JPS6287500A - 拡散炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明線半導体製造装置に係り特に、ウェハに熱拡散に
よって不純物のドーピングやクエ７１表面に成膜させる
ことに用いられる拡散炉に関するものである。

〔技術的背景とその問題点〕

第３図において、半導体（シリコン）ウェハの拡散炉の
一般的構造は、石英もしくは８１Ｃで出来た筒形チュー
ブ１の外周囲を抵抗加熱コイル２でお＼い、加熱しチュ
ーブ内空間を均一な高温に保とうとするものである。（
６００〜１２５０℃） チェープの一方端は開管されており、石英もしくはＳＩ
Ｃで形成されたボード３に複数のウェハ４を所定間隔お
いて並立させて載置し、これを開管部１ａより挿入し、
チューブ内で熱処理する。尚、５はガス流コントローラ
である。従来はウェハが置かれている領域において、高
い精度で均熱性を保たねばならないので、ボード長に対
して加熱チェープの長さは２〜３倍にも及び第４図に示
す様に、例えば８００１１ＪＩ　　程度の均熱ゾーン長
を得る為にチューブの全長は２ｍ近くにもなっている。

その理由は、ウェハのセットされたボード端部に於いて
は温度の勾配が存在すること、チーーブの端部に於いて
も放熱効果が中央部に対して犬であることからチューブ
中央部の均熱領域しか使用せざるを得なかった。

〔発明の目的〕

本発明は筒状チューブ内の均熱領域長を拡大可能な拡散
炉を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は筒状チューブ内に、ボード上に複数の半導体ウ
ェハを前記筒状チューブの軸方向に各々所定間隔をおい
て載置し、その軸方向両端に位置する半導体ウェハの外
側には被誘導加熱体を配置したものを挿入して、前記半
導体ウェハの熱処理を施す拡散炉において、前記筒状チ
ューブの外周囲には抵抗ヒーター及び誘導加熱用コイル
を配置して成ることを特徴とする。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図において、＃ｇ３図と同一部分については同符号
を付している０即ち、抵抗加熱コイル２に誘導加熱用コ
イル６を一緒に巻く。ボード３にはウェハのロットによ
っては被誘導加熱導体７を任意にボード上にセットする
ことも出来る様にするためＣｏ１Ａ　　６の選択も出来
る様、各コイルにはスイッチ８を備えている。本実施例
においては、又、ボード３のウェハ４のセットされる両
側端部には、導体７を石英もしくはｓｔｃ　ｇで被覆し
たものを備える。この導体７のボード３上に設置する形
態は、ウェハ４と同様　　、であったり矩形であったり
しても良い。又、その数は複数個でもよい。尚、１０，
１１，１２゜祉各々高周波トランス、高周波電源、コン
トローラである。この導体７の発熱量を制御することに
より、ウェハ群端部の外側への温度勾配を第３図（、）
のように補正して、均熱領域長を長くすることが出来る
。第３図（ｂ）は、温度補正の際の誘導加熱に伴う補正
量を示すグラフである。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば筒状チューブ内の
均熱領域長を拡大可能な拡散炉を提供できる。

【図面の簡単な説明】

１＠１図は本発明の一実施例の拡散炉の構成図、第２図
ね一％〜は第１図の拡散炉の温度に係る説明図、第３図
は従来の拡散炉の構成図、第４図は従来の拡散炉の温度
勾配図である。 １・・・筒状チューブ、２・・・抵抗加熱コイル、３・
・・ボード、４・・・半導体ウェハ、６・・・誘導加熱
コイル、７・・・導体。 代理人　弁理士　　則　近　憲　体 向　　三俣弘文 （ｆｃン 到諺、シーらの旺禽１（−−’） 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 筒状チューブ内に、ボード上に複数の半導体ウェハを前
   記筒状チューブの軸方向に夫々所定間隔をおいて載置し
   、その軸方向両端に位置する半導体ウェハの外側には被
   誘導加熱体を配置したものを挿入して、前記半導体ウェ
   ハの熱処理を施す拡散炉において、前記筒状チューブの
   外周囲には抵抗加熱コイル及び誘導加熱用コイルを配置
   して成ることを特徴とする拡散炉。