JP2004286165A - 容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業や、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単に真空シールできるようにした真空用容器の構造を得る。
【解決手段】相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体11を構成する四つ以上の側面部材1〜4と、この中空枠体11の頂面及び底面に配設され接合される天面部材5及び底面部材6を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材7を設けて、気密に一体化した真空用容器構造とする。
【選択図】 図1
【解決手段】相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体11を構成する四つ以上の側面部材1〜4と、この中空枠体11の頂面及び底面に配設され接合される天面部材5及び底面部材6を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材7を設けて、気密に一体化した真空用容器構造とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室として用いられる真空用容器、これを具備する基板処理装置及びその基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、その真空用容器を組み立てる際のシール技術に好適なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウェハに対して酸化膜の形成、ドーパントの拡散、アニールあるいはCVDといった熱処理を行う装置として縦型の基板処理装置が知られている。
【0003】
この基板処理装置においては、自然酸化膜の低減を目的として、直接大気に晒すことなく基板搬送が可能で且つ、酸素、水分を始めとするコンタミネーション濃度を低減することが可能な、ロードロック室を、反応室の手前に設けている。
【0004】
図7は従来のロードロック室30を有する半導体製造装置の構造を示したものである。ヒータ31で覆われた縦型反応室32の下方にゲートバルブ33を介してロードロック室30が設けられ、ロードロック室30のウェハ搬入搬出口となる開口部36はゲートバルブ35で気密に閉塞されるようになっている。さらにロードロック室30には真空排気するための真空排気装置41と、内部を大気からN2ガスに置換するためのN2 ガス供給装置47が設けられ、N2 ガス供給装置47はバルブ46、質量流量計43を介してロードロック室30に接続されている。ロードロック室30の外にはウェハ移載機37が設けられ、ウェハカセットを載置する移載棚34とロードロック室30内のボート(基板保持具)217との間でウェハ200を移載するようになっている。
【0005】
反応室32でウェハの処理を行うために、ウェハ移載機37を介してウェハ200を移載棚34からボート217に搬送するが、その際、ゲートバルブ35を開放するため、ロードロック室30は一旦大気に戻る。ウェハ搬送終了後、ゲートバルブ35を閉じ、真空排気装置41により真空排気を行うと同時に、質量流量計43を介して多量のN2 を導入し、ロードロック室30の雰囲気置換を行なう。これにより酸素、水分等のコンタミネーション濃度を低減した後、ゲートバルブ33を開いて、ボート217と共にウェハ200を反応室32に搬送する。
【0006】
従来、上記ロードロック室30は、これを真空用容器とするために、容器のベースとなる真空チャンバ部材と、その開口部を塞ぐためのフタ部材によって構成される。真空チャンバ部材は、一般的に金属材料から作られ、その製作方法は、ブロックから機械加工によって削り出す方法や、板材を溶接やブレージング(ろう付け)によって接合する、といった方法による。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ブロックから機械加工によって削り出す方法は、最低限、外形寸法分の材料が必要で、容積分を削り出すこととなり、材料として無駄が多い。その他、削り出す深さが深い等の形状によっては機械加工が困難な場合がある。
また、板材を溶接やブレージングといった方法によって作る場合、入熱による歪を除去したり、仕上加工を行う必要がありコスト高となる。
【0008】
そこで、本発明の目的は、チャンバの製作に関し、従来技術で問題となった、ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単にシールできるようにした容器及びこれを備えた基板処理装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
第1の発明に係る容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化したことを特徴とする。
容器としては例えば真空用容器がある。真空用容器は、例えば予備室として用いられる他、反応室もしくは予備室以外の他の室にも用いられる。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0010】
第2の発明に係る基板処理装置は、基板を収納して処理する反応室と、前記反応室に隣接する予備室を有する基板処理装置において、前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成したことを特徴とする。この場合において、前記容器は各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0011】
第3の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、前記反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室を有する基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成し、
