JP3982844B2 - 半導体製造装置及び半導体の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3982844B2 JP3982844B2 JP01975895A JP1975895A JP3982844B2 JP 3982844 B2 JP3982844 B2 JP 3982844B2 JP 01975895 A JP01975895 A JP 01975895A JP 1975895 A JP1975895 A JP 1975895A JP 3982844 B2 JP3982844 B2 JP 3982844B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- heater
- scavenger
- flange
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板を、炉内で拡散処理、水素アニール処理等の各種処理を行う半導体製造装置の熱処理炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の前処理工程の１つに拡散、化学気相成長、水素アニール処理工程があり、斯かる前処理工程を行なう装置として熱処理炉があり、熱処理炉の中で特に被処理物を高温に加熱して処理する縦型拡散炉、アニール炉等の高温熱処理炉がある。
【０００３】
高温熱処理炉は、イオン注入装置による被処理物の損傷、劣化の回復や、リン拡散膜のリフロー、水素アニール等の処理を行なう。
【０００４】
図６により高温熱処理炉を具備した縦型半導体製造装置の概略を説明する。
【０００５】
ヒータベース１に通孔２が穿設され、ヒータベース１下面、前記通孔２と同心にドーナッツ状の均熱管支持板３が設けられ、該均熱管支持板３の上面前記通孔２の内縁には断熱材料の環座１９が設けられる。前記通孔２を中心としてヒータベース１上にヒータ室４が設けられ、ヒータ室４の内部、前記通孔２と同心に筒状のヒータ５が前記ヒータベース１に立設され、前記ヒータ５内部に均熱管６、反応管７が順次同心に設けられ、前記均熱管６は前記環座１９上に立設され、前記反応管７は下端部が前記ヒータ５より露出した状態で反応管支持部材（図示せず）に立設されている。
【０００６】
前記反応管７の外壁に沿ってガス導入管８が設けられ、該ガス導入管８の一端は前記反応管７の天井に開口し、他端は反応管７の下端近傍でガス供給管９に摺合わせ嵌合により連結している。又前記反応管７の下端には排気ノズル１０が設けられ、該排気ノズル１０は摺合わせ嵌合により排気管１１に連結している。
【０００７】
前記反応管７内にはウェーハ１６が装填されたボート１７が装入され、該ボート１７は図示しないボートエレベータにより昇降される様になっている。又前記ボート１７は、前記反応管７の下端開口部を閉塞するシールキャップ１２にボート支持治具１３を介して立設されている。該シールキャップ１２は図示しないボートエレベータに設けられ、該シールキャップ１２の周囲に沿って１つのシールリング１８が設けられ、該シールリング１８により前記シールキャップ１２と反応管７の下端面とが気密にシールされる様になっている。
【０００８】
ヒータ５の下端開口部（炉口部）及び露出した反応管７下端部を囲う様にスカベンジャー１４が設けられ、該スカベンジャー１４には排気ダクト１５が連通している。
【０００９】
ヒータ５により反応管７内が所定の温度に加熱され、前記ボート１７に装填された状態で前記ウェーハ１６が反応管７内に装入され、前記ガス供給管９、ガス導入管８を経て水素ガス等の反応ガスが反応管７内に導入され、前記ウェーハ１６が熱処理され、処理後の排気ガスは前記排気ノズル１０、排気管１１を経て排気される。
【００１０】
又、前記スカベンジャー１４はヒータ５の炉口から放射される輻射熱を遮断し、且炉口部で発生するパーティクルや、前記ガス導入管８とガス供給管９との継手部分、排気ノズル１０と排気管１１との継手部分、シールキャップ１２と反応管７との接合部分からのガス漏れを局所的に捕獲して前記排気ダクト１５を介して装置外に排出するものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前記スカベンジャー１４にはガス供給管９、排気管１１が貫通する為に穿設された孔、又ヒータベース１との取付け部分の隙間、前記シールキャップ１２が昇降する為の下部開口等があり、気密性はなかった。その為、前述したガス導入管８とガス供給管９との継手部分、排気ノズル１０と排気管１１との継手部分及びシールキャップ１２と反応管７との接合部分からガスが漏出した場合には、ガスを完全には捕獲することができず、スカベンジャー１４の外部に漏出することがあった。更に、前記シールキャップ１２と反応管７下端面とのシールは単一のシールリング１８のみによるシールであり、やはりこのシール部分からガスが漏出する可能性があった。
【００１２】
この為、反応室に水素を導入してウェーハを熱処理する工程では、漏出した水素ガスで状況によっては爆発の可能性が生じ、反応ガスが強酸性ガスの場合は装置の金属部分が腐蝕され、更に漏出したガスは作業環境を悪化させるという問題があった。
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管からのガスの漏出を確実に防止し、更に反応管及び反応管の関連部分から漏出したガスの拡散を防止し、漏出したガスによる弊害を除去し、更に反応ガスが爆発性のガスであった場合に、爆発による機器の損傷を防止しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置に係り、又前記スカベンジャーの所要位置から不活性ガスを供給し、前記スカベンジャーの他の位置から排出する様に構成した半導体製造装置に係り、又前記スカベンジャーに覗き窓を設けた半導体製造装置に係り、又前記反応管を覆い、該反応管と同心に均熱管を設け、前記反応管の下端に設けられた反応管フランジを第３のシール材を介してベースプレートに乗置し、該ベースプレートを前記底板下面に前記第３のシール材を介して気密に固着した半導体製造装置に係るものである。
又本発明は、ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置を用いた半導体の製造方法であって、前記ヒータにより前記反応管内が所定の温度に加熱される工程と、被処理基板が前記反応管に装入される工程と、前記ガス供給管から前記反応管内にガスが導入され、被処理基板が熱処理される工程と、処理後の排気ガスが前記排気管を経て排気される行程とを有する半導体の製造方法に係るものである。
【００１５】
【作用】
反応管下端部をスカベンジャーにより気密に囲繞するので、万が一反応管より反応ガスが漏出しても局所的に回収でき、漏出したことによる不具合を解消することができ、更にスカベンジャー内部を不活性ガスで充填することで炉内ガス漏出に対する安全性が向上し、防爆弁を設けることで爆発が生じた場合に圧力を逃がすので爆発による機器の損傷が防止でき、ロック機構によりシール性が向上し、更に反応管フランジのシールは２重シールとなり、更にシール間を吸引するのでシール性能は更に向上する。
【００１６】
【実施例】
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
【００１７】
図１、図２中、図６中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
【００１８】
ヒータ５下端とヒータベース１との間にバイトンパッキン４０を挾設し、ヒータ５とヒータベース１の接合部をシールする。該ヒータベース１に環座１９を介して均熱管６を立設する。該均熱管６内部に同心に反応管７を配設し、該反応管７は後述するベースプレート３１に立設する。
【００１９】
前記反応管７の内部にボート支持治具１３を介してボート１７を収納させる。ボート支持治具１３はシールキャップ１２に乗載され、該シールキャップ１２はボート受台２０を介してボートエレベータ（図示せず）に設けられる。又、前記シールキャップ１２と前記ボート支持治具１３との間にはシール２１が介設され、シールキャップ１２内部の前記シール２１の近傍に冷却水路２２が形成され、該冷却水路２２は冷却水ポート２３を介して冷却水源（図示せず）に接続されている。
【００２０】
