JP2579809Y2 - 枚葉式ｃｖｄ装置 - Google Patents
枚葉式ｃｖｄ装置Info
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- JP2579809Y2 JP2579809Y2 JP1991089553U JP8955391U JP2579809Y2 JP 2579809 Y2 JP2579809 Y2 JP 2579809Y2 JP 1991089553 U JP1991089553 U JP 1991089553U JP 8955391 U JP8955391 U JP 8955391U JP 2579809 Y2 JP2579809 Y2 JP 2579809Y2
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- Japan
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- heater
- susceptor
- wafer
- temperature
- chamber
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は半導体製造に使用する枚
葉式ＣＶＤ装置に関する。
葉式ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式ＣＶＤ装置の構成を図１を
参照して説明すると、１は水冷式チャンバ、６はこのチ
ャンバ１内に設けられた石英ヒータカバー、３はこのカ
バー６上に載置されヒータ２により加熱されるサセプ
タ、４はこのサセプタ３により加熱されるウェーハ、５
はこれに対向して設けられ反応ガスを噴射する水冷式ガ
スノズル、７はチャンバ１内を排気するための排気口、
８はヒータカバー２内を排気するための排気口である。
参照して説明すると、１は水冷式チャンバ、６はこのチ
ャンバ１内に設けられた石英ヒータカバー、３はこのカ
バー６上に載置されヒータ２により加熱されるサセプ
タ、４はこのサセプタ３により加熱されるウェーハ、５
はこれに対向して設けられ反応ガスを噴射する水冷式ガ
スノズル、７はチャンバ１内を排気するための排気口、
８はヒータカバー２内を排気するための排気口である。
【０００３】上記構成の枚葉式ＣＶＤ装置において排気
口７，８に連結された排気装置によりチャンバ１内及び
ヒータカバー６内を排気する。この排気により減圧され
たチャンバ１内にガスノズル５より反応ガスを導入しつ
つヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加
熱することによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成す
ることができる。
口７，８に連結された排気装置によりチャンバ１内及び
ヒータカバー６内を排気する。この排気により減圧され
たチャンバ１内にガスノズル５より反応ガスを導入しつ
つヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加
熱することによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成す
ることができる。
【０００４】このような従来の枚葉式ＣＶＤ装置は、ヒ
ータとして、カーボングラファイド製のサセプタ３を高
周波誘導加熱により加熱する高周波誘導加熱コイルを用
いるものがある。
ータとして、カーボングラファイド製のサセプタ３を高
周波誘導加熱により加熱する高周波誘導加熱コイルを用
いるものがある。
【０００５】又、他の従来装置は、ヒータとして、サセ
プタ３の下方又は上方からサセプタ３を加熱するハロゲ
ンランプを用いるものがある。
プタ３の下方又は上方からサセプタ３を加熱するハロゲ
ンランプを用いるものがある。
【０００６】
【考案が解決しようとする課題】上記高周波誘導加熱コ
イル式のヒータを用いる従来例にあっては、サセプタ３
上の温度分布がコイルとサセプタ３との距離を機械的に
変化させることにより調整されるので、時間，手間がか
かる上、熟練された技術を必要とする。
イル式のヒータを用いる従来例にあっては、サセプタ３
上の温度分布がコイルとサセプタ３との距離を機械的に
変化させることにより調整されるので、時間，手間がか
かる上、熟練された技術を必要とする。
【０００７】又、ハロゲンランプ式ヒータを用いる従来
例にあっては、反応ガスがチャンバ１内壁に付着し、ラ
ンプからの赤外線が遮られ、サセプタ３の温度分布，絶
対温度が変化し易い。また温度設定が難しく、ランプ寿
命が短くランニングコストが高くなり最高加熱温度が約
１０００℃しか上がらないなどの課題がある。
例にあっては、反応ガスがチャンバ１内壁に付着し、ラ
ンプからの赤外線が遮られ、サセプタ３の温度分布，絶
対温度が変化し易い。また温度設定が難しく、ランプ寿
命が短くランニングコストが高くなり最高加熱温度が約
１０００℃しか上がらないなどの課題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記の課題を
解決するため、図１に示すようにチャンバ１内にヒータ
２により加熱されるサセプタ３を設け、このサセプタ３
上に載置したウェーハ４を加熱し、反応ガスを噴射する
ガスノズル５を設置してなる枚葉式ＣＶＤ装置におい
て、ヒータ２を水平方向に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒー
タとし、この渦巻状抵抗加熱式ヒータ２を円周方向に複
数ゾーンに分割し、各ゾーンのヒータ素線間に測温素子
９を設け、これらの測温素子９より得られる検出温度信
号により各ゾーンのヒータ電極１０間に印加されるヒー
タ電源１１Ａ，１１Ｂ・・・の電力を制御する温度調節
計１２を設けてなるものである。
解決するため、図１に示すようにチャンバ１内にヒータ
２により加熱されるサセプタ３を設け、このサセプタ３
上に載置したウェーハ４を加熱し、反応ガスを噴射する
ガスノズル５を設置してなる枚葉式ＣＶＤ装置におい
て、ヒータ２を水平方向に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒー
タとし、この渦巻状抵抗加熱式ヒータ２を円周方向に複
数ゾーンに分割し、各ゾーンのヒータ素線間に測温素子
９を設け、これらの測温素子９より得られる検出温度信
号により各ゾーンのヒータ電極１０間に印加されるヒー
タ電源１１Ａ，１１Ｂ・・・の電力を制御する温度調節
計１２を設けてなるものである。
【０００９】
【作用】水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ２の各ゾ
ーン間に印加される電力を、分割された複数ゾーンに対
応して複数設けられた測温素子９の検出温度信号に基づ
いて調節することにより、サセプタ３上の温度分布をチ
ャンバ１を開けることなく、外部より容易に、且つ正確
に調節することができ、ウェーハ４の表面に生成される
ＣＶＤ膜の膜厚を均一化することができることになる。
又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ２とすること
により小電力でサセプタ３を最高加熱温度１３００℃以
上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分に加熱することが
できることになる。
ーン間に印加される電力を、分割された複数ゾーンに対
応して複数設けられた測温素子９の検出温度信号に基づ
いて調節することにより、サセプタ３上の温度分布をチ
ャンバ１を開けることなく、外部より容易に、且つ正確
に調節することができ、ウェーハ４の表面に生成される
ＣＶＤ膜の膜厚を均一化することができることになる。
又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ２とすること
により小電力でサセプタ３を最高加熱温度１３００℃以
上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分に加熱することが
できることになる。
【００１０】
【実施例】図１は本考案枚葉式ＣＶＤ装置の構成を示す
簡略断面図、図２は本考案におけるヒータの１実施例の
斜視図である。図１において１は水冷式チャンバ、６は
このチャンバ１内に設けられた石英ヒータカバー、３は
このカバー６上に載置されヒータ２により加熱されるサ
セプタ、４はこのサセプタ３により加熱されるウェー
ハ、５はこれに対向して設けられ反応ガスを噴射する水
冷式ガスノズル、７はチャンバ１内を排気するための排
気口、８はヒータカバー２内を排気するための排気口で
ある。
簡略断面図、図２は本考案におけるヒータの１実施例の
斜視図である。図１において１は水冷式チャンバ、６は
このチャンバ１内に設けられた石英ヒータカバー、３は
このカバー６上に載置されヒータ２により加熱されるサ
セプタ、４はこのサセプタ３により加熱されるウェー
ハ、５はこれに対向して設けられ反応ガスを噴射する水
冷式ガスノズル、７はチャンバ１内を排気するための排
気口、８はヒータカバー２内を排気するための排気口で
ある。
【００１１】上記構成の枚葉式ＣＶＤ装置において排気
口７，８に連結された排気装置によりチャンバ１内及び
ヒータカバー６内を排気する。この排気により減圧され
たチャンバ１内にガスノズル５より反応ガスを導入しつ
つヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加
熱することによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成す
ることができる。
口７，８に連結された排気装置によりチャンバ１内及び
ヒータカバー６内を排気する。この排気により減圧され
たチャンバ１内にガスノズル５より反応ガスを導入しつ
つヒータ２によりサセプタ３を加熱し、ウェーハ４を加
熱することによりウェーハ４の表面にＣＶＤ膜を生成す
ることができる。
【００１２】本実施例は上記のような枚葉式ＣＶＤ装置
において、ヒータ２を水平方向に偏平な渦巻状抵抗加熱
式ヒータとし、この渦巻状抵抗加熱式ヒータ２を円周方
向に例えば３つのゾーンに分割し、各ゾーンのヒータ素
線間に熱電対９を設け、これらの熱電対９より得られる
検出温度信号により各ゾーンのヒータ電極１０間に印加
されるヒータ電源１１Ａ〜１１Ｃの電力を制御する温度
調節計１２を設けてなる。
において、ヒータ２を水平方向に偏平な渦巻状抵抗加熱
式ヒータとし、この渦巻状抵抗加熱式ヒータ２を円周方
向に例えば３つのゾーンに分割し、各ゾーンのヒータ素
線間に熱電対９を設け、これらの熱電対９より得られる
検出温度信号により各ゾーンのヒータ電極１０間に印加
されるヒータ電源１１Ａ〜１１Ｃの電力を制御する温度
調節計１２を設けてなる。
【００１３】又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ
２の素材はカーボンコンポジットであり、該ヒータ２は
ヒータケース１３内に設けられており、ヒータ２とヒー
タケース１３との間にはサイドリフレクタ１４及び下部
リフレクタ１５が配置されている。
２の素材はカーボンコンポジットであり、該ヒータ２は
ヒータケース１３内に設けられており、ヒータ２とヒー
タケース１３との間にはサイドリフレクタ１４及び下部
リフレクタ１５が配置されている。
【００１４】上記構成の本実施例において水平に偏平な
渦巻状抵抗加熱式ヒータ２の３つのゾーンの各ヒータ電
極１０間にヒータ電源１１Ａ〜１１Ｃにより電力を印加
すると、各ゾーンのヒータ部分が加熱されてサセプタ３
が加熱され、ウェーハ４が加熱されることになる。
渦巻状抵抗加熱式ヒータ２の３つのゾーンの各ヒータ電
極１０間にヒータ電源１１Ａ〜１１Ｃにより電力を印加
すると、各ゾーンのヒータ部分が加熱されてサセプタ３
が加熱され、ウェーハ４が加熱されることになる。
【００１５】各ゾーンのヒータ部分の温度が熱電対９に
より検出され、この検出温度信号が温度調節計１２に入
力されて所定温度と比較され、その差信号により各ヒー
タ電源１１Ａ〜１１Ｃの各ゾーンのヒータ部分への電力
が調節されることになる。
より検出され、この検出温度信号が温度調節計１２に入
力されて所定温度と比較され、その差信号により各ヒー
タ電源１１Ａ〜１１Ｃの各ゾーンのヒータ部分への電力
が調節されることになる。
【００１６】かくして水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒ
ータ２の各ゾーン間に印加される電力を調節することに
よりサセプタ３上の温度分布をチャンバ１を開けること
なく外部より容易に調節することができ、ウェーハ４の
表面に生成されるＣＶＤ膜の膜厚を均一化することがで
きることになる。又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒ
ータ２とすることにより小電力でサセプタ３を最高加熱
温度１３００℃以上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分
に加熱することができることになる。なお、反応ガスが
付着してもサセプタ３の温度分布は変化し難い。
ータ２の各ゾーン間に印加される電力を調節することに
よりサセプタ３上の温度分布をチャンバ１を開けること
なく外部より容易に調節することができ、ウェーハ４の
表面に生成されるＣＶＤ膜の膜厚を均一化することがで
きることになる。又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒ
ータ２とすることにより小電力でサセプタ３を最高加熱
温度１３００℃以上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分
に加熱することができることになる。なお、反応ガスが
付着してもサセプタ３の温度分布は変化し難い。
【００１７】特にサイドリフレクタ１４と下部リフレク
タ１５を設けることにより無駄になるヒータ２からの輻
射熱を効率的にサセプタ３への加熱に供することができ
ることになる。
タ１５を設けることにより無駄になるヒータ２からの輻
射熱を効率的にサセプタ３への加熱に供することができ
ることになる。
【００１８】
【考案の効果】上述のように本考案によれば、水平に偏
平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ２の各ゾーン間に印加され
る電力を、分割された複数ゾーンに対応して複数設けら
れた測温素子９の検出温度信号に基づいて調節すること
により、サセプタ３上の温度分布をチャンバ１を開ける
ことなく外部より容易に且つ正確に調節することがで
き、ウェーハ４の表面に生成されるＣＶＤ膜の膜厚を均
一化することができる。
平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ２の各ゾーン間に印加され
る電力を、分割された複数ゾーンに対応して複数設けら
れた測温素子９の検出温度信号に基づいて調節すること
により、サセプタ３上の温度分布をチャンバ１を開ける
ことなく外部より容易に且つ正確に調節することがで
き、ウェーハ４の表面に生成されるＣＶＤ膜の膜厚を均
一化することができる。
【００１９】又、水平に偏平な渦巻状抵抗加熱式ヒータ
２とすることにより小電力でサセプタ３を最高加熱温度
１３００℃以上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分に加
熱することができる。
２とすることにより小電力でサセプタ３を最高加熱温度
１３００℃以上に加熱でき、ウェーハ４も必要充分に加
熱することができる。
【図１】本考案枚葉式ＣＶＤ装置の構成を示す簡略断面
図である。
図である。
【図２】本考案におけるヒータの１実施例の斜視図であ
る。
る。
１ （水冷式）チャンバ ２ ヒータ ３ サセプタ ４ ウェーハ ５ （水冷式）ガスノズル ９ 測温素子（熱電対） １０ ヒータ電極 １１Ａ，１１Ｂ ヒータ電源 １２ 温度調節計 １３ ヒータケース １４ サイドリフレクタ １５ 下部リフレクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 三津山 行雄 愛媛県伊予郡松前町大字北黒田831−１ ベルメゾン松前305号 (56)参考文献 特開 平４−239120（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−179879（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−83894（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−290015（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/46
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバ内にヒータにより加熱されるサ
セプタを設け、このサセプタ上に載置したウェーハを加
熱し、反応ガスを噴射するガスノズルを設置してなる枚
葉式ＣＶＤ装置において、ヒータを水平方向に偏平な渦
巻状抵抗加熱式ヒータとし、この渦巻状抵抗加熱式ヒー
タを円周方向に複数ゾーンに分割し、各ゾーンのヒータ
素線間に測温素子を設け、これらの測温素子より得られ
る検出温度信号により各ゾーンのヒータ電極間に印加さ
れるヒータ電源の電力を制御する温度調節計を設けてな
る枚葉式ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991089553U JP2579809Y2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991089553U JP2579809Y2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533524U JPH0533524U (ja) | 1993-04-30 |
| JP2579809Y2 true JP2579809Y2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=13974018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991089553U Expired - Fee Related JP2579809Y2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 枚葉式ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2579809Y2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4493154B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
| JP4690368B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
| US6962732B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby |
| JP2005166451A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 通電発熱ヒータ及び該ヒータを搭載した半導体製造装置 |
| JP7257211B2 (ja) * | 2019-03-26 | 2023-04-13 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02179879A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-12 | Shimadzu Corp | 成膜装置の基板加熱構造 |
| JPH02290015A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0737359B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1995-04-26 | 三菱電機株式会社 | 気相成長装置 |
| JP3074312B2 (ja) * | 1991-01-10 | 2000-08-07 | 東芝機械株式会社 | 気相成長方法 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP1991089553U patent/JP2579809Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0533524U (ja) | 1993-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |