KR100566999B1

KR100566999B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법

Info

Publication number: KR100566999B1
Application number: KR1019980020662A
Authority: KR
Inventors: 후미히데 이케다; 야스히로 이노쿠치
Original assignee: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
Priority date: 1997-06-04
Filing date: 1998-06-03
Publication date: 2006-06-16
Also published as: KR19990006661A; JPH10335252A; JP3483733B2; US6132553A

Abstract

본 발명은 반응실 내외의 압력차를 견딜 수 있는 강도를 가지며, 제작이 용이하여 양산성이 좋고, 재료비의 저감화가 도모되고, 반응로의 대형화 및 O링의 열화를 방지할 수 있는 반응로를 구비한 기판처리장치 및 그것을 사용한 기판처리방법에 관한 것이다.

반응실(27)을 구획하는 편평단면의 반응용기(16)의 양단부(18)에 얇은 부분을 형성하도록 구성하고, 상기 양단부와 플랜지부(17)를 용접 가능하게 하고, 상기 반응실 내외의 압력차를 견디며, 상기 반응용기로부터 상기 플랜지부로의 열전도를 최소한으로 억지함과 동시에 반응실내의 기밀성을 유지한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법

본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 특히 반도체 제조장치의 반응로, 특히 피처리기판을 1매 또는 2매씩 처리하는 매엽식(枚葉式) 반도체 제조장치에 있어서의 반응로에 관한 것이다.

웨이퍼 등 피처리기판 표면에 다수의 반도체 소자를 형성하기 위해 피처리기판 표면에 성막, 에칭 등 각종 처리를 하는 반도체 제조장치에는 다수의 피처리기판을 한번에 처리하는 배치식(batch)과 피처리기판을 1매씩 처리하는 매엽식이 있다.

매엽식 반도체 제조장치는 배치식에 비해 제품의 생산성이라는 점에서는 열악하지만, 처리한 기판의 박막, 막질의 균일성이라는 점에서 뛰어나서, 다양화하는 고객의 요구에 대응할 수 있는 이점이 있으므로, 최근 매엽식이 주류를 점하게 되었다.

이하, 도6, 도7에 있어서 종래의 매엽식 반도체 제조장치에 있어서 반응로의 개략을 설명한다.

도면중 1은 석영제의 반응용기이며, 상기 반응용기(1)는 판두께가 10mm 정도에 편평한 각통형상의 통체(2)의 외주면에 전체둘레에 걸쳐서 소요 수의 보강용 리브(3)가 등간격으로 돌출설치되고, 상기 통체(2)의 양단에는 플랜지부(4)가 각각 고정장착되어 형성되고 있다.

상기 반응용기의 양단에는 각각 O링(5)를 개재시켜서 금속제 플랜지(6)가 기밀하게 배설되고, 상기 한쪽 플랜지(6)에는 게이트 밸브(7)가 기밀하게 배설되고, 다른쪽 플랜지(6)는 도시하지 않은 배기장치에 접속되고, 상기 반응용기(1)의 내부는 기밀한 반응실(8)을 구획함과 동시에 상기 게이트밸브(7)를 통해 웨이퍼(9)가 장입, 인출이 가능해진다.

상기 반응용기(1)의 상측에는 상기 반응용기(1)의 상부면과 평행하게 상부 히터(10)가 설치되고, 상기 반응용기(1)의 하측에는 상기 반응용기(1)의 하부면과 평행하게 하부 히터(11)가 설치되어 있다.

상기 반응실(8) 외부에 위치하는 도시하지 않은 웨이퍼 이재기에 의해, 1매의 상기 웨이퍼(9)가 상기 게이트 밸브(7)를 통해 상기 반응용기(1) 내부에 장입된다. 상기 게이트 밸브(7)는 기밀하게 폐색되고, 도시하지 않은 배기장치에 의해 상기 반응용기(1) 내부가 진공배기된 후, 반응가스가 도입되면서 상기 배기장치에 의해 상기 반응실(8)은 배기되고, 상기 반응실(8) 내부는 소정의 마이너스압으로 유지된다. 상기 상부히터(10), 하부 히터(11)에 의해 상기 반응용기(1)가 가열되고, 상기 반응실(8) 내부가 고온이 되어 반응가스가 분해되고, 분해된 반응가스가 상기 웨이퍼(9)에 부착퇴적되어 성막처리가 행해진다. 성막처리가 완료되면, 반응부 생성물을 포함하는 가스가 배기되고, 상기 반응실(8)은 질소가스 등 불활성 가스로 치환된 후, 상기 게이트 밸브(7)가 개방된다. 상기 웨이퍼 이재기(移載機)(도시생략)에 의해 상기 게이트 밸브(7)를 통해 상기 웨이퍼(9)는 상기 반응실(8) 외부로 인출된다.

상기한 바와 같이 종래의 반응로에서는 성막시 반응가스의 흐름을 균일한 흐름으로 하고, 웨이퍼에 대한 박막의 균일화를 도모하기 위해, 반응용기(1)를 상기 반응용기(1)의 상부면 및 하부면이 반응실(8)내의 웨이퍼(9)면과 평행해지도록, 편평한 각통형상으로 되어 있다. 반응실(8)내가 진공상태에서는 외부가 대기압이라서 커다란 외압이 반응용기(1)에 작용한다. 상기한 바와 같이 반응용기(1)는 편평한 각통형상이므로, 외벽에는 커다란 밴딩 모멘트가 발생한다. 따라서, 반응실(8) 내외의 압력차에 견딜 수 있는 구조로 하기 위해, 반응용기(1)의 외주에 다수의 보강용 리브(3)를 형성할 필요가 있다. 그러나, 다수의 보강용 리브(3)를 형성하면, 20회 이상의 용접이나 용접에 의한 열 잔류 응력 제거를 위한 어닐을 할 필요가 있으며, 제작에 시간이 걸리고, 또 제작중에 파손될 가능성도 높고, 양산성이 나쁘다. 또, 보강용 리브(3)의 높이만큼, 반응로 자체의 높이가 높아져서 반응로의 대형화 요인이 된다는 문제가 있었다.

또, 도8, 도9에 도시한 바와 같이, 보강용 리브(3)를 형성하는 대신 반응용기(1)의 판두께를 20mm 이상으로 하는 것도 실용화되고 있으나, 판두께가 두꺼운 석영끼리 용접하면, 석영은 열전도율이 낮기 때문에, 석영의 버너가열부분의 온도만 상승하고, 비가열부분은 온도가 상승하지 않고, 가열부분과 비가열부분의 온도차에 의해 열 응력이 발생하여, 반응용기(1)가 파손되기 쉬워지므로, 용접이 눈에 띄게 곤란하였다. 따라서, 플랜지부(4)를 통체(2)와 일체로 하여 석영판으로부터 깎아내고, 상기 반응용기(1)를 제조하였다. 그러나, 석영판은 고가이고, 석영판의 효과적 이용을 도모할 수 없어서 재료비가 비싸지고, 또 절삭에 많은 시간을 요하여 양산성이 나쁘다는 문제가 있었다.

또, 히터(10, 11)에 의한 반응용기(1)의 가열개소로부터 O링(5)에 이르기까지의 반응용기(1)의 판두께가 두꺼우면, 히터(10, 11)로부터 O링(5)에의 열전도량이 증대하고, O링(5)의 소손(燒損)에 의한 열화가 눈에 띄어 교환 빈도가 높아지거나, 혹은 반응실(8)의 기밀성을 유지할 수 없다는 문제도 있었다.

본 발명은 이러한 실정을 감안하여 반응실 내외의 압력차를 견딜 수 있는 강도를 가지며, 또 제작이 용이하고 양산성이 좋고, 재료비의 저감화를 도모할 수 있으며, 반응로의 대형화를 방지할 수 있는 반응로를 구비한 기판처리장치 및 그것을 사용한 기판처리방법을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 O링의 열화를 방지할 수 있는 반응로를 구비한 기판처리장치 및 그것을 사용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.

청구항 1에 의하면, 그 내부에서 기판을 처리하는 반응용기와, 상기 반응용기의 외부에 설치된 히터를 구비하고, 상기 반응용기의 적어도 한 쌍의 서로 대향하는 벽이 각각 후육부(厚肉部)와 상기 후육부보다 두께가 얇은 박육부를 가지며, 상기 적어도 한 쌍의 벽의 적어도 상기 히터에 대향하는 부분을 상기 후육부로 하고, 상기 후육부는 상기 반응용기의 중앙부에 설치되며, 상기 박육부는 상기 반응용기의 개방된 일단부 또는 그 근방에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.

청구항 2에 의하면, 상기 반응용기의 양단부가 개방되어 있으며, 상기 양단부 또는 그들 근방에 상기 반응용기의 상기 중앙부보다 두께가 얇은 박육부(薄肉部)를 각각 형성한 것을 특징으로 하는 청구항 1기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 3에 의하면, 상기 반응용기의 단면이 편평하고, 상기 반응용기가 제1방향에 있어서 서로 대향하는 제1 및 제2벽면과 상기 제1방향과 대략 수직한 제2방향에 있어서 서로 대향하는 제3 및 제4벽면을 구비하고, 상기 제1 및 제2벽면의 면적이 상기 제3 및 제4벽면의 면적보다 크고, 상기 제1 및 제2벽면의 상기 일단부 또는 그 근방에 상기 박육부를 형성한 것을 특징으로 하는 청구항 1 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 4에 의하면, 상기 반응용기의 단면이 편평하고, 상기 반응용기가 제1방향에 있어서 서로 대향하는 제1 및 제2벽면과 상기 제1방향과 대략 수직한 제2방향에 있어서 서로 대향하는 제3 및 제4벽면을 구비하고, 상기 제1 및 제2벽면의 면적이 상기 제3 및 제4벽면의 면적보다 크고, 상기 제1 및 제2 벽면의 상기 양단부 또는 그들 근방에 상기 박육부를 각각 형성한 것을 특징으로 하는 청구항 2 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 5에 의하면, 상기 제1 및 제2벽면의 두께가 상기 제3 및 제4벽면의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 청구항 3 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 6에 의하면, 상기 제1 및 제2벽면의 두께가 상기 제3 및 제4 벽면의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 청구항 4 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 7에 의하면, 상기 반응용기가 상기 일단부에 플랜지를 구비하고, 상기 박육부를 상기 플랜지의 내측에 형성한 것을 특징으로 하는 청구항 1 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 8에 의하면, 상기 반응용기가 상기 양단부에 플랜지를 각각 구비하고, 상기 박육부를 상기 플랜지의 내측에 각각 형성한 것을 특징으로 하는 청구항 2 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 9에 의하면, 상기 반응용기가 중앙의 통체 및 상기 일단의 플랜지를 구비하고, 상기 통체가 상기 일단측에 있어서 상기 통체의 중앙부보다 얇은 단부를 가지며, 상기 플랜지가 상기 통체의 중앙부보다 얇은 플랜지 접속부를 가지고, 상기 통체의 상기 단부와 상기 플랜지 접속부가 용접되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 1 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 10에 의하면, 상기 반응용기가 중앙의 통체 및 상기 양단의 플랜지를 구비하고, 상기 통체가 상기 양단측에 있어서 상기 통체의 중앙부보다 얇은 단부를 각각 가지며, 상기 양단의 상기 플랜지가 상기 하우징체의 중앙부보다 얇은 플랜지 접속부를 각각 가지고, 상기 통체의 상기 단부와 상기 플랜지 접속부가 각각 용접되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 2 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 11에 의하면, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 일단의 상기 플랜지와 접속되는 반응용기 접속부재를 추가로 구비하고, 상기 플랜지와 상기 반응용기 접속부재 사이에는 수지 또는 고무제의 기밀유지부재가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 7 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 12에 의하면, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 양단의 상기 플랜지와 각각 접속되는 반응용기 접속부재를 추가로 구비하고, 상기 양단의 상기 플랜지와 상기 반응용기 접속부재 사이에는 수지 또는 고무제 기밀유지부재가 각각 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 청구항 8 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 13에 의하면, 상기 반응용기가 상기 박육부의 외측에 있어서 오목부를 가지며, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 중앙부 외측에 배설된 가열수단과, 상기 오목부내에 배설된 단열재를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 청구항 7 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 14에 의하면, 상기 반응용기가 상기 박육부의 각 외측에 있어서 각각 오목부를 가지며, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 중앙부 외측에 배설된 가열수단과,상기 오목부내에 각각 배설된 단열재를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 청구항 8 기재의 기판처리장치가 제공된다.

청구항 15에 의하면, 반응용기와 상기 반응용기의 외부에 설치된 히터를 구비한 기판처리장치를 사용하여 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 반응용기내를 감압으로 하는 공정과, 상기 반응용기내에서 기판을 처리하는 공정을 구비하며, 상기 반응용기의 적어도 한 쌍의 서로 대향하는 벽이 각각 후육부와 상기 후육부보다 두께가 얇은 박육부를 갖고, 상기 적어도 한 쌍의 벽의 적어도 상기 히터에 대향하는 부분을 상기 후육부로 하며, 상기 후육부는 상기 반응용기의 중앙부에 설치되고, 상기 반응용기가 그 일단부에 플랜지를 구비하고, 상기 플랜지의 내측에 있어서 상기 플랜지 근방에 상기 박육부를 형성한 반응용기인 것을 특징으로 하는 기판 처리방법이 제공된다.

청구항 16에 의하면, 상기 반응용기가 그 양단부에 플랜지를 각각 구비하고, 상기 플랜지의 각 내측에 있어서 상기 플랜지 각각의 근방에 상기 반응용기의 중앙부보다 두께가 얇은 박육부를 각각 형성한 반응용기인 것을 특징으로 하는 청구항 15 기재의 기판처리방법이 제공된다.

청구항 17에 의하면, 상기 반응용기가 상기 박육부의 외측에 있어서 오목부를 가지며, 상기 반응용기의 상기 중앙부 외부에 가열수단을 설치하고, 상기 오목부내에 단열재를 배치하고, 상기 가열수단에 의해 상기 반응용기를 가열하는 공정을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 청구항 15 기재의 기판처리방법이 제공된다.

청구항 18에 의하면, 상기 반응용기가 상기 박육부의 각 외측에 있어서 각각 오목부를 가지며, 상기 반응용기의 상기 중앙부 외부에 가열수단을 배설하고, 상기 오목부내에 각각 단열재를 배치하고, 상기 가열수단에 의해 상기 반응용기를 가열하는 공정을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 청구항 16 기재의 기판처리방법이 제공된다.

청구항 19에 의하면, 그 내부에서 기판을 처리하는 반응용기로서, 용기벽과, 상기 용기벽의 일단에 접속된 플랜지와, 상기 플랜지 근방의 상기 용기벽의 외측의 표면에 설치된 오목부를 구비한 상기 반응용기와, 상기 플랜지와 결합되는 반응용기 결합 부재와, 상기 플랜지와 상기 반응용기 결합 부재와의 사이에 설치된 기밀 유지 부재와, 상기 용기벽의 외측에 설치된 가열 수단과, 상기 오목부내에 설치된 단열재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.

청구항 20에 의하면, 상기 기밀 유지 부재가, 수지 또는 고무인 것을 특징으로 하는 기판처리장치가 제공된다.

이하, 도1～도3을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명한다.

도면중 15는 석영제 반응용기이며, 상기 반응용기(15)는 통체(16)의 양단에 플랜지부(17)를 용접접합하여 형성되고 있다. 상기 통체(16)는 편평한 각통형상을 이루며, 양단부(18)의 판두께는 얇게 되어 있다. 상기 플랜지부(17)는 플랜지 접합부(19)와 용접 접합부(20)로 구성되고, 상기 용접 접합부(20)는 상기 통체(16)의 양단부(18)와 동일 단면 형상을 가지며, 상기 플랜지 접합부(19)보다 상기 통체(16)측에 돌출되어 있다. 상기 용접 접합부(20)의 판두께는 상기 단부(18)와 같아지고 있으며, 상기 단부(18)와 상기 용접 접합부(20)는 접합용접되고, 상기 단부(18)와 상기 용접 접합부(20)의 외주측에는 오목부(21)가 형성되도록 되어 있다.

상기 반응용기(15)의 양단에는 각각 O링(22)을 개재시키고, 금속제 플랜지(23)가 기밀하게 배설되어 있다. 상기 플랜지(23)에는 단면이 L자형인 반응용기프레스(24)가 볼트(25)에 의해 고정장착되고, 상기 플랜지 접합부(19)는 상기 플랜지(23)와 상기 반응용기프레스(24)에 의해 끼워져 있다.

한쪽의 상기 플랜지(23)에는 게이트 밸브(26)가 기밀하게 배설되고, 다른쪽의 상기 플랜지(23)는 도시하지 않은 배기장치에 접속되고, 상기 반응용기(15)의 내부는 기밀한 반응실(27)이 됨과 동시에 상기 게이트 밸브(26)를 통해 웨이퍼(28)를 장입, 인출가능하게 되어 있다.

상기 통체(16)의 상부를 덮도록 상부 히터(29)가 설치되고, 또 상기 통체(16)의 하부를 덮도록 하부 히터(30)가 설치되어 있다. 또, 상기 상부 히터(29), 하부 히터(30)의 외측은 단열재(31)로 덮이고, 상기 단열재(31)의 단부는 중심을 향해 돌출하는 내측플랜지(32)로 되어 있으며, 상기 내측플랜지(32)는 상기 오목부(21)에 계합된다.

본 실시형태에서 외압이 작용한 경우, 최대 모멘트가 작용하는 것은 상기 통체(16) 벽부의 중앙부이고, 상기 통체(16)의 상기 양단부(18)에 작용하는 밴딩모멘트는 작고, 또 양단의 상기 플랜지 접합부(19)가 보강 리브로서 기능하므로, 상기 양단 오목부(21)의 판두께가 얇은 것은 아무런 지장이 되지 않는다. 또, 상기 반응용기(15)와 상기 플랜지부(17)의 용접은 비교적 얇은 접합용접이 되므로 과대한 열응력이 발생하지 않아서 용접은 양호하게 할 수 있다.

이하, 상기 반응실(27)내에서 상기 웨이퍼(28)에 대한 성막처리가 행해지는 경우에 대해 설명한다.

상기 반응실(27) 외부에 위치한 도시하지 않은 웨이퍼 이재기에 의해 1매의 상기 웨이퍼(28)가 상기 게이트 밸브(26)를 통해 상기 반응실(27)내부에 장입된다. 상기 게이트 밸브(26)가 기밀하게 폐색되어 상기 반응실(27)내가 진공배기된 후, 반응가스가 도입된다. 상기 상부 히터(29), 하부 히터(30)에 의해 상기 통체(16)가 가열되고, 상기 반응실(27) 내부의 상기 웨이퍼(28)에 성막처리가 행해진다.

상기 오목부(21)의 판두께가 상기 통체(16)의 판두께보다 얇고, 상기 오목부(21)에서의 열저항이 커져서, 가열된 상기 통체(16)로부터 상기 플랜지 접합부(19)에의 열전도가 억제된다. 또, 상기 단열재(31)의 상기 내측플랜지(32)에 의해 상기 상부히터(29), 하부히터(30)로부터의 열복사가 차단되기 때문에, 열전도의 억제, 열복사의 차단과 함께 상기 플랜지 접합부(19)의 온도상승은 최소한으로 억제할 수 있다. 그와 동시에, 상기 O링(22)이 가열되어 소손, 열화되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

성막처리가 완료되면, 반응부생성물을 포함한 가스가 배기됨과 동시에 불활성 가스로 치환된다. 상기 게이트 밸브(26)가 개방되고, 상기 웨이퍼 이재기(도시생략)에 의해 상기 게이트 밸브(26)를 통해 상기 웨이퍼(28)가 상기 반응실(28)의 외부로 인출된다.

또, 상기 실시형태에 있어서는 상기 반응용기(15)를 석영제로 하고 있으나, 세라믹제로 해도 되고, 또 상기 플랜지부(17)의 샌드블라스트처리 등을 가하여 불투명하게 해서, 복사열의 투과율을 한층더 저하시켜도 된다. 또, 도4, 도5에 도시한 바와 같이, 상기 통체(16)의 양측면의 판두께를 상기 플랜지부(17)의 판두께와 동일하게 함과 동시에 상기 통체(16)의 양측면에 보강용 리브(33)를 소요 간격마다 다수 용접해도 된다. 또, 반응용기의 단면형상은 편평한 타원형 영역은 장원형이어도 됨은 물론이다. 또, 처리대상기판은 웨이퍼에 한하지 않고 유리 등 다른 피처리기판이어도 상관없다.

(실시예1)

직경 8인치의 웨이퍼 성막처리에 사용하는 반응로에 있어서는, 상기 반응실(27)내의 진공도가 0.01～10torr로 유지되고, 상기 반응실(27)의 외부치수가 폭 320mm × 높이 80mm × 축길이 540mm의 경우, 상기 통체(16)의 상기 양단부(18)를 제외한 부분의 판두께를 20mm, 상기 오목부(21)의 판두께를 10mm, 상기 오목부(21)의 폭을 70mm로 한다.

(실시예2)

직경 12인치의 웨이퍼 성막처리에 사용하는 반응로에 있어서는, 상기 반응실(27)내의 진공도가 0.01～10torr로 유지되고, 상기 반응실(27)의 외부치수가 폭 440mm×높이 100mm×축길이 690mm의 경우, 상기 통체(16)의 상기 양단부(18)를 제외한 부분의 판두께를 20～35mm, 바람직하게는 30～35mm, 상기 오목부(21)의 판두께를 10mm, 상기 오목부(21)의 폭을 70mm로 한다.

또, 상기 통체의 판두께, 상기 양단부의 판두께, 상기 오목부의 폭에 대해서는 상기 통체의 형상, 진공도에 따라 적당히 변경됨은 물론이다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반응용기의 외부면에 오목부를 형성하고, 판두께를 얇게 했기 때문에 용접접합이 용이해지고, 플랜지부도 일체로 석영판으로부터 깎아낼 필요가 없어서 재료비의 저감화를 도모할 수 있음과 동시에 O링에의 열전도를 최소한으로 억지하는 것이 가능해지고, O링의 소손, 열화를 방지할 수 있으며, 반응실내의 기밀성을 확실하게 유지할 수 있게 된다.

또, 통체의 판두께를 두껍게 함으로써 반응실 내외의 압력차를 견딜 수 있는 구조로 되어 있기 때문에, 통체의 상하벽부에 보강용 리브를 용접접합할 필요가 없으며, 제조에 시간이 걸리지 않고, 양산성이 향상되고, 제조비의 저감화를 도모할 수 있음과 동시에 반응로의 소형화를 도모할 수 있다.

또, 오목부내에 단열재를 배치함으로써 히터로부터 O링에의 열복사가 차단되기 때문에, O링이 가열되어 소손, 열화되는 것을 방지하는 것이 가능해짐과 동시에 반응실의 단열효율이 향상되고, 에너지 절약을 도모하는 것이 가능해지는 등 여러가지 뛰어난 효과를 발휘한다.

도1은 본 발명의 실시형태를 도시한 종단면도,

도2는 상기 실시형태에 관한 반응용기의 종단면도로서, 도3의 A-A선에서 본 도면,

도3은 도2의 B-B선에서 본 도면,

도4는 상기 실시형태에 관한 다른 반응용기의 종단면도로서, 도5의 C-C선에서 본 도면,

도5는 도4의 D-D선에서 본 도면,

도6은 종래예를 도시한 종단면도로서 도7의 E-E선에서 본 도면,

도7은 도6의 F-F선에서 본 도면,

도8은 다른 종래예를 도시한 종단면도로서, 도9의 G-G선에서 본 도면,

도9는 도8의 H-H선에서 본 도면.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

15:반응용기 16:통체

17:플랜지부 21:오목부

22:O링 31:단열재

33:보강용 리브

Claims

그 내부에서 기판을 처리하는 반응용기와,

상기 반응용기의 외부에 설치된 히터를 구비하고,

상기 반응용기의 적어도 한 쌍의 서로 대향하는 벽이 각각 후육부(厚肉部)와 상기 후육부보다 두께가 얇은 박육부를 가지며,

상기 적어도 한 쌍의 벽의 적어도 상기 히터에 대향하는 부분을 상기 후육부로 하고,

상기 후육부는 상기 반응용기의 중앙부에 설치되며,

상기 박육부는 상기 반응용기의 개방된 일단부 또는 그 근방에 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서, 상기 반응용기의 양단부가 개방되어 있으며, 상기 양단부 또는 그들 근방에 상기 반응용기의 상기 중앙부보다 두께가 얇은 박육부를 각각 형성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서, 상기 반응용기의 단면이 편평하고, 상기 반응용기가 제1방향에 있어서 서로 대향하는 제1 및 제2벽면과 상기 제1방향과 대략 수직한 제2방향에 있어서 서로 대향하는 제3 및 제4벽면을 구비하고, 상기 제1 및 제2벽면의 면적이 상기 제3 및 제4벽면의 면적보다 크고, 상기 제1 및 제2벽면의 상기 일단부 또는 그 근방에 상기 박육부를 형성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제2항에 있어서, 상기 반응용기의 단면이 편평하고, 상기 반응용기가 제1방향에 있어서 서로 대향하는 제1 및 제2벽면과 상기 제1방향과 대략 수직한 제2방향에 있어서 서로 대향하는 제3 및 제4벽면을 구비하고, 상기 제1 및 제2벽면의 면적이 상기 제3 및 제4벽면의 면적보다 크고, 상기 제1 및 제2 벽면의 상기 양단부 또는 그들 근방에 상기 박육부를 각각 형성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2벽면의 두께가 상기 제3 및 제4벽면의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2벽면의 두께가 상기 제3 및 제4 벽면의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 일단부에 플랜지를 구비하고, 상기 박육부를 상기 플랜지의 내측에 형성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제2항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 양단부에 플랜지를 각각 구비하고, 상기 박육부를 상기 플랜지의 내측에 각각 형성한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제1항에 있어서, 상기 반응용기가 중앙의 통체 및 상기 일단의 플랜지를 구비하고, 상기 통체가 상기 일단측에 있어서 상기 통체의 중앙부보다 얇은 단부를 가지며, 상기 플랜지가 상기 통체의 중앙부보다 얇은 플랜지 접속부를 가지고, 상기 통체의 상기 단부와 상기 플랜지 접속부가 용접되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제2항에 있어서, 상기 반응용기가 중앙의 통체 및 상기 양단의 플랜지를 구비하고, 상기 통체가 상기 양단측에 있어서 상기 통체의 중앙부보다 얇은 단부를 각각 가지며, 상기 양단의 상기 플랜지가 상기 하우징체의 중앙부보다 얇은 플랜지 접속부를 각각 가지고, 상기 통체의 상기 단부와 상기 플랜지 접속부가 각각 용접되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제7항에 있어서, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 일단의 상기 플랜지와 접속된 반응용기 접속부재를 추가로 구비하고, 상기 플랜지와 상기 반응용기 접속부재 사이에는 수지 또는 고무제의 기밀유지부재가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제8항에 있어서, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 양단의 상기 플랜지와 각각 접속된 반응용기 접속부재를 추가로 구비하고, 상기 양단의 상기 플랜지와 상기 반응용기 접속부재 사이에는 수지 또는 고무제 기밀유지부재가 각각 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제7항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 박육부의 외측에 있어서 오목부를 가지며, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 중앙부 외측에 배설된 가열수단과, 상기 오목부내에 배설된 단열재를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제8항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 박육부의 각각의 외측에 있어서 각각 오목부를 가지며, 상기 기판처리장치가 상기 반응용기의 상기 중앙부 외측에 배설된 가열수단과, 상기 오목부내에 각각 배설된 단열재를 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
반응용기와 상기 반응용기의 외부에 설치된 히터를 구비한 기판처리장치를 사용하여 기판을 처리하는 방법으로서,

상기 반응용기내를 감압으로 하는 공정과, 상기 반응용기내에서 기판을 처리하는 공정을 구비하며,

상기 반응용기의 적어도 한 쌍의 서로 대향하는 벽이 각각 후육부와 상기 후육부보다 두께가 얇은 박육부를 갖고,

상기 적어도 한 쌍의 벽의 적어도 상기 히터에 대향하는 부분을 상기 후육부로 하며,

상기 후육부는 상기 반응용기의 중앙부에 설치되고,

상기 반응용기가 그 일단부에 플랜지를 구비하고, 상기 플랜지의 내측에 있어서 상기 플랜지 근방에 상기 박육부를 형성한 반응용기인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제15항에 있어서, 상기 반응용기가 그 양단부에 플랜지를 각각 구비하고, 상기 플랜지의 각각의 내측에 있어서 상기 플랜지의 각 근방에 상기 반응용기의 중앙부보다 두께가 얇은 박육부를 각각 형성한 반응용기인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제15항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 박육부의 외측에 있어서 오목부를 가지고, 상기 반응용기의 상기 중앙부 외부에 가열수단을 설치하고, 상기 오목부내에 단열재를 배치하고, 상기 가열수단에 의해 상기 반응용기를 가열하는 공정을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제16항에 있어서, 상기 반응용기가 상기 박육부의 각 외측에 있어서 각각 오목부를 가지며, 상기 반응용기의 상기 중앙부 외부에 가열수단을 설치하고, 상기 오목부내에 각각 단열재를 배치하고, 상기 가열수단에 의해 상기 반응용기를 가열하는 공정을 추가로 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
그 내부에서 기판을 처리하는 반응용기로서, 용기벽과, 상기 용기벽의 일단에 접속된 플랜지와, 상기 플랜지 근방의 상기 용기벽의 외측의 표면에 설치된 오목부를 구비한 상기 반응용기와,

상기 플랜지와 결합되는 반응용기 결합 부재와,

상기 플랜지와 상기 반응용기 결합 부재와의 사이에 설치된 기밀 유지 부재와,

상기 용기벽의 외측에 설치된 가열 수단과,

상기 오목부내에 설치된 단열재를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제19항에 있어서, 상기 기밀 유지 부재가, 수지 또는 고무인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.