前記シールキャップ１２は円周に沿ってリング状の土手部２４が形成された断面が偏平な凹字状をしており、該土手部２４の上面にはシールリング２５が嵌設されている。前記シールキャップ１２中央に前記ボート支持治具１３のフランジ２６が乗置し、該フランジ２６の周端は２段の断差が形成され、上段にはシールリング２７が嵌設される。
【００２１】
前記フランジ２６周縁の下段に嵌合し、又該フランジ２６と前記土手部２４との間に嵌合するフランジ押えリング２８を設け、該フランジ押えリング２８によりボート支持治具１３をシールキャップ１２に固定する。該フランジ押えリング２８の上段内周面は中心側に向かって傾斜しており、該フランジ押えリング２８をフランジ２６に嵌合した状態ではフランジ押えリング２８の上端縁が前記シールリング２７を中心に向って押込む様になっている。又、前記フランジ押えリング２８の上面の外縁側に段差が形成され、該段差は後述する反応管フランジ２９との間でリング状のシール溝３０を形成する。
【００２２】
前記反応管７の下端は前記ヒータベース１より更に下方に延出し、前記反応管７の下端に設けられた前記反応管フランジ２９をその周縁部に於いてベースプレート３１に乗置する。反応管フランジ２９とベースプレート３１間の接合面はシール材４６によりシールされている。尚、反応管フランジ２９の下面と前記フランジ２６の上面間には間隙が形成され、フランジ２６に過度の荷重が作用しない様になっている。
【００２３】
前記反応管フランジ２９は反応管固定リング３２により前記ベースプレート３１に固定する。該反応管固定リング３２の反応管フランジ押え部の内部には冷却水路３３が２列設けられ、図示しない冷却水源と接続されている。又、反応管固定リング３２の前記冷却水路３３と対向する位置に吸入孔３４を挾み一対のシール３５を介設する。
【００２４】
前記冷却水路３３と３３との間に吸入孔３４が所要数穿設され、該吸入孔３４にはそれぞれ吸入ポート３６を設け、該吸入ポート３６を真空ポンプ（図示せず）に接続する。又、前記反応管フランジ２９の前記吸入孔３４に対峙する位置に連通孔３７を穿設し、該連通孔３７は前記シール溝３０に連通する。
【００２５】
尚、図中３８，３９は前記反応管フランジ２９に過度の荷重が掛かるのを防止する為の耐熱ゴム、耐熱樹脂等の弾性材である。
【００２６】
前記ヒータベース１の下面にシール材４１を介して筒状の側壁４２を気密に設け、前記側壁４２の下端にシール材４３を介して底板４４を気密に取付ける。該底板４４には円形の開口４５が穿設され、該開口４５の周辺部、前記底板４４の下面に前記ベースプレート３１がシール材４６を介して気密に固着されている。尚、前記側壁４２、底板４４については内部で爆発が生じた場合等を考慮すると、板厚は５〜１０mmとし充分な耐圧強度を有する様にしたのが好ましい。
【００２７】
前記反応管７に反応ガス導入ノズル４７を設け、該反応ガス導入ノズル４７に前記ガス導入管８を連通する。又該反応ガス導入ノズル４７にはフランジ４８が形成されており、該フランジ４８は前記ガス供給管９に形成されたフランジ４９にシール材５０を介して気密に接合される。前記ガス供給管９はヒータベース１を貫通するが貫通箇所はフランジ５１、シール材５２により気密に閉塞されている。前記排気ノズル１０にはフランジ５３が形成されており、該フランジ５３は前記排気管１１に形成されたフランジ５４にシール材５５を介して気密に接合される。前記排気管１１はヒータベース１を貫通するが貫通箇所はフランジ５６、シール材５７により気密に閉塞されている。
【００２８】
又、前記ヒータベース１には前記冷却水路３３に連通する給水管６０、排出管６１が貫通し、該給水管６０、排出管６１にはフランジ６３が溶接され、該フランジ６３はシール材６４を介して前記ヒータベース１に気密に取付けられている。前記側壁４２を貫通して不活性ガス導入管６５が設けられ、該不活性ガス導入管６５に溶接されたフランジ６６はシール材６７を介して前記側壁４２に気密に取付けられている。更に、前記側壁４２を貫通して不活性ガス排気管６８が設けられ、該不活性ガス排気管６８に溶接されたフランジ６９はシール材７０を介して前記側壁４２に気密に取付けられている。
【００２９】
而して、前記開口４５は前記ベースプレート３１、反応管フランジ２９、シールキャップ１２により気密に閉塞され、前記ヒータベース１、側壁４２、底板４４により気密な空間が画成され、側壁４２、底板４４は炉口部を覆うスカベンジャー７１を構成する。
【００３０】
図１には示していないが、ヒータベース１、側壁４２若しくは底板４４の適宜箇所に防爆弁７３を設ける。図３に於いて、側壁４２に防爆弁７３を設けた場合を説明する。
【００３１】
側壁４２に通気孔７４を穿設し、該通気孔７４の周囲少なくとも２箇所にピン７５を植設し、該ピン７５に弁体７６を摺動自在に設ける。前記ピン７５にストッパプレート７７を設け、該ストッパプレート７７と前記弁体７６間に圧縮スプリング７８を挾設する。前記ピン７５の先端には螺子が刻設してあり、螺子部にはナット７９が螺合し、該ナット７９はノブ８０を介して回せる様になっている。側壁４２と弁体７６間にはシール材８１が挾設され、シール性が保証されている。前記ノブ８０を回してナット７９を軸心方向に移動させ、前記圧縮スプリング７８を所要量撓ませてスカベンジャー７１の内圧が０．１〜０．５ kg/cm2 で前記弁体７６が側壁４２より離反する様前記圧縮スプリング７８の圧縮力を設定する。
【００３２】
又、スカベンジャー７１内を観察できる覗き窓をヒータベース１、側壁４２若しくは底板４４の適宜箇所に設ける。図４は側壁４２に覗き窓８３を設けた場合を示しており、側壁４２に窓孔８４を穿設し、耐圧ガラス８５をフランジ８７をボルト８８で固着することで前記窓孔８４に取付け、又耐圧ガラス８５と側壁４２との間にはシール材８６を介在させ気密とする。
【００３３】
シールキャップ１２と反応管フランジ２９間のシール性を高める為に、シールキャップ１２周囲対称位置に２箇所、若しくは円周等分位置に３箇所以上にロック機構９０を設けてもよい。該ロック機構９０を図５により説明する。
【００３４】
シールキャップ１２の周縁にＬ字状のシリンダ保持金具９１を固着し、該シリンダ保持金具９１に外方に向ってロッド９２を突出可能にロックシリンダ９３を取付け、ロッド９２の先端に合成樹脂製、好ましくは弗素樹脂等の耐熱製の合成樹脂製のクランプブロック９４を固着する。該クランプブロック９４の下面は先端に向かって先細り状に傾斜している。
【００３５】
前記ベースプレート３１のロックシリンダ９３に対峙する位置にブラケット９５を設ける。該ブラケット９５に前記クランプブロック９４の下面に契合するクランプ受け９６を設ける。該クランプ受け９６は合成樹脂製、好ましくは弗素樹脂等の耐熱製の合成樹脂製とする。尚、クランプブロック９４、クランプ受け９６のいずれか一方を金属製としてもよい。
【００３６】
以下、作用を説明する。
【００３７】
図示しないボートエレベータにより前記シールキャップ１２を昇降させることで、反応管７内へのボート（図示せず）を装入、引出しを行う。ボートを完全に装入した状態では、前記シールキャップ１２の土手部２４が前記反応管フランジ２９に当接し、又前記シールリング２５、シールリング２７が前記反応管フランジ２９に密着する。この時反応管の開口部はボート支持治具１３により直接閉塞するので、構造上反応室内に露出する金属部がなく反応ガスによる腐食を考慮する必要がない。又、反応管内部に露出する面は全て石英面となり、ウェーハの金属汚染が防止される。
【００３８】
前記ロック機構９０を作動させる。前記ロックシリンダ９３を作動させ、ロッド９２を突出させて前記クランプブロック９４をクランプ受け９６に契合させる。クランプブロック９４とクランプ受け９６の楔効果で土手部２４は反応管フランジ２９に完全に密着すると共にシールキャップ１２が底板４４側に強固にクランプされる。上記した様に、フランジ２６と反応管フランジ２９には間隙があり、ロック機構９０によりシールキャップ１２をクランプしても、前記フランジ２６に過度に荷重が作用することなくボート支持治具１３を損傷することがない。
【００３９】
而して、前記シールリング２５、シールリング２７により反応管フランジ２９の下面接合面は２重にシールされ、反応管フランジ２９の上面もシール３５により２重にシールされる。更にシール２１、シール材４６により反応管７の内外がシールされる。又、前記吸入ポート３６より真空引きすることにより連通孔３７、シール溝３０、及び前記シールリング２５、シールリング２７、シール２１、更にシール３５を境界とする領域が負圧となり、前記反応管７内のガスが外部に漏出するのが防止され、更にシール性が向上する。
【００４０】
又、前記給水管６０、排出管６１を介して冷却水路３３に冷却水を流通させ、シール３５を冷却し、前記冷却水ポート２３を介して冷却水路２２に冷却水を流通させ、シール２１、シールリング２５を冷却する。
【００４１】
反応ガスは前記ガス供給管９より反応ガス導入ノズル４７、ガス導入管８を経て反応管７内に導入され、反応後のガスは前記排気ノズル１０、排気管１１を経て排気される。前記ガス供給管９と反応ガス導入ノズル４７とはシール材５０を介在させたフランジ４８、フランジ４９による接合であり、排気ノズル１０と排気管１１とはシール材５５を介在させたフランジ５３、フランジ５４による接合であるので気密な接合が得られ、反応ガスの反応管７への給排過程に於ける接合部からのガスの漏出は抑止される。
【００４２】
更に前記反応管７の炉口部、ガス供給管９の接合部、排気管１１の接合部はスカベンジャー７１内部に収納され、又スカベンジャー７１は気密となっているので、万一漏出した反応ガスについても外部に漏出することはない。又、不活性ガス導入管６５より窒素ガス等の不活性ガスを導入し、不活性ガス排気管６８より排出する様にすると万一漏出した反応ガスも不活性ガスにより希釈され、反応ガスの濃度が低下し安全性が向上する。
【００４３】
反応ガスが水素の場合は前記窒素ガスを導入することで、酸素濃度を１００ppm 以下とすることができ、水素が漏れた場合でも爆発は防止できる。又反応ガスが弗素ガスの如く強酸性のガスの場合は、反応ガスが希釈されることで反応性が弱められ、金属部品の腐食が防止される。
【００４４】
更に又、前記スカベンジャー７１内で水素の爆発が生じ、内圧が上昇すると前記弁体７６に圧力が作用し、該圧力による外方への力が前記圧縮スプリング７８の押圧力を越えたところで弁体７６が側壁４２より離反し、ガスをスカベンジャー７１より排出する。而して、スカベンジャー７１内での爆発による機器の損傷を防止できる。
【００４５】
作業者は、前記覗き窓８３から耐圧ガラス８５を透して内部を観察することができ、内部の点検、監視が容易に行えると共に内部に異変があった場合にいち早く発見することができる。
【００４６】
尚、不活性ガス導入管６５、不活性ガス排気管６８は側壁４２に設けたが、ヒータベース１に設ければ、配管系をヒータベース１に集中して設けることができ、配管系を簡略化できると共に省スペース化が図れる。又、上記実施例は縦型炉について説明したが、横型炉についても同様に実施可能であることは言う迄もない。
【００４７】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、反応管を完全にシールすることができ、万一反応管からガスが漏出しても拡散を防止できるので、以下の優れた効果を発揮する。
【００４８】
▲１▼ 反応性の高い水素、或は弗素ガス等の強酸性ガスを反応ガスとして使用することが可能となった。
【００４９】
▲２▼ ヒータから露出する反応管の外周部を気密性を持たせた耐圧スカベンジャーで気密に囲繞しているので、反応管から漏出したガスを局所的に捕獲し、更に不活性ガスを吸・排気することによって安全に漏出ガスの処理が行える。
【００５０】
▲３▼ 更に万が一水素ガスの漏出により爆発が起きても、防爆弁を設けることで圧力が抜ける様になり、石英部品等の破損を防ぐことができる。
【００５１】
▲４▼ 耐圧スカベンジャーに透過ガラスを設けることにより、スカベンジャー内部を監視することができ、作業性が良くなる。
【００５２】
▲５▼ シールキャップ部を２重シール及び吸引排気することによって、シールキャップ及び反応管のシール部から外部へのガス漏出がなくなる。
【００５３】
▲６▼ シールキャップにロック機構をつけることによって、確実にシールができ、多少の衝撃にも耐えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】該実施例に於ける反応管フランジ部の拡大図である。
【図３】該実施例に設けられる防爆弁の断面図である。
【図４】該実施例に設けられる覗き窓の断面図である。
【図５】該実施例に設けられるロック機構の側面図である。
【図６】従来例の説明図である。
【符号の説明】
１ ヒータベース
７ 反応管
９ ガス供給管
１１ 排気管
１２ シールキャップ
２５ シールリング
２６ フランジ
２７ シールリング
２９ 反応管フランジ
３０ シール溝
３６ 吸入ポート
４８ フランジ
４９ フランジ
５３ フランジ
５４ フランジ
６５ 不活性ガス導入管
６８ 不活性ガス排気管
７１ スカベンジャー
８３ 覗き窓
８５ 耐圧ガラス
９０ ロック機構
９３ ロックシリンダ
９５ ブラケット
９６ クランプ受け
【産業上の利用分野】
本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板を、炉内で拡散処理、水素アニール処理等の各種処理を行う半導体製造装置の熱処理炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程の前処理工程の１つに拡散、化学気相成長、水素アニール処理工程があり、斯かる前処理工程を行なう装置として熱処理炉があり、熱処理炉の中で特に被処理物を高温に加熱して処理する縦型拡散炉、アニール炉等の高温熱処理炉がある。
【０００３】
高温熱処理炉は、イオン注入装置による被処理物の損傷、劣化の回復や、リン拡散膜のリフロー、水素アニール等の処理を行なう。
【０００４】
図６により高温熱処理炉を具備した縦型半導体製造装置の概略を説明する。
【０００５】
ヒータベース１に通孔２が穿設され、ヒータベース１下面、前記通孔２と同心にドーナッツ状の均熱管支持板３が設けられ、該均熱管支持板３の上面前記通孔２の内縁には断熱材料の環座１９が設けられる。前記通孔２を中心としてヒータベース１上にヒータ室４が設けられ、ヒータ室４の内部、前記通孔２と同心に筒状のヒータ５が前記ヒータベース１に立設され、前記ヒータ５内部に均熱管６、反応管７が順次同心に設けられ、前記均熱管６は前記環座１９上に立設され、前記反応管７は下端部が前記ヒータ５より露出した状態で反応管支持部材（図示せず）に立設されている。
【０００６】
前記反応管７の外壁に沿ってガス導入管８が設けられ、該ガス導入管８の一端は前記反応管７の天井に開口し、他端は反応管７の下端近傍でガス供給管９に摺合わせ嵌合により連結している。又前記反応管７の下端には排気ノズル１０が設けられ、該排気ノズル１０は摺合わせ嵌合により排気管１１に連結している。
【０００７】
前記反応管７内にはウェーハ１６が装填されたボート１７が装入され、該ボート１７は図示しないボートエレベータにより昇降される様になっている。又前記ボート１７は、前記反応管７の下端開口部を閉塞するシールキャップ１２にボート支持治具１３を介して立設されている。該シールキャップ１２は図示しないボートエレベータに設けられ、該シールキャップ１２の周囲に沿って１つのシールリング１８が設けられ、該シールリング１８により前記シールキャップ１２と反応管７の下端面とが気密にシールされる様になっている。
【０００８】
ヒータ５の下端開口部（炉口部）及び露出した反応管７下端部を囲う様にスカベンジャー１４が設けられ、該スカベンジャー１４には排気ダクト１５が連通している。
【０００９】
ヒータ５により反応管７内が所定の温度に加熱され、前記ボート１７に装填された状態で前記ウェーハ１６が反応管７内に装入され、前記ガス供給管９、ガス導入管８を経て水素ガス等の反応ガスが反応管７内に導入され、前記ウェーハ１６が熱処理され、処理後の排気ガスは前記排気ノズル１０、排気管１１を経て排気される。
【００１０】
又、前記スカベンジャー１４はヒータ５の炉口から放射される輻射熱を遮断し、且炉口部で発生するパーティクルや、前記ガス導入管８とガス供給管９との継手部分、排気ノズル１０と排気管１１との継手部分、シールキャップ１２と反応管７との接合部分からのガス漏れを局所的に捕獲して前記排気ダクト１５を介して装置外に排出するものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
前記スカベンジャー１４にはガス供給管９、排気管１１が貫通する為に穿設された孔、又ヒータベース１との取付け部分の隙間、前記シールキャップ１２が昇降する為の下部開口等があり、気密性はなかった。その為、前述したガス導入管８とガス供給管９との継手部分、排気ノズル１０と排気管１１との継手部分及びシールキャップ１２と反応管７との接合部分からガスが漏出した場合には、ガスを完全には捕獲することができず、スカベンジャー１４の外部に漏出することがあった。更に、前記シールキャップ１２と反応管７下端面とのシールは単一のシールリング１８のみによるシールであり、やはりこのシール部分からガスが漏出する可能性があった。
