300mm를 넘는 것까지 만들어지도록 되어 있으나, 대구경이 될수록 반응관내의 온도제어가 어렵다. 그 때문에 단면 균열을 콘트롤 하기 쉬운 종형로가 많이 이용되고 있다.
예를들면, USP4,938,691호 공보에는 종형의 CVD로가 기재되어 있다. 종형 CVD로의 반응관의 하부에는 웨이퍼 보트의 반입출용의 개구가 형성되어 있다. 웨이퍼 보트에는 대략 100~150 매의 반도체 웨이퍼가 수평 자세로 수용되어 있다. 반응관의 주위에는 FcCrAl 합금등으로 구성하는 저항 발열체로 만들어진 스파이럴 히터 (Spiral Heater)가 형성되고, 이 스파이럴 히터에 의해 반응관내의 웨이퍼가 700~1200의 온도역의 바라는 프로세스 온도로 가열되도록 되어 있다. 또한, 반응관에서의 방열량(복사열량)을 저감하기 위해, 스파이럴 히터의 바깥둘레를 단열재로 둘러싸고 있다.
그렇지만, 종래에 있어서는, 보트위의 웨이퍼를 주위에서 균등하게 가열하기 때문에, 웨이퍼 중심부보다 주변부의 쪽이 고온이 된다. 이와같이, 제1도에 도시한 바와같이 라인(K)(실온)에서 라인(P)까지의 구간(정상승온)의 웨이퍼 표면 온도 분포는 시간의 경과와 함께 골이 깊어지지만, 라인(P)에서 라인(Q)(프로세스 온도)까지의 구간(균열 온도 제어)의 웨이퍼 표면온도 분포는 시간의 경과와 함께 골이 얕아진다. 최종적으로는 라인(Q)에 도시한 바와같이 웨이퍼(20)의 중앙과 주변에서는 실질적으로 온도차가 없어진다.
특히, 특공소 48-8657호 공보에 기재되어 있는 MoSi2선을 이용하면, 승온속도가 크므로, 프로세스 온도 도달 직전의 곡선(P)의 골이 깊어지며 웨이퍼면내의 반경방향에 생기는 온도의 불균일성(웨이퍼면내 온도 불균일)이 최대가 된다. 웨이퍼면내 온도 불균일성이 생기면, 웨이퍼 위에 형성되는 박막의 두께가 불균일하게 되며, 반도체 방치의 품질저하를 초래한다.
이와같은 웨이퍼면내 온도 불균일은 종형로의 반응관내에서 웨이퍼의 위치나 자세에 기인하는 것이다. 이와같이, 웨이퍼면내 온도 불균일을 제거하기 위해 제조 프로세스의 개선이 요망되고 있다.
또, 웨이퍼 지금이 커지게 되면, 웨이퍼와 히터와의 사이의 거리를 크게 얻는 것이 곤란하게 된다. 특히, 상술한 스파이럴형의 히터에서는, 웨이퍼 상호간에 불균일함이 나타나고, 마찬가지로 반도체 장치의 품질 저하를 초래한다.
본 발명의 목적은 종형로에서 반도체 웨이퍼를 열처리할 경우에 웨이퍼면내 온도 불균일을 해소할 수가 있는 열처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 종형로에서 반도체 웨이퍼를 열처리할 경우에, 웨이퍼 상호간의 온도 불균일을 해소할 수가 있는 열처리 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 측면에 따라, 열처리 방법은, 복수의 기판을 그 피처리면이 실질적으로 수평이 되는 자세에서 서로 평행하게 프로세스 튜브내에 형성하는 단계와, 상기 프로세스튜브의 길이에 따라, 프로세스 튜브를 외측부터 둘러싸도록 복수의 저항발열체를 형성하는 단계와, 기판을 회전시킨다. 또한 상기 저항 발열체에 대한 공급량을 조절하고, 기판 주변부의 한쪽끝측에서 다른쪽 끝측으로 향하는 온도 구배(勾配)를 기판의 피처리면에 형성하는 단계와, 기판을 피처리면내에서 회전시키는 단계로 구성된다.
프로세스 튜브를 둘러싸는 저항발열체에는 표면부하의 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 게다가, 저항 발열체의 각각은 프로세스 튜브의 길이방향을 따라 형성하는 것이 바람직하다.
이 경우에, 통전을 정지시키거나, 또는 다른 저항 발열체보다도 통전량을 저감하고 피처리체의 직경 방향에 온도 구배를 갖고 가열하는 것이 바람직하다.
