JPS586136A - 半導体ウエ−ハの熱処理法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの熱処理法Info
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- JPS586136A JPS586136A JP10353281A JP10353281A JPS586136A JP S586136 A JPS586136 A JP S586136A JP 10353281 A JP10353281 A JP 10353281A JP 10353281 A JP10353281 A JP 10353281A JP S586136 A JPS586136 A JP S586136A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハの熱処理法に関する。
半導体ウェーハの熱処理は酸化、拡散等半導体装置の製
造プロセスの中で最重要工程の一つであり多用されてい
る。
造プロセスの中で最重要工程の一つであり多用されてい
る。
半導体ウェーハの酸化又は拡散のプロセスは通常第１図
に示すような横長の石英ガ２スボニト１にウェーハを並
立させるための溝２を設け、第２図に示すように半導体
クエーハ３を溝２に並立させる。このウェーハを並立さ
せた熱処理用ボートを横長の±Ｏ，ＳＣｇ度の高精度に
高温和保持された熱処理炉の炉心管に挿入して行われて
−る。
に示すような横長の石英ガ２スボニト１にウェーハを並
立させるための溝２を設け、第２図に示すように半導体
クエーハ３を溝２に並立させる。このウェーハを並立さ
せた熱処理用ボートを横長の±Ｏ，ＳＣｇ度の高精度に
高温和保持された熱処理炉の炉心管に挿入して行われて
−る。
このとき並立し九りエーハを均一熱処理するためダに−
を含め喪りエーハを並立させる熱処理用ボートは熱処理
炉の均熱長以下の長さのものが用係を示す図である。
を含め喪りエーハを並立させる熱処理用ボートは熱処理
炉の均熱長以下の長さのものが用係を示す図である。
第４図において、挿入前の温度分布曲線のＡＢが均熱長
でアクこれに挿入するボートｌの長さＣＤは均熱長ＡＢ
より短かくなりている。３はボートＩＫ並立させたクエ
ーハである。
でアクこれに挿入するボートｌの長さＣＤは均熱長ＡＢ
より短かくなりている。３はボートＩＫ並立させたクエ
ーハである。
このように半導体ウェーハ３を並立させたボート１を熱
処理炉に挿入するとボート並びにクエーハの熱容量のた
め温度は一旦さがるがしばらくすると復元して挿入後ｏ
ｍｒｔ分布−分布水線。仁のとき図よシわかるとおり均
熱部の端部に相当する部分付近は温度がさがり温度分布
劇１ＩＩＦｉ凹部を形成し、挿入前のような均一な一度
分布を示さない。
処理炉に挿入するとボート並びにクエーハの熱容量のた
め温度は一旦さがるがしばらくすると復元して挿入後ｏ
ｍｒｔ分布−分布水線。仁のとき図よシわかるとおり均
熱部の端部に相当する部分付近は温度がさがり温度分布
劇１ＩＩＦｉ凹部を形成し、挿入前のような均一な一度
分布を示さない。
辷れはクエーへの並立している部分は輻射熱の蓄積効果
があるが端部は輻射熱が放散するのでその分だけ温度が
さが〉中心部との差が生ずることとなる。従りて±０．
５℃の精度が確保されているのは中心部の比較的狭ｉ範
囲だけと：１．酸化並びに拡散の均一性を保つことが困
難となる。
があるが端部は輻射熱が放散するのでその分だけ温度が
さが〉中心部との差が生ずることとなる。従りて±０．
５℃の精度が確保されているのは中心部の比較的狭ｉ範
囲だけと：１．酸化並びに拡散の均一性を保つことが困
難となる。
これを補正するために制御用の熱電対を増し綿密な制御
をすることも考えられるが熱電対の誤差もあり制御部の
膨大化に見合う成果は得られな一０本発明は以上の問題
点に対麩してなされたもので、熱処理用ボートの両端で
の輻射熱ｐ逃けの影響が均熱長部分に及ばないようＫす
ることにより温度の均一性を保ち均一な酸化、拡散等の
熱処理を行う半導体クエーハの熱処理法を提供するにあ
る。
をすることも考えられるが熱電対の誤差もあり制御部の
膨大化に見合う成果は得られな一０本発明は以上の問題
点に対麩してなされたもので、熱処理用ボートの両端で
の輻射熱ｐ逃けの影響が均熱長部分に及ばないようＫす
ることにより温度の均一性を保ち均一な酸化、拡散等の
熱処理を行う半導体クエーハの熱処理法を提供するにあ
る。
すなわち本発明の要旨は複数の半導体り墨−ハを熱処理
用ボートに並立させ熱処理炉中に挿入して熱処理する半
導体ウェーハの熱処理法において。
用ボートに並立させ熱処理炉中に挿入して熱処理する半
導体ウェーハの熱処理法において。
上記熱処理用ボートが前記熱処理炉の均熱長よ抄長く、
骸熱処理用ボートの長さ方向の両側上にダミーを配置す
ることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理法にある。
骸熱処理用ボートの長さ方向の両側上にダミーを配置す
ることを特徴とする半導体ウェーハの熱処理法にある。
なおダミーとして各種材料クエーハおよびその組立体が
用いられるが、半導体ウェーへ１石英ガラスクエーへ、
炭化けい素ウェーハおよびそれらの組立体を用いること
ができ、またボートとダき−を一体化して用いる亀とも
できる。
用いられるが、半導体ウェーへ１石英ガラスクエーへ、
炭化けい素ウェーハおよびそれらの組立体を用いること
ができ、またボートとダき−を一体化して用いる亀とも
できる。
以下図面を参照し本発明の詳細な説明
第５図は本発明の一実施例による熱処理法における熱処
理ボート挿入前後の温度分布曲線ならびに熱処理炉均熱
長とボード長との関係を示す図である。第５図κおいて
挿入前の温度分布曲線のＡＢは炉の均熱長であや、ζれ
κ挿入するボート１の長さＣ／Ｄ’は均熱長よシ長《構
成さ，れている。この熱処理用ボー｝ＩＫは均熱長に相
当する部分上には半導体ウェーハ３を並立させ、その外
側にはダミー用の半導体クエーハを並立させる。図の４
および５がダミー用つエーへである。ダミー用の半導体
ウェーハは熱処理用の半導体ウェーハ３と同一のもので
あれば最もよいがその目的によシ繰返し使用で色、ま九
洗滌研摩後繰返し使用してもよい。熱処理すべき半導体
クエーハとダミ一との関係位置は半導体ウェーへκ望ま
れる条件κより若干変ることは当然である。
理ボート挿入前後の温度分布曲線ならびに熱処理炉均熱
長とボード長との関係を示す図である。第５図κおいて
挿入前の温度分布曲線のＡＢは炉の均熱長であや、ζれ
κ挿入するボート１の長さＣ／Ｄ’は均熱長よシ長《構
成さ，れている。この熱処理用ボー｝ＩＫは均熱長に相
当する部分上には半導体ウェーハ３を並立させ、その外
側にはダミー用の半導体クエーハを並立させる。図の４
および５がダミー用つエーへである。ダミー用の半導体
ウェーハは熱処理用の半導体ウェーハ３と同一のもので
あれば最もよいがその目的によシ繰返し使用で色、ま九
洗滌研摩後繰返し使用してもよい。熱処理すべき半導体
クエーハとダミ一との関係位置は半導体ウェーへκ望ま
れる条件κより若干変ることは当然である。
上述し九構成κよる試料並びκダミーを並立させた熱処
理用ボートを熱処理炉に挿入するときの温変分布は挿入
後の温度分布曲線に示すとお勤第４図に示したような均
熱長の両端部κあらわれ大ｉ！変低下の凹部は発生する
ζとなく熱処理炉の均熱長部分は確保され、温度の均一
性が保たれている。これは前述したとお）熱Ｊ６珊すべ
龜半導体ウェーハの外側にはダン−の半導体クエーハが
配置されているので横方向への輻射熱の放散が防がれ、
中央部の半導体クエーハとほほ同一の熱環境ＫＴ。
理用ボートを熱処理炉に挿入するときの温変分布は挿入
後の温度分布曲線に示すとお勤第４図に示したような均
熱長の両端部κあらわれ大ｉ！変低下の凹部は発生する
ζとなく熱処理炉の均熱長部分は確保され、温度の均一
性が保たれている。これは前述したとお）熱Ｊ６珊すべ
龜半導体ウェーハの外側にはダン−の半導体クエーハが
配置されているので横方向への輻射熱の放散が防がれ、
中央部の半導体クエーハとほほ同一の熱環境ＫＴ。
るので熱処理用の半導体ウェーハを全域κわたりほぼ同
一条件で熱処理する仁とができる。
一条件で熱処理する仁とができる。
第５図κおいてはダミ−として半導体ウニ二一を利用す
る実施例κついて述べ九が、ダミーとしては他Ｏ耐熱性
材料のウェー／％を用いてもよい。例えと石英ガラスは
耐熱性が高く急熱急冷にたえ、料であることなどを考慮
するとダミーとして好適である。
る実施例κついて述べ九が、ダミーとしては他Ｏ耐熱性
材料のウェー／％を用いてもよい。例えと石英ガラスは
耐熱性が高く急熱急冷にたえ、料であることなどを考慮
するとダミーとして好適である。
を九炭化は一部は耐熱性が極めて高く、高温においても
他の元素と作用することなく、酸にもおかされないので
酸処理が容易である。また石英ガラスに比べると強度が
大きいのでこの目的に好適である。
他の元素と作用することなく、酸にもおかされないので
酸処理が容易である。また石英ガラスに比べると強度が
大きいのでこの目的に好適である。
に熱処理炉均熱長とボート長との関係を示す図である。
謔６図におｉて挿入前の温度分布曲線のＡＢ長は炉の均
熱長である。これに挿入するボートｌの長さＣＩ Ｄ
Ｉは均熱長ムＢより長く構成されて−る。第５図の場合
と同様、熱処理用ボー）１１Ｃは均熱長に相当する部分
上に、ｄ半導体ウェーハ３を並立させ、その外側Ｋｉｔ
石英ガラス又は炭化けい素ウェーハを一体化した組立体
６訃よび７を設置しえ。この構成による熱＠ｊｌ”−）
１を熱処理炉に挿入したあとの温度分布曲線は挿入後
の一線に示すとおシで第５図のダミーとしてクエーノ−
を使用した場合と殆んど変ることがなく、熱処理炉の均
熱長より短いボートを使用した場合のような均熱部の端
部にあられれた凹部は見られず、熱処理炉の均熱長部分
は確保され、温度の均一性が保たれている。またこのよ
うな耐熱性材料により一体化構成された組立体をダζ−
として用いるときはボートへの設置は一動作ででき、し
かも関係位置も変ることがなく、その上清浄化作業も七
Ｏｔま実施できるなど幾多の効果か°′あ３゜また第３
図は本発明の実施に好適なダミーとボートを一体化した
熱処理用＆−）の概略図である。
熱長である。これに挿入するボートｌの長さＣＩ Ｄ
Ｉは均熱長ムＢより長く構成されて−る。第５図の場合
と同様、熱処理用ボー）１１Ｃは均熱長に相当する部分
上に、ｄ半導体ウェーハ３を並立させ、その外側Ｋｉｔ
石英ガラス又は炭化けい素ウェーハを一体化した組立体
６訃よび７を設置しえ。この構成による熱＠ｊｌ”−）
１を熱処理炉に挿入したあとの温度分布曲線は挿入後
の一線に示すとおシで第５図のダミーとしてクエーノ−
を使用した場合と殆んど変ることがなく、熱処理炉の均
熱長より短いボートを使用した場合のような均熱部の端
部にあられれた凹部は見られず、熱処理炉の均熱長部分
は確保され、温度の均一性が保たれている。またこのよ
うな耐熱性材料により一体化構成された組立体をダζ−
として用いるときはボートへの設置は一動作ででき、し
かも関係位置も変ることがなく、その上清浄化作業も七
Ｏｔま実施できるなど幾多の効果か°′あ３゜また第３
図は本発明の実施に好適なダミーとボートを一体化した
熱処理用＆−）の概略図である。
第３図において１はボート部分、６および７はダき一部
分である。このようなボートは例えに石英ガラスを用い
ることによ）容易に形成することができ、このような熱
処理用ボートを使用することＫよシ本発明けよ抄簡易に
実施することができる。
分である。このようなボートは例えに石英ガラスを用い
ることによ）容易に形成することができ、このような熱
処理用ボートを使用することＫよシ本発明けよ抄簡易に
実施することができる。
での温度の均一性が保たれるので均一な酸化、拡散等の
熱処理を行うことができる。
熱処理を行うことができる。
第１図は従来の半導体ウェーハの熱処理に利用するボー
トの概略斜視図、第２図は従来の半導体クエーハの熱処
理用ボートに半導体クエーハを並立させ九状況を示す一
部側面図、第３図は本発明実施に好適なボートとダミー
を一体化させた熱処挿入前と挿入後の温度分布曲線およ
び均熱長とボ後の温度分布−線ならびに熱処理炉均熱長
とボート長との関係を示す図、第６図は本発明の他の実
径の温度分布曲線ならσに熱処理炉均熱長とボート長と
の関係を示す図。 １・・・・・・半導体クエーノ１熱処理用ボート、２・
・・・・・溝、訃・・・・・半導体ウェーハ、４．５・
・・・・・ダミー用ウェーハ、６，７・・・・・・ダミ
ー用組立体。 舅 ／ 図 笑 Ｚ 図 舅 、３ 圓
トの概略斜視図、第２図は従来の半導体クエーハの熱処
理用ボートに半導体クエーハを並立させ九状況を示す一
部側面図、第３図は本発明実施に好適なボートとダミー
を一体化させた熱処挿入前と挿入後の温度分布曲線およ
び均熱長とボ後の温度分布−線ならびに熱処理炉均熱長
とボート長との関係を示す図、第６図は本発明の他の実
径の温度分布曲線ならσに熱処理炉均熱長とボート長と
の関係を示す図。 １・・・・・・半導体クエーノ１熱処理用ボート、２・
・・・・・溝、訃・・・・・半導体ウェーハ、４．５・
・・・・・ダミー用ウェーハ、６，７・・・・・・ダミ
ー用組立体。 舅 ／ 図 笑 Ｚ 図 舅 、３ 圓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）複数の半導体ウェーハを熱処理用ボートに並立さ
せ熱処理炉中に挿入して熱処理する半導体ウェーハの熱
処理法において、上記熱処理用ボートが前記熱処理炉の
均熱長よシ長く、諌熱処理用ボートの長さ方向の両側上
にダξ−を配置することを特徴とする半導体ウェーハの
熱処理法。 （２）熱処理用ボートの長さ方向の両側上に配置するダ
ミーが半導体ウェーハであることを特徴とする特許請求
の範囲第（１１項記載の半導体ウェーハＯ熱処理法。 （３）熱処理用ボートの長さ方向の両側上に配置オるダ
ミーが石英ガラスクエーハまたは石英ガ２スクエーハの
組立体であることを特徴とする特許請求の範囲第（１１
項記載の半導体ウェーハの熱処理法。 （４１熱処理用ボートの長さ方向の両側上に配置するダ
ミーが炭化けい素ウェーハまたは炭化けい素ウェーハの
組立体であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載の半導体ウェーハ熱処理法。 （５）熱処理用ボートとその長さ方向の両側上に配置す
るダミーを一体化することを特徴とする特許請求の範囲
第（１１項記載の半導体クエーハの熱処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353281A JPS586136A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体ウエ−ハの熱処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10353281A JPS586136A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体ウエ−ハの熱処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586136A true JPS586136A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14356481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10353281A Pending JPS586136A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体ウエ−ハの熱処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586136A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266928A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検知器 |
| JPS6351625A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Sony Corp | 熱処理方法 |
| US4752592A (en) * | 1985-11-29 | 1988-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Annealing method for compound semiconductor substrate |
| JP2014165348A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431753A (en) * | 1977-08-16 | 1979-03-08 | Fujikura Ltd | Converging method of optical fiber |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10353281A patent/JPS586136A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5431753A (en) * | 1977-08-16 | 1979-03-08 | Fujikura Ltd | Converging method of optical fiber |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61266928A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検知器 |
| US4752592A (en) * | 1985-11-29 | 1988-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Annealing method for compound semiconductor substrate |
| JPS6351625A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-04 | Sony Corp | 熱処理方法 |
| JP2014165348A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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