【００１２】
この為、反応室に水素を導入してウェーハを熱処理する工程では、漏出した水素ガスで状況によっては爆発の可能性が生じ、反応ガスが強酸性ガスの場合は装置の金属部分が腐蝕され、更に漏出したガスは作業環境を悪化させるという問題があった。
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管からのガスの漏出を確実に防止し、更に反応管及び反応管の関連部分から漏出したガスの拡散を防止し、漏出したガスによる弊害を除去し、更に反応ガスが爆発性のガスであった場合に、爆発による機器の損傷を防止しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置に係り、又前記スカベンジャーの所要位置から不活性ガスを供給し、前記スカベンジャーの他の位置から排出する様に構成した半導体製造装置に係り、又前記スカベンジャーに覗き窓を設けた半導体製造装置に係り、又前記反応管を覆い、該反応管と同心に均熱管を設け、前記反応管の下端に設けられた反応管フランジを第３のシール材を介してベースプレートに乗置し、該ベースプレートを前記底板下面に前記第３のシール材を介して気密に固着した半導体製造装置に係るものである。
又本発明は、ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置を用いた半導体の製造方法であって、前記ヒータにより前記反応管内が所定の温度に加熱される工程と、被処理基板が前記反応管に装入される工程と、前記ガス供給管から前記反応管内にガスが導入され、被処理基板が熱処理される工程と、処理後の排気ガスが前記排気管を経て排気される行程とを有する半導体の製造方法に係るものである。
【００１５】
【作用】
反応管下端部をスカベンジャーにより気密に囲繞するので、万が一反応管より反応ガスが漏出しても局所的に回収でき、漏出したことによる不具合を解消することができ、更にスカベンジャー内部を不活性ガスで充填することで炉内ガス漏出に対する安全性が向上し、防爆弁を設けることで爆発が生じた場合に圧力を逃がすので爆発による機器の損傷が防止でき、ロック機構によりシール性が向上し、更に反応管フランジのシールは２重シールとなり、更にシール間を吸引するのでシール性能は更に向上する。
【００１６】
【実施例】
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
【００１７】
図１、図２中、図６中で示したものと同一のものには同符号を付してある。
【００１８】
ヒータ５下端とヒータベース１との間にバイトンパッキン４０を挾設し、ヒータ５とヒータベース１の接合部をシールする。該ヒータベース１に環座１９を介して均熱管６を立設する。該均熱管６内部に同心に反応管７を配設し、該反応管７は後述するベースプレート３１に立設する。
【００１９】
前記反応管７の内部にボート支持治具１３を介してボート１７を収納させる。ボート支持治具１３はシールキャップ１２に乗載され、該シールキャップ１２はボート受台２０を介してボートエレベータ（図示せず）に設けられる。又、前記シールキャップ１２と前記ボート支持治具１３との間にはシール２１が介設され、シールキャップ１２内部の前記シール２１の近傍に冷却水路２２が形成され、該冷却水路２２は冷却水ポート２３を介して冷却水源（図示せず）に接続されている。
【００２０】
前記シールキャップ１２は円周に沿ってリング状の土手部２４が形成された断面が偏平な凹字状をしており、該土手部２４の上面にはシールリング２５が嵌設されている。前記シールキャップ１２中央に前記ボート支持治具１３のフランジ２６が乗置し、該フランジ２６の周端は２段の断差が形成され、上段にはシールリング２７が嵌設される。
【００２１】
前記フランジ２６周縁の下段に嵌合し、又該フランジ２６と前記土手部２４との間に嵌合するフランジ押えリング２８を設け、該フランジ押えリング２８によりボート支持治具１３をシールキャップ１２に固定する。該フランジ押えリング２８の上段内周面は中心側に向かって傾斜しており、該フランジ押えリング２８をフランジ２６に嵌合した状態ではフランジ押えリング２８の上端縁が前記シールリング２７を中心に向って押込む様になっている。又、前記フランジ押えリング２８の上面の外縁側に段差が形成され、該段差は後述する反応管フランジ２９との間でリング状のシール溝３０を形成する。
【００２２】
前記反応管７の下端は前記ヒータベース１より更に下方に延出し、前記反応管７の下端に設けられた前記反応管フランジ２９をその周縁部に於いてベースプレート３１に乗置する。反応管フランジ２９とベースプレート３１間の接合面はシール材４６によりシールされている。尚、反応管フランジ２９の下面と前記フランジ２６の上面間には間隙が形成され、フランジ２６に過度の荷重が作用しない様になっている。
【００２３】
前記反応管フランジ２９は反応管固定リング３２により前記ベースプレート３１に固定する。該反応管固定リング３２の反応管フランジ押え部の内部には冷却水路３３が２列設けられ、図示しない冷却水源と接続されている。又、反応管固定リング３２の前記冷却水路３３と対向する位置に吸入孔３４を挾み一対のシール３５を介設する。
【００２４】
前記冷却水路３３と３３との間に吸入孔３４が所要数穿設され、該吸入孔３４にはそれぞれ吸入ポート３６を設け、該吸入ポート３６を真空ポンプ（図示せず）に接続する。又、前記反応管フランジ２９の前記吸入孔３４に対峙する位置に連通孔３７を穿設し、該連通孔３７は前記シール溝３０に連通する。
【００２５】
尚、図中３８，３９は前記反応管フランジ２９に過度の荷重が掛かるのを防止する為の耐熱ゴム、耐熱樹脂等の弾性材である。
【００２６】
前記ヒータベース１の下面にシール材４１を介して筒状の側壁４２を気密に設け、前記側壁４２の下端にシール材４３を介して底板４４を気密に取付ける。該底板４４には円形の開口４５が穿設され、該開口４５の周辺部、前記底板４４の下面に前記ベースプレート３１がシール材４６を介して気密に固着されている。尚、前記側壁４２、底板４４については内部で爆発が生じた場合等を考慮すると、板厚は５〜１０mmとし充分な耐圧強度を有する様にしたのが好ましい。
【００２７】
前記反応管７に反応ガス導入ノズル４７を設け、該反応ガス導入ノズル４７に前記ガス導入管８を連通する。又該反応ガス導入ノズル４７にはフランジ４８が形成されており、該フランジ４８は前記ガス供給管９に形成されたフランジ４９にシール材５０を介して気密に接合される。前記ガス供給管９はヒータベース１を貫通するが貫通箇所はフランジ５１、シール材５２により気密に閉塞されている。前記排気ノズル１０にはフランジ５３が形成されており、該フランジ５３は前記排気管１１に形成されたフランジ５４にシール材５５を介して気密に接合される。前記排気管１１はヒータベース１を貫通するが貫通箇所はフランジ５６、シール材５７により気密に閉塞されている。
【００２８】
又、前記ヒータベース１には前記冷却水路３３に連通する給水管６０、排出管６１が貫通し、該給水管６０、排出管６１にはフランジ６３が溶接され、該フランジ６３はシール材６４を介して前記ヒータベース１に気密に取付けられている。前記側壁４２を貫通して不活性ガス導入管６５が設けられ、該不活性ガス導入管６５に溶接されたフランジ６６はシール材６７を介して前記側壁４２に気密に取付けられている。更に、前記側壁４２を貫通して不活性ガス排気管６８が設けられ、該不活性ガス排気管６８に溶接されたフランジ６９はシール材７０を介して前記側壁４２に気密に取付けられている。
【００２９】
而して、前記開口４５は前記ベースプレート３１、反応管フランジ２９、シールキャップ１２により気密に閉塞され、前記ヒータベース１、側壁４２、底板４４により気密な空間が画成され、側壁４２、底板４４は炉口部を覆うスカベンジャー７１を構成する。
【００３０】
図１には示していないが、ヒータベース１、側壁４２若しくは底板４４の適宜箇所に防爆弁７３を設ける。図３に於いて、側壁４２に防爆弁７３を設けた場合を説明する。
【００３１】
側壁４２に通気孔７４を穿設し、該通気孔７４の周囲少なくとも２箇所にピン７５を植設し、該ピン７５に弁体７６を摺動自在に設ける。前記ピン７５にストッパプレート７７を設け、該ストッパプレート７７と前記弁体７６間に圧縮スプリング７８を挾設する。前記ピン７５の先端には螺子が刻設してあり、螺子部にはナット７９が螺合し、該ナット７９はノブ８０を介して回せる様になっている。側壁４２と弁体７６間にはシール材８１が挾設され、シール性が保証されている。前記ノブ８０を回してナット７９を軸心方向に移動させ、前記圧縮スプリング７８を所要量撓ませてスカベンジャー７１の内圧が０．１〜０．５ kg/cm2 で前記弁体７６が側壁４２より離反する様前記圧縮スプリング７８の圧縮力を設定する。
【００３２】
又、スカベンジャー７１内を観察できる覗き窓をヒータベース１、側壁４２若しくは底板４４の適宜箇所に設ける。図４は側壁４２に覗き窓８３を設けた場合を示しており、側壁４２に窓孔８４を穿設し、耐圧ガラス８５をフランジ８７をボルト８８で固着することで前記窓孔８４に取付け、又耐圧ガラス８５と側壁４２との間にはシール材８６を介在させ気密とする。
【００３３】
シールキャップ１２と反応管フランジ２９間のシール性を高める為に、シールキャップ１２周囲対称位置に２箇所、若しくは円周等分位置に３箇所以上にロック機構９０を設けてもよい。該ロック機構９０を図５により説明する。
【００３４】
シールキャップ１２の周縁にＬ字状のシリンダ保持金具９１を固着し、該シリンダ保持金具９１に外方に向ってロッド９２を突出可能にロックシリンダ９３を取付け、ロッド９２の先端に合成樹脂製、好ましくは弗素樹脂等の耐熱製の合成樹脂製のクランプブロック９４を固着する。該クランプブロック９４の下面は先端に向かって先細り状に傾斜している。
【００３５】
前記ベースプレート３１のロックシリンダ９３に対峙する位置にブラケット９５を設ける。該ブラケット９５に前記クランプブロック９４の下面に契合するクランプ受け９６を設ける。該クランプ受け９６は合成樹脂製、好ましくは弗素樹脂等の耐熱製の合成樹脂製とする。尚、クランプブロック９４、クランプ受け９６のいずれか一方を金属製としてもよい。
【００３６】
以下、作用を説明する。
【００３７】
図示しないボートエレベータにより前記シールキャップ１２を昇降させることで、反応管７内へのボート（図示せず）を装入、引出しを行う。ボートを完全に装入した状態では、前記シールキャップ１２の土手部２４が前記反応管フランジ２９に当接し、又前記シールリング２５、シールリング２７が前記反応管フランジ２９に密着する。この時反応管の開口部はボート支持治具１３により直接閉塞するので、構造上反応室内に露出する金属部がなく反応ガスによる腐食を考慮する必要がない。又、反応管内部に露出する面は全て石英面となり、ウェーハの金属汚染が防止される。
【００３８】
前記ロック機構９０を作動させる。前記ロックシリンダ９３を作動させ、ロッド９２を突出させて前記クランプブロック９４をクランプ受け９６に契合させる。クランプブロック９４とクランプ受け９６の楔効果で土手部２４は反応管フランジ２９に完全に密着すると共にシールキャップ１２が底板４４側に強固にクランプされる。上記した様に、フランジ２６と反応管フランジ２９には間隙があり、ロック機構９０によりシールキャップ１２をクランプしても、前記フランジ２６に過度に荷重が作用することなくボート支持治具１３を損傷することがない。
【００３９】
而して、前記シールリング２５、シールリング２７により反応管フランジ２９の下面接合面は２重にシールされ、反応管フランジ２９の上面もシール３５により２重にシールされる。更にシール２１、シール材４６により反応管７の内外がシールされる。又、前記吸入ポート３６より真空引きすることにより連通孔３７、シール溝３０、及び前記シールリング２５、シールリング２７、シール２１、更にシール３５を境界とする領域が負圧となり、前記反応管７内のガスが外部に漏出するのが防止され、更にシール性が向上する。
【００４０】
又、前記給水管６０、排出管６１を介して冷却水路３３に冷却水を流通させ、シール３５を冷却し、前記冷却水ポート２３を介して冷却水路２２に冷却水を流通させ、シール２１、シールリング２５を冷却する。
【００４１】
反応ガスは前記ガス供給管９より反応ガス導入ノズル４７、ガス導入管８を経て反応管７内に導入され、反応後のガスは前記排気ノズル１０、排気管１１を経て排気される。前記ガス供給管９と反応ガス導入ノズル４７とはシール材５０を介在させたフランジ４８、フランジ４９による接合であり、排気ノズル１０と排気管１１とはシール材５５を介在させたフランジ５３、フランジ５４による接合であるので気密な接合が得られ、反応ガスの反応管７への給排過程に於ける接合部からのガスの漏出は抑止される。
【００４２】
更に前記反応管７の炉口部、ガス供給管９の接合部、排気管１１の接合部はスカベンジャー７１内部に収納され、又スカベンジャー７１は気密となっているので、万一漏出した反応ガスについても外部に漏出することはない。又、不活性ガス導入管６５より窒素ガス等の不活性ガスを導入し、不活性ガス排気管６８より排出する様にすると万一漏出した反応ガスも不活性ガスにより希釈され、反応ガスの濃度が低下し安全性が向上する。
【００４３】
反応ガスが水素の場合は前記窒素ガスを導入することで、酸素濃度を１００ppm 以下とすることができ、水素が漏れた場合でも爆発は防止できる。又反応ガスが弗素ガスの如く強酸性のガスの場合は、反応ガスが希釈されることで反応性が弱められ、金属部品の腐食が防止される。
【００４４】
更に又、前記スカベンジャー７１内で水素の爆発が生じ、内圧が上昇すると前記弁体７６に圧力が作用し、該圧力による外方への力が前記圧縮スプリング７８の押圧力を越えたところで弁体７６が側壁４２より離反し、ガスをスカベンジャー７１より排出する。而して、スカベンジャー７１内での爆発による機器の損傷を防止できる。
【００４５】
作業者は、前記覗き窓８３から耐圧ガラス８５を透して内部を観察することができ、内部の点検、監視が容易に行えると共に内部に異変があった場合にいち早く発見することができる。
【００４６】
尚、不活性ガス導入管６５、不活性ガス排気管６８は側壁４２に設けたが、ヒータベース１に設ければ、配管系をヒータベース１に集中して設けることができ、配管系を簡略化できると共に省スペース化が図れる。又、上記実施例は縦型炉について説明したが、横型炉についても同様に実施可能であることは言う迄もない。
【００４７】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明によれば、反応管を完全にシールすることができ、万一反応管からガスが漏出しても拡散を防止できるので、以下の優れた効果を発揮する。
【００４８】
▲１▼ 反応性の高い水素、或は弗素ガス等の強酸性ガスを反応ガスとして使用することが可能となった。
【００４９】
▲２▼ ヒータから露出する反応管の外周部を気密性を持たせた耐圧スカベンジャーで気密に囲繞しているので、反応管から漏出したガスを局所的に捕獲し、更に不活性ガスを吸・排気することによって安全に漏出ガスの処理が行える。
【００５０】
▲３▼ 更に万が一水素ガスの漏出により爆発が起きても、防爆弁を設けることで圧力が抜ける様になり、石英部品等の破損を防ぐことができる。
【００５１】
▲４▼ 耐圧スカベンジャーに透過ガラスを設けることにより、スカベンジャー内部を監視することができ、作業性が良くなる。
【００５２】
▲５▼ シールキャップ部を２重シール及び吸引排気することによって、シールキャップ及び反応管のシール部から外部へのガス漏出がなくなる。
【００５３】
▲６▼ シールキャップにロック機構をつけることによって、確実にシールができ、多少の衝撃にも耐えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】該実施例に於ける反応管フランジ部の拡大図である。
【図３】該実施例に設けられる防爆弁の断面図である。
【図４】該実施例に設けられる覗き窓の断面図である。
【図５】該実施例に設けられるロック機構の側面図である。
【図６】従来例の説明図である。
【符号の説明】
１ ヒータベース
７ 反応管
９ ガス供給管
１１ 排気管
１２ シールキャップ
２５ シールリング
２６ フランジ
２７ シールリング
２９ 反応管フランジ
３０ シール溝
３６ 吸入ポート
４８ フランジ
４９ フランジ
５３ フランジ
５４ フランジ
６５ 不活性ガス導入管
６８ 不活性ガス排気管
７１ スカベンジャー
８３ 覗き窓
８５ 耐圧ガラス
９０ ロック機構
９３ ロックシリンダ
９５ ブラケット
９６ クランプ受け
Claims (5)
- ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
- 前記スカベンジャーの所要位置から不活性ガスを供給し、前記スカベンジャーの他の位置から排出する様に構成した請求項１の半導体製造装置。
- 前記スカベンジャーに覗き窓を設けた請求項１又は請求項２の半導体製造装置。
- 前記反応管を覆い、該反応管と同心に均熱管を設け、前記反応管の下端に設けられた反応管フランジを第３のシール材を介してベースプレートに乗置し、該ベースプレートを前記底板下面に前記第３のシール材を介して気密に固着した請求項１の半導体製造装置。
- ヒータベースにヒータが立設され、該ヒータ内部に配設された反応管の下端部が前記ヒータより露出し、前記ヒータベース下面に前記反応管の下端部を気密に囲繞するスカベンジャーが設けられ、該スカベンジャー内で前記反応管の下端部に連通されるガス供給管及び排気管が前記ヒータベースを貫通し設けられ、前記ガス供給管及び排気管が貫通する前記ヒータベースの貫通箇所それぞれに第１のシール材を介してフランジを設け、該フランジにより貫通箇所を気密に閉塞し、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に、前記ヒータベース、前記スカベンジャーの側壁若しくは底板に設けられた通気孔を、平板状の弁体を第２のシール材を介して閉塞する防爆弁を設けた半導体製造装置を用いた半導体の製造方法であって、前記ヒータにより前記反応管内が所定の温度に加熱される工程と、被処理基板が前記反応管に装入される工程と、前記ガス供給管から前記反応管内にガスが導入され、被処理基板が熱処理される工程と、処理後の排気ガスが前記排気管を経て排気される行程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01975895A JP3982844B2 (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| US08/425,924 US5632820A (en) | 1995-01-12 | 1995-04-20 | Thermal treatment furnace in a system for manufacturing semiconductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01975895A JP3982844B2 (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006229775A Division JP4167280B2 (ja) | 2006-08-25 | 2006-08-25 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195354A JPH08195354A (ja) | 1996-07-30 |
| JP3982844B2 true JP3982844B2 (ja) | 2007-09-26 |
Family
ID=12008250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01975895A Expired - Lifetime JP3982844B2 (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5632820A (ja) |
| JP (1) | JP3982844B2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW506620U (en) * | 1996-03-15 | 2002-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | Low pressure CVD apparatus |
| JPH09260364A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| US5746591A (en) * | 1996-08-15 | 1998-05-05 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor furnace for reducing particulates in a quartz tube and boat |
| JPH10275913A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPH11111998A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2000243747A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
| WO2001034871A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-17 | Far West Electrochemical, Inc. | Apparatus and method for performing simple chemical vapor deposition |
| US20030207021A1 (en) * | 2000-04-28 | 2003-11-06 | Hiroshi Izawa | Deposited-film formation apparatus, deposited-film formation process, vacuum system, leak judgment method, and computer-readable recording medium with recorded leak-judgment- executable program |
| JP3644880B2 (ja) * | 2000-06-20 | 2005-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US6946033B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-09-20 | Applied Materials Inc. | Heated gas distribution plate for a processing chamber |
| US20040052969A1 (en) * | 2002-09-16 | 2004-03-18 | Applied Materials, Inc. | Methods for operating a chemical vapor deposition chamber using a heated gas distribution plate |
| KR100481874B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 제조에 사용되는 확산로 및 확산로의 냉각방법 |
| US7390535B2 (en) | 2003-07-03 | 2008-06-24 | Aeromet Technologies, Inc. | Simple chemical vapor deposition system and methods for depositing multiple-metal aluminide coatings |
| KR100541559B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 글랜드부를 갖는 배치형 증착 장비 |
| JP4815352B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-11-16 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置、基板の製造方法、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2006104072A1 (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
| US8246749B2 (en) * | 2005-07-26 | 2012-08-21 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| WO2008128211A1 (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-23 | Ziawatt Solar, Llc | Layers that impede diffusion of metals in group vi element-containing materials |
| US8070880B2 (en) * | 2007-10-22 | 2011-12-06 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus |
| JP5308679B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | シール機構、シール溝、シール部材及び基板処理装置 |
| JP2009195773A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学装置 |
| JP5606174B2 (ja) * | 2010-01-27 | 2014-10-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および反応室の閉塞方法。 |
| US9084298B2 (en) | 2010-02-26 | 2015-07-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus including shielding unit for suppressing leakage of magnetic field |
| KR101207719B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-12-03 | 주식회사 포스코 | 건식 코팅 장치 |
| JP5760617B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2015-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ローディングユニット及び処理システム |
| JP5497114B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2014-05-21 | セメス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP5876463B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2016-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP6258726B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP6054471B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長装置排気部 |
| JP6054470B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-12-27 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| JP5990626B1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-09-14 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
| US20190056637A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-21 | Kla-Tencor Corporation | In-Situ Passivation for Nonlinear Optical Crystals |
| JP6749954B2 (ja) | 2018-02-20 | 2020-09-02 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム |
| US10998205B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-05-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device |
| JP7315607B2 (ja) * | 2021-03-16 | 2023-07-26 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2510683C3 (de) * | 1975-03-12 | 1979-08-16 | Leybold-Heraeus Gmbh, 5000 Koeln | Stabschleuse für Vakuumkammern |
| US4256052A (en) * | 1979-10-02 | 1981-03-17 | Rca Corp. | Temperature gradient means in reactor tube of vapor deposition apparatus |
| US4436509A (en) * | 1982-05-10 | 1984-03-13 | Rca Corporation | Controlled environment for diffusion furnace |
| US5259881A (en) * | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
| JPH0727875B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1995-03-29 | 株式会社ディスコ | 縦型半導体熱処理装置への半導体基板の搬入出方法および外気混入防止装置 |
| US4943235A (en) * | 1987-11-27 | 1990-07-24 | Tel Sagami Limited | Heat-treating apparatus |
| JPH0660752B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1994-08-10 | 三洋電機株式会社 | 熱交換ユニット |
| US5154201A (en) * | 1990-02-26 | 1992-10-13 | Ajia Kinzoku Kogyo Co., Ltd. | Method of manufacturing a sealed vessel having a safety valve |
| US5127365A (en) * | 1990-02-27 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts |
| JPH04196523A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Tokyo Electron Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JP3351521B2 (ja) * | 1990-11-30 | 2002-11-25 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置 |
| US5118286A (en) * | 1991-01-17 | 1992-06-02 | Amtech Systems | Closed loop method and apparatus for preventing exhausted reactant gas from mixing with ambient air and enhancing repeatability of reaction gas results on wafers |
| JP3108459B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP3108460B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JP3106172B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2000-11-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置の封止構造 |
| JP3016897B2 (ja) * | 1991-03-20 | 2000-03-06 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
| JP3181308B2 (ja) * | 1991-04-03 | 2001-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH04308090A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | M B K Maikurotetsuku:Kk | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 |
| US5303671A (en) * | 1992-02-07 | 1994-04-19 | Tokyo Electron Limited | System for continuously washing and film-forming a semiconductor wafer |
| JPH065531A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Tokyo Electron Tohoku Ltd | 熱処理装置の配管連結装置 |
| JPH0653149A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置用シール材 |
| JP3330166B2 (ja) * | 1992-12-04 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3134137B2 (ja) * | 1993-01-13 | 2001-02-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
| JP3120395B2 (ja) * | 1993-03-10 | 2000-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP3190165B2 (ja) * | 1993-04-13 | 2001-07-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及び熱処理方法 |
| US5445522A (en) * | 1993-04-26 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Combustion device |
| US5445521A (en) * | 1993-05-31 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating method and device |
| JP3269881B2 (ja) * | 1993-06-17 | 2002-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
-
1995
- 1995-01-12 JP JP01975895A patent/JP3982844B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-20 US US08/425,924 patent/US5632820A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5632820A (en) | 1997-05-27 |
| JPH08195354A (ja) | 1996-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3982844B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
| US5368648A (en) | Sealing apparatus | |
| KR101629065B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| US5484484A (en) | Thermal processing method and apparatus therefor | |
| KR100280689B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| JP3556804B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR20010087350A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 전자 장치의 제조 방법 | |
| KR100697402B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| US7901206B2 (en) | Heat-treating apparatus and method of producing substrates | |
| JP4167280B2 (ja) | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 | |
| JP2002009009A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| TWI498989B (zh) | Gas port construction and processing device | |
| JP3449636B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3269881B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| EP0635875B1 (en) | Apparatus for heat treatment | |
| US20030116280A1 (en) | Apparatus and method for insulating a seal in a process chamber | |
| JP2691159B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH03249936A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH01251610A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3463785B2 (ja) | 封止装置および処理装置 | |
| JP3785247B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11145072A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2684456B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH0570299A (ja) | ガスシールド装置及び熱処理装置 | |
| JP4490636B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060627 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060825 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070703 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130713 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140713 Year of fee payment: 7 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |