JPH04308090A

JPH04308090A - 気相化学反応生成装置のロードロック機構

Info

Publication number: JPH04308090A
Application number: JP3072766A
Authority: JP
Inventors: Masao Sugino; 杉野　将雄
Original assignee: M B K MAIKUROTETSUKU KK
Current assignee: M B K MAIKUROTETSUKU KK
Priority date: 1991-04-05
Filing date: 1991-04-05
Publication date: 1992-10-30
Also published as: US5121705A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、気相化学反応生成（Ｃ
ＶＤ：ＣＨＥＭＩＣＡＬＶＡＰＯＲ　　ＤＥＰＯＳＩＴ
ＩＯＮ）装置に関し、さらに詳しくは、かかる装置にお
ける反応生成室内を気密状態に保持するための気甲機構
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】気相化学反応生成装置としては、縦形低
圧気相化学反応生成（ＬＰＣＶＤ）装置が知られている
。この装置は半導体の製造プロセスに於いて、現在、最
も重要な技術の一つとなっている。図７には、この装置
の代表的な構造例を示してある。この図に示すように、
反応室２Ａは、外周ヒーター１により囲まれた石英管２
の内部空間として形成されており、石英管２は、真空シ
ール用のＯリング５Ａを介して、ステンレス製のマニホ
ールド６により支持させている。マニホールド６は、シ
ール５Ｂを介してステンレス製の支持プレート９に固定
されている。半導体基板３は石英キャリア４に装填され
、石英キャリア４はステンレス製のシールプレート１０
により支持されている。シールプレート１０には、上下
動支持部１１が直結しており、上下動機構１１′により
、このプレート１０は上下運動する。シールプレート１
０が上端に移動したときには、シール５Ｃにより、支持
プレート１９との間で真空シールが形成される。石英管
２、マニホールド６およびシールプレート１０によって
区画形成される真空室内は、真空排気口７から真空排気
系７′により真空排気させる。通常、反応生成プロセス
中において真空室内の圧力が０．５Ｔｏｒｒ程度に保た
れる真空室内には、ガス導入口８を介して反応ガスが導
入される。この反応ガス雰囲気中で、基板３は外周ヒー
ター１によって加熱され、これにより熱化学反応が生じ
、基板３の表面上に各種の薄膜が生成される。

【０００３】また、従来においては、石英管を二重にし
た二重管方式の構造も知られているが、本質的には、反
応生成に関しては、図７に示す一重管タイプと同一であ
るので、ここでは言及しない。

【０００４】このような構造の縦形ＬＰＣＶＤ装置にお
いては、反応室内にシリコン基板等を装填した石英キャ
リアを挿入する際、あるいはプロセス処理終了後に反応
室内から石英キャリアを取り出す際に、反応室内が一旦
大気圧に戻され、しかる後に、石英キャリアの挿入、取
り出しが行われる。このために、かかる操作の際、高温
状態の基板が大気（空気）に直接さらされ、かつ反応室
内部にも空気が混入してしまう。この結果、以下のよう
な問題点が生ずる。

【０００５】すなわち、基板を取り出す際に、高温に加
熱された基板等の表面が空気中の酸素および水分によっ
て酸化されてしまう。また、反応室内の石英管内壁に付
着している反応生成物が同様に酸化して、パーティクル
発生の原因となる。更には基板、石英キャリアを反応室
内に収容した際にも反応室内の残留空気により、基板表
面がプロセス処理前に酸化してしまう。

【０００６】これらの問題点を解決するために、反応室
の他に前室を有する２室方式のロードロック機構が提案
されている。その代表的な構造例を図８に示してある。図に示すように、石英管２″に囲まれた反応室２′の形
状は、上述した図７の例と同様である。しかし、本例で
は、マニホールド６″の直下に、ゲートバルブ２２が設
けられており、このゲートバルブ２２の下方には、真空
シール２３を介して前室用真空室２４が設置されている
。真空室２４の内部は前室２４′となっており、この前
室２４′は、真空排気口２５から真空排気系２５′によ
り真空排気される。この例では、反応室２′と前室２４
′とは、ゲートバルブ２２により遮断できる構造となっ
ている。基板の挿入、取り出しは、上下動機構２６によ
り、石英キャリア４″を降下させて、図において破線で
示す下方位置２７迄移動させ、次にゲートバルブ２２を
閉じて反応室を密閉し、しかる後に、前室２４′を一旦
大気圧に戻して、前室ドア２８を開いてから行われる。

【０００７】一方、基板を装着した石英キャリア４″を
反応室２′に収容する動作は、前室ドア２８を閉じて、
前室２４′を真空排気し、前室２４′内が充分な真空圧
力に達した後に、ゲートバルブ２２を開き、上下動機構
２６によりシールプレート１０″を上昇させるという手
順で行われる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな２室方式のロードロック機構においても次のような
問題点が依然として残っている。

【０００９】まず、基板の装着、取り出しの際には、前
室内を一旦大気圧に戻さなければならない。このため、
基板装着後に、再度真空引きしても、前室内に空気が或
る程度残留してしまうことは避けられない。即ち、例え
ば空気の平均分子存在数が２．６８×１０１９個／ｃｍ
３　とした場合には、１０−６程度の高真空状態に到達
したとしても、尚１０１０個／ｃｍ３　程度の空気分子
が、この前室内に残留することになる。よってこの残留
空気による基板表面などの酸化は避けられない。

【００１０】次に、上下動機構部が前室の内部に設置さ
れているので、機械的駆動部から金属汚染物質、パーテ
ィクル等が発生し、これらが基板表面に付着してしまう
。

【００１１】本発明の課題は、このような従来の問題点
に着目し、空気の混入および残留を極力回避でき、また
機械的駆動部による汚染やパーティクルの発生も極力回
避できる気相化学反応生成装置のロードロック機構を実
現することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明の気相化学反応生成装置においては、基板
の装着および取り出しを行うための前室と、基板表面に
化学反応生成プロセスにより薄膜を形成するための反応
生成室との間に、中間室を形成した３室構成を採用して
、この中間室を、前室が基板の装着および取り出しのた
めの大気開放された場合においても、反応生成室は大気
側とは完全に分離した気密状態にするためのバッファ室
として機能させるようにしている。

【００１３】また、本発明においては、前室および反応
生成室の間で基板を搬送せさる搬送手段を構成する部材
を極力中間室の外部に配置する構成を採用し、これによ
って、このような搬送手段を構成する各部材から発生す
るパーティクルなどが基板表面に付着することを回避す
るようにしている。

【００１４】すなわち、本発明における気相化学反応生
成装置のロードロック機構は、基板を出し入れするため
の開閉部を備え、この開閉部を閉鎖した場合には実質的
な気密状態となる前室と、前記基板の表面上に薄膜を形
成するための実質的に気密状態の反応生成室と、前記前
室および反応生成室のそれぞれ連通した前室側連通口お
よび反応生成室側連通口および、これらの連通口を密閉
する密閉手段を備えた実質的に気密状態の中間室と、前
記開閉部を介して前記前室内に入れられた前記基板を前
記中間室を通って前記反応生成室内に搬送すると共に、
この反応生成室内で処理された後の前記基板を前記中間
室を通って前記前室内に戻す基板搬送手段とを有するこ
とを特徴としている。

【００１５】また、本発明において上記の基板搬送手段
は、前記基板を装着する基板装着部と、この基板装着部
を前記前室側連通口を通して前記前室および前記中間室
との間を往復動させる第１の駆動部と、この第１の駆動
部によって前記前室側連通口から前記中間室内に移動さ
れた前記基板装着部を前記反応生成室側連通口を通して
、前記中間室および前記反応生成室との間を往復動させ
る第２の駆動部とを有している。

【００１６】この第１の駆動部を構成する駆動源は前記
前室の外部に配置され、この駆動源からの駆動力を前記
基板装着部に伝達する伝達部材は、前記前室を形成する
外壁に形成した貫通穴を通って、前記前室内に延びてい
る。さらには、この貫通穴と前記前室の内部との間は、
前記伝達部材の外周に配置された回転磁気シール・ユニ
ットによって実質的に気密状態となるように区画されて
いる。

【００１７】又、上記第２の駆動部を構成する駆動源は
前記中間室の外部に配置され、この駆動源からの駆動力
を前記基板装着部に伝達する伝達部材は、前記中間室を
形成する外壁に形成した貫通穴を通って前記中間室内に
延びている。さらには、この貫通穴と前記中間室の内部
との間は、前記伝達部材の外周に配置され、この伝達部
材の移動方向に向けて伸縮自在となったベローズと、こ
のベローズと前記伝達部材との間に配置したシール手段
とによって実質的に気密状態となるように区画されてい
る。

【００１８】

【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例を説明
する。

【００１９】第１図乃至第３図には本例のＣＶＤ装置を
示してある。

【００２０】（構成の説明）これらの図に示すように、
装置３１は、ステンレススティールからなる箱形をした
中間室３２と、この中間室３２の上壁３２ａ上に垂直方
向に配置された反応生成室３３と、中間室３２に対して
水平方向に配置された前室３４とを有している。中間室
３２と前室３４とは、前室側連通口３４ａの密閉手段で
あるゲート・バルブ５１を介して接続されている。

【００２１】前室３４は、全体として箱形形状をしてお
り、その中間室側の側壁には、矩形の開口が形成され、
この開口が中間室３２に連通する前室側連通口３４ａと
されている。上述したように、ここにはゲート・バルブ
５１が介在しており、ゲート・バルブ５１を閉じると、
この連通口３４ａは気密シールされた状態になる。図１
から分かるように、前室３４の側壁には、基板３７の出
し入れを行うための開口３４ｂが開いており、この開口
３４ｂには、開閉ドア３４ｃが取り付けられている。ま
た、前室３４の更に別の側壁部分には、前室３４内を真
空状態にするための真空排気ポート３４ｄが形成されて
おり、このポートは真空排気系３９の側に連通している
。

【００２２】一方、前室３４の内部には、第１の駆動部
３５が配置されている。この第１の駆動部３５は、基板
３７および基板装着部３８を、前室側連通口３４ａおよ
びゲート・バルブ５１を介して、前室３４および中間室
３２の間を往復動させるためのものである。この第１の
駆動部を駆動する駆動源３６は、前室３４の直下に配置
されている。駆動源３６からの駆動力を伝達する伝達部
材は、前室３４の底壁に形成された貫通穴を通って、第
１の駆動部３５に連結されている。この貫通穴と伝達部
材との間には回転磁気シールユニットが配置され、前室
３４内部の気密性が保持されている。

【００２３】なお、第１の駆動部３５は、市販されてい
る真空搬送ロボットを用いることができるので、本明細
書においてはその詳細な説明を省略する。また、反応生
成室３３の構成は、基本的には従来のものと同様である
ので、本明細書においては、その詳細な説明を省略する
。

【００２４】反応生成室３３の下端開口は、中間室の上
壁３２ａにおける前方側に開けた開口に対して気密状態
で連通しており、この部分が反応生成室３３と中間室３
２とを連通する反応生成室側連通口４０とされている。反応生成室３３の外周側壁には、図２から分かるように
、真空排気ポート３３ａが形成されており、この真空排
気ポート３３ａは真空排気系４１に連通している。

【００２５】中間室３２は、その側壁の途中位置に真空
排気ポート３２ｂを有し、このポートに真空排気系４２
に連通している。この中間室３２の上壁３２ａの後方側
にはほぼ垂直に起立した円筒突出部３２ｃが形成されて
いる。この円筒突出部３２ｃには、その中央部を貫通し
てリフト・シャフト４３が上下方向に延びている。リフ
ト・シャフト４３の下端は中間室３２内に配置した水平
支持ビーム４４の上面後方側に固定されている。この支
持ビーム４４の上面前方側には、上記の反応生成室側連
通口４０と同心状態になる位置に、円盤形のシール・プ
レート４５が固定されている。このシール・プレート４
５の上部には、垂直支持ロッド４６が固定されている。支持ロッド４６の上端には多数枚の基板３７を搭載可能
な基板装着部３８を装填できるようになっている。

【００２６】一方、中間室３２の上壁３２ａに形成した
反応室側連通口４０の周縁部分の直下には、石英製反応
管６２を支持したガス・リング４７が配置されている。このガス・リング４７を介して、反応管６２内に反応ガ
ス６１が導入される。このガス・リング４８と中間室上
壁３２ａとの間はＯリング４８によって気密状態とされ
ている。また、このガス・リング４８の中間室側の面に
は、同心状態にＯリング４８が取り付けられている。図
２において実線で示すように、シール・プレート４５が
その上端位置にある時には、このシール・プレート４５
とガス・リング４７との間の気密性がこのＯリング４９
によって得られる。

【００２７】次に、上記のリフト・シャフト４３の外周
には、このシャフトの軸線方向に伸縮可能なステンレス
スティール製の筒状ベローズ６３が配置されている。こ
のペローズ６３の上端は、円筒突出部３２ｃの上端に密
着固定され、その下端は、水平支持ビーム４４に密着固
定されている。さらに、リフト・シャフト４３の上端は
、これに直交した水平サポート・プレート６４の一端に
固定され、このサポート・プレート６４の他端は、上下
動駆動系６５に固定されている。

【００２８】本構成のＣＶＤ装置においては、ゲート・
バルブ５１を開閉することにより、前室３４と中間室３
２との間を連通および遮断することができる。また、中
間室３２と反応生成室３３との間を遮断するには、第２
の駆動部を構成する上下動駆動系６５により、リフト・
シャフト４３をその上端位置まで上昇させ、シール・プ
レート４５をＯリング４９を介してガス・リング４７に
密着させれば良い。

【００２９】（動作の説明）本例のＣＶＤ装置の動作手
順は次のようになる。

【００３０】（１）先ず、中間室３２および反応生成室
３３の内部を、両方共、高真空状態にしておく。

【００３１】（２）前室３４のドア３４ｃを開けて、基
板３７を基板装着部３８に装着する。

【００３２】この後、ドア３４ｃを再び閉じて、前室３
４内部の真空引きを開始する。

【００３３】（３）前室３４内部が一定の真空度に到達
した後は、ゲート・バルブ５１を開いて、第１の駆動部
３５により基板３７が搭載された基板装着部３８を、中
間室３２内部に搬入する。

【００３４】（４）第２の駆動部（６５）により、基板
装着部３８の受け渡し位置にまで、シール・プレート４
５を降下させる。すなわち、図２において想像線で示す
下端位置までシール・プレート４５を降下させる。シー
ル・プレートを受け渡し位置に設定した後に、第１の駆
動部３５の側から基板装着部３８を第２の駆動部（６５
）の側に移載する。

【００３５】（５）基板装着部３８の受け渡し終了後、
第１駆動部３５を前室３４内に後退させる。一方、第２
の駆動部（６５）により、シール・プレート４５を上昇
させ、反応室側連通口４０を密閉する（図２において実
線で示す）上端位置まで移動させる。

【００３６】（６）この後、反応生成室３３内において
、所定のＣＶＤプロセスを行う。プロセス終了後に、第
２の駆動部（６５）により、基板装着部３８を、第１の
駆動部３５への受け渡し位置にまで降下させる。

【００３７】（７）基板装着部３８を第１の駆動部３５
の側に引き渡した後に、第１の駆動部３５により、基板
装着部３８を前室３４内に戻し、ゲート・プレート５１
を閉鎖する。

【００３８】（８）前室３４内を大気圧に戻した後に、
ドア３４ｃを開けて基板３７を取り出す。

【００３９】本例のＣＶＤ装置によれば、次のような効
果が得られる。

【００４０】第１に、ＣＶＤ装置のロードロック機構と
して、前室、中間室、反応室の３室構造をとることによ
り、この中間室を、常時、高真空状態に保つことができ
る。

【００４１】このため、反応室内への空気の混入が極端
に少なくなり、空気酸化によるパーティクル発生を回避
できる。また、基板を反応室内に入れる操作、および取
り出す操作を、中間室内の高真空中で行うことがでるの
で、基板表面の酸化を回避することができる。

【００４２】第２に、昇降機構の駆動系を中間室の外部
に配置したので、機械駆動部からの汚染物質、パーティ
クルなどの発生を回避できる。

【００４３】第３に、基板装着部を支持しているステン
レススティール製のシール・プレート自体が、反応生成
室と中間室との間の真空シール部として機能する。従っ
て、高価でかつ耐熱性が悪いゲート・バルブを反応生成
室の密閉手段として用いる必要がなくなる。

【００４４】第４に、真空引きサイクルは、前室内に対
してのみ行えば良く、しかも、この前室の容積は比較的
小さくできるので、２室方式ロードロック機構に比べて
エネルギー効率が良く、装置の運転コストを低減できる
。

【００４５】なお、本例においては各室に真空雰囲気を
形成しているが、必ずしも真空を使用しなくても良い。例えば、真空状態にする代わりに、反応室、中間室、前
室内に、所要のプロセスに応じた適当な雰囲気ガス（例
えばＮ２　、Ａｒ等）を共通の経路、あるいはそれぞれ
独立の経路を介して導入しても良い。さらには、各室内
の圧力も真空から１気圧以上迄自由に設定できるので、
広範なプロセスに対して適用可能である。また、場合に
よっては、前室の手前に、さらに前処理室を配置しても
良い。この前処理室内で、例えば、無水ＨＦエッチング
等の前処理を基板に対して行えば、この後、一切の外気
に接触させることなしに、ＣＶＤプロセスを行うことが
可能である。

【００４６】（他の実施形態）上述の実施例では、反応
生成室を従来と同一の構成とし、真空シールを、石英管
とステンレススティール製マニホールドとの間で形成す
るようにしてある。この構造では、高真空シールの実現
が困難で、高温に対する耐久性が十分に得られない場合
もある。

【００４７】図４には、この点を考慮した本発明による
ＣＶＤ装置の構成例を示してある。

【００４８】図に示すように、ヒーター７６を含む反応
生成室３３の外周には、ステンレススティール製の円筒
形をした水冷機構付きシュラウド７３を配置してある。このシュラウド７３の上部は、Ｏリング７２により真空
シールされたトップ・プレート７１により密閉されてい
る。また、シュラウド７３の下部は、Ｏリング７４によ
り真空シールされて、ステンレススティール製のマニホ
ールド７５に連結されている。このような構造を採用す
ることにより、真空シールを全て金属と金属と間に形成
できるので高真空を得ることができる。また、８００〜
１２００℃の高温反応生成プロセスを実現することがで
きる。

【００４９】従って、本例の方式を採用すれば、外気を
遮断した状態で、シリコン・エピタキシャル成長プロセ
ス、シリコン・カーバイト薄膜形成、チタン・カーバイ
ト膜形成等の高温プロセスを高純度雰囲気中で実現でき
る。

【００５０】ここで、上述した各実施例は、前室、中間
室、反応生成室の３室により一つのＣＶＤ装置が構成さ
れている。しかし、応用範囲を広げ、生産性を向上させ
るためには、図５および図６に示す構成を採用すること
が望ましい。

【００５１】図５において、Ａは前室を示し、基板の出
し入れは前面ドアＡ′を介して行われる。この前室Ａの
周囲には、３組の中間室／反応生成室Ｂ１、Ｂ２および
Ｂ３が配置されている。これらの中間室／反応生成室Ｂ
１〜Ｂ３が単一の前室Ａを共用する構成となっている。前室、中間室および反応生成室の構成は、前述した実施
例と同様であるので、それらの説明は省略する。

【００５２】このような構成を採用することにより、単
一薄膜生成を行う場合には、生産性の向上を実現できる
。また、異種膜を連続的に形成することも可能となる。

【００５３】図６には、上記と異なった構成例を示して
ある。図において、Ｃ１、Ｃ２はそれぞれ前室を示し、
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は、それぞれ中間室／反応生成室を示
す。

【００５４】このような構成を採用することにより、図
５に示す例と同様の効果を得ることができる。また、プ
ロセス・シーケンスの自由度が増す。本例においても、
前室、中間室および反応生成室の構成は、最初に説明し
た実施例と同様であるので、それらの説明は省略する。

【００５５】なお、本発明は、実施例としてあげた、縦
型ＬＰＣＶＤ装置への応用の他にも、エピタキシャル成
長、有機金属ＣＶＤ、タングステン等の金属ＣＶＤ、プ
ラズマＣＶＤ、ＩＩＩ−Ｖ族ＣＶＤ、拡散炉プロセス、
およびその他のプロセス装置のロードロック機構として
広範な応用が可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
、ＣＶＤ装置のロードロック機構として、前室、中間室
および反応室の３室構成を採用しているので、中間室を
常時高真空状態に保持することによって、反応室内への
空気の進入を極力回避することが可能になり、空気酸化
によるパーティクルの発生を回避できるという効果が得
られる。また、基板は、このような高真空状態の中間室
から反応室内に搬入されると共に、反応室内から高真空
状態の中間室に取り出されるので、基板表面の酸化を回
避できるという効果が得られる。

【００５７】また、本発明においては、基板を搬送する
キャリアの駆動系を構成する部材を極力中間室の外側に
配置できる構造を採用しているので、これらの機械駆動
部から発生したパーティクル等によって基板表面が汚染
されてしまうことを最小限度に抑えることができるとい
う効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】　　本発明の一実施例のＣＶＤ装置を示す上面
図である。

【図２】　　図１の装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って切断し
た部分を示す概略図である。

【図３】　　図１の装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切
断した部分を示す概略断面図である。

【図４】　　図１の装置の変形例を示す説明図である。

【図５】　　図１の装置の変形例を示す説明図である。

【図６】　　図１の装置の変形例を示す説明図である。

【図７】　　従来のＣＶＤ装置の構成を示す概略断面図
である。

【図８】　　従来のＣＶＤ装置の別の構成を示す概略断
面図である。

【符号の説明】

３１・・・ＣＶＤ装置３２・・・中間室３３・・・反応生成室３４・・・前室３５・・・第１の駆動部３６・・・第１の駆動部の駆動源３７・・・基板３８・・・基板装着部３９、４１、４２・・・真空排気系４３・・・リフト・シャフト４４・・・支持ビーム４５・・・シール・プレート４６・・・支持ロッド４７・・・ガス・リング４８、４９・・・Ｏリング５１・・・ゲート・バルブ６２・・・石英製反応管６３・・・ベローズ６４・・・サポート・プレート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　実質的に外気を遮断した真空雰囲気中
で、シリコン・ウェーハ等の基板表面上に気相化学生成
反応を利用して薄膜を形成する気相化学反応生成装置に
おいて、基板を搬入および搬出するための開閉部を備え
、この開閉部を閉鎖した場合には実質的な気密状態とな
る前室と、基板の表面上に薄膜を形成するための実質的
に気密状態の反応生成室と、前記前室および反応生成室
に対して、それぞれ連通した前室側連通口および反応生
成室側連通口、並びにこれらの連通口を密閉する密閉手
段を備えた実質的に気密状態の中間室と、前記開閉部を
介して前記前室内に搬入された基板を前記中間室を通っ
て前記反応生成室内に搬入すると共に、この反応生成室
内で処理された後の基板を前記中間室を通って前記前室
内に戻す基板搬送手段と、を有することを特徴とする気
相化学反応生成装置のロードロック機構。
【請求項２】　　請求項１において、前記基板搬送手段
は、基板を装着する基板装着部と、この基板装着部を前
記前室側連通口を通して前記前室および前記中間室との
間を往復動させる第１の駆動部と、この第１の駆動部に
よって前記前室側連通口から前記中間室内に移動された
前記基板装着部を前記反応生成室連通口を通して、前記
中間室と前記反応生成室との間を往復動させる第２の駆
動部とを有しており、前記第１の駆動部は前記前室内に
設けられ、この第１の駆動部を構成する駆動源は前記前
室の外部に配置され、この駆動源からの駆動力を前記基
板装着部に伝達する伝達部材は、前記前室を形成する外
壁に形成した貫通穴を通って、前記前室内に延びており
、この貫通穴と前記前室の内部との間は、前記伝達部材
の外周に配置した回転磁気シール・ユニットによって、
実質的に気密状態に保持されており、前記第２の駆動部
を構成する駆動源は前記中間室の外部に配置され、この
駆動源からの駆動力を前記基板装着部に伝達する伝達部
材は、前記中間室を形成する外壁に形成した貫通穴を通
って前記中間室内に延びており、この貫通穴と前記中間
室の内部との間は、前記伝達部材の外周に配置され、こ
の伝達部材の移動方向に向けて伸縮自在となったベロー
ズと、このベローズと前記伝達部材との間に配置したシ
ール手段とによって、実質的に気密状態に区画されてい
ることを特徴とする気相化学反応生成装置のロードロッ
ク機構。
【請求項３】　　請求項２において、前記第２の駆動部
は、前記反応生成室側連通口を密閉可能なシール部材と
、前記基板装着部をこのシール部材上に支持する支持部
材と、このシール部材を前記第２の駆動部に連結するた
めの連結部材とを有しており、前記第２の駆動源によっ
て前記基板装着部が前記反応生成室内に位置決めされた
ときには、前記シール部材は、前記反応生成室側連通口
の外周部に当接して、前記反応生成室側連通口を密閉状
態に保持するようになっていることを特徴とする気相化
学反応生成装置のロードロック機構。
【請求項４】　　請求項１乃至３のいずれかの項におい
て、前記反応生成室の外周が、筒形状をした金属製の水
冷機構付きシュラウドにより覆われており、このシュラ
ウドの上端開口は、シール部材を介して金属製のトップ
・プレートにより密閉され、下端開口の側は、前記反応
生成室と前記中間室との間の連通部を形成する金属製の
マニホールドに対して、シール部材を介して連結されて
いることを特徴とする気相化学反応生成装置のロードロ
ック機構。
【請求項５】　　請求項１乃至４のいずれかの項におい
て、前記第２の駆動部を有する前記中間室および前記反
応生成室を一対として、これらを複数対、前記前室の周
囲に配置し、この前室と前記の各対との間には、それぞ
れ相互に連通した前室側連通口およびこれらの連通口の
それぞれを密閉する密閉手段を設け、これらの複数対の
それぞれにおける気密性を保持した状態で、これら各対
間を前記第１の駆動部によって前記基板装着部を往復動
可能としてあることを特徴とする気相化学生成装置のロ
ードロック機構。