JPH11121391A - 半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法 - Google Patents
半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法Info
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- JPH11121391A JPH11121391A JP27903297A JP27903297A JPH11121391A JP H11121391 A JPH11121391 A JP H11121391A JP 27903297 A JP27903297 A JP 27903297A JP 27903297 A JP27903297 A JP 27903297A JP H11121391 A JPH11121391 A JP H11121391A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハが大型形状を有していても、
半導体ウェーハに大きな温度勾配が生じることがなく、
かつ高い生産性で半導体ウェーハを熱処理することがで
きる熱処理装置および熱処理方法を提供すること。 【解決手段】 半導体ウェーハの熱処理装置は、複数の
半導体ウェーハを載置するための載置面１１ａを有する
載置台１１と、載置台１１を外方から囲う石英管１２
と、石英管１２の周囲に設けられた抵抗加熱式ヒータ１
５およびランプ加熱式ヒータ１６とを備えている。各半
導体ウェーハの周縁部は抵抗加熱式ヒータ１５により加
熱され、各半導体ウェーハの中心部はランプ加熱式ヒー
タ１６により加熱される。このため半導体ウェーハの周
縁部と半導体ウェーハの中心部との間に、大きな温度勾
配が生じることが防止される。
半導体ウェーハに大きな温度勾配が生じることがなく、
かつ高い生産性で半導体ウェーハを熱処理することがで
きる熱処理装置および熱処理方法を提供すること。 【解決手段】 半導体ウェーハの熱処理装置は、複数の
半導体ウェーハを載置するための載置面１１ａを有する
載置台１１と、載置台１１を外方から囲う石英管１２
と、石英管１２の周囲に設けられた抵抗加熱式ヒータ１
５およびランプ加熱式ヒータ１６とを備えている。各半
導体ウェーハの周縁部は抵抗加熱式ヒータ１５により加
熱され、各半導体ウェーハの中心部はランプ加熱式ヒー
タ１６により加熱される。このため半導体ウェーハの周
縁部と半導体ウェーハの中心部との間に、大きな温度勾
配が生じることが防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法に係り、
とりわけ効率良く短時間に半導体ウェーハを熱処理でき
る半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの
熱処理方法に関する。
熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法に係り、
とりわけ効率良く短時間に半導体ウェーハを熱処理でき
る半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの
熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置を製造する際に、半導体ウェ
ーハに熱処理を施して、酸化膜を形成させたり、不純物
を半導体ウエーハ内に拡散させたりすることが知られて
いる。
ーハに熱処理を施して、酸化膜を形成させたり、不純物
を半導体ウエーハ内に拡散させたりすることが知られて
いる。
【０００３】この半導体ウェーハに対する熱処理のため
の装置として、抵抗加熱式ヒータ装置が知られている。
抵抗加熱式ヒータ装置（従来装置）の構成概略図を図４
に示す。図４に示すように、抵抗加熱式ヒータ装置５０
は、半導体ウェーハを載置するための複数の載置面５１
ａがラック状に設けられた載置台（ボート）５１と、載
置台５１を囲う処理槽としての石英管５２と、石英管５
２の周囲に設けられた抵抗加熱式ヒータ５５とを備えて
いる。石英管５２には、内部にガスを供給するためのガ
ス供給管５３と、ガス供給管５３によって供給されたガ
スを排出するためのガス排出管５４とが設けられてい
る。
の装置として、抵抗加熱式ヒータ装置が知られている。
抵抗加熱式ヒータ装置（従来装置）の構成概略図を図４
に示す。図４に示すように、抵抗加熱式ヒータ装置５０
は、半導体ウェーハを載置するための複数の載置面５１
ａがラック状に設けられた載置台（ボート）５１と、載
置台５１を囲う処理槽としての石英管５２と、石英管５
２の周囲に設けられた抵抗加熱式ヒータ５５とを備えて
いる。石英管５２には、内部にガスを供給するためのガ
ス供給管５３と、ガス供給管５３によって供給されたガ
スを排出するためのガス排出管５４とが設けられてい
る。
【０００４】抵抗加熱式ヒータ５５は、載置面５１ａに
対して直交する方向に連続して配置された複数の抵抗加
熱式ヒータ部材５５ａからなり、細長い柱状に構成さ
れ、石英管５２の周囲に円周方向に沿って設けられてい
る。また図４に示すように、石英管５２には、周囲の壁
面から熱が伝達されるため、この種の装置はホットウオ
ール型熱処理炉と呼ばれている。さらにまた各抵抗加熱
式ヒータ部材５５ａには、それぞれ熱電対５５ｂが設け
られており、抵抗加熱式ヒータ部材５５ａの温度が制御
できるようになっている。
対して直交する方向に連続して配置された複数の抵抗加
熱式ヒータ部材５５ａからなり、細長い柱状に構成さ
れ、石英管５２の周囲に円周方向に沿って設けられてい
る。また図４に示すように、石英管５２には、周囲の壁
面から熱が伝達されるため、この種の装置はホットウオ
ール型熱処理炉と呼ばれている。さらにまた各抵抗加熱
式ヒータ部材５５ａには、それぞれ熱電対５５ｂが設け
られており、抵抗加熱式ヒータ部材５５ａの温度が制御
できるようになっている。
【０００５】従来の抵抗加熱式ヒータ装置５０において
は、半導体ウエーハを載置台５１の載置面５１ａに搭載
し、半導体ウェーハが搭載された載置台５１を石英管５
２内にセットした後、ガス供給管５３によってガスを供
給する。同時にガス排出管５４によってガスを排出しな
がら、抵抗式加熱ヒータ５５を作動する。このように、
石英管５２内にガス流を創出しながら抵抗加熱式ヒータ
５５によって加熱することにより、抵抗式加熱ヒータ５
５による熱が石英管５２の周囲の壁面から石英管５２内
全体に伝達され、半導体ウエーハが熱処理される。
は、半導体ウエーハを載置台５１の載置面５１ａに搭載
し、半導体ウェーハが搭載された載置台５１を石英管５
２内にセットした後、ガス供給管５３によってガスを供
給する。同時にガス排出管５４によってガスを排出しな
がら、抵抗式加熱ヒータ５５を作動する。このように、
石英管５２内にガス流を創出しながら抵抗加熱式ヒータ
５５によって加熱することにより、抵抗式加熱ヒータ５
５による熱が石英管５２の周囲の壁面から石英管５２内
全体に伝達され、半導体ウエーハが熱処理される。
【０００６】一方、半導体ウェーハに対する熱処理のた
めの装置として、ランプ加熱式ヒータ装置が知られてい
る（例えば、特開平６−１８８２１３号公報参照）。ラ
ンプ加熱式ヒータは、半導体ウェーハを個々に熱処理す
るものであり、半導体ウェーハを全体に均一な温度分布
で熱処理することができる。
めの装置として、ランプ加熱式ヒータ装置が知られてい
る（例えば、特開平６−１８８２１３号公報参照）。ラ
ンプ加熱式ヒータは、半導体ウェーハを個々に熱処理す
るものであり、半導体ウェーハを全体に均一な温度分布
で熱処理することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の抵抗加熱式ヒータ装置５０では、大径の半導体
ウェーハを熱処理する場合に以下のような問題がある。
すなわち、半導体ウェーハが大径の場合には石英管５２
も大径となり、抵抗加熱式ヒータ５５によって供給され
る熱が石英管５２の中心部に十分に伝達されないため、
半導体ウェーハの周縁部の昇温速度に比べて、半導体ウ
ェーハの中心部の昇温速度が小さくなる。この場合、半
導体ウェーハ内に温度勾配が生じることとなり、熱応力
等によって半導体ウェーハにスリップ等の転移が発生
し、半導体装置の歩留まりを悪化させる原因となってし
まう。逆に、半導体ウェーハ全体の昇温速度を小さく抑
えれば温度勾配が生じることを防ぐことができるが、熱
処理に時間がかかって生産性が低下してしまう。
た従来の抵抗加熱式ヒータ装置５０では、大径の半導体
ウェーハを熱処理する場合に以下のような問題がある。
すなわち、半導体ウェーハが大径の場合には石英管５２
も大径となり、抵抗加熱式ヒータ５５によって供給され
る熱が石英管５２の中心部に十分に伝達されないため、
半導体ウェーハの周縁部の昇温速度に比べて、半導体ウ
ェーハの中心部の昇温速度が小さくなる。この場合、半
導体ウェーハ内に温度勾配が生じることとなり、熱応力
等によって半導体ウェーハにスリップ等の転移が発生
し、半導体装置の歩留まりを悪化させる原因となってし
まう。逆に、半導体ウェーハ全体の昇温速度を小さく抑
えれば温度勾配が生じることを防ぐことができるが、熱
処理に時間がかかって生産性が低下してしまう。
【０００８】一方、ランプ加熱式ヒータ装置では、半導
体ウェーハ内に温度勾配を生じさせることなく、半導体
ウェーハを全体に均一に昇温して熱処理することが可能
であるが、ランプ加熱式ヒータ装置は半導体ウェーハを
枚葉単位で処理するものであるため、高い生産性を実現
することは実際上極めて困難である。
体ウェーハ内に温度勾配を生じさせることなく、半導体
ウェーハを全体に均一に昇温して熱処理することが可能
であるが、ランプ加熱式ヒータ装置は半導体ウェーハを
枚葉単位で処理するものであるため、高い生産性を実現
することは実際上極めて困難である。
【０００９】本発明は、このような点を考慮してなされ
たものであり、半導体ウェーハが大型のものであって
も、半導体ウェーハに大きな温度勾配が生じることがな
く、かつ高い生産性で半導体ウェーハを熱処理すること
ができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを
目的とする。
たものであり、半導体ウェーハが大型のものであって
も、半導体ウェーハに大きな温度勾配が生じることがな
く、かつ高い生産性で半導体ウェーハを熱処理すること
ができる熱処理装置および熱処理方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理槽内に設
けられ、半導体ウェーハを載置するための載置面を有す
る載置台と、処理槽の周囲に設けられ、半導体ウェーハ
を加熱する抵抗加熱式ヒータおよびランプ加熱式ヒータ
と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理
装置および、 半導体ウェーハの熱処理方法において、抵抗加熱式ヒー
タの作動とランプ加熱式ヒータの作動とを実施的に同時
に開始する工程と、抵抗加熱式ヒータの作動を継続した
まま、ランプ式加熱ヒータの作動を停止する工程と、を
有することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法で
ある。
けられ、半導体ウェーハを載置するための載置面を有す
る載置台と、処理槽の周囲に設けられ、半導体ウェーハ
を加熱する抵抗加熱式ヒータおよびランプ加熱式ヒータ
と、を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理
装置および、 半導体ウェーハの熱処理方法において、抵抗加熱式ヒー
タの作動とランプ加熱式ヒータの作動とを実施的に同時
に開始する工程と、抵抗加熱式ヒータの作動を継続した
まま、ランプ式加熱ヒータの作動を停止する工程と、を
有することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方法で
ある。
【００１１】本発明によれば、半導体ウェーハの周縁部
に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一方で、半導体ウェー
ハの中心部にランプ加熱式ヒータで熱を与えるため、半
導体ウェーハの周縁部と半導体ウェーハの中心部との間
に大きな温度勾配が生じることが防止される。
に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一方で、半導体ウェー
ハの中心部にランプ加熱式ヒータで熱を与えるため、半
導体ウェーハの周縁部と半導体ウェーハの中心部との間
に大きな温度勾配が生じることが防止される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ）（ｂ）は、本発
明による半導体ウェーハの熱処理装置の実施の形態を示
す構成図である。このうち図１（ａ）は半導体ウェーハ
の熱処理装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。図１（ａ）（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェーハの熱処理装置１０は、半導体ウェー
ハを載置するための載置面１１ａを有する載置台（ボー
ド）１１と、載置台１１を外方から囲う処理槽としての
石英管１２と、石英管１２の周囲に設けられた抵抗加熱
式ヒータ１５と、石英管１２の周囲に設けられたランプ
加熱式ヒータ１６とを備えている。
施の形態について説明する。図１（ａ）（ｂ）は、本発
明による半導体ウェーハの熱処理装置の実施の形態を示
す構成図である。このうち図１（ａ）は半導体ウェーハ
の熱処理装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。図１（ａ）（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェーハの熱処理装置１０は、半導体ウェー
ハを載置するための載置面１１ａを有する載置台（ボー
ド）１１と、載置台１１を外方から囲う処理槽としての
石英管１２と、石英管１２の周囲に設けられた抵抗加熱
式ヒータ１５と、石英管１２の周囲に設けられたランプ
加熱式ヒータ１６とを備えている。
【００１３】このうち載置台１１は複数の載置面１１ａ
を有しており、具体的には、載置面１１ａはラック状に
積層されている。また石英管１２には、内部にガスを供
給するためのガス供給管１３と、ガス供給管１３によっ
て供給されたガスを排出するためのガス排出管１４とが
設けられている。
を有しており、具体的には、載置面１１ａはラック状に
積層されている。また石英管１２には、内部にガスを供
給するためのガス供給管１３と、ガス供給管１３によっ
て供給されたガスを排出するためのガス排出管１４とが
設けられている。
【００１４】また抵抗加熱式ヒータ１５は、載置面１１
ａに対して直交する方向に連続して配置された複数の抵
抗加熱式ヒータ部材１５ａからなり、細長い柱状に構成
されている。また各抵抗加熱式ヒータ部材１５ａには、
それぞれ熱電対１５ｂが設けられており、各抵抗加熱式
ヒータ部材１５ａの温度が制御できるようになってい
る。
ａに対して直交する方向に連続して配置された複数の抵
抗加熱式ヒータ部材１５ａからなり、細長い柱状に構成
されている。また各抵抗加熱式ヒータ部材１５ａには、
それぞれ熱電対１５ｂが設けられており、各抵抗加熱式
ヒータ部材１５ａの温度が制御できるようになってい
る。
【００１５】一方、ランプ加熱式ヒータ１６は、載置面
１１ａに対して直交する方向に連続して配置された複数
のランプ加熱式ヒータ部材１６ａからなり、細長い柱状
に構成されている。
１１ａに対して直交する方向に連続して配置された複数
のランプ加熱式ヒータ部材１６ａからなり、細長い柱状
に構成されている。
【００１６】次に図２により、ランプ加熱式ヒータ部材
１６ａについて詳述する。ランプ加熱式ヒータ部材１６
ａは、図２に示すように、石英ガラス面２３の内部に収
納されたランプ２４と、ランプ２４の上下に設けられた
２枚の反射板２２とを有している。図２に示すように、
反射板２２はランプ２４側に反射面２２ａを有してお
り、この反射面２２ａは凹状に湾曲した形状となって熱
源が集中できるようになっている。さらに２枚の反射板
２２は回転軸２５の回転に伴ってそれぞれ可動となって
おり、このため１つのランプ加熱式ヒータ部材１６ａは
２つの熱源集中角度を可変に設定できるようになってい
る。このため、載置面１１ａの数の２分の１の数のラン
プ式加熱ヒータ部材１６ａが１つの柱状に構成され、各
反射板２２が各載置面１１ａに１対１に対応するように
なっている。さらに冷却水経路２０が、ランプ２４およ
び回転軸２５を通過するように設けられている。
１６ａについて詳述する。ランプ加熱式ヒータ部材１６
ａは、図２に示すように、石英ガラス面２３の内部に収
納されたランプ２４と、ランプ２４の上下に設けられた
２枚の反射板２２とを有している。図２に示すように、
反射板２２はランプ２４側に反射面２２ａを有してお
り、この反射面２２ａは凹状に湾曲した形状となって熱
源が集中できるようになっている。さらに２枚の反射板
２２は回転軸２５の回転に伴ってそれぞれ可動となって
おり、このため１つのランプ加熱式ヒータ部材１６ａは
２つの熱源集中角度を可変に設定できるようになってい
る。このため、載置面１１ａの数の２分の１の数のラン
プ式加熱ヒータ部材１６ａが１つの柱状に構成され、各
反射板２２が各載置面１１ａに１対１に対応するように
なっている。さらに冷却水経路２０が、ランプ２４およ
び回転軸２５を通過するように設けられている。
【００１７】一方、抵抗加熱式ヒータ１５とランプ加熱
式ヒータ１６とは、図１（ａ）に示すように、石英管１
２の周囲に円周方向に沿って交互に３つずつ設けられて
いる。また、抵抗加熱式ヒータ１５とランプ加熱式ヒー
タ１６には、これらを独立に作動させる作動制御部１７
が接続されている。また石英管１２の上部には、載置面
１１ａに搭載される半導体ウェーハの温度を測定するた
めの赤外線放射温度計１９が設けられている。
式ヒータ１６とは、図１（ａ）に示すように、石英管１
２の周囲に円周方向に沿って交互に３つずつ設けられて
いる。また、抵抗加熱式ヒータ１５とランプ加熱式ヒー
タ１６には、これらを独立に作動させる作動制御部１７
が接続されている。また石英管１２の上部には、載置面
１１ａに搭載される半導体ウェーハの温度を測定するた
めの赤外線放射温度計１９が設けられている。
【００１８】次にこのような構成からなる本実施の形態
の作用について説明する。図１に示すように、まず半導
体ウェーハを載置台１１の載置面１１ａに搭載する。載
置面１１ａに半導体ウェーハを搭載した後、載置台１１
を石英管１２内にセットする。また、ランプ式加熱ヒー
タ１６を構成する各ランプ加熱式ヒータ部材１６ａの２
枚の反射板２２を回転軸２５周りに回転させ、対応する
２つの載置面１１ａに搭載された半導体ウェーハのそれ
ぞれの中心部に熱源集中できるように調整しておく。
尚、半導体ウェーハを搭載する載置面１１ａの間隔は、
ランプ式加熱ヒータ１６ａから半導体ウェーハの中心部
に至る熱源集中経路を妨げない程度に空いている必要が
ある。
の作用について説明する。図１に示すように、まず半導
体ウェーハを載置台１１の載置面１１ａに搭載する。載
置面１１ａに半導体ウェーハを搭載した後、載置台１１
を石英管１２内にセットする。また、ランプ式加熱ヒー
タ１６を構成する各ランプ加熱式ヒータ部材１６ａの２
枚の反射板２２を回転軸２５周りに回転させ、対応する
２つの載置面１１ａに搭載された半導体ウェーハのそれ
ぞれの中心部に熱源集中できるように調整しておく。
尚、半導体ウェーハを搭載する載置面１１ａの間隔は、
ランプ式加熱ヒータ１６ａから半導体ウェーハの中心部
に至る熱源集中経路を妨げない程度に空いている必要が
ある。
【００１９】次に、ガス供給管１３によってガスを石英
管１２内に供給し、かつガス排出管１４によって石英管
１２内のガスを排出しながら、抵抗式加熱ヒータ１５の
作動を開始する。前述のように大径の半導体ウェーハを
熱処理する場合においては、ガス流による熱量の拡散だ
けでは半導体ウェーハの中心部への熱伝達が不十分であ
るため、抵抗加熱式ヒータ１５の作動と同時にランプ加
熱式ヒータ１６の作動も開始させる。ランプ加熱式ヒー
タ１６の作動によって半導体ウェーハは中心部からも加
熱されるため、半導体ウェーハは全体に温度勾配が生じ
ることなく昇温する。
管１２内に供給し、かつガス排出管１４によって石英管
１２内のガスを排出しながら、抵抗式加熱ヒータ１５の
作動を開始する。前述のように大径の半導体ウェーハを
熱処理する場合においては、ガス流による熱量の拡散だ
けでは半導体ウェーハの中心部への熱伝達が不十分であ
るため、抵抗加熱式ヒータ１５の作動と同時にランプ加
熱式ヒータ１６の作動も開始させる。ランプ加熱式ヒー
タ１６の作動によって半導体ウェーハは中心部からも加
熱されるため、半導体ウェーハは全体に温度勾配が生じ
ることなく昇温する。
【００２０】図３に、抵抗加熱式ヒータ１５とランプ加
熱式ヒータ１６の作動制御状態と、抵抗加熱式ヒータ１
５とランプ加熱式ヒータ１６とによって熱処理される半
導体ウェーハの温度状態とを示す。前述のように本実施
の形態においては、作動制御部１７によって抵抗加熱式
ヒータ１５の作動とランプ加熱式ヒータ１６の作動とが
同時に開始する。次に石英管１２内の温度および半導体
ウェーハの温度が所望の温度で収束したところで、抵抗
加熱式ヒータ１５の作動を継続したままランプ式加熱ヒ
ータ１６の作動を停止する。このような作動制御によっ
て、半導体ウェーハの熱処理に必要な時間中、半導体ウ
ェーハの全体を略一定の温度に維持することができる。
熱式ヒータ１６の作動制御状態と、抵抗加熱式ヒータ１
５とランプ加熱式ヒータ１６とによって熱処理される半
導体ウェーハの温度状態とを示す。前述のように本実施
の形態においては、作動制御部１７によって抵抗加熱式
ヒータ１５の作動とランプ加熱式ヒータ１６の作動とが
同時に開始する。次に石英管１２内の温度および半導体
ウェーハの温度が所望の温度で収束したところで、抵抗
加熱式ヒータ１５の作動を継続したままランプ式加熱ヒ
ータ１６の作動を停止する。このような作動制御によっ
て、半導体ウェーハの熱処理に必要な時間中、半導体ウ
ェーハの全体を略一定の温度に維持することができる。
【００２１】尚、石英管１２内の温度は、抵抗加熱式ヒ
ータ部材１５ａに設けられた熱電対１５ｂの測定値から
推測され、一方、半導体ウェーハの温度は、赤外線放射
温度計１９によって測定される。
ータ部材１５ａに設けられた熱電対１５ｂの測定値から
推測され、一方、半導体ウェーハの温度は、赤外線放射
温度計１９によって測定される。
【００２２】以上のように本実施の形態によれば、半導
体ウェーハの周縁部に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一
方で、半導体ウェーハの中心部にランプ加熱式ヒータで
熱を与えるため、半導体ウェーハの周縁部と半導体ウェ
ーハの中心部との間に大きな温度勾配が生じることが防
止される。また、半導体ウェーハ全体の昇温速度を小さ
く抑える必要がないため、高い生産性で半導体ウェーハ
を熱処理することができる。
体ウェーハの周縁部に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一
方で、半導体ウェーハの中心部にランプ加熱式ヒータで
熱を与えるため、半導体ウェーハの周縁部と半導体ウェ
ーハの中心部との間に大きな温度勾配が生じることが防
止される。また、半導体ウェーハ全体の昇温速度を小さ
く抑える必要がないため、高い生産性で半導体ウェーハ
を熱処理することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェーハの周縁
部に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一方で、半導体ウェ
ーハの中心部にランプ加熱式ヒータで熱を与えるため、
半導体ウェーハの周縁部と半導体ウェーハの中心部との
間に大きな温度勾配が生じることが防止され、従って半
導体ウェーハ内に熱応力等によるスリップ等の転移が生
じることが防止される。また本発明によれば、半導体ウ
ェーハ全体の昇温速度を小さく抑える必要がないため、
高い生産性で半導体ウェーハを熱処理することができ
る。
部に抵抗加熱式ヒータで熱を与える一方で、半導体ウェ
ーハの中心部にランプ加熱式ヒータで熱を与えるため、
半導体ウェーハの周縁部と半導体ウェーハの中心部との
間に大きな温度勾配が生じることが防止され、従って半
導体ウェーハ内に熱応力等によるスリップ等の転移が生
じることが防止される。また本発明によれば、半導体ウ
ェーハ全体の昇温速度を小さく抑える必要がないため、
高い生産性で半導体ウェーハを熱処理することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウェーハの熱処理装置の実
施の形態を示す構成概略図。
施の形態を示す構成概略図。
【図２】本発明による半導体ウェーハの熱処理装置の実
施の形態におけるランプ加熱式ヒータ部材の構成概略
図。
施の形態におけるランプ加熱式ヒータ部材の構成概略
図。
【図３】本発明による半導体ウェーハの熱処理装置の作
動状態の一例を示す図。
動状態の一例を示す図。
【図４】従来の半導体ウェーハの熱処理装置を示す構成
概略図。
概略図。
１０ 半導体ウェーハの熱処理装置 １１ 載置台 １１ａ 載置面 １２ 石英管 １３ ガス供給管 １４ ガス排出管 １５ 抵抗加熱式ヒータ １５ａ 抵抗加熱式ヒータ部材 １５ｂ 熱電対 １６ ランプ加熱式ヒータ １６ａ ランプ加熱式ヒータ部材 １７ 作動制御部 １９ 赤外線放射温度計 ２０ 冷却水経路 ２２ 反射板 ２２ａ 反射面 ２３ 石英ガラス面 ２４ ランプ ２５ 回転軸 ５０ 半導体ウェーハの熱処理装置 ５１ 載置台 ５１ａ 載置面 ５２ 石英管 ５３ ガス供給管 ５４ ガス排出管 ５５ 抵抗加熱式ヒータ ５５ａ 抵抗加熱式ヒータ部材 ５５ｂ 熱電対
Claims (6)
- 【請求項１】処理槽内に設けられ、半導体ウェーハを載
置するための載置面を有する載置台と、 処理槽の周囲に設けられ、半導体ウェーハを加熱する抵
抗加熱式ヒータおよびランプ加熱式ヒータと、を備えた
ことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項２】抵抗加熱式ヒータおよびランプ加熱式ヒー
タは、載置台の載置面に対して直交する方向に連続して
配置された複数の加熱式ヒータ部材からなり、細長い柱
状に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項３】ランプ加熱式ヒータの各加熱式ヒータ部材
は、可動式の反射板を有することを特徴とする請求項２
に記載の半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項４】抵抗加熱式ヒータと、ランプ加熱式ヒータ
とは、処理槽の周囲に円周方向に沿って交互に設けられ
ていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記
載の半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項５】抵抗加熱式ヒータとランプ加熱式ヒータに
は、これらを独立に作動させる作動制御部が接続されて
いることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載
の半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項６】半導体ウェーハの熱処理方法において、 抵抗加熱式ヒータの作動とランプ加熱式ヒータの作動と
を実施的に同時に開始する工程と、 抵抗加熱式ヒータの作動を継続したまま、ランプ式加熱
ヒータの作動を停止する工程と、 を有することを特徴とする半導体ウェーハの熱処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903297A JPH11121391A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27903297A JPH11121391A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121391A true JPH11121391A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17605453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27903297A Withdrawn JPH11121391A (ja) | 1997-10-13 | 1997-10-13 | 半導体ウェーハの熱処理装置および半導体ウェーハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009033116A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 加熱装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8116618B2 (en) | 2007-06-25 | 2012-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heating apparatus, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor devices |
-
1997
- 1997-10-13 JP JP27903297A patent/JPH11121391A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009033116A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 加熱装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4564081B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2010-10-20 | 株式会社日立国際電気 | 加熱装置、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8116618B2 (en) | 2007-06-25 | 2012-02-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heating apparatus, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor devices |
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