JP3140096B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
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- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S156/912—Differential etching apparatus having a vertical tube reactor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ等の被
処理体の加熱等の処理に用いられる熱処理装置に関す
る。
処理体の加熱等の処理に用いられる熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は、半導体ウエハの熱処理による酸
化、ＣＶＤ処理等、半導体の製造に用いられる一般的な
熱処理装置の一部を示す。この熱処理装置には、被処理
体としてのウエハ２に加熱等の所定の処理を施す処理室
としてのプロセスチューブ４が設けられ、このプロセス
チューブ４の下側にはマニホルド６を介してロードロッ
ク室８が設けられている。マニホルド６はプロセスチュ
ーブ４とロードロック室８とを結合するための空間部で
あり、ロードロック室８は、プロセスチューブ４での被
処理前又は被処理後のウエハ２を外気と遮断する遮断空
間である。
化、ＣＶＤ処理等、半導体の製造に用いられる一般的な
熱処理装置の一部を示す。この熱処理装置には、被処理
体としてのウエハ２に加熱等の所定の処理を施す処理室
としてのプロセスチューブ４が設けられ、このプロセス
チューブ４の下側にはマニホルド６を介してロードロッ
ク室８が設けられている。マニホルド６はプロセスチュ
ーブ４とロードロック室８とを結合するための空間部で
あり、ロードロック室８は、プロセスチューブ４での被
処理前又は被処理後のウエハ２を外気と遮断する遮断空
間である。
【０００３】プロセスチューブ４は、石英等、被処理物
に対して影響を与えない耐熱材料で一端を閉塞した円筒
状筒体であって、ロードロック室８の上部に垂直に設置
されている。このように垂直にプロセスチューブ４を設
置した処理炉は縦型炉と称されている。このプロセスチ
ューブ４の周囲には、ウエハ２に対して必要な加熱等の
処理を行うため、ヒータ１０が設置されている。このヒ
ータ１０には電気的な加熱制御を行うため、加熱制御装
置が接続されており、プロセスチューブ４の処理温度
は、ＣＶＤ処理では５００〜１０００℃、酸化処理や拡
散処理では８００〜１２００℃に設定される。
に対して影響を与えない耐熱材料で一端を閉塞した円筒
状筒体であって、ロードロック室８の上部に垂直に設置
されている。このように垂直にプロセスチューブ４を設
置した処理炉は縦型炉と称されている。このプロセスチ
ューブ４の周囲には、ウエハ２に対して必要な加熱等の
処理を行うため、ヒータ１０が設置されている。このヒ
ータ１０には電気的な加熱制御を行うため、加熱制御装
置が接続されており、プロセスチューブ４の処理温度
は、ＣＶＤ処理では５００〜１０００℃、酸化処理や拡
散処理では８００〜１２００℃に設定される。
【０００４】このプロセスチューブ４の下端側に設置さ
れたマニホルド６には、処理に応じた処理ガスＧ1 をプ
ロセスチューブ４内に導入するガス導入管１２が設けら
れ、このガス導入管１２には図示しないガス源が制御弁
等を介して接続されている。例えば、ＣＶＤ処理の処理
ガスとして、ポリシリコン膜を形成する場合にはＳｉＨ
4 、シリコン窒化膜を形成する場合にはＮＨ4 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 がガス導入管１２を通して導入され、また、パ
ージのための処理ガスとして例えば、Ｎ2 ガス等が導入
される。
れたマニホルド６には、処理に応じた処理ガスＧ1 をプ
ロセスチューブ４内に導入するガス導入管１２が設けら
れ、このガス導入管１２には図示しないガス源が制御弁
等を介して接続されている。例えば、ＣＶＤ処理の処理
ガスとして、ポリシリコン膜を形成する場合にはＳｉＨ
4 、シリコン窒化膜を形成する場合にはＮＨ4 、ＳｉＨ
2 Ｃｌ2 がガス導入管１２を通して導入され、また、パ
ージのための処理ガスとして例えば、Ｎ2 ガス等が導入
される。
【０００５】このプロセスチューブ４内には石英等の耐
熱材料で形成された円筒状の隔壁１４が設けられてお
り、処理ガスはマニホルド６側からプロセスチューブ４
を下方から上方に移動した後、隔壁１４の外側に移動し
て再びマニホルド６に戻る。即ち、隔壁１４の外面部に
おけるマニホルド６には循環させた処理ガスＧ1 又は初
期状態の空気を排出するための排気部として排気管１６