이와 같은 온도구배를 가진 피처리체를 프로세스 튜브내에서 회전시키면, 입열량이 주기적으로 변동되고, 웨이퍼 전체의 온도가 균일화된다.
또한, 저항 발열체에 MoSi2선을 이용하면, 발열응답성이 뛰어나, 승온속도가 FeCrAl 합금선의 약 10배로 빠르게 되며, 웨이퍼면내 온도 불균일이 크게 된다. 이와같이 승온속도가 큰 경우에, 본 발명의 방법은 절대적인 효과를 높일 수가 있다.
이하 도면을 참조하면서 본 발명의 여러 가지 실시예에 대해 설명한다.
제2도에 도시한 바와같이, 열확산 장치(3)는 다수의 반도체 웨이퍼(20)를 한번에 열확산처리하기 위한 노실(17)을 구비하고 있다.
노실(17)내에는 반응관(40)이 형성되어 있다. 반응관(40)의 상부에는 가스공급장치(도시하지 않음)에 연통하는 가스공급구(60)가 형성되어 있다. 가스 공급장치는 복수의 가스 공급원을 가지고, 각 가스공급원에는 산소가스, 할로겐계 가스, 및 수소계 가스가 각각 수용되어 있다.
한편, 반응관(40)의 하부에는 가스배기장치(도시하지 않음)에 연통하는 가스배출구(70)가 형성되어 있다. 가스 배기 장치는 흡임펌프를 가지고, 반응관(40)의 내부가스를 배기하도록 되어 있다.
이들의 가스공급장치 및 가스 배기장치의 전원(도시하지 않음)은 PID 콘트롤러(51)의 출력부에 각각 접속되어 있으며, 반응관(40)내의 각 웨이퍼(20)에 반응가스가 평행하게 널리 퍼지도록 가스플로가 제어되도록 되어 있다. 또한, 콘트롤러(51)의 입력부에는 컴퓨터(50)가 접속되고, 콘트롤러(51)는 컴퓨터(50)에 의해 백업되어 있다.
열전대(53)가 노실(17)의 외벽을 관통하고, 그 선단부가 프로세스 튜브(40)의 근방에 달하고 있다. 열전대(53)는 컴퓨터(50)의 입력부에 접속되어 있다.
노실(17)의 하방에는 웨이퍼 이재실(移載室)(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 웨이퍼 이재실에는 USP4,938,691에 나타나 있듯이, 핸드링 기구 및 엘리베이터 기구등이 형성되어 있다. 즉, 핸드링 기구에 의해 카세트에서 보트(10)에 웨이퍼(20)가 이재되도록 되어 있다. 그리고, 보트(10)는 보온통(32)의 위에 실려진 상태에서, 엘리베이터 기구에 의해 승강되고, 반응관(40)의 하부 개구(30)에서 출납되도록 되어 있다. 또한, 보트(10)와 함께 덮개(31)가 승강되고, 보트(10)를 로딩했을때에는 덮개(31)에 의해 반응관(40)의 하부 개구(30)가 막혀지도록 되어 있다.
또한, 보트(10) 및 보온통(32)은 회전기구(11)의 축(12)에 지지되어 있다. 회전기구(11)내의 모터(도시하지 않음)는 콘트롤러(51)에 의해 회전제어되도록 되어 있다.
히터 유닛(15)이 부재(22)에 의해 노실(17)의 천정벽에 지지되어 있다. 히터 유닛(15)의 철판(21)은 반응관(40)의 바로위에 위치하고, 철판(21)에 부착된 10개의 히터 (14a~14j)가 반응관(40)을 둘러싸고 있다.
제3도에 도시한 바와같이 각 히터 (14a~14j)의 상단은 단자(13a~13j)에 의해 철판(21)의 주변 근방에 각각 고정되고, 각 히터 (14a~14j)는 철판(210에서 처져 있고, U턴 하여 철판(21)으로 되돌아가고 있다. 각 단자(13a~13j)는 각각 전원(52)에 접속되어 있다.
히터 (14a~14j)는 이규화몰리브덴(MoSi2)으로 구성하는 저항 발열선을 이용하는 것이 적당하다. MoSi2는 종래의 FeCrAl 합금선의 최대부하가 2W/㎠인 것에 대하여, 20W/㎠(약10배)의 발열량을 발휘하고, 강력한 파워 증가를 얻을 수가 있다.
