JP4690368B2 - 基板加熱装置および基板加熱方法 - Google Patents
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Description
図1は,本発明の実施の一形態にかかる基板加熱装置を適用可能な成膜装置100の概略構成を示す断面図である。この成膜装置100は,気密に構成された略円筒状の処理容器102を有している。処理容器102内には,被処理体である基板(半導体ウェハ)Wを水平に支持するための載置台104が配置されている。載置台104は,円筒状に構成された支持構造200により支持されている。支持構造200は,本実施の形態にかかる基板加熱装置の一部をなすものであるが,その詳細な構成については,後述する。載置台104の外縁部には,半導体ウェハWをガイドするためのガイドリング106が設けられている。
当するものであるが,まず,処理容器102の排気系について説明すると,排気ポート128は,開閉バルブ132および圧力制御バルブ(APC)134を介して排気ポンプ136に接続されている。処理容器102内を排気する場合には,排気管131に配置される開閉バルブ132を開放することにより,圧力制御バルブ134をフルオープンにして排気ポンプ136を駆動することにより,処理容器102内を排気する。
次に,図5を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第2の実施形態について説明する。ただし,図1〜図4に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図6を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第3の実施形態について説明する。ただし,図1〜図4に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図7を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第4の実施形態について説明する。ただし,図1〜図6に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図8を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第5の実施形態について説明する。ただし,図1〜図7に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図9を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第6の実施形態について説明する。ただし,図1〜図8に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図10,11,12を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第7の実施形態について説明する。ただし,図1〜図8に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
次に,図13,14を参照しながら,本発明に係る基板加熱装置の第8の実施形態について説明する。ただし,図1〜図12に関連して説明した基板加熱装置の要素とほぼ同様の機能構成を有する要素については,同一の符号を付して重複説明を省略する。
102 処理容器
102a 天壁
102b 側壁
102c 底壁
102d 支持構造収納部
102e 底壁
104 載置台
106 ガイドリング
108 加熱手段(ヒータ)
110 給電手段(電力線)
112 電源
114 センサ手段(熱電対)
116 制御器
118 ガス導入機構(シャワーヘッド)
118a ガス吐出孔
118b 整流板
118c ガス導入孔
120 成膜ガス供給系
120a ガス源
120b マスフローコントローラ
122 マッチング回路
124 高周波電源
126 絶縁部材
128 排気ポート
130 排気系
140 パージ系
200 支持構造
202 支持部
204 封止部
204a ベローズ
204b 下部フランジ
204c 上部フランジ
206 接合部
208 断熱材
Claims (21)
- 加熱手段により基板を加熱する基板加熱装置であって,
処理容器と,
前記処理容器内に配置され,前記加熱手段が埋設されるとともに前記基板を載置する載置台と,
内部に空洞が形成されるとともに,一端部に前記載置台が固定され,他端部が固定手段により前記処理容器に固定されることにより前記載置台を支持する支持部と,
前記処理容器の外壁側と気密板との間に設けられた封止部材と、
を備え,
前記支持部の下部面と前記処理容器の底部の面とは面接触しており、
前記処理容器は,底面に本体開口部を有する処理容器本体と,当該処理容器本体に接続されたバケット部とを有し,
前記バケット部の下部には,バケット開口部を有し,
前記バケット開口部には,前記気密板がケーシングとして気密に設けられていることを特徴とする基板加熱装置。 - 加熱手段により基板を加熱する基板加熱装置であって,
処理容器と,
前記処理容器内に配置され,前記加熱手段が埋設されるとともに前記基板を載置する載置台と,
内部に空洞が形成されるとともに,前記載置台を支持する支持部と,
前記支持部を固定する支持台と,
前記処理容器の外壁側と気密板との間に設けられた封止部材と、
を備え,
前記支持部は,前記支持部の下部面と前記支持台の表面とを面接触させながら,前記支持台を介して前記処理容器の底部に固定され、
前記処理容器は,底面に本体開口部を有する処理容器本体と,当該処理容器本体に接続されたバケット部とを有し,
前記バケット部の下部には,バケット開口部を有し,
前記バケット開口部には,前記気密板がケーシングとして気密に設けられていることを特徴とする基板加熱装置。 - 前記処理容器の底部に,前記処理容器内部を排気する排気装置をさらに備え,
前記排気装置により,前記支持部の内部を真空に保持しながら,基板を加熱することを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載された基板加熱装置。 - 前記バケット部は、不活性ガスを供給するためのパージガス導入孔を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記支持部の内部に不活性ガスを供給するパージ手段をさらに備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記支持部は,固定手段により前記支持台に固定されていることを特徴とする請求項2に記載された基板加熱装置。
- 前記載置台に埋設された加熱手段は,ヒータであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記載置台に埋設されたヒータは,内側ヒータと前記内側ヒータの外周部に配置される外側ヒータとを含むことを特徴とする請求項7に記載された基板加熱装置。
- 前記載置台に埋設された加熱手段は,その上層部にパターン状に埋設され,熱を発生させるヒータと,当該ヒータの下側に埋設され,前記支持部通って供給された電力を前記ヒータに供給する電力供給配線とを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記バケット部には,排気口が設けられていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記支持部の長さは、270mm以下に設定されることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記支持部は、セラミックからなり、
前記固定手段は、金属またはその合金からなることを特徴とする請求項5〜11のいずれかに記載された基板加熱装置。 - 前記処理容器の底部の大気側にペルチェ素子を配置することを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 前記内側ヒータは、同心円状のパターンを形成し、
前記外側ヒータは、同心円状のパターンを形成することを特徴とする請求項7〜13のいずれかに記載された基板加熱装置。 - 前記内側ヒータは、中心部が直線状で,前記中心部以外の部分は同心円状のパターンを形成し、
前記外側ヒータは、前記内側ヒータの中心部から前記外側ヒータの外周部に向かう直線状部分を有する同心円状のパターンを形成することを特徴とする請求項7〜13のいずれかに記載された基板加熱装置。 - 前記内側ヒータと前記外側ヒータとが配置されている第1の層に隣接して前記内側ヒータと前記外側ヒータとに共通に接続される共通配線を配置する第2の層が形成されている請求項7〜15のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 共通配線は、分断されている部分を有し、前記第2の層に配置されている請求項16に記載された基板加熱装置。
- 共通配線は、分断されている部分を有することなく前記第2の層に配置されている請求項16記載された基板加熱装置。
- 前記処理容器は,プラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置に用いられることを特徴とする請求項1〜18のいずれかに記載された基板加熱装置。
- 処理容器内において加熱手段を備えた載置台と、前記載置台を支持する支持構造とを備え、前記処理容器は,底面に本体開口部を有する処理容器本体と,当該処理容器本体に接続されたバケット部とを有し,前記バケット部の下部にはバケット開口部を有し,前記バケット開口部には,前記気密板がケーシングとして気密に設けられた基板加熱装置において前記支持構造内をパージして前記載置台に載置された基板を加熱する基板加熱方法であって、
前記処理容器の外壁側と気密板との間に設けられた封止部材と、前記支持構造は、内部に空洞が形成されるとともに,一端部に前記載置台が固定され,他端部が固定手段により前記処理容器に固定されることにより前記載置台を支持する支持部と,前記支持構造の内部を真空排気する排気手段と、前記支持構造の内部をパージするためのパージ手段とを備え,前記支持部の下部面と前記処理容器の底部の面とは面接触し、
前記排気手段により前記支持構造内部を真空排気した後に,前記パージ手段により前記支持構造内部をパージして前記基板を加熱することを特徴とする,基板加熱方法。 - 処理容器内において加熱手段を備えた載置台と、前記載置台を支持する支持構造とを備え、前記処理容器は,底面に本体開口部を有する処理容器本体と,当該処理容器本体に接続されたバケット部とを有し,前記バケット部の下部にはバケット開口部を有し,前記バケット開口部には,前記気密板がケーシングとして気密に設けられた基板加熱装置において前記支持構造内をパージして前記載置台に載置された基板を加熱する基板加熱方法であって、
前記処理容器の外壁側と気密板との間に設けられた封止部材と、前記支持構造は、内部に空洞が形成されるとともに,前記載置台を支持する支持部と,前記支持部を固定する支持台と,前記支持構造の内部を真空排気する排気手段と、前記支持構造の内部をパージするためのパージ手段とを備え,前記支持部は,前記支持部の下部面と前記支持台の表面とを面接触させながら,前記支持台を介して前記処理容器の底部に固定され、
前記排気手段により前記支持構造内部を真空排気した後に,前記パージ手段により前記支持構造内部をパージして前記基板を加熱することを特徴とする,基板加熱方法。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0463281A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱体の測温装置およびこれを利用したウエハー加熱装置 |
JPH0533524U (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-30 | 国際電気株式会社 | 枚葉式cvd装置用ヒータ |
JPH06151322A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Nippon Sanso Kk | 薄膜製造装置用加熱装置 |
JPH0778766A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-03-20 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Cvd装置の加熱装置 |
JPH09186112A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
JP2000021957A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Kyocera Corp | 試料加熱装置 |
JP2000124211A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
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Patent Citations (9)
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---|---|---|---|---|
JPH0463281A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-28 | Ngk Insulators Ltd | ウエハー加熱体の測温装置およびこれを利用したウエハー加熱装置 |
JPH0533524U (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-30 | 国際電気株式会社 | 枚葉式cvd装置用ヒータ |
JPH06151322A (ja) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Nippon Sanso Kk | 薄膜製造装置用加熱装置 |
JPH0778766A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-03-20 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置 |
JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Cvd装置の加熱装置 |
JPH09186112A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜処理装置 |
JP2000021957A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Kyocera Corp | 試料加熱装置 |
JP2000124211A (ja) * | 1998-10-12 | 2000-04-28 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
JP2001326181A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Nhk Spring Co Ltd | 加熱装置 |
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