が連結されており、この排気管１６には図示していない
真空装置が接続されている。処理ガスＧ1 や空気は、こ
の真空装置を通して強制的に排出される。
熱材料で形成された円筒状の隔壁１４が設けられてお
り、処理ガスはマニホルド６側からプロセスチューブ４
を下方から上方に移動した後、隔壁１４の外側に移動し
て再びマニホルド６に戻る。即ち、隔壁１４の外面部に
おけるマニホルド６には循環させた処理ガスＧ1 又は初
期状態の空気を排出するための排気部として排気管１６
が連結されており、この排気管１６には図示していない
真空装置が接続されている。処理ガスＧ1 や空気は、こ
の真空装置を通して強制的に排出される。
【０００６】また、このプロセスチューブ４には、ロー
ドロック室８側から被処理体としてのウエハ２がウエハ
ボート１８によって搬出入される。また、マニホルド６
のロードロック室８側の開口部１９にはロードロック室
８との遮断手段としてシャッタ２０が設置されている。
このシャッタ２０は、プロセスチューブ４からウエハボ
ート１８がアンローディングされたとき、そのアンロー
ディングに連動してマニホルド６の開口部１９を閉塞す
る。
ドロック室８側から被処理体としてのウエハ２がウエハ
ボート１８によって搬出入される。また、マニホルド６
のロードロック室８側の開口部１９にはロードロック室
８との遮断手段としてシャッタ２０が設置されている。
このシャッタ２０は、プロセスチューブ４からウエハボ
ート１８がアンローディングされたとき、そのアンロー
ディングに連動してマニホルド６の開口部１９を閉塞す
る。
【０００７】そして、ロードロック室８には、ウエハボ
ート１８を昇降させ、プロセスチューブ４にウエハ２を
ロード、アンロードさせるための上下動機構としてボー
トエレベータ２２が設置されている。このボートエレベ
ータ２２の上面にはウエハボート１８を支持して均熱領
域を形成するための保温筒２４が載置されており、この
保温筒２４にはローディング時、マニホルド６の開口面
を閉塞するためのキヤップ２６が形成されている。即
ち、ローディング時、シャッタ２０が開き、マニホルド
６はキャップ２６によって閉塞されてロードロック室８
と遮断される。
ート１８を昇降させ、プロセスチューブ４にウエハ２を
ロード、アンロードさせるための上下動機構としてボー
トエレベータ２２が設置されている。このボートエレベ
ータ２２の上面にはウエハボート１８を支持して均熱領
域を形成するための保温筒２４が載置されており、この
保温筒２４にはローディング時、マニホルド６の開口面
を閉塞するためのキヤップ２６が形成されている。即
ち、ローディング時、シャッタ２０が開き、マニホルド
６はキャップ２６によって閉塞されてロードロック室８
と遮断される。
【０００８】また、このロードロック室８には、その壁
面部に処理前又は処理後のウエハ２の搬入又は搬出を行
うためのゲート２８が設けられ、このゲート２８には図
示しないゲートバルブが設置されている。そして、この
ロードロック室８には、その壁面部にガス導入管３０及
び排気管３２が設けられており、ガス導入管３０にはロ
ードロック室８を非酸化雰囲気とするための不活性ガス
のパージガスＧ2 等のガス源に接続され、また、排気管
３２には真空装置が接続されている。即ち、ロードロッ
ク室８は、排気管３２を通して真空引きされるととも
に、ガス導入管３０を通して供給されたガスＧ2 又は空
気の排出が行われる。
面部に処理前又は処理後のウエハ２の搬入又は搬出を行
うためのゲート２８が設けられ、このゲート２８には図
示しないゲートバルブが設置されている。そして、この
ロードロック室８には、その壁面部にガス導入管３０及
び排気管３２が設けられており、ガス導入管３０にはロ
ードロック室８を非酸化雰囲気とするための不活性ガス
のパージガスＧ2 等のガス源に接続され、また、排気管
３２には真空装置が接続されている。即ち、ロードロッ
ク室８は、排気管３２を通して真空引きされるととも
に、ガス導入管３０を通して供給されたガスＧ2 又は空
気の排出が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
熱処理装置において、プロセスチューブ４に対して処理
すべきウエハ２の搬出入をするとともに、マニホルド６
の開口部１９を開閉する手段としてボートエレベータ２
２が設置されている。そして、このボートエレベータ２
２には上下動を行うためのボールねじ等によって構成さ
れる駆動機構３４が設けられている。このボートエレベ
ータ２２は、数十枚のウエハ２とともにウエハボート１
８を載せ、かつ、マニホルド６の開口部１９を閉塞する
キャップ２６を支持しており、マニホルド６の開口部１
９の閉塞時には、このキャップ２６をマニホルド６の開
口部１９に緩やかに当接する必要がある。マニホルド６
はステンレススチールで形成される場合もあるが、石英
等で形成される場合には、閉塞時、マニホルド６側に衝
撃が加わると、破壊するおそれがある。また、マニホル
ド６の開口部１９とキャップ２６とは、マニホルド６側
の気密性保持等の要請から、一定の密着度を以て密着さ
せて置く必要がある。
熱処理装置において、プロセスチューブ４に対して処理
すべきウエハ２の搬出入をするとともに、マニホルド６
の開口部１９を開閉する手段としてボートエレベータ２
２が設置されている。そして、このボートエレベータ２
２には上下動を行うためのボールねじ等によって構成さ
れる駆動機構３４が設けられている。このボートエレベ
ータ２２は、数十枚のウエハ２とともにウエハボート１
８を載せ、かつ、マニホルド６の開口部１９を閉塞する
キャップ２６を支持しており、マニホルド６の開口部１
９の閉塞時には、このキャップ２６をマニホルド６の開
口部１９に緩やかに当接する必要がある。マニホルド６
はステンレススチールで形成される場合もあるが、石英
等で形成される場合には、閉塞時、マニホルド６側に衝
撃が加わると、破壊するおそれがある。また、マニホル
ド６の開口部１９とキャップ２６とは、マニホルド６側
の気密性保持等の要請から、一定の密着度を以て密着さ
せて置く必要がある。
【００１０】また、プロセスチューブ４やマニホルド６
の垂直度が高精度に設定されていても、キャップ２６の
水平度と保温筒２４上に載置されたウエハボート１８の
垂直度を両立させることは困難であり、キャップ２６の
水平度とウエハボート１８の垂直度が両立して得られな
い状態でキャップ２６をマニホルド６に密着させると、
キャップ２６の上部に載置されているウエハボート１８
が傾斜した状態でプロセスチューブ４内に収容されるこ
とになる。このような状態でウエハ２に成膜処理等を施
した場合、ウエハボート１８のウエハ２に対する処理ガ
スの循環密度が偏るとともに、ヒータ１０と間隔変化か
ら均熱性も損なわれることから、ウエハ２に対する処理
が不均一になり、不良率が高くなるおそれがある。
の垂直度が高精度に設定されていても、キャップ２６の
水平度と保温筒２４上に載置されたウエハボート１８の
垂直度を両立させることは困難であり、キャップ２６の
水平度とウエハボート１８の垂直度が両立して得られな
い状態でキャップ２６をマニホルド６に密着させると、
キャップ２６の上部に載置されているウエハボート１８
が傾斜した状態でプロセスチューブ４内に収容されるこ
とになる。このような状態でウエハ２に成膜処理等を施
した場合、ウエハボート１８のウエハ２に対する処理ガ
スの循環密度が偏るとともに、ヒータ１０と間隔変化か
ら均熱性も損なわれることから、ウエハ２に対する処理
が不均一になり、不良率が高くなるおそれがある。
【００１１】そこで、この発明は、マニホルドの開口部
とキャップとの密着性を高めるとともに、プロセスチュ
ーブに対して被処理体が傾斜状態で収容されるのを防止
した熱処理装置の提供を目的とする。
とキャップとの密着性を高めるとともに、プロセスチュ
ーブに対して被処理体が傾斜状態で収容されるのを防止
した熱処理装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の熱処理装置
は、プロセスチューブ（４）に被処理体（ウエハ２）を
収容し、この被処理体に熱処理を行う熱処理装置であっ
て、前記プロセスチューブの開口部側に設置されている
マニホルド（６）の開口部（１９）外に設置され、前記
プロセスチューブに挿入される保温筒（２４）を回転軸
（５２）を介在させて回転可能に支持するとともに、前
記保温筒を上下方向に移動させる上下動機構（ボートエ
レベータ２２）と、前記回転軸を貫通させて前記プロセ
スチューブの開口部側に設置され、前記マニホルドの開
口部を気密保持部材（Ｏリング３４）を介在させて開閉
するキャップ（２６）と、前記上下動機構の支持フレー
ム（３６）上に前記回転軸を中心にし、所定の角度間隔
を設けて立設した複数の支持軸（４０）及びスプリング
（４６）を備えて前記キャップを前記上下動機構上に弾
性的に支持する弾性支持機構（支持機構３８）と、前記
上下動機構と前記キャップとの間に伸縮可能に設置され
て前記回転軸を包囲し、前記キャップ側の気密性を保持
する気密保持手段（ベローズ５８）とを備えたことを特
徴とする。
は、プロセスチューブ（４）に被処理体（ウエハ２）を
収容し、この被処理体に熱処理を行う熱処理装置であっ
て、前記プロセスチューブの開口部側に設置されている
マニホルド（６）の開口部（１９）外に設置され、前記
プロセスチューブに挿入される保温筒（２４）を回転軸
（５２）を介在させて回転可能に支持するとともに、前
記保温筒を上下方向に移動させる上下動機構（ボートエ
レベータ２２）と、前記回転軸を貫通させて前記プロセ
スチューブの開口部側に設置され、前記マニホルドの開
口部を気密保持部材（Ｏリング３４）を介在させて開閉
するキャップ（２６）と、前記上下動機構の支持フレー
ム（３６）上に前記回転軸を中心にし、所定の角度間隔
を設けて立設した複数の支持軸（４０）及びスプリング
（４６）を備えて前記キャップを前記上下動機構上に弾
性的に支持する弾性支持機構（支持機構３８）と、前記
上下動機構と前記キャップとの間に伸縮可能に設置され
て前記回転軸を包囲し、前記キャップ側の気密性を保持
する気密保持手段（ベローズ５８）とを備えたことを特
徴とする。
【００１３】
【００１４】
【作用】この熱処理装置では、マニホルドを開閉すべき
キャップが支持機構に弾性的に支持されており、支持機
構を通してキャップはマニホルドに緩やかに当接されて
閉塞されるとともに、弾性的なキャップの支持によって
マニホルドとキャップとが密着状態となる。そして、支
持機構とキャップとの間には伸縮可能な気密保持手段が
設置されており、支持機構に対するキャップの弾性的な
支持と協働し、キャップとマニホルドとの間の気密保持
が行われる。
キャップが支持機構に弾性的に支持されており、支持機
構を通してキャップはマニホルドに緩やかに当接されて
閉塞されるとともに、弾性的なキャップの支持によって
マニホルドとキャップとが密着状態となる。そして、支
持機構とキャップとの間には伸縮可能な気密保持手段が
設置されており、支持機構に対するキャップの弾性的な
支持と協働し、キャップとマニホルドとの間の気密保持
が行われる。
【００１５】そして、キャップが支持機構を以て弾性的
に支持されているので、マニホルドにキャップを密着さ
せたとき、その弾性力によってキャップ側の傾きが吸収
される結果、キャップ上の被処理体はマニホルドの開口
部即ち、プロセスチューブの開口部を基準にした垂直度
が維持される。即ち、キャップは、プロセスチューブの
開口部を基準にした自己整合が行われてマニホルドに当
接され、被処理体の中心軸とプロセスチューブの中心軸
とを合致させることと、マニホルドの開口部をキャップ
で閉塞することとを両立させることができ、被処理体の
傾きに起因する処理の不均一性が防止できる。また、昇
降機構側の精度低下を補償できるとともに、昇降機構側
への精度の要求が緩和されて設計の自由度が高められ
る。
に支持されているので、マニホルドにキャップを密着さ
せたとき、その弾性力によってキャップ側の傾きが吸収
される結果、キャップ上の被処理体はマニホルドの開口
部即ち、プロセスチューブの開口部を基準にした垂直度
が維持される。即ち、キャップは、プロセスチューブの
開口部を基準にした自己整合が行われてマニホルドに当
接され、被処理体の中心軸とプロセスチューブの中心軸
とを合致させることと、マニホルドの開口部をキャップ
で閉塞することとを両立させることができ、被処理体の
傾きに起因する処理の不均一性が防止できる。また、昇
降機構側の精度低下を補償できるとともに、昇降機構側
への精度の要求が緩和されて設計の自由度が高められ
る。
【００１６】また、支持機構に対するキャップの支持
は、キャップの所定角度だけ変位した複数箇所を支持位
置に設定し、この支持位置にスプリングを介在させた支
持軸を以て行うようにしたので、キャップは支持機構及
びマニホルドの開口部との間に変位を生じることなく、
安定した弾性的な支持状態が得られる。そして、弾性的
な支持状態により、キャップをマニホルドに対して弾性
的に当接させることができる。仮に、支持機構を急激に
移動させてキャップをマニホルドに移動させても、マニ
ホルドとキャップと間にはスプリングが介在することに
なり、両者間の生ずる衝撃力はそのスプリングで吸収さ
れ、キャップとマニホルドとは緩やかな当接状態が得ら
れる。そして、スプリングの圧接力は、支持機構を通し
てキャップからマニホルドに作用し、マニホルドとキャ
ップとの密着状態を維持するのに寄与するのである。
は、キャップの所定角度だけ変位した複数箇所を支持位
置に設定し、この支持位置にスプリングを介在させた支
持軸を以て行うようにしたので、キャップは支持機構及
びマニホルドの開口部との間に変位を生じることなく、
安定した弾性的な支持状態が得られる。そして、弾性的
な支持状態により、キャップをマニホルドに対して弾性
的に当接させることができる。仮に、支持機構を急激に
移動させてキャップをマニホルドに移動させても、マニ
ホルドとキャップと間にはスプリングが介在することに
なり、両者間の生ずる衝撃力はそのスプリングで吸収さ
れ、キャップとマニホルドとは緩やかな当接状態が得ら
れる。そして、スプリングの圧接力は、支持機構を通し
てキャップからマニホルドに作用し、マニホルドとキャ
ップとの密着状態を維持するのに寄与するのである。
【００１７】
【実施例】図１及び図２は、この発明の熱処理装置の一
実施例を示し、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であり、図
６に示した熱処理装置と同一部分には同一符号が付して
ある。プロセスチューブ４の開口部側に設置されたマニ
ホルド６には真円を成す開口部１９が形成されている。
この開口部１９を開閉するための開閉手段として板状の
キャップ２６が設置されている。キャップ２６は、マニ
ホルド６の開口部１９の形状に対応した閉塞可能な面を
持つ板状を成し、開口部１９の端面部に対応する位置に
はゴム等の弾性材料で形成された気密保持手段としてＯ
リング３４が設置されている。
実施例を示し、図２は図１のＡ−Ａ線断面図であり、図
６に示した熱処理装置と同一部分には同一符号が付して
ある。プロセスチューブ４の開口部側に設置されたマニ
ホルド６には真円を成す開口部１９が形成されている。
この開口部１９を開閉するための開閉手段として板状の
キャップ２６が設置されている。キャップ２６は、マニ
ホルド６の開口部１９の形状に対応した閉塞可能な面を
持つ板状を成し、開口部１９の端面部に対応する位置に
はゴム等の弾性材料で形成された気密保持手段としてＯ
リング３４が設置されている。
【００１８】キャップ２６は、上下動機構としてのボー
トエレベータ２２の支持フレーム３６の上に弾性的な複
数の支持機構３８を以て支持されている。各支持機構３
８は、キャップ２６の中心角度を等分した角度位置、こ
の実施例では、１２０°ずつ偏倚させた位置に設定され
ている。即ち、キャップ２６には、支持フレーム３６を
摺動可能に貫通させた支持軸４０が固定されており、支
持フレーム３６を貫通した支持軸４０の下端部にはフラ
ンジ部４２がボルト４４を以て固定され、フランジ部４
２によってキャップ２６の移動範囲が設定されている。
そして、キャップ２６と支持フレーム３６の間には弾性
手段としてコイルスプリング４６が設置されており、こ
のコイルスプリング４６は支持軸４０によって支持され
ているとともに、キャップ２６側に取り付けられた円筒
形を成す防護筒４８で防護されている。
トエレベータ２２の支持フレーム３６の上に弾性的な複
数の支持機構３８を以て支持されている。各支持機構３
８は、キャップ２６の中心角度を等分した角度位置、こ
の実施例では、１２０°ずつ偏倚させた位置に設定され
ている。即ち、キャップ２６には、支持フレーム３６を
摺動可能に貫通させた支持軸４０が固定されており、支
持フレーム３６を貫通した支持軸４０の下端部にはフラ
ンジ部４２がボルト４４を以て固定され、フランジ部４
２によってキャップ２６の移動範囲が設定されている。
そして、キャップ２６と支持フレーム３６の間には弾性
手段としてコイルスプリング４６が設置されており、こ
のコイルスプリング４６は支持軸４０によって支持され
ているとともに、キャップ２６側に取り付けられた円筒
形を成す防護筒４８で防護されている。
【００１９】また、支持フレーム３６の下面側には、回
転駆動手段としてのモータ５０が取り付けられており、
その回転軸５２はキャップ２６の中心部に設けられた貫
通孔５４を貫通して、キャップ２６の上面にその端部が
突出している。このキャップ２６の端部にはキャップ２
６から一定の間隔を以て円板状を成す保温筒受５６が取
り付けられており、この保温筒受５６には保温筒２４が
設置され、図６に示すように、その上にウエハボート１
８が設置される。したがって、保温筒受５６及び保温筒
２４は、支持フレーム３６に取り付けられているモータ
５０を以て回転する。
転駆動手段としてのモータ５０が取り付けられており、
その回転軸５２はキャップ２６の中心部に設けられた貫
通孔５４を貫通して、キャップ２６の上面にその端部が
突出している。このキャップ２６の端部にはキャップ２
６から一定の間隔を以て円板状を成す保温筒受５６が取
り付けられており、この保温筒受５６には保温筒２４が
設置され、図６に示すように、その上にウエハボート１
８が設置される。したがって、保温筒受５６及び保温筒
２４は、支持フレーム３６に取り付けられているモータ
５０を以て回転する。
【００２０】そして、キャップ２６の貫通孔５４を外気
と遮断するため、キャップ２６の下面部と支持フレーム
３６の上面部との間には、回転軸５２を包囲して気密性
を保持する伸縮可能な気密保持手段としてベローズ５８
が取り付けられている。即ち、ベローズ５８は支持機構
３８によるキャップ２６の上下動に対応して伸縮し、キ
ャップ２６の上下動に無関係に貫通孔５４を閉塞してマ
ニホルド６の気密性を保持する。
と遮断するため、キャップ２６の下面部と支持フレーム
３６の上面部との間には、回転軸５２を包囲して気密性
を保持する伸縮可能な気密保持手段としてベローズ５８
が取り付けられている。即ち、ベローズ５８は支持機構
３８によるキャップ２６の上下動に対応して伸縮し、キ
ャップ２６の上下動に無関係に貫通孔５４を閉塞してマ
ニホルド６の気密性を保持する。
【００２１】以上の構成において、動作を説明する。図
３の（Ａ）に示すように、ボートエレベータ２２を矢印
Ｃで示す方向に上昇させると、このボートエレベータ２
２とともにキャップ２６はマニホルド６の開口部１９に
向かって上昇する。このとき、保温筒２４はマニホルド
６の内部を上昇し、その上のウエハボート１８はプロセ
スチューブ４の内部に移送される。
３の（Ａ）に示すように、ボートエレベータ２２を矢印
Ｃで示す方向に上昇させると、このボートエレベータ２
２とともにキャップ２６はマニホルド６の開口部１９に
向かって上昇する。このとき、保温筒２４はマニホルド
６の内部を上昇し、その上のウエハボート１８はプロセ
スチューブ４の内部に移送される。
【００２２】図３の（Ｂ）に示すように、ボートエレベ
ータ２２を上昇させると、キャップ２６はマニホルド６
の開口部１９に当接するとともに、ボートエレベータ２
２の上昇に伴う加圧力が支持機構３８のコイルスプリン
グ４６に作用して圧縮される。この圧縮によってボート
エレベータ２２による加圧力は吸収され、キャップ２６
はマニホルド６の開口部１９に弾性的に圧接されること
になる。この結果、キャップ２６とマニホルド６の開口
部１９との密接状態が安定した状態で保持されることに
なる。同時に、ベローズ５８は圧縮状態となるが、この
ベローズ５８によってキャップ２６の貫通孔５４が閉塞
され、マニホルド６の気密性が保持される。
ータ２２を上昇させると、キャップ２６はマニホルド６
の開口部１９に当接するとともに、ボートエレベータ２
２の上昇に伴う加圧力が支持機構３８のコイルスプリン
グ４６に作用して圧縮される。この圧縮によってボート
エレベータ２２による加圧力は吸収され、キャップ２６
はマニホルド６の開口部１９に弾性的に圧接されること
になる。この結果、キャップ２６とマニホルド６の開口
部１９との密接状態が安定した状態で保持されることに
なる。同時に、ベローズ５８は圧縮状態となるが、この
ベローズ５８によってキャップ２６の貫通孔５４が閉塞
され、マニホルド６の気密性が保持される。
【００２３】そして、支持機構３８によるマニホルド６
とキャップ２６との弾性的な圧接の結果、プロセスチュ
ーブ４の内部中央に被処理体としてのウエハ２が設置さ
れることになるので、処理ガスの回り込みや熱伝導が均
等化されてプロセスチューブ４内での処理の均一性が高
められることになる。
とキャップ２６との弾性的な圧接の結果、プロセスチュ
ーブ４の内部中央に被処理体としてのウエハ２が設置さ
れることになるので、処理ガスの回り込みや熱伝導が均
等化されてプロセスチューブ４内での処理の均一性が高
められることになる。
【００２４】次に、図４及び図５は、この発明の熱処理
装置の他の実施例を示す。前記実施例では、ボートエレ
ベータ２２の支持フレーム３６の下面部側にモータ５０
を設置した場合について説明したが、この実施例では、
モータ５０を設置していない場合を示す。このような熱
処理装置においても、同様に支持機構３８を設置してキ
ャップ２６とマニホルド６との間の密接状態を弾性的に
保持させることができ、しかも、キャップ２６の貫通孔
５４はベローズ５８を以て閉塞され、貫通孔５４におけ
る気密性が保持されている。したがって、このような実
施例によっても前記実施例と同様な作用効果が得られ
る。
装置の他の実施例を示す。前記実施例では、ボートエレ
ベータ２２の支持フレーム３６の下面部側にモータ５０
を設置した場合について説明したが、この実施例では、
モータ５０を設置していない場合を示す。このような熱
処理装置においても、同様に支持機構３８を設置してキ
ャップ２６とマニホルド６との間の密接状態を弾性的に
保持させることができ、しかも、キャップ２６の貫通孔
５４はベローズ５８を以て閉塞され、貫通孔５４におけ
る気密性が保持されている。したがって、このような実
施例によっても前記実施例と同様な作用効果が得られ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、次の効果が得られる。ａ．プロセスチューブの開口
部側に設置されたマニホルドを支持機構に弾性的に支持
されたキャップを以て弾性的に閉じることができるとと
もに、マニホルドに対してキャップを弾性的に密着保持
させることができ、閉塞に伴うマニホルド側への振動や
衝撃を与えてマニホルドを損傷等の不都合が生じること
がなく、しかも、安定した閉塞状態を維持することがで
き、マニホルドの破壊の防止とともに信頼性のある処理
を実現できる。ｂ．キャップの水平度と保温筒上に載置
された被処理体の垂直度とが両立していない場合にも、
キャップを弾性的にマニホルドに密着させることがで
き、その場合に被処理体の垂直度を損なうことがないの
で、キャップの上部に載置されている被処理体が傾斜し
た状態でプロセスチューブ内に収容されることはなく、
被処理体に対する処理ガスの循環密度の偏りや均熱性の
低下等を防止でき、処理の均一性を高め、被処理体の不
良率の低下を防止できる。
ば、次の効果が得られる。ａ．プロセスチューブの開口
部側に設置されたマニホルドを支持機構に弾性的に支持
されたキャップを以て弾性的に閉じることができるとと
もに、マニホルドに対してキャップを弾性的に密着保持
させることができ、閉塞に伴うマニホルド側への振動や
衝撃を与えてマニホルドを損傷等の不都合が生じること
がなく、しかも、安定した閉塞状態を維持することがで
き、マニホルドの破壊の防止とともに信頼性のある処理
を実現できる。ｂ．キャップの水平度と保温筒上に載置
された被処理体の垂直度とが両立していない場合にも、
キャップを弾性的にマニホルドに密着させることがで
き、その場合に被処理体の垂直度を損なうことがないの
で、キャップの上部に載置されている被処理体が傾斜し
た状態でプロセスチューブ内に収容されることはなく、
被処理体に対する処理ガスの循環密度の偏りや均熱性の
低下等を防止でき、処理の均一性を高め、被処理体の不
良率の低下を防止できる。
【図１】この発明の熱処理装置の一実施例を示す一部を
切り欠いた平面図である。
切り欠いた平面図である。
【図２】図１に示した熱処理装置にマニホルド及び保温
筒を付加した場合のＡ−Ａ線に係る断面図である。
筒を付加した場合のＡ−Ａ線に係る断面図である。
【図３】図１に示した熱処理装置の動作を示す縦断面図
である。
である。
【図４】この発明の熱処理装置の他の実施例を示す一部
を切り欠いた平面図である。
を切り欠いた平面図である。
【図５】図４に示した熱処理装置にマニホルド及び保温
筒を付加した場合のＢ−Ｂ線に係る断面図である。
筒を付加した場合のＢ−Ｂ線に係る断面図である。
【図６】従来の熱処理装置の示す縦断面図である。
２ ウエハ（被処理体） ４ プロセスチューブ ６ マニホルド １９ 開口部 ２２ ボートエレベータ（上下動機構） ２６ キャップ ３８ 支持機構 ４６ コイルスプリング ５８ ベローズ（気密保持手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−200626（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−151632（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−207019（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−74423（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 21/22 C23C 16/00
Claims (1)
- 【請求項１】 プロセスチューブに被処理体を収容し、
この被処理体に熱処理を行う熱処理装置であって、前記プロセスチューブの開口部側に設置されているマニ
ホルドの開口部外に設置され、前記プロセスチューブに
挿入される保温筒を回転軸を介在させて回転可能に支持
するとともに、前記保温筒を上下方向に移動させる上下
動機構と、 前記回転軸を貫通させて 前記プロセスチューブの開口部
側に設置され、前記マニホルドの開口部を気密保持部材
を介在させて開閉するキャップと、前記 上下動機構の支持フレーム上に前記回転軸を中心に
し、所定の角度間隔を設けて立設した複数の支持軸及び
スプリングを備えて前記キャップを前記上下動機構上に
弾性的に支持する弾性支持機構と、 前記上下動機構と前記キャップとの間に伸縮可能に設置
されて前記回転軸を包囲し、前記キャップ側の気密性を
保持する気密保持手段と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03198937A JP3140096B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
| US07/910,580 US5224999A (en) | 1991-07-11 | 1992-07-08 | Heat treatment apparatus |
| KR1019920012385A KR0171618B1 (ko) | 1991-07-11 | 1992-07-11 | 종형 열처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03198937A JP3140096B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521421A JPH0521421A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3140096B2 true JP3140096B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16399453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03198937A Expired - Fee Related JP3140096B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5224999A (ja) |
| JP (1) | JP3140096B2 (ja) |
| KR (1) | KR0171618B1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2548062B2 (ja) * | 1992-11-13 | 1996-10-30 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 縦型熱処理装置用ロードロックチャンバー |
| US5796074A (en) * | 1995-11-28 | 1998-08-18 | Applied Materials, Inc. | Wafer heater assembly |
| KR100224659B1 (ko) * | 1996-05-17 | 1999-10-15 | 윤종용 | 종형 기상 성장 장치용 캡 |
| DE19919326A1 (de) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Leybold Systems Gmbh | Kammer für eine chemische Dampfbeschichtung |
| KR100426987B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2004-04-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 종형의 저압화학기상증착 장치 |
| KR100422452B1 (ko) * | 2002-06-18 | 2004-03-11 | 삼성전자주식회사 | 로드락 챔버용 스토리지 엘리베이터 샤프트의 실링장치 |
| JP6208588B2 (ja) | 2014-01-28 | 2017-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 支持機構及び基板処理装置 |
| CN205980793U (zh) * | 2016-08-12 | 2017-02-22 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种低压扩散炉炉门密封装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4640223A (en) * | 1984-07-24 | 1987-02-03 | Dozier Alfred R | Chemical vapor deposition reactor |
| IT1228401B (it) * | 1988-03-29 | 1991-06-14 | Hauni Werke Koerber & Co Kg | Procedimento e dispositivo per la fabbricazione di un filone di tabacco. |
| JPH04308090A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | M B K Maikurotetsuku:Kk | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP03198937A patent/JP3140096B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-08 US US07/910,580 patent/US5224999A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-11 KR KR1019920012385A patent/KR0171618B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0171618B1 (ko) | 1999-03-30 |
| KR930003289A (ko) | 1993-02-24 |
| JPH0521421A (ja) | 1993-01-29 |
| US5224999A (en) | 1993-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |