JP3074312B2 - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JP3074312B2 JP3074312B2 JP1287691A JP1287691A JP3074312B2 JP 3074312 B2 JP3074312 B2 JP 3074312B2 JP 1287691 A JP1287691 A JP 1287691A JP 1287691 A JP1287691 A JP 1287691A JP 3074312 B2 JP3074312 B2 JP 3074312B2
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- wafer
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハを１０００ない
し１１００℃以上に加熱して行うエピタキシャル気相成
長等の気相成長方法に係り、特にウェハの均一加熱の向
上に関するものである。
し１１００℃以上に加熱して行うエピタキシャル気相成
長等の気相成長方法に係り、特にウェハの均一加熱の向
上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル気相成長は、スリップの
発生を抑えつつ１０００ないし１２００℃の高温にウェ
ハを加熱する必要があり、スリップはウェハ内に１０数
度の温度差を生じると発生すると言われている。このた
め、従来から上記のような高温においてウェハ内の温度
分布を均一に保つことのできる加熱方法および装置の実
現に多くの努力が払われてきた。従来、ウェハの加熱に
は、ウェハの支持を兼ねると共に温度の安定化を図るた
め、ウェハに比較して大きな熱容量を有する加熱板すな
わちサセプタが用いられ、このサセプタ上にウェハを直
接または間接的に載置し、サセプタを所定の温度分布と
なるように加熱することにより、ウェハを均一に加熱す
る方法が一般的に採用されてきた。
発生を抑えつつ１０００ないし１２００℃の高温にウェ
ハを加熱する必要があり、スリップはウェハ内に１０数
度の温度差を生じると発生すると言われている。このた
め、従来から上記のような高温においてウェハ内の温度
分布を均一に保つことのできる加熱方法および装置の実
現に多くの努力が払われてきた。従来、ウェハの加熱に
は、ウェハの支持を兼ねると共に温度の安定化を図るた
め、ウェハに比較して大きな熱容量を有する加熱板すな
わちサセプタが用いられ、このサセプタ上にウェハを直
接または間接的に載置し、サセプタを所定の温度分布と
なるように加熱することにより、ウェハを均一に加熱す
る方法が一般的に採用されてきた。
【０００３】しかしながら、上記のようなサセプタは熱
容量が大きいために昇温，降温に長時間を要し、ウェハ
の熱的ストレスを増大させる。このような問題やウェハ
の大径化に伴う均一加熱の困難性などから、最近、エピ
タキシャル気相成長においても枚葉処理を行う傾向にあ
り、熱容量の大きなサセプタを用いず一枚のウェハを主
として輻射により加熱する方法が種々提案されている。
容量が大きいために昇温，降温に長時間を要し、ウェハ
の熱的ストレスを増大させる。このような問題やウェハ
の大径化に伴う均一加熱の困難性などから、最近、エピ
タキシャル気相成長においても枚葉処理を行う傾向にあ
り、熱容量の大きなサセプタを用いず一枚のウェハを主
として輻射により加熱する方法が種々提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】枚葉のウェハ加熱は、
加熱面積が比較的狭いため、バッチ式に比べ均一加熱を
行ない易い。ところが、ウェハの周辺部の温度が他の部
分に比べて低くなる傾向を示し、ヒータをウェハの中心
側から周辺側へ２ないし３ゾーンに分割して例えばＰＩ
Ｄ制御により出力制御を行なっても、ウェハ全体をより
均一に加熱することは困難で、スリップの発生を十分に
抑えることができなかった。
加熱面積が比較的狭いため、バッチ式に比べ均一加熱を
行ない易い。ところが、ウェハの周辺部の温度が他の部
分に比べて低くなる傾向を示し、ヒータをウェハの中心
側から周辺側へ２ないし３ゾーンに分割して例えばＰＩ
Ｄ制御により出力制御を行なっても、ウェハ全体をより
均一に加熱することは困難で、スリップの発生を十分に
抑えることができなかった。
【０００５】本発明は、前述した課題を解決し、特に問
題となっていたウェハ周辺部の温度低下をなくして全体
をより均一に加熱でき、しかも熱的ストレスを小さく抑
えてスリップの発生をほぼ完全に抑えることのできる気
相成長方法を提供することを目的としている。
題となっていたウェハ周辺部の温度低下をなくして全体
をより均一に加熱でき、しかも熱的ストレスを小さく抑
えてスリップの発生をほぼ完全に抑えることのできる気
相成長方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、回転可能に支持されたウェハを、このウェ
ハと同心上に配置されると共に内，間，外の少くとも３
ゾーンに分割して出力制御されるうず巻状ヒータにより
加熱板を介して輻射加熱して行う気相成長方法におい
て、各ゾーンを互いに独立して出力制御しつつ、６００
ないし７００℃から１０００ないし１１００℃以上の気
相成長温度までの昇温を２分以内に行った後、該気相成
長温度に安定させて気相成長を行うものである。なお、
各ゾーン毎に加熱の時間軸に対する出力値を予じめ求め
ておき、それらの個々の出力によって昇温することが好
ましい。
の本発明は、回転可能に支持されたウェハを、このウェ
ハと同心上に配置されると共に内，間，外の少くとも３
ゾーンに分割して出力制御されるうず巻状ヒータにより
加熱板を介して輻射加熱して行う気相成長方法におい
て、各ゾーンを互いに独立して出力制御しつつ、６００
ないし７００℃から１０００ないし１１００℃以上の気
相成長温度までの昇温を２分以内に行った後、該気相成
長温度に安定させて気相成長を行うものである。なお、
各ゾーン毎に加熱の時間軸に対する出力値を予じめ求め
ておき、それらの個々の出力によって昇温することが好
ましい。
【０００７】
【作用】６００ないし７００℃から１０００ないし１１
００℃の間の加熱は、スリップの発生を抑える上で重要
であると共に、この昇温過程においてウェハ周辺部の温
度低下が顕著に現われる。しかして、ヒータの内，間，
外の少くとも３ゾーンの出力を、好ましくは時間軸に対
する出力値を予じめ定めて別々に制御し、特にウェハ周
辺部をより強く加熱するようにして６００ないし７００
℃から１０００ないし１１００℃以上の気相成長温度ま
でを２分以内に昇温させると、ウェハに対する熱の配給
と、ウェハからの熱の放出、特に周辺部により多く生じ
る熱の放出とのバランスによるものと考えられるが、ウ
ェハ全体がより均一に加熱され、所定の気相成長温度に
スムースに安定し、スリップの発生をほぼ完全に抑えて
気相成長を行うことができる。
００℃の間の加熱は、スリップの発生を抑える上で重要
であると共に、この昇温過程においてウェハ周辺部の温
度低下が顕著に現われる。しかして、ヒータの内，間，
外の少くとも３ゾーンの出力を、好ましくは時間軸に対
する出力値を予じめ定めて別々に制御し、特にウェハ周
辺部をより強く加熱するようにして６００ないし７００
℃から１０００ないし１１００℃以上の気相成長温度ま
でを２分以内に昇温させると、ウェハに対する熱の配給
と、ウェハからの熱の放出、特に周辺部により多く生じ
る熱の放出とのバランスによるものと考えられるが、ウ
ェハ全体がより均一に加熱され、所定の気相成長温度に
スムースに安定し、スリップの発生をほぼ完全に抑えて
気相成長を行うことができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例について図１ないし図４
を参照して説明する。図１において、１０はヒータ，４
０は加熱板，Ｗはウェハである。ヒータ１０は、図２に
示すように、ほぼうず巻状をした抵抗ヒータで、電気絶
縁材製の複数のピン１１を介して皿状の反射板１２内に
設置されている。反射板１２は熱不良導体材料からなる
複数のピン１３を介してヒータ支え１４に取付けられ、
ヒータ支え１４は中空円筒１５を介して図示しない装置
フレームに固定されている。なお、１６はヒータ１０へ
の給電用配線パイプである。
を参照して説明する。図１において、１０はヒータ，４
０は加熱板，Ｗはウェハである。ヒータ１０は、図２に
示すように、ほぼうず巻状をした抵抗ヒータで、電気絶
縁材製の複数のピン１１を介して皿状の反射板１２内に
設置されている。反射板１２は熱不良導体材料からなる
複数のピン１３を介してヒータ支え１４に取付けられ、
ヒータ支え１４は中空円筒１５を介して図示しない装置
フレームに固定されている。なお、１６はヒータ１０へ
の給電用配線パイプである。
【０００９】ヒータ１０には、図２に示す点Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄに対し、図３に示すように、供電装置２０が接続
されている。２１，２２，２３は絶縁トランス，２４は
ＡＣ電源，２５，２６，２７は給電量を制御するための
サイリスタで、コントローラ２８によりヒータ１０の点
Ａと点Ｂ，点Ｂと点Ｃ，ならびに点Ｃと点Ｄの間の３つ
のゾーンａ，ｂ，ｃに対し、互いに独立して出力制御を
行うようになっている。コントローラ２８には、図１に
示すように、ウェハ１０の内，間，外の温度を検出する
温度センサ２９，３０，３１の出力がフィードバックさ
れ、各内，間，外の３ゾーンａ，ｂ，ｃを独立して制御
すると共に、少くとも昇温過程においてウェハＷの温度
が６００ないし７００℃に達した時点から１０００ない
し１１００℃以上の所定温度に到達するまでの間は温度
センサ２９，３０，３１の出力に関係なく、予じめ定め
た所定の出力を与えるように構成されている。
Ｃ，Ｄに対し、図３に示すように、供電装置２０が接続
されている。２１，２２，２３は絶縁トランス，２４は
ＡＣ電源，２５，２６，２７は給電量を制御するための
サイリスタで、コントローラ２８によりヒータ１０の点
Ａと点Ｂ，点Ｂと点Ｃ，ならびに点Ｃと点Ｄの間の３つ
のゾーンａ，ｂ，ｃに対し、互いに独立して出力制御を
行うようになっている。コントローラ２８には、図１に
示すように、ウェハ１０の内，間，外の温度を検出する
温度センサ２９，３０，３１の出力がフィードバックさ
れ、各内，間，外の３ゾーンａ，ｂ，ｃを独立して制御
すると共に、少くとも昇温過程においてウェハＷの温度
が６００ないし７００℃に達した時点から１０００ない
し１１００℃以上の所定温度に到達するまでの間は温度
センサ２９，３０，３１の出力に関係なく、予じめ定め
た所定の出力を与えるように構成されている。
【００１０】図１に戻って、加熱板４０はカーボン製で
ヒータ１０により容易に加熱されるように薄く形成さ
れ、カーボン，石英ガラスまたはセラミック製の円環状
の外筒４１の内周面上に支持され、ヒータ１０と平行で
数ｍｍの間隔を有するように配置されている。外筒４１
はカーボン製の回転体４２に支持されている。回転体４
２は中空円筒１５を囲んで同心上に回転可能に取付けら
れ、図示しない駆動装置により回転を与えられるように
なっている。
ヒータ１０により容易に加熱されるように薄く形成さ
れ、カーボン，石英ガラスまたはセラミック製の円環状
の外筒４１の内周面上に支持され、ヒータ１０と平行で
数ｍｍの間隔を有するように配置されている。外筒４１
はカーボン製の回転体４２に支持されている。回転体４
２は中空円筒１５を囲んで同心上に回転可能に取付けら
れ、図示しない駆動装置により回転を与えられるように
なっている。
【００１１】外筒４１の上端にはカーボン製のリング状
をしたホルダ４３が取付けられている。ホルダ４３は容
易に加熱されるように薄く形成され、内周寄りに設けた
段差部４３ａにウェハＷを嵌入して保持するようになっ
ている。ホルダ４３とウェハＷの接触はウェハＷの周辺
部の極く狭い部分に限定されている。ウェハＷと加熱板
４０は平行で数ｍｍの間隔が設けられている。
をしたホルダ４３が取付けられている。ホルダ４３は容
易に加熱されるように薄く形成され、内周寄りに設けた
段差部４３ａにウェハＷを嵌入して保持するようになっ
ている。ホルダ４３とウェハＷの接触はウェハＷの周辺
部の極く狭い部分に限定されている。ウェハＷと加熱板
４０は平行で数ｍｍの間隔が設けられている。
【００１２】次いで上記装置による本発明の気相成長方
法について説明する。回転体４２を駆動して加熱板４
０，ホルダ４３並びにウェハＷを回転させつつヒータ１
０の内，間，外の各ゾーンａ，ｂ，ｃに予じめ定めた電
力を供給して昇温を開始する。ヒータ１０の加熱により
加熱板４０が加熱され、ウェハＷは加熱板４０からの輻
射熱を主体に、ウェハＷと加熱板４０の間の雰囲気ガス
の熱伝達によって加熱される。ウェハＷからは、図１に
おいて上面における輻射および雰囲気ガスの熱伝達によ
る放熱と、外周部におけるホルダ４３および外筒４１へ
の熱伝達による放熱があり、ウェハＷは上記加熱と放熱
との差によって昇温する。なお、本実施例においては、
ウェハＷからホルダ４３を介して外筒４１へ放出される
熱を抑えるため、ホルダ４３もヒータ１０により加熱板
４０を介して加熱するように構成してあり、ヒータ１０
の外ゾーンｃは、ウェハＷのみならずホルダ４３の加熱
量を制御するようになっている。
法について説明する。回転体４２を駆動して加熱板４
０，ホルダ４３並びにウェハＷを回転させつつヒータ１
０の内，間，外の各ゾーンａ，ｂ，ｃに予じめ定めた電
力を供給して昇温を開始する。ヒータ１０の加熱により
加熱板４０が加熱され、ウェハＷは加熱板４０からの輻
射熱を主体に、ウェハＷと加熱板４０の間の雰囲気ガス
の熱伝達によって加熱される。ウェハＷからは、図１に
おいて上面における輻射および雰囲気ガスの熱伝達によ
る放熱と、外周部におけるホルダ４３および外筒４１へ
の熱伝達による放熱があり、ウェハＷは上記加熱と放熱
との差によって昇温する。なお、本実施例においては、
ウェハＷからホルダ４３を介して外筒４１へ放出される
熱を抑えるため、ホルダ４３もヒータ１０により加熱板
４０を介して加熱するように構成してあり、ヒータ１０
の外ゾーンｃは、ウェハＷのみならずホルダ４３の加熱
量を制御するようになっている。
【００１３】上記給電開始からウェハＷが６００ないし
７００℃になるまでを第１昇温段階とし、この段階で
は、温度センサ２８，２９，３０の出力をコントローラ
２８にフィードバックして各サイリスタ２５，２６，２
７によりヒータ１０の内，間，外の各ゾーンａ，ｂ，ｃ
の出力制御を行う。この第１昇温段階は、ウェハＷから
の放熱が後述する第２昇温段階より小さいため。上記フ
ィードバック制御によりウェハＷの内，間，外の温度の
均一性が比較的容易に得られる。なお、ウェハＷは、６
００ないし７００℃付近までは弾塑性域であるため、こ
の機械的性質からこの第１昇温段階においてもウェハＷ
全体をできるだけ均一な温度に保って昇温させることが
好ましい。こうしてウェハＷの全体の温度が６００ない
し７００℃付近の所定温度に安定したところで次の第２
昇温段階に入る。なお、上記第１昇温段階も制御精度を
損わない範囲で出来るだけ昇温スピードを上げることが
好ましい。
７００℃になるまでを第１昇温段階とし、この段階で
は、温度センサ２８，２９，３０の出力をコントローラ
２８にフィードバックして各サイリスタ２５，２６，２
７によりヒータ１０の内，間，外の各ゾーンａ，ｂ，ｃ
の出力制御を行う。この第１昇温段階は、ウェハＷから
の放熱が後述する第２昇温段階より小さいため。上記フ
ィードバック制御によりウェハＷの内，間，外の温度の
均一性が比較的容易に得られる。なお、ウェハＷは、６
００ないし７００℃付近までは弾塑性域であるため、こ
の機械的性質からこの第１昇温段階においてもウェハＷ
全体をできるだけ均一な温度に保って昇温させることが
好ましい。こうしてウェハＷの全体の温度が６００ない
し７００℃付近の所定温度に安定したところで次の第２
昇温段階に入る。なお、上記第１昇温段階も制御精度を
損わない範囲で出来るだけ昇温スピードを上げることが
好ましい。
【００１４】第２昇温段階は、ヒータ１０の内，間，外
の各ゾーンを予じめ定めた出力に制御して１０００ない
し１１００℃以上の所定の気相成長温度までウェハＷを
加熱する。このとき、従来のように昇温速度を例えば５
００℃／５ｍｉｎ程度の比較的ゆるやかな速度にする
と、ホルダ４３や外筒４１からの放熱と、ヒータ１０に
よる加熱のバランスを取り難く、前述したようにウェハ
Ｗの周辺の昇温不足による温度低下を的確に改善するこ
とができないが、この第２昇温段階を２分以内に行うと
ウェハＷの周辺の温度低下が改善され、ウェハＷの内，
間，外の温度差を数℃の範囲に抑えることができる。
の各ゾーンを予じめ定めた出力に制御して１０００ない
し１１００℃以上の所定の気相成長温度までウェハＷを
加熱する。このとき、従来のように昇温速度を例えば５
００℃／５ｍｉｎ程度の比較的ゆるやかな速度にする
と、ホルダ４３や外筒４１からの放熱と、ヒータ１０に
よる加熱のバランスを取り難く、前述したようにウェハ
Ｗの周辺の昇温不足による温度低下を的確に改善するこ
とができないが、この第２昇温段階を２分以内に行うと
ウェハＷの周辺の温度低下が改善され、ウェハＷの内，
間，外の温度差を数℃の範囲に抑えることができる。
【００１５】なお、ヒータ１０の内，間，外の各ゾーン
の出力は、加熱の時間軸に対して所定の値に変化するよ
うに制御してもよい。図４は、６００℃から１０００℃
までを１分間、１０００℃から１１５０℃までを４５
秒、合計１分４５秒で６００℃から１１５０℃まで昇温
させたときのウェハＷの内，間，外の温度上昇を示す図
である。なお、この図４は、紙面の都合上、９００℃か
ら上の部分のみを取出して示している。同図から明らか
なように、内，間，外の温度差は１０℃以内に納まって
おり、スリップの発生も見られなかった。なお、図４
は、６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコンウェハＷを
用い、ヒータ１０の内，間，外の出力をそれぞれ２．８
ｋＷ，４．０ｋＷ，５．７ｋＷに設定したものである。
ウェハ温度が１１５０℃に達した後は温度センサ２９，
３０，３１の出力をフィードバックして各ゾーンａ，
ｂ，ｃの出力制御を行い、１１５０℃に保持するが、昇
温過程においてウェハＷの内，間，外の温度がほぼ均一
に保たれているため、図４から明らかなようにスムース
に１１５０℃に安定する。このように所定の気相成長温
度に安定したところで、気相成長を開始する。
の出力は、加熱の時間軸に対して所定の値に変化するよ
うに制御してもよい。図４は、６００℃から１０００℃
までを１分間、１０００℃から１１５０℃までを４５
秒、合計１分４５秒で６００℃から１１５０℃まで昇温
させたときのウェハＷの内，間，外の温度上昇を示す図
である。なお、この図４は、紙面の都合上、９００℃か
ら上の部分のみを取出して示している。同図から明らか
なように、内，間，外の温度差は１０℃以内に納まって
おり、スリップの発生も見られなかった。なお、図４
は、６インチ（直径１５０ｍｍ）のシリコンウェハＷを
用い、ヒータ１０の内，間，外の出力をそれぞれ２．８
ｋＷ，４．０ｋＷ，５．７ｋＷに設定したものである。
ウェハ温度が１１５０℃に達した後は温度センサ２９，
３０，３１の出力をフィードバックして各ゾーンａ，
ｂ，ｃの出力制御を行い、１１５０℃に保持するが、昇
温過程においてウェハＷの内，間，外の温度がほぼ均一
に保たれているため、図４から明らかなようにスムース
に１１５０℃に安定する。このように所定の気相成長温
度に安定したところで、気相成長を開始する。
【００１６】前述した実施例は、ウェハＷの周辺が全長
にわたってホルダ４３に接触保持される例を示したが、
これに限らず本発明はウェＷの周辺近傍の裏面を数個で
点または線接触式に支持するものにも同様に適用できる
ことは言うまでもない。
にわたってホルダ４３に接触保持される例を示したが、
これに限らず本発明はウェＷの周辺近傍の裏面を数個で
点または線接触式に支持するものにも同様に適用できる
ことは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、ウェ
ハ全体をより均一に加熱することができ、スリップの発
生をほぼ完全に抑えることができる。また、極めて短時
間に昇温できるため、ウェハの熱的ストレスを小さく抑
えることができ、後工程への悪影響を軽減することがで
きる効果も得られる。
ハ全体をより均一に加熱することができ、スリップの発
生をほぼ完全に抑えることができる。また、極めて短時
間に昇温できるため、ウェハの熱的ストレスを小さく抑
えることができ、後工程への悪影響を軽減することがで
きる効果も得られる。
【図１】本発明を適用する気相成長装置の一例を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【図２】図１に示したヒータの平面図である。
【図３】ヒータへの給電装置の一例を示す図である。
【図４】本発明によるウェハ内，間，外の温度上昇の実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
Ｗ ウェハ １０ ヒータ １２ 反射板 １４ ヒータ支え １６ 給電用配線パイプ ２０ 給電装置 ２１ 絶縁トランス ２２ 絶縁トランス ２３ 絶縁トランス ２４ ＡＣ電源 ２５ サイリスタ ２６ サイリスタ ２７ サイリスタ ２８ コントローラ ２９ 温度センサ ３０ 温度センサ ３１ 温度センサ ４０ 加熱板 ４１ 外筒 ４２ 回転体 ４３ ホルダ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/285 H01L 21/31 H01L 21/68
