JPH0653149A - 半導体製造装置用シール材 - Google Patents
半導体製造装置用シール材Info
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- JPH0653149A JPH0653149A JP4223519A JP22351992A JPH0653149A JP H0653149 A JPH0653149 A JP H0653149A JP 4223519 A JP4223519 A JP 4223519A JP 22351992 A JP22351992 A JP 22351992A JP H0653149 A JPH0653149 A JP H0653149A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
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- F16J15/022—Sealings between relatively-stationary surfaces with elastic packing characterised by structure or material
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- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S285/00—Pipe joints or couplings
- Y10S285/911—Glass
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 長期間にわたり安定なシール性能が得られ、
取外しの際にも連結部分を破壊するおそれがない半導体
製造装置用シール材を提供することにある。 【構成】 軟質の芯材１と、この芯材の表面に設けた硬
質で耐熱性および耐薬品性を有するフィルム２とを備え
てなることを特徴とする。また、シール面に膨出部２１
を有することを特徴とする。
取外しの際にも連結部分を破壊するおそれがない半導体
製造装置用シール材を提供することにある。 【構成】 軟質の芯材１と、この芯材の表面に設けた硬
質で耐熱性および耐薬品性を有するフィルム２とを備え
てなることを特徴とする。また、シール面に膨出部２１
を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置用シー
ル材に関する。
ル材に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造において
は、半導体ウエハの酸化拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種
の熱処理が行われる。このような熱処理に用いられる熱
処理装置は、従来、石英等の耐熱性材料からなる円筒状
の反応管を囲むように筒状のヒーターが配置され、その
外側に筒状の断熱材が設けられて構成されている。反応
管には、ガス供給部と連結するための石英ガラス製のガ
ス導入口と、ガス排気部と連結するための石英ガラス製
のガス排気口が設けられている。
は、半導体ウエハの酸化拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種
の熱処理が行われる。このような熱処理に用いられる熱
処理装置は、従来、石英等の耐熱性材料からなる円筒状
の反応管を囲むように筒状のヒーターが配置され、その
外側に筒状の断熱材が設けられて構成されている。反応
管には、ガス供給部と連結するための石英ガラス製のガ
ス導入口と、ガス排気部と連結するための石英ガラス製
のガス排気口が設けられている。
【０００３】このような熱処理装置においては、反応管
内に半導体ウエハが配置されて、各種の熱処理が行われ
る。処理ガスとしては、例えば酸素（Ｏ2 ）、窒素（Ｎ
2 ）、塩化水素（ＨＣｌ）、水素（Ｈ2 ）、オキシ塩化
リン（ＰＯＣｌ3 ）、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）等が用いられ
る。熱処理中は、排気しながら所定の圧力に減圧もしく
は常圧にした反応管内に所定の処理ガスを導入し、熱処
理終了後は、反応管内に窒素等の不活性ガスを導入して
前記処理ガスを排気する。従って、反応管とガス供給部
およびガス排気部との接続部は、リークが生じないよう
に十分なシールを行うことが必要とされる。そのため、
従来では、テフロン管、石英管等を用いてかかるシール
を行っていた。
内に半導体ウエハが配置されて、各種の熱処理が行われ
る。処理ガスとしては、例えば酸素（Ｏ2 ）、窒素（Ｎ
2 ）、塩化水素（ＨＣｌ）、水素（Ｈ2 ）、オキシ塩化
