JPS63285925A - 半導体集積回路装置の製造装置 - Google Patents

半導体集積回路装置の製造装置

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JPS63285925A
JPS63285925A JP12182487A JP12182487A JPS63285925A JP S63285925 A JPS63285925 A JP S63285925A JP 12182487 A JP12182487 A JP 12182487A JP 12182487 A JP12182487 A JP 12182487A JP S63285925 A JPS63285925 A JP S63285925A
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JP
Japan
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temperature
heater
furnace
controlling
integrated circuit
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Application number
JP12182487A
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English (en)
Inventor
Kiyoshi Yoneda
清 米田
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NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置の製造装置、特に炉心管を
備え、ヒーターにより温度制御をおこなう半導体基板の
熱処理装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、熱酸化膜の形成に用いられるような熱処理装置で
は炉心管のまわりにコイル状に設置したヒーターにより
、炉心管内の温度制御をおこなっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、上述した従来の熱酸化膜装置では半導体基板
保持部の熱容量により、炉内下部の温度が低下する傾向
がある。この為、半導体基板の面内での熱酸化膜成長特
性に不均一性が生じるという欠点がある。
本発明は上記欠点を解消して熱酸化膜成長特性の均一性
を得るものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路装置の製造装置は炉心管を備え
、ヒーターにより温度制御をおこなう半導体基板の熱処
理装置番でおいて、炉上部温度コントロール用ヒーター
と炉下部温度コントロール用ヒーターを有する。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照しで説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
炉上部は上部温度コントロール用ヒーター１、炉下部は
下部温度コントロール用ヒーター２により温度コントロ
ールをおこなう。
また、従来おこなわれＣいるように、これらを３組並べ
ることにより、３ゾーン制御も可能である。
〔発明の効果〕
本発明においては炉下部温度コントロール用ヒーターの
出力を調整することにより、半導体基板保持部の熱容量
による温度低下を補償し、半導体基板の面内での熱酸化
膜成長特性を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の縦断面図、第２図は斜視図で
ある。 １・・・・・・上部温度コントロール用ヒーター、２・
・・・・・下部温度コントロール用ヒーター、３・・・
・・・炉心管。 列Ｚ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 炉心管のまわりにヒーターを有し、ヒーターを加熱する
    ことにより炉心管内の半導体基板の熱処理をおこなう半
    導体集積回路装置の製造装置において、炉心管を横型に
    設置し、炉心部温度コントロール用ヒーターと、炉下部
    温度コントロール用ヒーターを有することを特徴とする
    半導体集積回路装置の製造装置。
JP12182487A 1987-05-18 1987-05-18 半導体集積回路装置の製造装置 Pending JPS63285925A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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