JP2004286165A - 容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業や、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単に真空シールできるようにした真空用容器の構造を得る。
【解決手段】相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体１１を構成する四つ以上の側面部材１〜４と、この中空枠体１１の頂面及び底面に配設され接合される天面部材５及び底面部材６を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材７を設けて、気密に一体化した真空用容器構造とする。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室として用いられる真空用容器、これを具備する基板処理装置及びその基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、その真空用容器を組み立てる際のシール技術に好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェハに対して酸化膜の形成、ドーパントの拡散、アニールあるいはＣＶＤといった熱処理を行う装置として縦型の基板処理装置が知られている。
【０００３】
この基板処理装置においては、自然酸化膜の低減を目的として、直接大気に晒すことなく基板搬送が可能で且つ、酸素、水分を始めとするコンタミネーション濃度を低減することが可能な、ロードロック室を、反応室の手前に設けている。
【０００４】
図７は従来のロードロック室３０を有する半導体製造装置の構造を示したものである。ヒータ３１で覆われた縦型反応室３２の下方にゲートバルブ３３を介してロードロック室３０が設けられ、ロードロック室３０のウェハ搬入搬出口となる開口部３６はゲートバルブ３５で気密に閉塞されるようになっている。さらにロードロック室３０には真空排気するための真空排気装置４１と、内部を大気からＮ２ガスに置換するためのＮ２ ガス供給装置４７が設けられ、Ｎ２ ガス供給装置４７はバルブ４６、質量流量計４３を介してロードロック室３０に接続されている。ロードロック室３０の外にはウェハ移載機３７が設けられ、ウェハカセットを載置する移載棚３４とロードロック室３０内のボート（基板保持具）２１７との間でウェハ２００を移載するようになっている。
【０００５】
反応室３２でウェハの処理を行うために、ウェハ移載機３７を介してウェハ２００を移載棚３４からボート２１７に搬送するが、その際、ゲートバルブ３５を開放するため、ロードロック室３０は一旦大気に戻る。ウェハ搬送終了後、ゲートバルブ３５を閉じ、真空排気装置４１により真空排気を行うと同時に、質量流量計４３を介して多量のＮ２ を導入し、ロードロック室３０の雰囲気置換を行なう。これにより酸素、水分等のコンタミネーション濃度を低減した後、ゲートバルブ３３を開いて、ボート２１７と共にウェハ２００を反応室３２に搬送する。
【０００６】
従来、上記ロードロック室３０は、これを真空用容器とするために、容器のベースとなる真空チャンバ部材と、その開口部を塞ぐためのフタ部材によって構成される。真空チャンバ部材は、一般的に金属材料から作られ、その製作方法は、ブロックから機械加工によって削り出す方法や、板材を溶接やブレージング（ろう付け）によって接合する、といった方法による。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ブロックから機械加工によって削り出す方法は、最低限、外形寸法分の材料が必要で、容積分を削り出すこととなり、材料として無駄が多い。その他、削り出す深さが深い等の形状によっては機械加工が困難な場合がある。
また、板材を溶接やブレージングといった方法によって作る場合、入熱による歪を除去したり、仕上加工を行う必要がありコスト高となる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、チャンバの製作に関し、従来技術で問題となった、ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単にシールできるようにした容器及びこれを備えた基板処理装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
第１の発明に係る容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化したことを特徴とする。
容器としては例えば真空用容器がある。真空用容器は、例えば予備室として用いられる他、反応室もしくは予備室以外の他の室にも用いられる。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【００１０】
第２の発明に係る基板処理装置は、基板を収納して処理する反応室と、前記反応室に隣接する予備室を有する基板処理装置において、前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成したことを特徴とする。この場合において、前記容器は各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【００１１】
第３の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、前記反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室を有する基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成し、
前記予備室において前記基板を基板保持具（ボート）に保持する工程と、前記基板保持具に保持された基板を前記反応室に搬入する搬送工程と、前記反応室内に反応ガスを供給する工程と、前記反応室内において前記基板を処理する工程と、基板処理後に前記基板保持具に保持された基板を前記予備室に戻す搬送工程と、前記反応室内を排気する工程とを有することを特徴とする。
この場合において、前記容器は、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【００１２】
＜作用＞
本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【００１３】
本発明の最大の特長は、簡単にチャンバを構成できることにある。すなわち、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器を構成できる。特に、各々の部材の対接面相互間をシール部材で気密に一体化すると、真空に耐え得る容器を構成でき、高い気密性が保持される。また、シール部材が一体をなしていると、より簡単にチャンバを構成できる。
【００１４】
従って、本発明の容器は、シール部材で気密にした真空用容器とすることで、簡易かつ容易に組み立て得る構成でありながら、基板を処理する反応室に対する予備室として利用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
図１は本実施形態に係る真空用容器１０の分解斜視図、図２はそのシール部材の斜視図、図３は組み立てた立方形の真空用容器の概略を示す斜視図である。
【００１６】
この真空用容器１０は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体１１を構成する４枚の側面部材、すなわち左側面板１（板状の左側面部材）、右側面板２（板状の右側面部材）、正面板３（板状の正面部材）及び背面板４（板状の背面部材）と、この中空枠体１１の頂面及び底面に配設され接合される天面板５（板状の天面部材）及び底面板６（板状の底面部材）を、各々の板状部材の隣接する接合面相互間に、図２に示すように一体をなしているシール部材７を介在させて、気密に一体化した構成となっている。
【００１７】
４枚の側面部材（左側面板１、右側面板２、正面板３、背面板４）と、天面板５及び底面板６は、それぞれアルミニウム合金又はステンレスから成り、これらにより立方形の箱（図３参照）として組み立てられる。その真空用容器１０の外形寸法は、ここでは５００×５００×５００ｍｍである。
【００１８】
本実施形態の場合、対向配置された左右の側面板１、２の正面及び背面に、正面板３及び背面板４が「ロ」字状に配設されて、長方形の中空枠体１１が形成され、その中空の長方形枠体１１の頂面と底面（頂部開口及び底部開口）に天面板５と底面板６が配設され、以て中空の直方体からなる真空用容器１０が形成される。なお、天面板５と底面板６には給排気用の孔１２が設けられている。
【００１９】
真空用容器として機能し得る気密構造とするするため、天面板５と底面板６が配設される長方形枠体１１の上下の開口端面（頂部開口端面と底部開口端面）には、シール部材７を設置するための溝８が、板の端面の長手方向に沿って、全体として閉ループ状をなすように設けられている。つまり、左右側面板１、２、正面板３及び背面板４の各頂面にかけて閉ループ状に溝８ａが設けられていると共に、左右側面板１、２、正面板３及び背面板４の各底面にかけても、シール部材７を設置するための閉ループ状に溝８ａが設けられている。また、左右の側面板１、２の正面及び背面にも、シール部材７を設置するための溝８ｂが、板の端面の長手方向に沿って直線的に設けられている。
【００２０】
これらの溝８の形成は、材料のアルミニウム合金又はステンレスの面を切削することで行い、その後、溝をヘール仕上げする。
互いに端面を接する各々の板状部材の対接面相互間に設けられるシール部材７は、耐熱性、伸縮性、弾性を有する材料、例えばゴムから成り、図２に示すように、上記閉ループ状溝８ａに収められる閉ループ状部分７ａと、この上下の閉ループ状部分７ａ、７ａ間を連結する四本の脚の形で存在して、上記溝８ｂに収められる上下連結部分７ｂとの組合わせにより、籠状に一体化して形成されている。
【００２１】
この籠状のシール部材７は、二つの要素の組み合わせから成る。すなわち、サンドイッチ成形法により造られた円形断面の三方腕を有するＴ字状シール材７１と、同じくサンドイッチ成形法により造られた円形断面の直線的な紐状シール材７２という二種類の要素を、接合部７３にて同軸的に接着剤で接着したものから成る。また、この籠状のシール部材７の全体の形状は、Ｔ字状シール材７１の三方腕の各々を互いに紐状シール材７２にて繋ぎ合わせた形とし、図２の籠形状に製作する。接着剤には、ゴムなどの柔軟性材料に適した接着剤シアンアクリルレートを用いる。
【００２２】
真空容器１０を構成する際には、図２の籠状のシール部材７を、当該シール部材７に合わせて予め板状部材１〜４の端面に加工してある溝８内に収納する。これは例えば次の如く行う。まず、左右の側面板１、２の端面の溝８ｂに、シール部材７の上下連結部分７ｂを伸ばしながら嵌め込み、これを正面板３と背面板４で挟み込み、左右の側面板１、２に正面板３及び背面板４をネジ９で止める。次に、このネジ止めにより構成された長方形の中空枠体１１の上下の開口端の溝８ａ、すなわち閉ループ状溝８ａ内に、シール部材７の閉ループ状部分７ａを伸ばしながら嵌め込み、これを天面板５と底面板６で挟み込み、中空枠体１１に天面板５と底面板６をネジ９で止める。このようにネジ９にて締め付けることにより、シール部材７が押しつぶされ、真空に耐える気密性の高いシールが行われる。
【００２３】
このように、シール部材７を溝８に嵌め込み板部材をネジ止めすることで、各々の部材の対接面同士を気密に一体化し、真空気密を保持する構造の真空用容器１０を得ることができる。
【００２４】
次に、上記真空用容器を基板処理装置における反応室の予備室として適用した例について述べる。
基板処理装置においては、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して予備室としてのロードロック室１０２が隣接される。このロードロック室１０２として要求される性能は、例えば圧力（真空度）２〜１０Ｐａ、温度２０〜１１０℃、容積５００〜７００リットルである。
【００２５】
このロードロック室１０２として上記真空用容器を用いる場合には、図４に示すように長方形の箱として組み立て、また上記要求を満たす真空用容器として構成する。また、この真空用容器１０の任意の箇所に給排気用の孔１２を設けるだけでなく、例えば正面板３に移載機挿入開口１３を設けると共に、天面板５にボート搬送口１４を設け、さらに必要に応じ覗き窓１５等も設ける。
【００２６】
図５は、上記真空用容器を用いた基板処理装置の一例である半導体製造装置の概略を示す。
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、該カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、該カセットエレベータ１１５には搬送手段としてカセット移載機１１４が取り付けられている。前記カセットエレベータ１１５の後側には、前記カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられ、該カセット棚１０９はスライドステージ１２２上に横行可能に設けられている。又、前記カセット棚１０９の上方には前記カセット１００の載置手段としてのバッファカセット棚１１０が設けられている。更に、前記バッファカセット棚１１０の後側にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを前記筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００２７】
前記筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、該処理炉２０２の下側には、上述した真空用容器１０から成る気密室としてのロードロック室１０２が配設され、そのボート搬送口１４（図４）が仕切弁としてのゲートバルブ２４４により処理炉２０２と連接されている。また、このロードロック室１０２の前面には、前記カセット棚１０９と対向する位置に移載機挿入開口１３が設けられ、この開口の仕切手段としてロードロックドア１２３が設けられている。
前記ロードロック室１０２内には、基板としてのウェハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持具としてのボート２１７を、前記処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてボートエレベータ１２１が内設され、該ボート２１７には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられ、該ボート２１７を垂直に支持している。
【００２８】
前記ロードロック室１０２と前記カセット棚１０９との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、該移載エレベータには搬送手段としてウェハ移載機１１２が取りつけられている。
【００２９】
以下、上記基板処理装置における一連の動作を説明する。
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット１００は、カセットステージ１０５に載置され、該カセットステージ１０５でカセット１００の姿勢が９０°変換され、更に、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作、及び、カセット移載機１１４の進退動作の協働によりカセット棚１０９又はバッファカセット棚１１０に搬送される。
【００３０】
ウェハ移載機１１２によりカセット棚１０９からボート２１７へウェハ２００が移載される。ウェハ２００を移載する準備として、ボート２１７がボートエレベータ１２１により降下され、ゲートバルブ２４４により処理炉２０２が閉塞され、更にロードロック室１０２の内部に、パージノズル２３４から窒素ガス等のパージガスが導入される。ロードロック室１０２が大気圧に復圧された後、ロードロックドア１２３が開かれる。
【００３１】
スライドステージ１２２の水平スライド機構がカセット棚１０９を水平移動させ、移載の対象となるカセット１００をウェハ移載機１１２に対峙するように位置決めする。ウェハ移載機１１２は昇降動作、回転動作の協働により、ウェハ２００をカセット１００よりボート２１７へと移載する。ウェハ２００の移載はいくつかのカセット１００に対して行われ、ボート２１７へ所定枚数ウェハの移載が完了した後、ロードロックドア１２３が閉じられ、ロードロック室１０２が真空引きされる。
【００３２】
真空引きが完了した後に、ガスパージノズル２３４よりガスが導入され、ロードロック室１０２内部が大気圧に復圧（減圧）されると、ゲートバルブ２４４が開かれ、ボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２内に装入され、該ゲートバルブ２４４が閉じられる。尚、真空引き完了後にロードロック室１０２内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態でボート２１７を処理炉２０２内に装入しても良い。
【００３３】
処理炉２０２内でウェハ２００に所定の処理が為された後、ゲートバルブ２４４が開かれ、ボートエレベータ１２１によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１０２内部を大気圧に復圧させた後にロードロックドア１２３が開かれる。
【００３４】
処理後のウェハ２００は、上記した作動の逆の手順により、ボート２１７からカセット棚１０９を経てカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
上述したカセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００３５】
次に、半導体装置の製造方法の例を、図６に示した減圧ＣＶＤ処理炉について説明する。
反応室を構成する外管（以下アウターチューブ２０５）は例えば石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下インナーチューブ２０４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ２０５内に同心円状に配置されている。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０を成す。インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは、筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。
【００３６】
アウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５及びインナーチューブ２０４が保持されている。このマニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。アウターチューブ２０５の下端部及びマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間にはシール部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【００３７】
マニホールド２０９の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体（以下シールキャップ２１９）がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ２１９には、ガスの供給管２３２が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管２３２により、処理用のガスがアウターチューブ２０５内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管２３２はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１）に連結されており、ＭＦＣ２４１は主制御部２６０のガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【００３８】
マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ２バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下真空ポンプ２４６）に連結されたガスの排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段（以下圧力センサ２４５）により検出し、圧力制御部２６３により制御する。
【００３９】
シールキャップ２１９には、回転軸２５４が連結されており、これを回転手段たるモータにより回転させることにより、基板保持手段たるボート２１７及び該ボート２１７上に保持されているウェハ２００を回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段であるボートエレベータ１２１に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４及びボートエレベータ１２１を所定のスピードにするように、駆動制御部２６４により制御する。
【００４０】
アウターチューブ２０５の外周には、加熱手段としてのヒータ２０７が同心円状に配置されている。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段（熱電対２６５）により温度を検出し、温度制御部２６１により制御する。
【００４１】
図６に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１２１によりボート２１７をロードロック室１０２（図５）内に下降させる。このロードロック室１０２内のボート２１７に複数枚のウェハ２００を保持する。
【００４２】
次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により予めアウターチューブ２０５内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ１２１により、ボート２１７を上昇させてロードロック室１０２からアウターチューブ２０５内に移し、アウターチューブ２０５の内部温度を所定の処理温度に維持する。
【００４３】
アウターチューブ２０５内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウェハ２００を回転させる。同時にガスの供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウェハ２００に対して均等に供給される。
【００４４】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行う。
【００４５】
なお、一例まで本実施例のＣＶＤ処理炉にて処理される条件は、Ｄ−Ｐｏｌｙ膜の成膜において、ウェハ温度５３０℃、ガス種供給量は（ＳｉＨ_４、流量１０００ｓｃｃｍ）、（ＰＨ_３、流量１００ｓｃｃｍ）、処理圧力は４０Ｐａである。
【００４６】
このようにして減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウェハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ２０５内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ１２１によりボート２１７をロードロック室１０２（図５）内に下降させて、ボート２１７及び処理済のウェハ２００をアウターチューブ２０５から取り出す。アウターチューブ２０５から取り出されたボート２１７上の処理済のウェハ２００は、未処理のウェハ２００と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ２０５内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理がなされる。
【００４７】
上述したように、真空用容器１０の外形は、図１〜図３の実施形態では立方形の箱として、また図４の実施形態では長方形の箱として組み立てたが、本発明の真空用容器はこれに限られるものではなく、上方から見て菱形や、五角形、六角形などの多角形をした箱として形成することもできる。
また、上記実施形態では、縦型バッチ装置を例にして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、枚葉装置にも適用することができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【００４９】
したがって、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器が得られる。
【００５０】
その結果、本発明によれば、
（１）ブロックから機械加工によって削り出す方法に比べ、材料の無駄が無くなり安価に容器を製作することができる。
（２）溶接やブレージングにより組み立てる場合に比べ、溶接による熱歪が無く、また仕上加工が不要であることから、製作コストが低減できる。
（３）シールした容器を、板状の材料とシール材で簡単に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空用容器を構成する側面部材と、天面部材及び底面部材の分解斜視図である。
【図２】本発明の真空用容器のシール部材の形状を示す斜視図である。
【図３】本発明の真空用容器の組み立て後の状態を示す斜視図である。
【図４】本発明の真空用容器を予備室として用いる場合の構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の真空用容器を備えた基板処理装置を示す斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を適用した減圧ＣＶＤ処理炉を示した図である。
【図７】従来の基板処理装置の構成を示した概略図である。
【符号の説明】
１ 左側面板（側面部材）
２ 右側面板（側面部材）
３ 正面板（側面部材）
４ 背面板（側面部材）
５ 天面板（天面部材）
６ 底面板（底面部材）
７ シール部材
７ａ 閉ループ状部分
７ｂ 上下連結部分
８、８ａ、８ｂ 溝
９ ネジ
１０ 真空用容器
１１ 長方形の中空枠体
１２ 給排気用の孔
１３ 移載機挿入開口
１４ ボート搬送口
１５ 覗き窓
７１ Ｔ字状シール材
７２ 紐状シール材
７３ 接合部
１０２ ロードロック室
１０９ カセット棚
１１２ ウェハ移載機
１２１ ボートエレベータ
１２３ ロードロックドア
２００ ウェハ

Claims (3)

1. 相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化したことを特徴とする容器。
2. 基板を収納して処理する反応室と、前記反応室に隣接する予備室を有する基板処理装置において、
   前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成したことを特徴とする基板処理装置。
3. 基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、前記反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室を有する基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
   前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成し、
   前記予備室において前記基板を基板保持具に保持する工程と、
   前記基板保持具に保持された基板を前記反応室に搬入する搬送工程と、
   前記反応室内に反応ガスを供給する工程と、
   前記反応室内において前記基板を処理する工程と、
   基板処理後に前記基板保持具に保持された基板を前記予備室に戻す搬送工程と、
   前記反応室内を排気する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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