リン（ＰＯＣｌ3 ）、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）等が用いられ
る。熱処理中は、排気しながら所定の圧力に減圧もしく
は常圧にした反応管内に所定の処理ガスを導入し、熱処
理終了後は、反応管内に窒素等の不活性ガスを導入して
前記処理ガスを排気する。従って、反応管とガス供給部
およびガス排気部との接続部は、リークが生じないよう
に十分なシールを行うことが必要とされる。そのため、
従来では、テフロン管、石英管等を用いてかかるシール
を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８は、テフロン管８
１を用いた従来のシール構造を示し、高純度石英からな
る反応管８２の側壁に一体的に設けられたガス導入口８
３にテフロン管８１の一端を連結し、このテフロン管８
１の他端にテフロンホース８４を連結した構造である。
８５，８６はリング状の固定部材である。しかし、図８
のシール構造では、経時的な温度変化によりテフロン管
８１が硬化、収縮するため、シール部でガスのリークが
生じやすい。
１を用いた従来のシール構造を示し、高純度石英からな
る反応管８２の側壁に一体的に設けられたガス導入口８
３にテフロン管８１の一端を連結し、このテフロン管８
１の他端にテフロンホース８４を連結した構造である。
８５，８６はリング状の固定部材である。しかし、図８
のシール構造では、経時的な温度変化によりテフロン管
８１が硬化、収縮するため、シール部でガスのリークが
生じやすい。
【０００５】図９は、石英管９１を用いた従来のシール
構造を示し、高純度石英からなる反応管９２の側壁に一
体的に設けられたガス導入口９３に、石英管９１の一端
がＯリング９４を介して気密に連結された構造である。
Ｏリング９４としては、「バイトン」、「カルレッツ」
等の商品名で市販されているフッ素ゴムからなるものが
用いられている。しかし、図９のシール構造では、経時
変化によりＯリング９４の弾性が失われやすくシール力
が減少しやすい。また、図１０に拡大して示すように、
従来のＯリング９４は硬度が小さいため石英管９１に強
固に溶着したり、処理ガスに起因する固形物９５がシー
ル部に付着するなどして、石英管９１を取外す際には、
石英管９１がガス導入口９３に接着して外れなくなり、
無理に外すと石英管９１やガス導入口９３が破損する問
題があった。また、Ｏリング９４が高温になると不純物
ガスが発生して処理ガス中に混入する問題もあった。本
発明の目的は、長期間にわたり安定なシール性能が得ら
れ、取外しの際にも連結部分を破壊するおそれがない半
導体製造装置用シール材を提供することにある。
構造を示し、高純度石英からなる反応管９２の側壁に一
体的に設けられたガス導入口９３に、石英管９１の一端
がＯリング９４を介して気密に連結された構造である。
Ｏリング９４としては、「バイトン」、「カルレッツ」
等の商品名で市販されているフッ素ゴムからなるものが
用いられている。しかし、図９のシール構造では、経時
変化によりＯリング９４の弾性が失われやすくシール力
が減少しやすい。また、図１０に拡大して示すように、
従来のＯリング９４は硬度が小さいため石英管９１に強
固に溶着したり、処理ガスに起因する固形物９５がシー
ル部に付着するなどして、石英管９１を取外す際には、
石英管９１がガス導入口９３に接着して外れなくなり、
無理に外すと石英管９１やガス導入口９３が破損する問
題があった。また、Ｏリング９４が高温になると不純物
ガスが発生して処理ガス中に混入する問題もあった。本
発明の目的は、長期間にわたり安定なシール性能が得ら
れ、取外しの際にも連結部分を破壊するおそれがない半
導体製造装置用シール材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置用シール材は、軟質の芯材
と、この芯材の表面に設けた硬質で耐熱性および耐薬品
性を有するフィルムとを備えてなることを特徴とする。
また、シール面に膨出部を有することを特徴とする。
め、本発明の半導体製造装置用シール材は、軟質の芯材
と、この芯材の表面に設けた硬質で耐熱性および耐薬品
性を有するフィルムとを備えてなることを特徴とする。
また、シール面に膨出部を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】軟質の芯材の表面に、硬質で耐熱性および耐薬
品性を有するフィルムを設けた構造であるので、軟質の
芯材により柔軟性が発揮されてシール部の形状に容易に
追従する。また、表面のフィルムによりシール部への溶
着、処理ガスによる変質、熱劣化が防止される。さら
に、シール面に膨出部を有する構造とすることにより、
シール部において挟圧されたときに膨出部がその挟圧力
を容易に吸収するので、硬質なフィルムの破壊が生じに
くくなる。
品性を有するフィルムを設けた構造であるので、軟質の
芯材により柔軟性が発揮されてシール部の形状に容易に
追従する。また、表面のフィルムによりシール部への溶
着、処理ガスによる変質、熱劣化が防止される。さら
に、シール面に膨出部を有する構造とすることにより、
シール部において挟圧されたときに膨出部がその挟圧力
を容易に吸収するので、硬質なフィルムの破壊が生じに
くくなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 〔実施例１〕図１は本実施例のシール材の断面図であ
る。軟質の芯材１の表面に、硬質で耐熱性および耐薬品
性を有するフィルム２が設けられている。軟質の芯材１
としては、シール部において挟圧されたときに十分に収
縮し、かつ、長期間にわたり安定した弾性が維持される
ものが選択される。芯材１の硬度はＨＳ硬さで３２程
度、高温（１００℃程度）における圧縮永久ひずみ率が
６５％以下であることが好ましい。かかる材料として
は、例えば４フッ化エチレン樹脂等が好ましく用いられ
る。
る。軟質の芯材１の表面に、硬質で耐熱性および耐薬品
性を有するフィルム２が設けられている。軟質の芯材１
としては、シール部において挟圧されたときに十分に収
縮し、かつ、長期間にわたり安定した弾性が維持される
ものが選択される。芯材１の硬度はＨＳ硬さで３２程
度、高温（１００℃程度）における圧縮永久ひずみ率が
６５％以下であることが好ましい。かかる材料として
は、例えば４フッ化エチレン樹脂等が好ましく用いられ
る。
【０００９】フィルム２としては、硬質で耐熱性および
耐薬品性を有するものを用いる。フィルム２の硬度を始
めとする特性は、芯材１との密着性の点から、近似した
ものが好ましい。耐熱性は、従来のＯリングよりも５０
℃高い程度、例えば１５０〜２５０℃程度もあれば十分
である。また、耐薬品性は、半導体製造装置に使用され
る処理ガスに対して安定であれば十分である。かかる材
料としては、例えば４フッ化エチレンゴム、ポリアミド
等が好ましく用いられる。また、芯材１として４フッ化
エチレン樹脂を用い、フィルム２として４フッ化エチレ
ンゴムを用いた場合には、両者は溶着しないので、シー
ル部において挟圧されたときにフィルム２の割れが生じ
にくくなる。フィルム２の厚さは、例えば１００〜２０
０μｍ程度である。
耐薬品性を有するものを用いる。フィルム２の硬度を始
めとする特性は、芯材１との密着性の点から、近似した
ものが好ましい。耐熱性は、従来のＯリングよりも５０
℃高い程度、例えば１５０〜２５０℃程度もあれば十分
である。また、耐薬品性は、半導体製造装置に使用され
る処理ガスに対して安定であれば十分である。かかる材
料としては、例えば４フッ化エチレンゴム、ポリアミド
等が好ましく用いられる。また、芯材１として４フッ化
エチレン樹脂を用い、フィルム２として４フッ化エチレ
ンゴムを用いた場合には、両者は溶着しないので、シー
ル部において挟圧されたときにフィルム２の割れが生じ
にくくなる。フィルム２の厚さは、例えば１００〜２０
０μｍ程度である。
【００１０】シール材の断面形状は、４角形状でもよい
が、図１のように、シール面に膨出部２１を有するもの
が好ましい。膨出部２１は、図２に示すように、シール
部で挟圧されたときに容易に力を吸収して収縮するので
シール部の形状に追従しやすくなり、シール性が向上す
る。
が、図１のように、シール面に膨出部２１を有するもの
が好ましい。膨出部２１は、図２に示すように、シール
部で挟圧されたときに容易に力を吸収して収縮するので
シール部の形状に追従しやすくなり、シール性が向上す
る。
【００１１】本実施例のシール材によれば、軟質の芯材
１の表面に、硬質で耐熱性および耐薬品性を有するフィ
ルム２を設けた構造であるので、軟質の芯材１により柔
軟性が発揮されてシール部の形状に容易に追従する。ま
た、表面のフィルム２によりシール部への溶着、処理ガ
スによる変質、熱劣化が防止される。また、フィルム２
により軟質な芯材１が包み込まれるので、芯材１からの
不純物ガスの放出が防止される。また、シール面におい
て、膨出部２１を有する構造であるので、シール部にお
いて挟圧されたときに膨出部２１がその挟圧力を容易に
吸収し、硬質のフィルム２が破壊しにくくなる。
１の表面に、硬質で耐熱性および耐薬品性を有するフィ
ルム２を設けた構造であるので、軟質の芯材１により柔
軟性が発揮されてシール部の形状に容易に追従する。ま
た、表面のフィルム２によりシール部への溶着、処理ガ
スによる変質、熱劣化が防止される。また、フィルム２
により軟質な芯材１が包み込まれるので、芯材１からの
不純物ガスの放出が防止される。また、シール面におい
て、膨出部２１を有する構造であるので、シール部にお
いて挟圧されたときに膨出部２１がその挟圧力を容易に
吸収し、硬質のフィルム２が破壊しにくくなる。
【００１２】図３は、本実施例のシール材が半導体ウエ
ハの熱処理装置における反応管のガス導入口のシール部
に配設された状態を示す。４は例えば高純度石英からな
る反応管、４１は反応管に一体的に形成されたガス導入
口、５は例えば石英からなるガス供給管である。ガス供
給管５のシール部にはリング状の溝５１が設けられ、こ
の溝５１内に本実施例のシール材３が収納されている。
シール材３は全体がリング状であって、溝５１の全体に
わたって収納されている。
ハの熱処理装置における反応管のガス導入口のシール部
に配設された状態を示す。４は例えば高純度石英からな
る反応管、４１は反応管に一体的に形成されたガス導入
口、５は例えば石英からなるガス供給管である。ガス供
給管５のシール部にはリング状の溝５１が設けられ、こ
の溝５１内に本実施例のシール材３が収納されている。
シール材３は全体がリング状であって、溝５１の全体に
わたって収納されている。
【００１３】シール材３は、ガス導入口４１のシール面
とガス供給管５の溝５１との間で挟圧力を受けると、膨
出部２１が容易に挟圧力を吸収して変形し、十分なシー
ルが達成される。また、処理ガスが溝５１に侵入してき
てもシール材３の表面のフィルム２が耐薬品性を有して
いるので、劣化することがない。さらに、シール部が１
５０〜２５０℃の高温になったときにも表面のフィルム
２が耐熱性を有しているので溝５１やガス導入口４１の
シール面に溶着することがない。従って、例えばガス導
入口４１やガス供給管５を洗浄する際には、ガス供給管
５の取外しが容易となり、ガス導入口４１やガス供給管
５が破損するおそれがない。また、シール材３が高温に
なって軟質な芯材１から不純物ガスが発生してもフィル
ム２により外部への漏れが防止されるので、不純物ガス
が処理ガスに混入する問題が発生しない。
とガス供給管５の溝５１との間で挟圧力を受けると、膨
出部２１が容易に挟圧力を吸収して変形し、十分なシー
ルが達成される。また、処理ガスが溝５１に侵入してき
てもシール材３の表面のフィルム２が耐薬品性を有して
いるので、劣化することがない。さらに、シール部が１
５０〜２５０℃の高温になったときにも表面のフィルム
２が耐熱性を有しているので溝５１やガス導入口４１の
シール面に溶着することがない。従って、例えばガス導
入口４１やガス供給管５を洗浄する際には、ガス供給管
５の取外しが容易となり、ガス導入口４１やガス供給管
５が破損するおそれがない。また、シール材３が高温に
なって軟質な芯材１から不純物ガスが発生してもフィル
ム２により外部への漏れが防止されるので、不純物ガス
が処理ガスに混入する問題が発生しない。
【００１４】図４は、ガス供給管５に溝が設けられてい
ない場合のシール構造を示し、シール材３は、ガス導入
口４１のシール面とガス供給管５のシール面との間に配
置され、接続部の内壁にはシール材３を挟圧する際の位
置決めのための石英からなるリング状の位置決め部材６
が配置されている。
ない場合のシール構造を示し、シール材３は、ガス導入
口４１のシール面とガス供給管５のシール面との間に配
置され、接続部の内壁にはシール材３を挟圧する際の位
置決めのための石英からなるリング状の位置決め部材６
が配置されている。
【００１５】図５は、半導体ウエハのウエット酸化装置
の概略を示し、７１は反応管、７２はガス導入口、７３
はガス排出口、７４は断熱材、７５は加熱源、７６は外
部燃焼装置、７７は加熱源、７８はガス供給管、７９は
ガス排気管である。本実施例のシール材３は、図５の装
置において、外部燃焼装置７６とガス供給管７８との接
続部、ガス供給管７８とガス導入口７２との接続部、ガ
ス排気管７９とガス排出口７３との接続部におけるシー
ルに使用される。
の概略を示し、７１は反応管、７２はガス導入口、７３
はガス排出口、７４は断熱材、７５は加熱源、７６は外
部燃焼装置、７７は加熱源、７８はガス供給管、７９は
ガス排気管である。本実施例のシール材３は、図５の装
置において、外部燃焼装置７６とガス供給管７８との接
続部、ガス供給管７８とガス導入口７２との接続部、ガ
ス排気管７９とガス排出口７３との接続部におけるシー
ルに使用される。
【００１６】ウエット酸化処理を行う場合には、外部燃
焼装置７６に、酸素（Ｏ2 ）と水素（Ｈ2 ）が導入さ
れ、ここで両者が反応して水蒸気（Ｈ2 Ｏ）が生成され
る。この水蒸気は、ガス供給管７８内を通過して、反応
管７１に供給される。反応管７１内で、加熱源７５によ
り加熱されながら半導体ウエハがウエット酸化処理され
る。そして、半導体ウエハの周辺を通過したガスは、ガ
ス排気管７９から外部に排気される。このとき、ガス排
気管７９の内部は、減圧ポンプ（図示省略）により数Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧とされる。なお、図５において、記号
「×」を付した部分が、シール部を取外す際に破損しや
すい個所である。
焼装置７６に、酸素（Ｏ2 ）と水素（Ｈ2 ）が導入さ
れ、ここで両者が反応して水蒸気（Ｈ2 Ｏ）が生成され
る。この水蒸気は、ガス供給管７８内を通過して、反応
管７１に供給される。反応管７１内で、加熱源７５によ
り加熱されながら半導体ウエハがウエット酸化処理され
る。そして、半導体ウエハの周辺を通過したガスは、ガ
ス排気管７９から外部に排気される。このとき、ガス排
気管７９の内部は、減圧ポンプ（図示省略）により数Ｔ
ｏｒｒ程度の減圧とされる。なお、図５において、記号
「×」を付した部分が、シール部を取外す際に破損しや
すい個所である。
【００１７】〔実施例２〕図６は本実施例のシール材の
断面図である。芯材１が、断面がコ字形の軟質部分１１
と、この軟質部分１１内に配置されたスプリング１２と
により構成され、この芯材１の表面に断面がコ字形のフ
ィルム２が設けられている。このシール材によりシール
するときには、芯材１が処理ガスに接触しないようにす
るために、フィルム２で覆われていない部分はシール部
において外側に向くよう取付けることが肝要である。３
１，３２はシール面を表す。このように、フィルム２
は、芯材１が処理ガスに接触する可能性がある部分のみ
を覆う構成としてもよい。
断面図である。芯材１が、断面がコ字形の軟質部分１１
と、この軟質部分１１内に配置されたスプリング１２と
により構成され、この芯材１の表面に断面がコ字形のフ
ィルム２が設けられている。このシール材によりシール
するときには、芯材１が処理ガスに接触しないようにす
るために、フィルム２で覆われていない部分はシール部
において外側に向くよう取付けることが肝要である。３
１，３２はシール面を表す。このように、フィルム２
は、芯材１が処理ガスに接触する可能性がある部分のみ
を覆う構成としてもよい。
【００１８】〔実施例３〕図７は本実施例のシール材の
断面図である。芯材１は断面がリング状の形態を有し、
フィルム２は断面が半リング状の形態を有し、芯材１の
半周部分を覆うように設けられている。このシール材に
よりシールするときには、実施例２と同様に、フィルム
２で覆われていない部分が外側に向くように取付けるこ
とが肝要である。３１，３２はシール面を表す。
断面図である。芯材１は断面がリング状の形態を有し、
フィルム２は断面が半リング状の形態を有し、芯材１の
半周部分を覆うように設けられている。このシール材に
よりシールするときには、実施例２と同様に、フィルム
２で覆われていない部分が外側に向くように取付けるこ
とが肝要である。３１，３２はシール面を表す。
【００１９】本発明のシール材は、各種の半導体製造装
置のシール材として使用することができる。熱処理の種
類は特に限定されず、ウエット酸化処理、ＨＣｌ酸化処
理のほか、ドライ酸化処理、ＣＶＤ処理、エッチング処
理、ＬＣＤの熱処理、ＴＦＴの成膜処理等の各種の熱処
理に適用することができる。
置のシール材として使用することができる。熱処理の種
類は特に限定されず、ウエット酸化処理、ＨＣｌ酸化処
理のほか、ドライ酸化処理、ＣＶＤ処理、エッチング処
理、ＬＣＤの熱処理、ＴＦＴの成膜処理等の各種の熱処
理に適用することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置用シール材によれば、シール性が高く、かつ、シ
ール面に溶着するおそれがなく、長期間にわたり安定し
たシールが得られる。
造装置用シール材によれば、シール性が高く、かつ、シ
ール面に溶着するおそれがなく、長期間にわたり安定し
たシールが得られる。
【図１】実施例１に係るシール材の断面図である。
【図２】実施例１に係るシール材が挟圧されて収縮した
状態を示す断面図である。
状態を示す断面図である。
【図３】実施例１に係るシール材を半導体ウエハの熱処
理装置に適用する場合のシール構造の一例を示す断面図
である。
理装置に適用する場合のシール構造の一例を示す断面図
である。
【図４】実施例１に係るシール材を半導体ウエハの熱処
理装置に適用する場合のシール構造の他の例を示す断面
図である。
理装置に適用する場合のシール構造の他の例を示す断面
図である。
【図５】実施例１に係るシール材を半導体ウエハのウエ
ット酸化装置に適用する場合の適用個所の説明図であ
る。
ット酸化装置に適用する場合の適用個所の説明図であ
る。
【図６】実施例２に係るシール材の断面図である。
【図７】実施例３に係るシール材の断面図である。
【図８】テフロン管を用いた従来のシール構造の断面図
である。
である。
【図９】石英管を用いた従来のシール構造の断面図であ
る。
る。
【図１０】図９の要部の拡大図である。
【符号の説明】 １ 芯材 １１ 軟質部分 １２ スプリング ２ フィルム ２１ 膨出部 ３ シール材 ３１，３２ シール面 ４ 反応管 ４１ ガス導入口 ５ 接続管 ５１ 溝 ６ 石英リン
グ ７１ 反応管 ７２ ガス導入
口 ７３ ガス排出口 ７４ 断熱材 ７５ 加熱源 ７６ 外部燃焼
装置 ７７ 加熱源 ７８ ガス供給
管 ７９ ガス排気管 ８１ テフロン
管 ８２ 反応管 ８３ ガス導入
口 ８４ テフロンホース ８５，８６ 固
定部材 ９１ 石英管 ９２ 反応管 ９３ ガス導入口 ９４ Ｏリング
グ ７１ 反応管 ７２ ガス導入
口 ７３ ガス排出口 ７４ 断熱材 ７５ 加熱源 ７６ 外部燃焼
装置 ７７ 加熱源 ７８ ガス供給
管 ７９ ガス排気管 ８１ テフロン
管 ８２ 反応管 ８３ ガス導入
口 ８４ テフロンホース ８５，８６ 固
定部材 ９１ 石英管 ９２ 反応管 ９３ ガス導入口 ９４ Ｏリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 剛伸 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 軟質の芯材と、この芯材の表面に設けた
硬質で耐熱性および耐薬品性を有するフィルムとを備え
てなることを特徴とする半導体製造装置用シール材。 - 【請求項２】 シール面に膨出部を有することを特徴と
する請求項１に記載の半導体製造装置用シール材。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223519A JPH0653149A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体製造装置用シール材 |
| US08/096,893 US5359148A (en) | 1992-07-31 | 1993-07-26 | Heat-treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223519A JPH0653149A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体製造装置用シール材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653149A true JPH0653149A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16799417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4223519A Withdrawn JPH0653149A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体製造装置用シール材 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359148A (ja) |
| JP (1) | JPH0653149A (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0710935U (ja) * | 1993-07-24 | 1995-02-14 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
| JP3982844B2 (ja) * | 1995-01-12 | 2007-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| US5713610A (en) * | 1995-10-13 | 1998-02-03 | Santa Barbara Research Center | Semi-permanent vacuum closure with multiple retubulation capability |
| US5653479A (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-05 | Vlsi Technology, Inc. | Vacuum seal for a ball junction |
| US6375194B1 (en) * | 1996-08-23 | 2002-04-23 | Mosel Vitelic, Inc. | Method for semiconductor wafer processing system |
| DE19846475A1 (de) * | 1998-10-09 | 2000-04-13 | Fischer Georg Rohrleitung | Flachdichtungsring |
| US6070911A (en) * | 1999-03-01 | 2000-06-06 | Jgc Corporation | Clamp-type pipe joint |
| JP3543949B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2004-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| KR100560867B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2006-03-13 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 산화방법 및 산화시스템 |
| JP3590328B2 (ja) * | 2000-05-11 | 2004-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
| JP2001336688A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-07 | Tokai Rubber Ind Ltd | 樹脂ホースの接続方法およびそれを用いた樹脂ホースの接続構造 |
| DE60131698T2 (de) * | 2000-05-31 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd. | Thermische Behandlungsvorrichtung und Verfahren |
| US6758909B2 (en) * | 2001-06-05 | 2004-07-06 | Honeywell International Inc. | Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates |
| US20030000471A1 (en) * | 2001-06-18 | 2003-01-02 | Soo-Sik Yoon | Method and apparatus for manufacturing semiconductor devices |
| KR100973666B1 (ko) * | 2003-06-17 | 2010-08-03 | 주성엔지니어링(주) | 원자층증착장치의 가스밸브 어셈블리 |
| US8454749B2 (en) * | 2005-12-19 | 2013-06-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for sealing a first assembly to a second assembly of a processing system |
| GB0907278D0 (en) | 2009-04-29 | 2009-06-10 | Rolls Royce Plc | A seal arrangement and a method of repairing a seal arrangement |
| US9279185B2 (en) * | 2012-06-14 | 2016-03-08 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Feed-through apparatus for a chemical vapour deposition device |
| US10340171B2 (en) * | 2016-05-18 | 2019-07-02 | Lam Research Corporation | Permanent secondary erosion containment for electrostatic chuck bonds |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4527818A (en) * | 1981-02-17 | 1985-07-09 | Texaco Inc. | Coupling for pipe or tubing |
| US4448448A (en) * | 1982-03-22 | 1984-05-15 | Raphael Theresa Pollia | Coupling system |
| US4466641A (en) * | 1982-08-04 | 1984-08-21 | The Lockformer Company | Duct connecting system |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4223519A patent/JPH0653149A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-07-26 US US08/096,893 patent/US5359148A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5359148A (en) | 1994-10-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |