JP3483733B2 - 半導体製造装置及び基板処理方法 - Google Patents
半導体製造装置及び基板処理方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
に被処理基板を１枚ずつ処理する枚葉式半導体製造装
置、及び基板処理方法に関するものである。
に被処理基板を１枚ずつ処理する枚葉式半導体製造装
置、及び基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハ等被処理基板表面に多数の半導
体素子を形成する為、被処理基板表面に成膜、エッチン
グ等種々の処理を行う半導体製造装置には多数の被処理
基板を一度に処理するバッチ式のものと被処理基板を１
枚ずつ処理する枚葉式のものとがある。
体素子を形成する為、被処理基板表面に成膜、エッチン
グ等種々の処理を行う半導体製造装置には多数の被処理
基板を一度に処理するバッチ式のものと被処理基板を１
枚ずつ処理する枚葉式のものとがある。
【０００３】枚葉式半導体製造装置はバッチ式のものと
比べて製品の生産性の点では劣るが、処理した基板の薄
膜、膜質の均一性の点で優れており、多様化する顧客の
要求に対応できるという利点があり、近年、枚葉式のも
のが主流を占める様になってきている。
比べて製品の生産性の点では劣るが、処理した基板の薄
膜、膜質の均一性の点で優れており、多様化する顧客の
要求に対応できるという利点があり、近年、枚葉式のも
のが主流を占める様になってきている。
【０００４】以下、図６、図７に於いて従来の枚葉式半
導体製造装置に於ける反応炉の概略を説明する。
導体製造装置に於ける反応炉の概略を説明する。
【０００５】図中、１は石英製の反応容器であり、該反
応容器１は板厚が１０mm程度で偏平な角筒状の筒体２の
外周面に全周に亘り所要数の補強用リブ３が等間隔に突
設され、前記筒体２の両端にはフランジ部４がそれぞれ
固着され、形成されている。
応容器１は板厚が１０mm程度で偏平な角筒状の筒体２の
外周面に全周に亘り所要数の補強用リブ３が等間隔に突
設され、前記筒体２の両端にはフランジ部４がそれぞれ
固着され、形成されている。
【０００６】前記反応容器１の両端にはそれぞれＯリン
グ５を介在させて金属製のフランジ６が気密に設けら
れ、該一方のフランジ６にはゲートバルブ７が気密に設
けられ、他方のフランジ６は図示しない排気装置に接続
され、前記反応容器１の内部は気密な反応室８を画成す
ると共に前記ゲートバルブ７を介してウェーハ９が装
入、引出し可能となってる。
グ５を介在させて金属製のフランジ６が気密に設けら
れ、該一方のフランジ６にはゲートバルブ７が気密に設
けられ、他方のフランジ６は図示しない排気装置に接続
され、前記反応容器１の内部は気密な反応室８を画成す
ると共に前記ゲートバルブ７を介してウェーハ９が装
入、引出し可能となってる。
【０００７】前記反応容器１の上方には該反応容器１の
上面と平行に上部ヒータ１０が設けられ、前記反応容器
１の下方には該反応容器１の下面と平行に下部ヒータ１
１が設けられている。
上面と平行に上部ヒータ１０が設けられ、前記反応容器
１の下方には該反応容器１の下面と平行に下部ヒータ１
１が設けられている。
【０００８】前記反応室８外部に位置する図示しないウ
ェーハ移載機により、１枚の前記ウェーハ９が前記ゲー
トバルブ７を通して前記反応室８内部に装入される。前
記ゲートバルブ７が気密に閉塞され、図示しない排気装
置により前記反応室８内部が真空排気された後、反応ガ
スが導入されつつ前記排気装置により前記反応室８は排
気され、該反応室８内部は所定の負圧に維持される。前
記上部ヒータ１０、下部ヒータ１１により前記反応容器
１が加熱され、前記反応室８内部が高温となり反応ガス
が分解し、分解した反応ガスが前記ウェーハ９に付着堆
積して成膜処理が行われる。成膜処理が完了すると、反
応副生成物を含むガスが排気され、前記反応室８は窒素
ガス等不活性ガスに置換された後、前記ゲートバルブ７
が開放される。前記ウェーハ移載機（図示せず）により
前記ゲートバルブ７を通して前記ウェーハ９が前記反応
室８外部へ引出される。
ェーハ移載機により、１枚の前記ウェーハ９が前記ゲー
トバルブ７を通して前記反応室８内部に装入される。前
記ゲートバルブ７が気密に閉塞され、図示しない排気装
置により前記反応室８内部が真空排気された後、反応ガ
スが導入されつつ前記排気装置により前記反応室８は排
気され、該反応室８内部は所定の負圧に維持される。前
記上部ヒータ１０、下部ヒータ１１により前記反応容器
１が加熱され、前記反応室８内部が高温となり反応ガス
が分解し、分解した反応ガスが前記ウェーハ９に付着堆
積して成膜処理が行われる。成膜処理が完了すると、反
応副生成物を含むガスが排気され、前記反応室８は窒素
ガス等不活性ガスに置換された後、前記ゲートバルブ７
が開放される。前記ウェーハ移載機（図示せず）により
前記ゲートバルブ７を通して前記ウェーハ９が前記反応
室８外部へ引出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に従来の反
応炉では成膜時の反応ガスの流れを均一な流れとし、ウ
ェーハへの薄膜の均一化を図る為、反応容器１を該反応
容器１の上面及び下面が反応室８内のウェーハ９面と平
行となる様、偏平な角筒形状としている。反応室８内が
真空状態では外部が大気圧であることにより大きな外圧
が反応容器１に作用する。前記した様に反応容器１は偏
平な角筒形状であるので、外壁には大きな曲げモーメン
トが発生する。従って、反応室８内外の圧力差に耐え得
る構造とする為、反応容器１の外周に多数の補強用リブ
３を設ける必要があった。然し、多数の補強用リブ３を
設ける等すると、２０回以上の溶接や溶接による熱残留
応力除去の為のアニールを行う必要があり、製作に手間
が掛かり、又、製作中に破損する可能性も高く、量産性
が悪い。更に、補強用リブ３の高さ分、反応炉自体の高
さが高くなり反応炉の大型化の要因となるという問題が
あった。
応炉では成膜時の反応ガスの流れを均一な流れとし、ウ
ェーハへの薄膜の均一化を図る為、反応容器１を該反応
容器１の上面及び下面が反応室８内のウェーハ９面と平
行となる様、偏平な角筒形状としている。反応室８内が
真空状態では外部が大気圧であることにより大きな外圧
が反応容器１に作用する。前記した様に反応容器１は偏
平な角筒形状であるので、外壁には大きな曲げモーメン
トが発生する。従って、反応室８内外の圧力差に耐え得
る構造とする為、反応容器１の外周に多数の補強用リブ
３を設ける必要があった。然し、多数の補強用リブ３を
設ける等すると、２０回以上の溶接や溶接による熱残留
応力除去の為のアニールを行う必要があり、製作に手間
が掛かり、又、製作中に破損する可能性も高く、量産性
が悪い。更に、補強用リブ３の高さ分、反応炉自体の高
さが高くなり反応炉の大型化の要因となるという問題が
あった。
【００１０】又、図８、図９に示す様に、補強用リブ３
を設ける代わりに反応容器１の板厚を２０mm以上とする
ことも実用化されているが、板厚の厚い石英同士を溶接
すると、石英は熱伝導率が低い為、石英のバーナ加熱部
分の温度のみが上昇し、非加熱部分は温度が上昇せず、
加熱部分と非加熱部分の温度差により熱応力が発生し、
反応容器１が破損しやすくなるので、溶接が著しく困難
であった。従って、フランジ部４を筒体２と一体にして
石英板から削出し、前記反応容器１を製作していた。と
ころが、石英板は高価であり、石英板の有効利用が図れ
ず、材料費が高くなり、又、切削に多大な時間を要し、
量産性が悪いという問題があった。
を設ける代わりに反応容器１の板厚を２０mm以上とする
ことも実用化されているが、板厚の厚い石英同士を溶接
すると、石英は熱伝導率が低い為、石英のバーナ加熱部
分の温度のみが上昇し、非加熱部分は温度が上昇せず、
加熱部分と非加熱部分の温度差により熱応力が発生し、
反応容器１が破損しやすくなるので、溶接が著しく困難
であった。従って、フランジ部４を筒体２と一体にして
石英板から削出し、前記反応容器１を製作していた。と
ころが、石英板は高価であり、石英板の有効利用が図れ
ず、材料費が高くなり、又、切削に多大な時間を要し、
量産性が悪いという問題があった。
【００１１】更に、ヒータ１０，１１による反応容器１
の加熱箇所からＯリング５に至る迄の反応容器１の板厚
が厚いと、ヒータ１０，１１からＯリング５への熱伝導
量が増大し、Ｏリング５の焼損による劣化が著しく、交
換頻度が高くなり、或は反応室８の気密性が保てないと
いう問題もあった。
の加熱箇所からＯリング５に至る迄の反応容器１の板厚
が厚いと、ヒータ１０，１１からＯリング５への熱伝導
量が増大し、Ｏリング５の焼損による劣化が著しく、交
換頻度が高くなり、或は反応室８の気密性が保てないと
いう問題もあった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、反応室内外の
圧力差に耐え得る強度を有し、且製作が容易で量産性が
良く、材料費の低減化が図れ、反応炉の大型化及びＯリ
ングの劣化を防止できる反応炉を提供しようとするもの
である。
圧力差に耐え得る強度を有し、且製作が容易で量産性が
良く、材料費の低減化が図れ、反応炉の大型化及びＯリ
ングの劣化を防止できる反応炉を提供しようとするもの
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応室を画成
する偏平断面の反応容器の両端部に薄肉部分を形成した
反応炉に係り、又、上下壁部を両側壁部より厚肉とし、
少なくとも上下壁部の両端部に薄肉部分を形成した反応
炉に係り、又、反応容器が筒体及び両端のフランジ部か
ら成り、該フランジ部が薄肉のフランジ接合部を有し、
前記筒体の両端部を薄肉とし、前記フランジ接合部と筒
体端部とを溶接した反応炉に係り、更に、反応容器の周
囲に設けられたヒータの外周側に断熱材を設け、該断熱
材の端部が前記薄肉部に係合した反応炉に係り、更に
又、前記薄肉部の板厚が略１０mmである反応炉に係り、
前記筒体が前記反応室内外の圧力差に耐え、前記ヒータ
により加熱され、前記反応室内の被処理基板を加熱処理
すると共に前記筒体から前記フランジ部への熱伝導を最
小限に抑止し、反応室内の気密性を維持する。
する偏平断面の反応容器の両端部に薄肉部分を形成した
反応炉に係り、又、上下壁部を両側壁部より厚肉とし、
少なくとも上下壁部の両端部に薄肉部分を形成した反応
炉に係り、又、反応容器が筒体及び両端のフランジ部か
ら成り、該フランジ部が薄肉のフランジ接合部を有し、
前記筒体の両端部を薄肉とし、前記フランジ接合部と筒
体端部とを溶接した反応炉に係り、更に、反応容器の周
囲に設けられたヒータの外周側に断熱材を設け、該断熱
材の端部が前記薄肉部に係合した反応炉に係り、更に
又、前記薄肉部の板厚が略１０mmである反応炉に係り、
前記筒体が前記反応室内外の圧力差に耐え、前記ヒータ
により加熱され、前記反応室内の被処理基板を加熱処理
すると共に前記筒体から前記フランジ部への熱伝導を最
小限に抑止し、反応室内の気密性を維持する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図３を参照しつつ本
発明の実施の形態を説明する。
発明の実施の形態を説明する。
【００１５】図中、１５は石英製の反応容器であり、該
反応容器１５は筒体１６の両端にフランジ部１７を溶接
接合し、形成されている。前記筒体１６は偏平な角筒状
をなし、両端部１８の板厚は薄くなっている。前記フラ
ンジ部１７はフランジ接合部１９と溶接接合部２０で構
成され、該溶接接合部２０は前記筒体１６の両端部１８
と同一断面形状を有し、前記フランジ接合部１９より前
記筒体１６側に突出している。前記溶接接合部２０の板
厚は前記端部１８と同じとなっており、該端部１８と前
記溶接接合部２０とが突合せ溶接され、前記端部１８と
前記溶接接合部２０の外周側には凹部２１が形成される
様になっている。
反応容器１５は筒体１６の両端にフランジ部１７を溶接
接合し、形成されている。前記筒体１６は偏平な角筒状
をなし、両端部１８の板厚は薄くなっている。前記フラ
ンジ部１７はフランジ接合部１９と溶接接合部２０で構
成され、該溶接接合部２０は前記筒体１６の両端部１８
と同一断面形状を有し、前記フランジ接合部１９より前
記筒体１６側に突出している。前記溶接接合部２０の板
厚は前記端部１８と同じとなっており、該端部１８と前
記溶接接合部２０とが突合せ溶接され、前記端部１８と
前記溶接接合部２０の外周側には凹部２１が形成される
様になっている。
【００１６】前記反応容器１５の両端にはそれぞれＯリ
ング２２を介在させ、金属製のフランジ２３が気密に設
けられている。該フランジ２３には断面がＬ字形の反応
容器押え２４がボルト２５により固着され、前記フラン
ジ接合部１９は前記フランジ２３と前記反応容器押え２
４により挾持されている。
ング２２を介在させ、金属製のフランジ２３が気密に設
けられている。該フランジ２３には断面がＬ字形の反応
容器押え２４がボルト２５により固着され、前記フラン
ジ接合部１９は前記フランジ２３と前記反応容器押え２
４により挾持されている。
【００１７】一方の前記フランジ２３にはゲートバルブ
２６が気密に設けられ、他方の前記フランジ２３は図示
しない排気装置に接続され、前記反応容器１５の内部は
気密な反応室２７になると共に前記ゲートバルブ２６を
通してウェーハ２８を装入、引出し可能になっている。
２６が気密に設けられ、他方の前記フランジ２３は図示
しない排気装置に接続され、前記反応容器１５の内部は
気密な反応室２７になると共に前記ゲートバルブ２６を
通してウェーハ２８を装入、引出し可能になっている。
【００１８】前記筒体１６の上部を覆う様に上部ヒータ
２９が設けられ、又、前記筒体１６の下部を覆う様に下
部ヒータ３０が設けられ、前記筒体１６の周囲は前記上
部ヒータ２９、下部ヒータ３０に囲繞されている。更
に、前記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０の外側は断熱
材３１により覆われ、該断熱材３１の端部は中心に向っ
て突出する内鍔３２となっており、該内鍔３２は前記凹
部２１に係合する。
２９が設けられ、又、前記筒体１６の下部を覆う様に下
部ヒータ３０が設けられ、前記筒体１６の周囲は前記上
部ヒータ２９、下部ヒータ３０に囲繞されている。更
に、前記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０の外側は断熱
材３１により覆われ、該断熱材３１の端部は中心に向っ
て突出する内鍔３２となっており、該内鍔３２は前記凹
部２１に係合する。
【００１９】本実施の形態で外圧が作用した場合、最大
モーメントが作用するのは前記筒体１６壁部の中央部で
あり、該筒体１６の前記両端部１８に作用する曲げモー
メントは小さく、更に両端の前記フランジ接合部１９が
補強リブとして機能するので、前記両端凹部２１の板厚
の薄いことは何等支障となることはない。又、前記反応
容器１５と前記フランジ部１７の溶接は比較的薄肉の突
合せ溶接となるので過大な熱応力が発生することはな
く、溶接は良好に行える。
モーメントが作用するのは前記筒体１６壁部の中央部で
あり、該筒体１６の前記両端部１８に作用する曲げモー
メントは小さく、更に両端の前記フランジ接合部１９が
補強リブとして機能するので、前記両端凹部２１の板厚
の薄いことは何等支障となることはない。又、前記反応
容器１５と前記フランジ部１７の溶接は比較的薄肉の突
合せ溶接となるので過大な熱応力が発生することはな
く、溶接は良好に行える。
【００２０】以下、前記反応室２７内で前記ウェーハ２
８への成膜処理が行われる場合について説明する。
８への成膜処理が行われる場合について説明する。
【００２１】前記反応室２７外部に位置する図示しない
ウェーハ移載機により１枚の前記ウェーハ２８が前記ゲ
ートバルブ２６を通して前記反応室２７内部に装入され
る。前記ゲートバルブ２６が気密に閉塞され前記反応室
２７内が真空引きされた後、反応ガスが導入される。前
記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０により前記筒体１６
が加熱され、前記反応室２７内部の前記ウェーハ２８に
成膜処理が行われる。
ウェーハ移載機により１枚の前記ウェーハ２８が前記ゲ
ートバルブ２６を通して前記反応室２７内部に装入され
る。前記ゲートバルブ２６が気密に閉塞され前記反応室
２７内が真空引きされた後、反応ガスが導入される。前
記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０により前記筒体１６
が加熱され、前記反応室２７内部の前記ウェーハ２８に
成膜処理が行われる。
【００２２】前記凹部２１の板厚が前記筒体１６の板厚
より薄く、前記凹部２１での熱抵抗が大きくなり、加熱
された前記筒体１６から前記フランジ接合部１９への熱
伝導が抑制される。又、前記断熱材３１の前記内鍔３２
により前記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０からの熱輻
射が遮断される為、熱伝導の抑制、熱輻射の遮断と相俟
って前記フランジ接合部１９の温度上昇は最小限に押え
ることができる。而して、前記Ｏリング２２が加熱され
焼損、劣化するのを防止することが可能となる。
より薄く、前記凹部２１での熱抵抗が大きくなり、加熱
された前記筒体１６から前記フランジ接合部１９への熱
伝導が抑制される。又、前記断熱材３１の前記内鍔３２
により前記上部ヒータ２９、下部ヒータ３０からの熱輻
射が遮断される為、熱伝導の抑制、熱輻射の遮断と相俟
って前記フランジ接合部１９の温度上昇は最小限に押え
ることができる。而して、前記Ｏリング２２が加熱され
焼損、劣化するのを防止することが可能となる。
【００２３】成膜処理が完了すると、反応副生成物を含
むガスが排気されると共に不活性ガスに置換される。前
記ゲートバルブ２６が開放され、前記ウェーハ移載機
（図示せず）により前記ゲートバルブ２６を通して前記
ウェーハ２８が前記反応室２７の外部へ引出される。
むガスが排気されると共に不活性ガスに置換される。前
記ゲートバルブ２６が開放され、前記ウェーハ移載機
（図示せず）により前記ゲートバルブ２６を通して前記
ウェーハ２８が前記反応室２７の外部へ引出される。
【００２４】尚、上記実施の形態に於いては、前記反応
容器の１５を石英製としているが、セラミック製として
もよく、又、前記フランジ部１７にサンドブラスト処理
等を施し不透明とし、輻射熱の透過率を一層低下させて
もよい。更に、図４、図５に示す様に、前記筒体１６の
両側面の板厚を前記フランジ部１７の板厚と同一とする
と共に前記筒体１６の両側面に補強用リブ３３を所要間
隔で複数溶接してもよい。又、反応容器の断面形状は偏
平な楕円形或は長円形であってもよいことは勿論であ
る。更に又、処理対象基板はウェーハに限らずガラス等
他の被処理基板であってもよい。
容器の１５を石英製としているが、セラミック製として
もよく、又、前記フランジ部１７にサンドブラスト処理
等を施し不透明とし、輻射熱の透過率を一層低下させて
もよい。更に、図４、図５に示す様に、前記筒体１６の
両側面の板厚を前記フランジ部１７の板厚と同一とする
と共に前記筒体１６の両側面に補強用リブ３３を所要間
隔で複数溶接してもよい。又、反応容器の断面形状は偏
平な楕円形或は長円形であってもよいことは勿論であ
る。更に又、処理対象基板はウェーハに限らずガラス等
他の被処理基板であってもよい。
【００２５】
【実施例１】直径８インチのウェーハの成膜処理に使用
する反応炉に於いては、前記反応室２７内の真空度が
０．０１〜１０torrに保たれ、前記反応室２７の外径が
幅３２０mm×高さ８０mm ×軸長５４０mmの場合、前記
筒体１６の前記両端部１８を除く部分の板厚を２０mm、
前記凹部２１の板厚を１０mm、該凹部２１の幅を７０mm
とする。
する反応炉に於いては、前記反応室２７内の真空度が
０．０１〜１０torrに保たれ、前記反応室２７の外径が
幅３２０mm×高さ８０mm ×軸長５４０mmの場合、前記
筒体１６の前記両端部１８を除く部分の板厚を２０mm、
前記凹部２１の板厚を１０mm、該凹部２１の幅を７０mm
とする。
【００２６】
【実施例２】直径１２インチのウェーハの成膜処理に使
用する反応炉に於いては、前記反応室２７内の真空度が
０．０１〜１０torrに保たれ、前記反応室２７の外径が
幅４４０mm×高さ１００mm ×軸長６９０mmの場合、前
記筒体１６の前記両端部１８を除く部分の板厚を２０〜
３５mm、前記凹部２１の板厚を１０mm、該凹部２１の幅
を７０mmとする。
用する反応炉に於いては、前記反応室２７内の真空度が
０．０１〜１０torrに保たれ、前記反応室２７の外径が
幅４４０mm×高さ１００mm ×軸長６９０mmの場合、前
記筒体１６の前記両端部１８を除く部分の板厚を２０〜
３５mm、前記凹部２１の板厚を１０mm、該凹部２１の幅
を７０mmとする。
【００２７】尚、前記筒体の板厚、前記両端部の板厚、
前記凹部の幅については、前記筒体の形状、真空度に応
じて適宜変更されることは言う迄もない。
前記凹部の幅については、前記筒体の形状、真空度に応
じて適宜変更されることは言う迄もない。
【００２８】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、反応容
器の外面に凹部を設け、板厚を薄くした為に溶接接合が
可能となり、フランジ部も一体に石英板から削出す必要
がなく材料費の低減化が図れると共にＯリングへの熱伝
導を最小限に抑止することが可能となり、Ｏリングの焼
損、劣化を防止でき、反応室内の気密性を確実に維持で
きるようになる。
器の外面に凹部を設け、板厚を薄くした為に溶接接合が
可能となり、フランジ部も一体に石英板から削出す必要
がなく材料費の低減化が図れると共にＯリングへの熱伝
導を最小限に抑止することが可能となり、Ｏリングの焼
損、劣化を防止でき、反応室内の気密性を確実に維持で
きるようになる。
【００２９】又、筒体の板厚を厚くすることで反応室内
外の圧力差に耐え得る構造としている為、筒体の上下壁
部に補強用リブを溶接接合する必要がなく、製作に手間
が掛からず、量産性が向上し、製作費の低減化が図れる
と共に反応炉の小型化が図れる。
外の圧力差に耐え得る構造としている為、筒体の上下壁
部に補強用リブを溶接接合する必要がなく、製作に手間
が掛からず、量産性が向上し、製作費の低減化が図れる
と共に反応炉の小型化が図れる。
【００３０】更に、凹部に断熱材を係合することでヒー
タからＯリングへの熱輻射が遮断される為、Ｏリングが
加熱され焼損、劣化するのを防止することが可能となる
と共に反応室内の断熱効率が向上し、省エネルギ化を図
ることが可能となる等種々の優れた効果を発揮する。
タからＯリングへの熱輻射が遮断される為、Ｏリングが
加熱され焼損、劣化するのを防止することが可能となる
と共に反応室内の断熱効率が向上し、省エネルギ化を図
ることが可能となる等種々の優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】該実施の形態に係る反応容器の平断面図である
図３のＡ−Ａ矢視図である。
図３のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】図２のＢ−Ｂ矢視図である。
【図４】該実施の形態に係る他の反応容器の平断面図で
ある図５のＣ−Ｃ矢視図である。
ある図５のＣ−Ｃ矢視図である。
【図５】図４のＤ−Ｄ矢視図である。
【図６】従来例を示す平断面図である図７のＥ−Ｅ矢視
図である。
図である。
【図７】図６のＦ−Ｆ矢視図である。
【図８】他の従来例を示す平断面図である図９のＧ−Ｇ
矢視図である。
矢視図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ矢視図である。
１５ 反応容器
１６ 筒体
１７ フランジ部
２１ 凹部
２２ Ｏリング
３１ 断熱材
３３ 補強用リブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/22
H01L 21/205
H01L 21/324
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理基板を処理する反応室を画成する
断面形状が扁平な石英製の反応容器を具備し、該反応容
器が、両端部の板厚を中央部より薄くした筒体と、前記
両端部にそれぞれ溶接接合されるフランジ部とを有する
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 筒体と該筒体に溶接接合されるフランジ
部とを有し、被処理基板を処理する反応室を画成する断
面形状が扁平な石英製の反応容器と、前記筒体とフラン
ジ部との接合部が薄肉となる様外面側から形成された凹
部と、前記フランジ部にＯリングを介して気密に取付け
られるフランジと、前記反応容器の外側に設けられたヒ
ータと、該ヒータの外側に設けられた断熱材とを具備
し、該断熱材の一部が前記凹部に係合していることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１の半導体製造装置を用いて被処
理基板に半導体素子を形成する基板処理方法であって、
前記反応容器内に反応ガスを導入し、前記ヒータにより
前記反応容器を加熱することで被処理基板に半導体素子
を形成することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP16183497A JP3483733B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 半導体製造装置及び基板処理方法 |
| KR1019980020662A KR100566999B1 (ko) | 1997-06-04 | 1998-06-03 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US09/090,216 US6132553A (en) | 1997-06-04 | 1998-06-04 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16183497A JP3483733B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 半導体製造装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335252A JPH10335252A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3483733B2 true JP3483733B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=15742822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16183497A Expired - Lifetime JP3483733B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 半導体製造装置及び基板処理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3483733B2 (ja) |
| KR (1) | KR100566999B1 (ja) |
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| JP4450664B2 (ja) * | 2003-06-02 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
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| KR200478069Y1 (ko) | 2009-09-10 | 2015-08-24 | 램 리써치 코포레이션 | 플라즈마 처리 장치의 교체가능한 상부 체임버 부품 |
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| JP6685246B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2020-04-22 | 東京貿易エンジニアリング株式会社 | 流体荷役装置用の緊急離脱機構 |
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| US20210229056A1 (en) * | 2020-01-24 | 2021-07-29 | Asm Ip Holding B.V. | Process chamber with side support |
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| JP2770753B2 (ja) * | 1994-09-16 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP16183497A patent/JP3483733B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-03 KR KR1019980020662A patent/KR100566999B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-04 US US09/090,216 patent/US6132553A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| KR19990006661A (ko) | 1999-01-25 |
| US6132553A (en) | 2000-10-17 |
| KR100566999B1 (ko) | 2006-06-16 |
| JPH10335252A (ja) | 1998-12-18 |
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