Claims (2)
- 【請求項１】 回転可能に支持されたウェハを、このウ
ェハと同心上に配置されると共に内，間，外の少くとも
３ゾーンに分割して出力制御されるうず巻状ヒータによ
り加熱板を介して輻射加熱して行う気相成長方法におい
て、前記各ゾーンを互いに独立して出力制御しつつ、６
００ないし７００℃から１０００ないし１１００℃以上
の気相成長温度までの昇温を２分以内に行った後、該気
相成長温度に安定させて気相成長を行うことを特徴とす
る気相成長方法。 - 【請求項２】 各ゾーン毎に加熱の時間軸に対する出力
値を予じめ求めておき、それらの個々の出力によって昇
温することを特徴とする請求項１の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287691A JP3074312B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287691A JP3074312B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239120A JPH04239120A (ja) | 1992-08-27 |
| JP3074312B2 true JP3074312B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=11817628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1287691A Expired - Lifetime JP3074312B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074312B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2579809Y2 (ja) * | 1991-10-04 | 1998-09-03 | 国際電気株式会社 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
| WO1999040497A1 (fr) * | 1998-02-03 | 1999-08-12 | Komatsu Ltd. | Regulateur de temperature pour appareil de chauffage a separation de zones |
| DE19907497C2 (de) * | 1999-02-22 | 2003-05-28 | Steag Hamatech Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Wärmebehandlung von Substraten |
| JP2005166451A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 通電発熱ヒータ及び該ヒータを搭載した半導体製造装置 |
| JP4262763B2 (ja) | 2006-08-02 | 2009-05-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP5812279B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2015-11-11 | サムコ株式会社 | 化合物半導体気相成長装置 |
| JP6313983B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| CN113169109A (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-23 | 朗姆研究公司 | 用于增进热均匀性的具有多层加热器的陶瓷基座 |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP1287691A patent/JP3074312B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239120A (ja) | 1992-08-27 |
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