또 FeCrAl 선의 승온속도는 10/분의 온도상승인 것에 대하여 MoSi2선을 100/분의 급구배를 갖고 온도상승시킬 수가 있가. 히터 (14a~14j)는 반응관(40)을 단시간으로 약 1000로 가열할 수 있는 성능을 가진다.
이와같이 발열량이 큰 히터 엘리멘트를 이용하면, 스파이럴 형상에서는 단선이 빈발하므로 직선상태의 히터 (14a~14j)를 매어다는 구조로 하는 것이 바람직하다.
또한, 각 히터 (14a~14j)는 평균 직경이 4mm로, 철판(21)에서의 처짐 길이가 600~1000mm이다.
제4도에 도시한 바와같이, 히터 (14a~14j)는 반응관(40)의 주변에 등피치 간격으로 배치되어 있다. 히터 (14a~14j)의 주변에는 2종류의 반사판(16a,16b)이 배치되어 있다. 제1 및 제2반사판(16a,16b)은 각각 10매씩 배치되어 있다. 제1반사판(16a)과 히터 (14a~14j)와의 상호 간격은 히터 (14a~14j)와 반사관(40)과의 상호간격에 거의 동등하다. 제2반사판(16a) 상호의 간격을 커버하도록 제1반사판(16a)의 후방에 형성되어 있다.
또한, 반사판(16a,16b) 및 철판(21)은 Al2O3또는 Al2O3-SiO2등의 세라믹으로 만들어져 있다.
제2도에 도시한 바와같이, 노실(17)의 바닥에는 복수의 냉각 가스공급통로(90)가 형성되고, 노실(17)의 상부 측벽에는 복수의 배기통로(100)가 형성되어 있다. 냉각가스공급통로(90)의 팬(91) 및 배기통로(100)의 팬(101)의 각 전원에는 콘트롤러(51)이 출력부가 각각 접속되어 있다. 냉각가스공급통로(90)는 도입구(도시하지 않음)에 연통하고, 배기통로(100)는 폐열회수장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다. 또한, 도시하고는 있지 않지만 노실(17)의 내벽에 단열재를 얇게 붙여도 좋다.
다음으로, 제5도를 참조하면서 반도체 웨이퍼르르 열산화처리할 경우에 대해 설명한다.
카세트 스테이션의 카세트(도시하지 안음)에서 웨이퍼(20)를 커내고, 보트(10)에 순차 싣는다. 30매의 웨이퍼(20)를 보트(10)에 실으면, 승강기구(도시하지 않음)에 의해 보트(10)를 하부개구(30)에서 반응관(40)내에 넣는다(공정 201).
덮개(31)로 하부개구(30)를 막은후에 히터 (14a,14b)를 제외하고, 다른 8개의 히터 (14c~14j)에 통전하고, 반응관(40)내의 웨이퍼(20)를 가열한다(공정 202). 히터 (14c~14j)에서 방사되는 열선은 반사판(16)에 의해 반응관(40)을 향하여 반사되고, 반응관(40)의 온도는 급상승한다.
제6도에 도시한 바와같이, 반응관(40)으로의 입열 에너지양에 언밸런스가 생기기 때문에, 웨이퍼(20)에 한쪽 끝측에서 다른쪽 끝으로 향하는 온도구배가 생긴다.
가열개시와 거의 동시에 보트(10)를 약 10rpm의 속도로 회전시킨다(공정 203). 이에 따라 웨이퍼(20)의 저온부측과 고온부측이 교체되고, 웨이퍼 주변부로의 입열량이 주기적으로 변동하고, 웨이퍼 주변부로의 입열량이 평균화된다. 또, 웨이퍼 주변부로의 입열량과 웨이퍼 중앙부로의 입열량이 균형되도록 하며, 전체로서 웨이퍼(20)의 표면온도가 균등하게 된다.
또한, 웨이퍼 보트(10)의 회전을 개시하는 시기는 일부 히터로의 급전 정지후인 것이 바람직하지만, 급전 정지전에 보트(10)를 회전시켜도 좋다. 특히, 웨이퍼 보트(10)의 회전속도를 늦게 할 경우는 히터 발열량의 제어와 보트회전과의 사이에 시기적인 제한은 없어진다.
노내 온도가 프로세스 온도에 가까워지면, 모든 히터 (14a~14j)에 통전하고, 노내의 웨이퍼(20)를 균열화 한다(공정 204). 열전대(53)에 의해 최종적으로 웨이퍼(20)의 온도가 프로세스온도에 도달한 것을 확인한다.
웨이퍼(20)의 균열화 후, 프로세스 가스로서 산소가스를 반응관(40)내에 공급한다(공정 205). 가스 공급구(60)에서 배기구(70)로 향하는 산소가스의 다운 플로가 형성된다. 산소가스가 각 웨이퍼(20)에 균등하게 널리 퍼진다. 이에따라, 웨이퍼(20)에 산화막이 형성된다.
프로세스가스의 공급을 정지하고, 질소가스를 공급하고, 반응관(40)의 내부를 질소가스로 치환한다. 또, 나머지의 히터 (14c~14j)로의 급전을 정지함과 동시에, 보트(10)의 회전을 정지한다. 또한, 노실(17)에 냉기에어를 공급하면서, 노실내를 배기한다. 냉기는 반응관(40), 히터 (14a~14j), 반사관(16a,16b), 및 노실(17)의 내벽의 상호간을 빠짐없이 통과한다. 이에 의해, 반응관(40)은 강제적으로 냉각되고, 단시간으로 웨이퍼(20)는 실온 근방까지 온도 강하한다(공정 206).
냉각후, 엘리베이터 기구에 의해 보트(10)를 하강시키고, 웨이퍼(20)를 노외로 반출한다(공정 207). 공정 201에서 공정 207까지의 1사이클의 소요 시간은 약 30분간이다.
다음에, 웨이퍼 표면의 균열화에 대해 상세하게 설명한다.
제7도에 도시한 바와같이, 샘플 웨이퍼(20)에 5개의 열전대를 부착하고, 반응관(40)내에서 웨이퍼를 가열하고, 웨이퍼 표면의 각 점 A~E의 온도 변화를 조사했다. 점 A~E는 웨이퍼(20)의 한쪽 끝측에서 다른쪽 끝측으로 항하여 등간격으로 배열했다. 점 A,E가 웨이퍼(20) 표면의 주변부에 위치하고, 점C가 웨이퍼(20)의 표면의 중심에 위치한다. 또한, 정상의 승온속도를 100/분으로 하고, 균열시의 온도제어를 상술한 바와같이 실시했다.
제8도에 도시한 바와같이, 라인 T1(실온)에서 라인 T7(프로세스온도)까지의 웨이퍼(20)의 표면 온도 분포에 대해 각각 조사했다.
라인 T2 T5의 구간에서는 종래의 경우에 비해 온도분포의 골이 얕아진다. 최종적으로는 라인 T7에 도시한 바와같이 웨이퍼(20)의 중앙과 주변에서는 실질적으로 온도차가 없어진다.
또한, 상기 실시예에서는 일부의 히터 (14a,14b)로의 급전을 정지할 경우에 대해 설명했지만, 이것만으로 한정되지 않고, 일부의 히터로의 급전량을 저하시켜도 좋다. 이경우에, 히터를 몇갠가의 존에, 예를 들면 3개의 존으로 분할하고, 각 존의 히터로의 급전량을 조정하고, 반응관의 각 존에 생기는 온도차(반응관의 하측부분의 온도저하)를 제어하도록 하여도 좋다.
또, 반응관의 상하에도 히터를 형성하도록 하여도 좋다.
또한, 웨이퍼 보트의 축을 반응관의 축에 대하여 편심시켜도 좋다.
또, 상기 실시예에서는 열산화 처리의 경우에 대해 설명했으나, 본 발명은 이것만으로 한정되지 않고, CVD에 의한 성막이나 열확산 처리에 이용하여도 좋다.
본 발명에 관한 열처리 방법의 효과에 대하여 총괄적으로 설명한다.
본 발명의 열처리 방법에 의하면 반응간의 바깥둘레를 온도차를 내어 가열하고, 반응관내의 반도체 웨이퍼에 직경방향의 온도구배를 생기게 하고, 웨이퍼를 회전시킨다. 이에따라, 웨이퍼 직경 방향과 온도구배가 상쇄되고, 웨이퍼가 균열화된다.
특히, 웨이퍼를 급가열할 경우에 유효하며, 품질에 분산없는 반도체 장치 제품을 제조할 수가 있다.
또 웨이퍼 상호간의 온도 불균일을 해소할 수가 있다.

Claims (16)

  1. 온도구배를 생성하기 위하여 발열체 제어를 이용하는 종형 프로세스튜브의 열처리방법에 있어서, 수직방향으로 연장돌출하는 프로세스튜브의 길이에 따라 프로세스튜브를 외측으로부터 둘러싸도록 복수개의 저항 발열체를 설치하는 단계와, 기판의 피처리면이 실질적으로 수평이 되도록 서로 평행하게 지지한 상태에서 복수개의 기판을 프로세스튜브내에 장입하는 단계와, 발열체중 적어도 1개를 제외한 다른 발열체에 초기전류를 공급하여 기판 표면과 평행한 방향으로 프로세스튜브내에 고온측과 저온측을 발생시킴으로써, 각 기판에 그 표면에 따르는 온도구배를 갖게하고 이에 따라 프로세스튜브의 주변부 사이에 온도구배가 발생하는단계, 및 프로세스튜브의 축주위로 복수개의 기판을 회전시킴으로써 기판 전체가 실질적으로 균일하게 가열되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 종형 프로세스튜브의 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 저항 발열체 주위에 저항 발열체로부터 방사되는 열을 반사하기 위한 수단을 설치하고 이 열반사수단에 의하여 반사된 열선을 상기 프로세스튜브로 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 초기전류가 공급되지 않던 저항 발열체는 기판의 온도가 소정의 프로세스 온도에 도달하였을 때에 작동되어, 상기 기판이 모든 면에서 균일하게 가열될 때까지 발열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 저항 발열체 중 적어도 1개를 제외한 다른 저항 발열체로 상기 초기전류가 공급되는 동안에 기판이 회전되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 프로세스튜브 근방의 위치에서 검출된 온도에 반응하여 저항 발열체로 공급되는 전류량을 제어하는 온도검출수단을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 프로세스튜브와 저항 발열체를 냉각하기 위하여 상기 프로세스튜브의 외부로 냉각공기를 공급하는 수단을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저항 발열체 각각은 MoSi2로 만들어진 선인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 저항 발열체로 공급되는 전류량은 각각 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 온도구배를 생성하기 위하여 발열체 제어를 이용하는 종형 프로세스튜브의 열처리 방법에 있어서, 수직방향으로 연장돌출하는 프로세스튜브의 길이에 따라 프로세스튜브를 외측으로부터 둘러싸도록 복수개의 저항 발열체를 설치하는 단계와, 프로세스튜브내부에 고온측과 저온측을 발생시키기 위해 저항 발열체의 각각에 공급되는 전류량을 제어함으로써 프로세스튜브내부에 온도구배가 발생하는 단계, 및 기판의 피처리면들이 실질적으로 수평이 되도록 복수개의 기판을 서로 평행하게 지지한 상태에서 회전시키면서 프로세스튜브내에 장입함으로써 기판 전체가 실질적으로 균일하게 가열되는 단계를 포함하며, 상기 공급전류량 제어단계는, 기판의 표면에 평행한 방향으로 프로세스튜브내에 고온측과 저온측을 발생시킴으로써 각 기판에 그 표면에 따른 온도구배를 갖게 하는 것을 특징으로 하는 종형 프로세스튜브의 열처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 저항 발열체로 공급되는 전류량은 각각 개별적으로 제어되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제9항에 있어서, 저항 발열체 주위에 저항 발열체로부터 방사되는 열을 반사하기 위한 수단을 설치하고, 이 열반사수단에 의하여 반사된 열선을 상기 프로세스튜브로 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제9항에 있어서, 초기전류가 공급되지 않던 저항 발열체는 기판의 온도가 소정이 프로세스 온도에 도달하였을 때에 작동되어, 상기 기판이 모든 면에서 균일하게 가열될 때까지 발열하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제9항에 있어서, 저항 발열체 중 적어도 1개를 제외한 다른 저항 발열체로 초기전류가 공급되는 동안에 기판이 회전되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제9항에 있어서, 프로세스튜브 근방의 위치에서 검출된 온도에 반응하여 저항 발열체로 공급되는 전류량을 제어하는 온도검출수단을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 프로세스튜브와 저항 발열체를 냉각하기 위하여 상기 프로세스튜브의 외부로 냉각공기를 공급하는 수단을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 저항 발열체 각각은 MoSi2로 만들어진 선인 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100877355B1 (ko) * 2007-12-14 2009-01-07 주식회사 에이엠오 스트립형 면상 발열체를 이용한 동파방지용 히터 및 그의제조방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461214A (en) * 1992-06-15 1995-10-24 Thermtec, Inc. High performance horizontal diffusion furnace system
JPH06151340A (ja) * 1992-11-13 1994-05-31 Nippon Ee S M Kk 熱処理装置
JP3583467B2 (ja) * 1994-05-30 2004-11-04 株式会社東芝 半導体装置の製造装置及び製造方法
US5651839A (en) * 1995-10-26 1997-07-29 Queen's University At Kingston Process for engineering coherent twin and coincident site lattice grain boundaries in polycrystalline materials
US6168426B1 (en) 1996-02-19 2001-01-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Batch-type kiln
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
SE521278C2 (sv) * 2002-12-23 2003-10-14 Sandvik Ab Förfarande och anordning för överföring av elektrisk ström till en ugn
US7353853B2 (en) * 2005-05-03 2008-04-08 Cincinnati Machine, Llc Fiber placement machine
US9068263B2 (en) * 2009-02-27 2015-06-30 Sandvik Thermal Process, Inc. Apparatus for manufacture of solar cells
JP5599754B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP2012195565A (ja) * 2011-02-28 2012-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
WO2012156961A2 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 Matan Digital Printers (2001) Ltd Bimodal ink jet printing method
SG11201802148YA (en) * 2015-10-09 2018-04-27 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd Heating device and heating chamber
JP6650799B2 (ja) * 2016-03-15 2020-02-19 国立研究開発法人産業技術総合研究所 プラズマエッチング装置
JP6943629B2 (ja) * 2017-05-30 2021-10-06 エドワーズ株式会社 真空ポンプとその加熱装置
CN108408167B (zh) * 2018-03-16 2020-02-14 深圳市华诚彩印纸品包装有限公司 一种包装制品生产的节能高效加热装置
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
CN110265331A (zh) * 2019-06-19 2019-09-20 上海华力集成电路制造有限公司 一种回温装置及使用方法
CN110571169B (zh) * 2019-08-28 2022-07-05 长江存储科技有限责任公司 晶圆的加工设备和加工系统

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3140965A (en) * 1961-07-22 1964-07-14 Siemens Ag Vapor deposition onto stacked semiconductor wafers followed by particular cooling
CH621714A5 (ko) * 1976-06-08 1981-02-27 Balzers Hochvakuum
US4062318A (en) * 1976-11-19 1977-12-13 Rca Corporation Apparatus for chemical vapor deposition
US4609343A (en) * 1983-12-30 1986-09-02 Andras Tejfalussy Temperature distribution regulating sample holder-adapter for forming conditions for gradient heat treatment in heat treatment ovens or furnaces
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4680451A (en) * 1985-07-29 1987-07-14 A. G. Associates Apparatus using high intensity CW lamps for improved heat treating of semiconductor wafers
US4789771A (en) * 1985-10-07 1988-12-06 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
JPS63226921A (ja) * 1987-03-16 1988-09-21 Nikon Corp 光加熱装置
US4926793A (en) * 1986-12-15 1990-05-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of forming thin film and apparatus therefor
JP2583503B2 (ja) * 1987-05-08 1997-02-19 東京エレクトロン東北株式会社 熱処理装置
US4823735A (en) * 1987-05-12 1989-04-25 Gemini Research, Inc. Reflector apparatus for chemical vapor deposition reactors
EP0306967B1 (en) * 1987-09-11 1997-04-16 Hitachi, Ltd. Apparatus for performing heat treatment on semiconductor wafers
KR890008922A (ko) * 1987-11-21 1989-07-13 후세 노보루 열처리 장치
KR970008334B1 (en) * 1988-02-24 1997-05-23 Tokyo Electron Sagami Kk Method and apparatus for heat treatment method
KR0139816B1 (ko) * 1988-02-26 1998-07-15 노보루 후세 열처리 장치 및 열처리 방법
US4886954A (en) * 1988-04-15 1989-12-12 Thermco Systems, Inc. Hot wall diffusion furnace and method for operating the furnace
US5070815A (en) * 1990-03-13 1991-12-10 Fujitsu Limited MOCVD device for growing a semiconductor layer by the metal-organic chemical vapor deposition process

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100877355B1 (ko) * 2007-12-14 2009-01-07 주식회사 에이엠오 스트립형 면상 발열체를 이용한 동파방지용 히터 및 그의제조방법
WO2009078622A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Amo Co., Ltd. Surface heater using strip type surface heating element and fabricating method thereof
WO2009078622A3 (en) * 2007-12-14 2009-08-20 Amo Co Ltd Surface heater using strip type surface heating element and fabricating method thereof
US8816255B2 (en) 2007-12-14 2014-08-26 Amogreentech Co., Ltd. Surface heater using strip type surface heating element and fabricating method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US5239614A (en) 1993-08-24
JPH04179223A (ja) 1992-06-25
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KR920010789A (ko) 1992-06-27

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