前記予備室において前記基板を基板保持具(ボート)に保持する工程と、前記基板保持具に保持された基板を前記反応室に搬入する搬送工程と、前記反応室内に反応ガスを供給する工程と、前記反応室内において前記基板を処理する工程と、基板処理後に前記基板保持具に保持された基板を前記予備室に戻す搬送工程と、前記反応室内を排気する工程とを有することを特徴とする。
この場合において、前記容器は、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0012】
<作用>
本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【0013】
本発明の最大の特長は、簡単にチャンバを構成できることにある。すなわち、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器を構成できる。特に、各々の部材の対接面相互間をシール部材で気密に一体化すると、真空に耐え得る容器を構成でき、高い気密性が保持される。また、シール部材が一体をなしていると、より簡単にチャンバを構成できる。
【0014】
従って、本発明の容器は、シール部材で気密にした真空用容器とすることで、簡易かつ容易に組み立て得る構成でありながら、基板を処理する反応室に対する予備室として利用することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
図1は本実施形態に係る真空用容器10の分解斜視図、図2はそのシール部材の斜視図、図3は組み立てた立方形の真空用容器の概略を示す斜視図である。
【0016】
この真空用容器10は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体11を構成する4枚の側面部材、すなわち左側面板1(板状の左側面部材)、右側面板2(板状の右側面部材)、正面板3(板状の正面部材)及び背面板4(板状の背面部材)と、この中空枠体11の頂面及び底面に配設され接合される天面板5(板状の天面部材)及び底面板6(板状の底面部材)を、各々の板状部材の隣接する接合面相互間に、図2に示すように一体をなしているシール部材7を介在させて、気密に一体化した構成となっている。
【0017】
4枚の側面部材(左側面板1、右側面板2、正面板3、背面板4)と、天面板5及び底面板6は、それぞれアルミニウム合金又はステンレスから成り、これらにより立方形の箱(図3参照)として組み立てられる。その真空用容器10の外形寸法は、ここでは500×500×500mmである。
【0018】
本実施形態の場合、対向配置された左右の側面板1、2の正面及び背面に、正面板3及び背面板4が「ロ」字状に配設されて、長方形の中空枠体11が形成され、その中空の長方形枠体11の頂面と底面(頂部開口及び底部開口)に天面板5と底面板6が配設され、以て中空の直方体からなる真空用容器10が形成される。なお、天面板5と底面板6には給排気用の孔12が設けられている。
【0019】
真空用容器として機能し得る気密構造とするするため、天面板5と底面板6が配設される長方形枠体11の上下の開口端面(頂部開口端面と底部開口端面)には、シール部材7を設置するための溝8が、板の端面の長手方向に沿って、全体として閉ループ状をなすように設けられている。つまり、左右側面板1、2、正面板3及び背面板4の各頂面にかけて閉ループ状に溝8aが設けられていると共に、左右側面板1、2、正面板3及び背面板4の各底面にかけても、シール部材7を設置するための閉ループ状に溝8aが設けられている。また、左右の側面板1、2の正面及び背面にも、シール部材7を設置するための溝8bが、板の端面の長手方向に沿って直線的に設けられている。
【0020】
これらの溝8の形成は、材料のアルミニウム合金又はステンレスの面を切削することで行い、その後、溝をヘール仕上げする。
互いに端面を接する各々の板状部材の対接面相互間に設けられるシール部材7は、耐熱性、伸縮性、弾性を有する材料、例えばゴムから成り、図2に示すように、上記閉ループ状溝8aに収められる閉ループ状部分7aと、この上下の閉ループ状部分7a、7a間を連結する四本の脚の形で存在して、上記溝8bに収められる上下連結部分7bとの組合わせにより、籠状に一体化して形成されている。
【0021】
この籠状のシール部材7は、二つの要素の組み合わせから成る。すなわち、サンドイッチ成形法により造られた円形断面の三方腕を有するT字状シール材71と、同じくサンドイッチ成形法により造られた円形断面の直線的な紐状シール材72という二種類の要素を、接合部73にて同軸的に接着剤で接着したものから成る。また、この籠状のシール部材7の全体の形状は、T字状シール材71の三方腕の各々を互いに紐状シール材72にて繋ぎ合わせた形とし、図2の籠形状に製作する。接着剤には、ゴムなどの柔軟性材料に適した接着剤シアンアクリルレートを用いる。
【0022】
真空容器10を構成する際には、図2の籠状のシール部材7を、当該シール部材7に合わせて予め板状部材1〜4の端面に加工してある溝8内に収納する。これは例えば次の如く行う。まず、左右の側面板1、2の端面の溝8bに、シール部材7の上下連結部分7bを伸ばしながら嵌め込み、これを正面板3と背面板4で挟み込み、左右の側面板1、2に正面板3及び背面板4をネジ9で止める。次に、このネジ止めにより構成された長方形の中空枠体11の上下の開口端の溝8a、すなわち閉ループ状溝8a内に、シール部材7の閉ループ状部分7aを伸ばしながら嵌め込み、これを天面板5と底面板6で挟み込み、中空枠体11に天面板5と底面板6をネジ9で止める。このようにネジ9にて締め付けることにより、シール部材7が押しつぶされ、真空に耐える気密性の高いシールが行われる。
【0023】
このように、シール部材7を溝8に嵌め込み板部材をネジ止めすることで、各々の部材の対接面同士を気密に一体化し、真空気密を保持する構造の真空用容器10を得ることができる。
【0024】
次に、上記真空用容器を基板処理装置における反応室の予備室として適用した例について述べる。
基板処理装置においては、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して予備室としてのロードロック室102が隣接される。このロードロック室102として要求される性能は、例えば圧力(真空度)2〜10Pa、温度20〜110℃、容積500〜700リットルである。
【0025】
このロードロック室102として上記真空用容器を用いる場合には、図4に示すように長方形の箱として組み立て、また上記要求を満たす真空用容器として構成する。また、この真空用容器10の任意の箇所に給排気用の孔12を設けるだけでなく、例えば正面板3に移載機挿入開口13を設けると共に、天面板5にボート搬送口14を設け、さらに必要に応じ覗き窓15等も設ける。
【0026】
図5は、上記真空用容器を用いた基板処理装置の一例である半導体製造装置の概略を示す。
筐体101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ105が設けられ、該カセットステージ105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ115が設けられ、該カセットエレベータ115には搬送手段としてカセット移載機114が取り付けられている。前記カセットエレベータ115の後側には、前記カセット100の載置手段としてのカセット棚109が設けられ、該カセット棚109はスライドステージ122上に横行可能に設けられている。又、前記カセット棚109の上方には前記カセット100の載置手段としてのバッファカセット棚110が設けられている。更に、前記バッファカセット棚110の後側にはクリーンユニット118が設けられ、クリーンエアを前記筐体101の内部を流通させるように構成されている。
【0027】
前記筐体101の後部上方には、処理炉202が設けられ、該処理炉202の下側には、上述した真空用容器10から成る気密室としてのロードロック室102が配設され、そのボート搬送口14(図4)が仕切弁としてのゲートバルブ244により処理炉202と連接されている。また、このロードロック室102の前面には、前記カセット棚109と対向する位置に移載機挿入開口13が設けられ、この開口の仕切手段としてロードロックドア123が設けられている。
前記ロードロック室102内には、基板としてのウェハ200を水平姿勢で多段に保持する基板保持具としてのボート217を、前記処理炉202に昇降させる昇降手段としてボートエレベータ121が内設され、該ボート217には蓋体としてのシールキャップ219が取りつけられ、該ボート217を垂直に支持している。
【0028】
前記ロードロック室102と前記カセット棚109との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、該移載エレベータには搬送手段としてウェハ移載機112が取りつけられている。
【0029】
以下、上記基板処理装置における一連の動作を説明する。
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット100は、カセットステージ105に載置され、該カセットステージ105でカセット100の姿勢が90°変換され、更に、カセットエレベータ115の昇降動作、横行動作、及び、カセット移載機114の進退動作の協働によりカセット棚109又はバッファカセット棚110に搬送される。
【0030】
ウェハ移載機112によりカセット棚109からボート217へウェハ200が移載される。ウェハ200を移載する準備として、ボート217がボートエレベータ121により降下され、ゲートバルブ244により処理炉202が閉塞され、更にロードロック室102の内部に、パージノズル234から窒素ガス等のパージガスが導入される。ロードロック室102が大気圧に復圧された後、ロードロックドア123が開かれる。
【0031】
スライドステージ122の水平スライド機構がカセット棚109を水平移動させ、移載の対象となるカセット100をウェハ移載機112に対峙するように位置決めする。ウェハ移載機112は昇降動作、回転動作の協働により、ウェハ200をカセット100よりボート217へと移載する。ウェハ200の移載はいくつかのカセット100に対して行われ、ボート217へ所定枚数ウェハの移載が完了した後、ロードロックドア123が閉じられ、ロードロック室102が真空引きされる。
【0032】
真空引きが完了した後に、ガスパージノズル234よりガスが導入され、ロードロック室102内部が大気圧に復圧(減圧)されると、ゲートバルブ244が開かれ、ボートエレベータ121によりボート217が処理炉202内に装入され、該ゲートバルブ244が閉じられる。尚、真空引き完了後にロードロック室102内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態でボート217を処理炉202内に装入しても良い。
【0033】
処理炉202内でウェハ200に所定の処理が為された後、ゲートバルブ244が開かれ、ボートエレベータ121によりボート217が引き出され、更に、ロードロック室102内部を大気圧に復圧させた後にロードロックドア123が開かれる。
【0034】
処理後のウェハ200は、上記した作動の逆の手順により、ボート217からカセット棚109を経てカセットステージ105に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
上述したカセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
【0035】
次に、半導体装置の製造方法の例を、図6に示した減圧CVD処理炉について説明する。
反応室を構成する外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0036】
アウターチューブ205及びインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205及びインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部及びマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間にはシール部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0037】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ219には、ガスの供給管232が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウターチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241は主制御部260のガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【0038】
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部263により制御する。
【0039】
シールキャップ219には、回転軸254が連結されており、これを回転手段たるモータにより回転させることにより、基板保持手段たるボート217及び該ボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段であるボートエレベータ121に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254及びボートエレベータ121を所定のスピードにするように、駆動制御部264により制御する。
【0040】
アウターチューブ205の外周には、加熱手段としてのヒータ207が同心円状に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(熱電対265)により温度を検出し、温度制御部261により制御する。
【0041】
図6に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ121によりボート217をロードロック室102(図5)内に下降させる。このロードロック室102内のボート217に複数枚のウェハ200を保持する。
【0042】
次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ121により、ボート217を上昇させてロードロック室102からアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。
【0043】
アウターチューブ205内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ205内を上昇し、ウェハ200に対して均等に供給される。
【0044】
減圧CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
【0045】
なお、一例まで本実施例のCVD処理炉にて処理される条件は、D−Poly膜の成膜において、ウェハ温度530℃、ガス種供給量は(SiH4、流量1000sccm)、(PH3、流量100sccm)、処理圧力は40Paである。
【0046】
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウェハ200の減圧CVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ121によりボート217をロードロック室102(図5)内に下降させて、ボート217及び処理済のウェハ200をアウターチューブ205から取り出す。アウターチューブ205から取り出されたボート217上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、減圧CVD処理がなされる。
【0047】
上述したように、真空用容器10の外形は、図1〜図3の実施形態では立方形の箱として、また図4の実施形態では長方形の箱として組み立てたが、本発明の真空用容器はこれに限られるものではなく、上方から見て菱形や、五角形、六角形などの多角形をした箱として形成することもできる。
また、上記実施形態では、縦型バッチ装置を例にして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、枚葉装置にも適用することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【0049】
したがって、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器が得られる。
【0050】
その結果、本発明によれば、
(1)ブロックから機械加工によって削り出す方法に比べ、材料の無駄が無くなり安価に容器を製作することができる。
(2)溶接やブレージングにより組み立てる場合に比べ、溶接による熱歪が無く、また仕上加工が不要であることから、製作コストが低減できる。
(3)シールした容器を、板状の材料とシール材で簡単に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空用容器を構成する側面部材と、天面部材及び底面部材の分解斜視図である。
【図2】本発明の真空用容器のシール部材の形状を示す斜視図である。
【図3】本発明の真空用容器の組み立て後の状態を示す斜視図である。
【図4】本発明の真空用容器を予備室として用いる場合の構成を示す斜視図である。
【図5】本発明の真空用容器を備えた基板処理装置を示す斜視図である。
【図6】本発明の半導体装置の製造方法を適用した減圧CVD処理炉を示した図である。
【図7】従来の基板処理装置の構成を示した概略図である。
【符号の説明】
1 左側面板(側面部材)
2 右側面板(側面部材)
3 正面板(側面部材)
4 背面板(側面部材)
5 天面板(天面部材)
6 底面板(底面部材)
7 シール部材
7a 閉ループ状部分
7b 上下連結部分
8、8a、8b 溝
9 ネジ
10 真空用容器
11 長方形の中空枠体
12 給排気用の孔
13 移載機挿入開口
14 ボート搬送口
15 覗き窓
71 T字状シール材
72 紐状シール材
73 接合部
102 ロードロック室
109 カセット棚
112 ウェハ移載機
121 ボートエレベータ
123 ロードロックドア
200 ウェハ
【発明の属する技術分野】
本発明は、容器、基板処理装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法に係り、特に、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室として用いられる真空用容器、これを具備する基板処理装置及びその基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、その真空用容器を組み立てる際のシール技術に好適なものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体ウェハに対して酸化膜の形成、ドーパントの拡散、アニールあるいはCVDといった熱処理を行う装置として縦型の基板処理装置が知られている。
【0003】
この基板処理装置においては、自然酸化膜の低減を目的として、直接大気に晒すことなく基板搬送が可能で且つ、酸素、水分を始めとするコンタミネーション濃度を低減することが可能な、ロードロック室を、反応室の手前に設けている。
【0004】
図7は従来のロードロック室30を有する半導体製造装置の構造を示したものである。ヒータ31で覆われた縦型反応室32の下方にゲートバルブ33を介してロードロック室30が設けられ、ロードロック室30のウェハ搬入搬出口となる開口部36はゲートバルブ35で気密に閉塞されるようになっている。さらにロードロック室30には真空排気するための真空排気装置41と、内部を大気からN2ガスに置換するためのN2 ガス供給装置47が設けられ、N2 ガス供給装置47はバルブ46、質量流量計43を介してロードロック室30に接続されている。ロードロック室30の外にはウェハ移載機37が設けられ、ウェハカセットを載置する移載棚34とロードロック室30内のボート(基板保持具)217との間でウェハ200を移載するようになっている。
【0005】
反応室32でウェハの処理を行うために、ウェハ移載機37を介してウェハ200を移載棚34からボート217に搬送するが、その際、ゲートバルブ35を開放するため、ロードロック室30は一旦大気に戻る。ウェハ搬送終了後、ゲートバルブ35を閉じ、真空排気装置41により真空排気を行うと同時に、質量流量計43を介して多量のN2 を導入し、ロードロック室30の雰囲気置換を行なう。これにより酸素、水分等のコンタミネーション濃度を低減した後、ゲートバルブ33を開いて、ボート217と共にウェハ200を反応室32に搬送する。
【0006】
従来、上記ロードロック室30は、これを真空用容器とするために、容器のベースとなる真空チャンバ部材と、その開口部を塞ぐためのフタ部材によって構成される。真空チャンバ部材は、一般的に金属材料から作られ、その製作方法は、ブロックから機械加工によって削り出す方法や、板材を溶接やブレージング(ろう付け)によって接合する、といった方法による。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ブロックから機械加工によって削り出す方法は、最低限、外形寸法分の材料が必要で、容積分を削り出すこととなり、材料として無駄が多い。その他、削り出す深さが深い等の形状によっては機械加工が困難な場合がある。
また、板材を溶接やブレージングといった方法によって作る場合、入熱による歪を除去したり、仕上加工を行う必要がありコスト高となる。
【0008】
そこで、本発明の目的は、チャンバの製作に関し、従来技術で問題となった、ブロックから機械加工によって削り出す方法の材料の無駄や、溶接の入熱による熱歪除去作業、仕上加工の必要性によるコスト高といった問題点を解決し、板状の材料とシール材で簡単にシールできるようにした容器及びこれを備えた基板処理装置並びにこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
第1の発明に係る容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化したことを特徴とする。
容器としては例えば真空用容器がある。真空用容器は、例えば予備室として用いられる他、反応室もしくは予備室以外の他の室にも用いられる。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0010】
第2の発明に係る基板処理装置は、基板を収納して処理する反応室と、前記反応室に隣接する予備室を有する基板処理装置において、前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成したことを特徴とする。この場合において、前記容器は各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0011】
第3の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、前記反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室を有する基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成し、
前記予備室において前記基板を基板保持具(ボート)に保持する工程と、前記基板保持具に保持された基板を前記反応室に搬入する搬送工程と、前記反応室内に反応ガスを供給する工程と、前記反応室内において前記基板を処理する工程と、基板処理後に前記基板保持具に保持された基板を前記予備室に戻す搬送工程と、前記反応室内を排気する工程とを有することを特徴とする。
この場合において、前記容器は、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、気密に一体化した容器とすることが好ましい。また、各々の部材の隣接する接合面相互間に設けられるシール部材は一体をなしていることが好ましい。
【0012】
<作用>
本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【0013】
本発明の最大の特長は、簡単にチャンバを構成できることにある。すなわち、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器を構成できる。特に、各々の部材の対接面相互間をシール部材で気密に一体化すると、真空に耐え得る容器を構成でき、高い気密性が保持される。また、シール部材が一体をなしていると、より簡単にチャンバを構成できる。
【0014】
従って、本発明の容器は、シール部材で気密にした真空用容器とすることで、簡易かつ容易に組み立て得る構成でありながら、基板を処理する反応室に対する予備室として利用することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
図1は本実施形態に係る真空用容器10の分解斜視図、図2はそのシール部材の斜視図、図3は組み立てた立方形の真空用容器の概略を示す斜視図である。
【0016】
この真空用容器10は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体11を構成する4枚の側面部材、すなわち左側面板1(板状の左側面部材)、右側面板2(板状の右側面部材)、正面板3(板状の正面部材)及び背面板4(板状の背面部材)と、この中空枠体11の頂面及び底面に配設され接合される天面板5(板状の天面部材)及び底面板6(板状の底面部材)を、各々の板状部材の隣接する接合面相互間に、図2に示すように一体をなしているシール部材7を介在させて、気密に一体化した構成となっている。
【0017】
4枚の側面部材(左側面板1、右側面板2、正面板3、背面板4)と、天面板5及び底面板6は、それぞれアルミニウム合金又はステンレスから成り、これらにより立方形の箱(図3参照)として組み立てられる。その真空用容器10の外形寸法は、ここでは500×500×500mmである。
【0018】
本実施形態の場合、対向配置された左右の側面板1、2の正面及び背面に、正面板3及び背面板4が「ロ」字状に配設されて、長方形の中空枠体11が形成され、その中空の長方形枠体11の頂面と底面(頂部開口及び底部開口)に天面板5と底面板6が配設され、以て中空の直方体からなる真空用容器10が形成される。なお、天面板5と底面板6には給排気用の孔12が設けられている。
【0019】
真空用容器として機能し得る気密構造とするするため、天面板5と底面板6が配設される長方形枠体11の上下の開口端面(頂部開口端面と底部開口端面)には、シール部材7を設置するための溝8が、板の端面の長手方向に沿って、全体として閉ループ状をなすように設けられている。つまり、左右側面板1、2、正面板3及び背面板4の各頂面にかけて閉ループ状に溝8aが設けられていると共に、左右側面板1、2、正面板3及び背面板4の各底面にかけても、シール部材7を設置するための閉ループ状に溝8aが設けられている。また、左右の側面板1、2の正面及び背面にも、シール部材7を設置するための溝8bが、板の端面の長手方向に沿って直線的に設けられている。
【0020】
これらの溝8の形成は、材料のアルミニウム合金又はステンレスの面を切削することで行い、その後、溝をヘール仕上げする。
互いに端面を接する各々の板状部材の対接面相互間に設けられるシール部材7は、耐熱性、伸縮性、弾性を有する材料、例えばゴムから成り、図2に示すように、上記閉ループ状溝8aに収められる閉ループ状部分7aと、この上下の閉ループ状部分7a、7a間を連結する四本の脚の形で存在して、上記溝8bに収められる上下連結部分7bとの組合わせにより、籠状に一体化して形成されている。
【0021】
この籠状のシール部材7は、二つの要素の組み合わせから成る。すなわち、サンドイッチ成形法により造られた円形断面の三方腕を有するT字状シール材71と、同じくサンドイッチ成形法により造られた円形断面の直線的な紐状シール材72という二種類の要素を、接合部73にて同軸的に接着剤で接着したものから成る。また、この籠状のシール部材7の全体の形状は、T字状シール材71の三方腕の各々を互いに紐状シール材72にて繋ぎ合わせた形とし、図2の籠形状に製作する。接着剤には、ゴムなどの柔軟性材料に適した接着剤シアンアクリルレートを用いる。
【0022】
真空容器10を構成する際には、図2の籠状のシール部材7を、当該シール部材7に合わせて予め板状部材1〜4の端面に加工してある溝8内に収納する。これは例えば次の如く行う。まず、左右の側面板1、2の端面の溝8bに、シール部材7の上下連結部分7bを伸ばしながら嵌め込み、これを正面板3と背面板4で挟み込み、左右の側面板1、2に正面板3及び背面板4をネジ9で止める。次に、このネジ止めにより構成された長方形の中空枠体11の上下の開口端の溝8a、すなわち閉ループ状溝8a内に、シール部材7の閉ループ状部分7aを伸ばしながら嵌め込み、これを天面板5と底面板6で挟み込み、中空枠体11に天面板5と底面板6をネジ9で止める。このようにネジ9にて締め付けることにより、シール部材7が押しつぶされ、真空に耐える気密性の高いシールが行われる。
【0023】
このように、シール部材7を溝8に嵌め込み板部材をネジ止めすることで、各々の部材の対接面同士を気密に一体化し、真空気密を保持する構造の真空用容器10を得ることができる。
【0024】
次に、上記真空用容器を基板処理装置における反応室の予備室として適用した例について述べる。
基板処理装置においては、基板を処理する反応室にゲートバルブを介して予備室としてのロードロック室102が隣接される。このロードロック室102として要求される性能は、例えば圧力(真空度)2〜10Pa、温度20〜110℃、容積500〜700リットルである。
【0025】
このロードロック室102として上記真空用容器を用いる場合には、図4に示すように長方形の箱として組み立て、また上記要求を満たす真空用容器として構成する。また、この真空用容器10の任意の箇所に給排気用の孔12を設けるだけでなく、例えば正面板3に移載機挿入開口13を設けると共に、天面板5にボート搬送口14を設け、さらに必要に応じ覗き窓15等も設ける。
【0026】
図5は、上記真空用容器を用いた基板処理装置の一例である半導体製造装置の概略を示す。
筐体101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ105が設けられ、該カセットステージ105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ115が設けられ、該カセットエレベータ115には搬送手段としてカセット移載機114が取り付けられている。前記カセットエレベータ115の後側には、前記カセット100の載置手段としてのカセット棚109が設けられ、該カセット棚109はスライドステージ122上に横行可能に設けられている。又、前記カセット棚109の上方には前記カセット100の載置手段としてのバッファカセット棚110が設けられている。更に、前記バッファカセット棚110の後側にはクリーンユニット118が設けられ、クリーンエアを前記筐体101の内部を流通させるように構成されている。
【0027】
前記筐体101の後部上方には、処理炉202が設けられ、該処理炉202の下側には、上述した真空用容器10から成る気密室としてのロードロック室102が配設され、そのボート搬送口14(図4)が仕切弁としてのゲートバルブ244により処理炉202と連接されている。また、このロードロック室102の前面には、前記カセット棚109と対向する位置に移載機挿入開口13が設けられ、この開口の仕切手段としてロードロックドア123が設けられている。
前記ロードロック室102内には、基板としてのウェハ200を水平姿勢で多段に保持する基板保持具としてのボート217を、前記処理炉202に昇降させる昇降手段としてボートエレベータ121が内設され、該ボート217には蓋体としてのシールキャップ219が取りつけられ、該ボート217を垂直に支持している。
【0028】
前記ロードロック室102と前記カセット棚109との間には図示しない昇降手段としての移載エレベータが設けられ、該移載エレベータには搬送手段としてウェハ移載機112が取りつけられている。
【0029】
以下、上記基板処理装置における一連の動作を説明する。
図示しない外部搬送装置から搬送されたカセット100は、カセットステージ105に載置され、該カセットステージ105でカセット100の姿勢が90°変換され、更に、カセットエレベータ115の昇降動作、横行動作、及び、カセット移載機114の進退動作の協働によりカセット棚109又はバッファカセット棚110に搬送される。
【0030】
ウェハ移載機112によりカセット棚109からボート217へウェハ200が移載される。ウェハ200を移載する準備として、ボート217がボートエレベータ121により降下され、ゲートバルブ244により処理炉202が閉塞され、更にロードロック室102の内部に、パージノズル234から窒素ガス等のパージガスが導入される。ロードロック室102が大気圧に復圧された後、ロードロックドア123が開かれる。
【0031】
スライドステージ122の水平スライド機構がカセット棚109を水平移動させ、移載の対象となるカセット100をウェハ移載機112に対峙するように位置決めする。ウェハ移載機112は昇降動作、回転動作の協働により、ウェハ200をカセット100よりボート217へと移載する。ウェハ200の移載はいくつかのカセット100に対して行われ、ボート217へ所定枚数ウェハの移載が完了した後、ロードロックドア123が閉じられ、ロードロック室102が真空引きされる。
【0032】
真空引きが完了した後に、ガスパージノズル234よりガスが導入され、ロードロック室102内部が大気圧に復圧(減圧)されると、ゲートバルブ244が開かれ、ボートエレベータ121によりボート217が処理炉202内に装入され、該ゲートバルブ244が閉じられる。尚、真空引き完了後にロードロック室102内部を大気圧に復圧させず大気圧未満の状態でボート217を処理炉202内に装入しても良い。
【0033】
処理炉202内でウェハ200に所定の処理が為された後、ゲートバルブ244が開かれ、ボートエレベータ121によりボート217が引き出され、更に、ロードロック室102内部を大気圧に復圧させた後にロードロックドア123が開かれる。
【0034】
処理後のウェハ200は、上記した作動の逆の手順により、ボート217からカセット棚109を経てカセットステージ105に移載され、図示しない外部搬送装置により搬出される。
上述したカセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
【0035】
次に、半導体装置の製造方法の例を、図6に示した減圧CVD処理炉について説明する。
反応室を構成する外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0036】
アウターチューブ205及びインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205及びインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部及びマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間にはシール部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0037】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ219には、ガスの供給管232が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウターチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241は主制御部260のガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【0038】
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部263により制御する。
【0039】
シールキャップ219には、回転軸254が連結されており、これを回転手段たるモータにより回転させることにより、基板保持手段たるボート217及び該ボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段であるボートエレベータ121に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254及びボートエレベータ121を所定のスピードにするように、駆動制御部264により制御する。
【0040】
アウターチューブ205の外周には、加熱手段としてのヒータ207が同心円状に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(熱電対265)により温度を検出し、温度制御部261により制御する。
【0041】
図6に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ121によりボート217をロードロック室102(図5)内に下降させる。このロードロック室102内のボート217に複数枚のウェハ200を保持する。
【0042】
次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ121により、ボート217を上昇させてロードロック室102からアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。
【0043】
アウターチューブ205内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウェハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ205内を上昇し、ウェハ200に対して均等に供給される。
【0044】
減圧CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
【0045】
なお、一例まで本実施例のCVD処理炉にて処理される条件は、D−Poly膜の成膜において、ウェハ温度530℃、ガス種供給量は(SiH4、流量1000sccm)、(PH3、流量100sccm)、処理圧力は40Paである。
【0046】
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウェハ200の減圧CVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ121によりボート217をロードロック室102(図5)内に下降させて、ボート217及び処理済のウェハ200をアウターチューブ205から取り出す。アウターチューブ205から取り出されたボート217上の処理済のウェハ200は、未処理のウェハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、減圧CVD処理がなされる。
【0047】
上述したように、真空用容器10の外形は、図1〜図3の実施形態では立方形の箱として、また図4の実施形態では長方形の箱として組み立てたが、本発明の真空用容器はこれに限られるものではなく、上方から見て菱形や、五角形、六角形などの多角形をした箱として形成することもできる。
また、上記実施形態では、縦型バッチ装置を例にして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、枚葉装置にも適用することができる。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の容器は、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成のものである。基本的な構成例は、容器の左右の側面部材と、正面部材及び背面部材と、天面部材と底面部材を、各々の部材の対接面相互間にシール部材を設けて、一体化した構成の容器である。
【0049】
したがって、各々の部材同士は部材間をネジ止めもしくはボルト止めすることにより容易に組み立てられ、またその際に、各々の部材の対接面相互間に設けられたシール部材が、隣接する部材間をネジもしくはボルトにより締め付けることにより押圧され、密閉性の高い容器が得られる。
【0050】
その結果、本発明によれば、
(1)ブロックから機械加工によって削り出す方法に比べ、材料の無駄が無くなり安価に容器を製作することができる。
(2)溶接やブレージングにより組み立てる場合に比べ、溶接による熱歪が無く、また仕上加工が不要であることから、製作コストが低減できる。
(3)シールした容器を、板状の材料とシール材で簡単に製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の真空用容器を構成する側面部材と、天面部材及び底面部材の分解斜視図である。
【図2】本発明の真空用容器のシール部材の形状を示す斜視図である。
【図3】本発明の真空用容器の組み立て後の状態を示す斜視図である。
【図4】本発明の真空用容器を予備室として用いる場合の構成を示す斜視図である。
【図5】本発明の真空用容器を備えた基板処理装置を示す斜視図である。
【図6】本発明の半導体装置の製造方法を適用した減圧CVD処理炉を示した図である。
【図7】従来の基板処理装置の構成を示した概略図である。
【符号の説明】
1 左側面板(側面部材)
2 右側面板(側面部材)
3 正面板(側面部材)
4 背面板(側面部材)
5 天面板(天面部材)
6 底面板(底面部材)
7 シール部材
7a 閉ループ状部分
7b 上下連結部分
8、8a、8b 溝
9 ネジ
10 真空用容器
11 長方形の中空枠体
12 給排気用の孔
13 移載機挿入開口
14 ボート搬送口
15 覗き窓
71 T字状シール材
72 紐状シール材
73 接合部
102 ロードロック室
109 カセット棚
112 ウェハ移載機
121 ボートエレベータ
123 ロードロックドア
200 ウェハ
Claims (3)
- 相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化したことを特徴とする容器。
- 基板を収納して処理する反応室と、前記反応室に隣接する予備室を有する基板処理装置において、
前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成したことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を基板保持具に収納して処理する反応室と、前記反応室にゲートバルブを介して隣接する予備室を有する基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記予備室を、相互に端面を接合して周方向に閉じられた中空枠体を構成する四つ以上の側面部材と、この中空枠体の頂面及び底面に配設され接合される天面部材及び底面部材を、各々の部材の隣接する接合面相互間にシール部材を設けて、一体化した容器から構成し、
前記予備室において前記基板を基板保持具に保持する工程と、
前記基板保持具に保持された基板を前記反応室に搬入する搬送工程と、
前記反応室内に反応ガスを供給する工程と、
前記反応室内において前記基板を処理する工程と、
基板処理後に前記基板保持具に保持された基板を前記予備室に戻す搬送工程と、
前記反応室内を排気する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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