KR101204160B1 - 진공 처리 장치 - Google Patents

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이쳉 리
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)에는, 가스 유로가 되는 개구부의 주연을 따라 환형상으로 홈(150)이 형성되어 있고, 이 홈(150) 내에, 전체 형상이 환형상(O링상)으로 이중 구조로 된 금속 시일(140)이 마련되어 있다. 덮개(3)에는 홈(150)의 외측 부분에 홈(150)의 주위를 둘러싸도록 환형상의 오목부(160)가 형성되어 있다. 한편, 플랜지부(130) 측에는 오목부(160)에 대응한 환형상의 볼록부(170)가 형성되어 있고, 오목부(160)에, 볼록부(170)를 끼워 맞추는 끼워맞춤 기구(180)가 구성되어 있다.

Description

진공 처리 장치{VACUUM PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 진공 분위기로 된 진공 처리 챔버 내에서, 피처리물에 소정의 처리를 행하는 진공 처리 장치에 관한 것이다.
종래부터, 예를 들어, 반도체 장치의 제조 공정 등에 있어서는, 진공 분위기로 된 진공 처리 챔버 내에서, 반도체 웨이퍼 등의 피처리물에, 가열하여 성막 처리 등의 소정의 처리를 행하는 진공 처리 장치가 이용되고 있다.
예를 들어, 상기 진공 처리 장치의 하나로서, 진공 분위기로 된 진공 처리 챔버 내에 소정의 처리 가스를 도입하는 동시에, 이 진공 처리 챔버 내에 마이크로파를 도입하여 처리 가스의 플라즈마를 발생시키고, CVD에 의한 성막 처리 등을 실시하는 플라즈마 처리 장치가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
상기와 같은 마이크로파 플라즈마 처리 장치 등에서는, 진공 처리 챔버를 예를 들어, 알루미늄 합금 등의 금속 부재로 구성하는 경우가 있다. 한편, 이 진공 처리 챔버 내에 처리 가스를 도입하기 위한 배관계 등은, 스테인리스강으로 형성하는 경우가 많다. 이 때문에, 이들 이종(異種)의 재료로 이루어지는 금속 부재끼리가 진공 시일 부재를 거쳐서 접촉되는 접촉부가 형성되는 경우가 있다.
또한, 예를 들어, 금속 성막을 행하는 플라즈마 처리 장치 등에서는, 산소, 수소 등의 불순물의 존재가 성막 처리에 악영향을 주기 때문에, 진공 처리 챔버 내부를 고진공, 예를 들면, 10-6Pa의 자릿수까지 고진공으로 하는 것이 바람직하다. 그리고, 이러한 고진공으로 하는 경우, 통상의 수지제의 O-링을 이용한 경우, 대기 등의 외부로부터 산소, 수소 등이 O-링을 투과하여 진공 처리 챔버 내로 도입된다. 이 때문에, 진공 시일 부재로서 금속제의 금속 시일을 이용하는 것이 이루어지고 있다.
그런데, 예를 들어, 상기한 알루미늄 합금과 스테인리스강의 접촉부 등, 이종 재료로 이루어지는 금속 부재의 접촉부에 금속 시일을 사용한 경우, 가열을 동반하는 처리 시 등에 있어서, 이들 금속 부재의 열팽창률의 차이에 의해 금속 부재끼리의 상대 위치가 어긋나, 금속 시일이 이들 금속 부재에 의해 마찰되기 때문에, 금속 시일이 손상을 입어 진공 누설이 발생한다고 하는 과제가 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제 2006-342386 호 공보
본 발명은 상기와 같은 종래의 사정에 대처하여 이루어진 것으로, 상온과는 상이한 온도 범위에서 사용하는 경우에 있어서도, 금속 시일에 손상이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 진공 누설이 발생할 가능성을 종래에 비해 저감할 수 있는 진공 처리 장치를 제공하려고 하는 것이다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은 피처리물을 수용하고, 내부를 진공 분위기로 하여 상기 피처리물에 소정의 처리를 실시하는 진공 처리 챔버와, 상기 진공 처리 챔버의 개구부를 폐색하도록 마련되고, 상기 진공 처리 챔버와는 열팽창률이 상이한 금속 재료로 구성된 진공 처리 장치 구성 부재를 구비한 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리 챔버와 상기 진공 처리 장치 구성 부재의 접촉부에, 해당 접촉부를 기밀 밀봉하는 금속 시일과, 상기 진공 처리 장치 구성 부재를 상기 진공 처리 챔버에 구속하여, 열팽창 차이에 의해 상기 진공 처리 장치 구성 부재와 상기 진공 처리 챔버에 위치의 편차가 발생하는 것을 억제하는 끼워맞춤 기구를 갖는다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리 챔버가 알루미늄 합금으로 구성되고, 상기 진공 처리 장치 구성 부재가 스테인리스강으로 구성되어 있다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리 챔버 내에 소정의 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 고주파 전력의 인가에 의해 상기 진공 처리 챔버 내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구를 구비하고 있다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리 장치 구성 부재가, 상기 진공 처리 챔버 내에 상기 처리 가스를 도입하기 위한 가스 배관 구성 부재이다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리 장치 구성 부재가, 상기 진공 처리 챔버 내로부터 배기하기 위한 배기부 구성 부재이다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 가열 기구를 구비하고, 상기 진공 처리 챔버 내부를 상온보다 높은 온도로 설정 가능하게 되어 있다.
본 발명의 진공 처리 장치의 일 태양은, 상기의 진공 처리 장치에 있어서, 상기 소정의 처리가 금속막을 형성하는 성막 처리이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 구성을 도시하는 도면,
도 2는 도 1의 플라즈마 처리 장치의 상면도,
도 3은 도 1의 플라즈마 처리 장치의 주요부 구성을 확대해서 도시하는 종단면도,
도 4는 도 1의 플라즈마 처리 장치의 주요부 구성을 확대해서 도시하는 종단면도.
이하, 본 발명의 상세를 실시 형태에 대해 도면을 참조해서 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 진공 처리 장치를 CVD 성막 장치에 적용한 실시 형태의 구성을 도시하고 있다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 이 CVD 성막 장치(1)는, 대략 원통 형상으로 형성되어 상하로 개방하는 진공 처리 챔버(2)와, 이 진공 처리 챔버(2)의 상부로 개구하는 상방측 개구부(4)와 바닥부로 개구하는 하방측 개구부(5)를 각각 폐색하는 부재로서의 덮개(3) 및 스테이지 유지 부재(6)를 구비하 고 있다. 스테이지 유지 부재(6)는, 진공 처리 챔버(2) 내의 배기를 일단 집합하는 배기실(6a)을 구성하고 있고, 배기실(6a)의 하부 측벽 부분에는, 진공 처리 챔버(2) 내를 진공 배기하는 배기부 구성 부재인 진공 배기 배관(70)의 일단이 접속되어 있으며, 이 진공 배기 배관(70)의 타단은 배기 장치(7)에 접속되어 있다.
진공 처리 챔버(2)의 내부에는, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, 처리 기판이라고 함)(8)를 수평으로 탑재하기 위한 스테이지(10)가 마련되어 있다. 이 스테이지(10)는 배기실(6a)의 내부에 세워져 마련된 지주(11) 상에 설치되어 있고, 처리 기판(8)을 지지하는 상?하 이동 가능한 복수 라인의 지지핀(12)과, 처리 기판(8)을 가열하는 가열 수단(13)과, 플라즈마의 생성을 안정시키는 링(14)과, 메쉬 전극(15) 등을 구비하고 있다. 지지핀(12)은 예를 들면, 에어 실린더(16) 등의 승강 수단에 의해 승강되는 지지판(17) 상에 세워져 마련되어 있고, 상단부가 상기 스테이지(10)를 관통하고 있다.
진공 처리 챔버(2)의 일 측벽에는, 처리 기판(8)의 반입 반출을 실행하기 위한 반입출구(20)와, 이 반입출구(20)를 개폐하는 게이트 밸브(21)가 마련되어 있다. 또한, 진공 처리 챔버(2)의 측벽에는, 진공 처리 챔버(2)의 측벽을 가열하기 위한 카트리지 히터(23)가 내장되어 있고, 이로써 원료 가스의 응결이나 부생성물이 부착되지 않는 온도로 제어되어 있다.
덮개(3)의 내측에는, 처리 가스 토출용 샤워 헤드(25)가 스테이지(10)에 대향하도록 절연 부재(24)를 거쳐 설치되어 있다. 이 샤워 헤드(25)는, 원판 형상으로 형성된 3장의 플레이트, 즉 상단 플레이트(25a), 중단 플레이트(25b) 및 하단 플레이트(25c)를 구비하고 있다.
상단 플레이트(25a)는 베이스 부재로서 기능하고, 이 상단 플레이트(25a)의 외주 하부에 중단 플레이트(25b)의 외주부가 나사 고정되어 있다. 상단 플레이트(25a)에는, 원판 형상의 내측 히터(26)와 환형상의 외측 히터(27)가 각각 마련되어 있다. 이들 히터(26, 27)는 도시되지 않은 전원에 각각 접속되어 있다.
중단 플레이트(25b)의 하면에는 하단 플레이트(25c)가 밀접되어 나사 고정되어 있다. 상단 플레이트(25a)의 하면과 중단 플레이트(25b) 사이에는 공간(28)이 기밀하게 형성되어 있다. 또한, 중단 플레이트(25b), 하단 플레이트(25c)에는 이들을 관통하도록 다수의 가스 유로(30)가 형성되어 있다. 이들 가스 유로(30)는 2계통 마련되어 있고, 이들 2계통의 가스 유로로부터, 교대로 2종류의 가스(제 1 가스와 제 2 가스)를 공급함으로써, ALD(원자층 증착; Atomic Layer Deposition)법에 의해 원자층 레벨의 박막을 형성할 수 있도록 되어 있다. 여기에서는 2계통의 가스를 별개로 공급하는 포스트 믹스 타입의 샤워 헤드이지만, 2계통의 가스를 함께 공급하는 프리 믹스 타입의 샤워 헤드이어도 무방하다.
또한, 상단 플레이트(25a)의 상면에는, 상기한 2종류의 가스를 공급하기 위한 제 1 가스 도입관(35a)과 제 2 가스 도입관(35b)의 일단이 각각 접속되어 있다.
한편, 제 1 및 제 2 가스 도입관(35a, 35b)의 타단측은, 상단 플레이트(25a)의 오목홈부 내에 조립되어 히터(26, 27)를 덮는 단열 부재(38)와 가스 도입 부재(39)를 거쳐서 가스 공급원(40, 41)에 접속되어 있다.
가스 공급원(40)으로부터는 제 1 가스로서, 예를 들면 TaCl5 가스가 공급된다. 또한, 가스 공급원(41)으로부터는 제 2 가스로서, 예를 들면 H2 가스가 공급된다. 이들 가스를 플라즈마화하여 원하는 반응을 발생시킴으로써, 처리 기판(8)의 표면 상에 Ta막 등이 형성된다.
진공 처리 챔버(2) 내에 공급된 TaCl5 가스와 H2 가스는, 샤워 헤드(25)에 접속된 급전 막대(52)에 고주파 전원(51)으로부터 매칭 회로(51a)를 거쳐서 고주파 전력을 공급하고, 진공 처리 챔버(2) 내의 처리 기판(8)에 고주파 전계를 형성함으로써 플라즈마화되어, Ta의 성막 반응이 촉진된다. 또한, 샤워 헤드(25)는, 냉각 시에 드라이 공기의 공급에 의해 냉각되도록 구성되어 있다.
덮개(3)의 상면측에는, 샤워 헤드(25)의 상단 외주연부(125)를 보온하는 환형상의 절연 플레이트(53)와, 실드 박스(54)가 설치되어 있다. 이 실드 박스(54)는 덮개(3)의 상방을 덮고 있고, 그 상부에는 샤워 헤드(25)에 공급된 드라이 공기의 열배기를 실행하는 배기구(55)가 마련되어 있다.
도 1에 화살표(A)로 도시하는 부위는, 상기한 제 1 가스 도입관(35a) 및 제 2 가스 도입관(35b)을 구성하는 가스 배관 구성 부재와, 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)에 마련된 가스 유로의 접속 부분이다. 이 접속 부분(A)의 가스 배관 구성 부재 측에는, 도 3에 확대해서 도시하는 바와 같이 플랜지부(130)가 마련되고, 이 플랜지부(130)를 덮개(3)에 접촉시켜서 접속을 실행하도록 되어 있다. 이 플랜지부(130)는, 제 1 가스 도입관(35a) 및 제 2 가스 도입관(35b)을 구성하는 배관 부 재와 마찬가지로 스테인리스강으로 구성되어 있고, 이 플랜지부(130)와 덮개(3)의 접촉 부분에는, 진공 시일 부재로서의 금속 시일(140)이 마련되어 있다. 이 금속 시일(140)은 이중 구조로 되어 있는데, 내부에 스프링의 기능을 갖는 스파이럴형 부재(140b)의 메탈 O링으로 구성되며, 이 스파이럴형 부재(140b)를 덮고 일부 절결한 구조의 외측 부재(140a)의 메탈 C링이 마련되어 있다. 외측 부재(140a), 스파이럴 형상 부재(140b)는, 인코넬(상품명), 하스텔로이(상품명), Ni, Al, SUS 등과 같은 재료 또는 다른 재료로 구성된다. 이 금속 시일(140)로서는, 예를 들어 헬리코플렉스메탈(상품명) 등을 사용할 수 있다. 이 금속 시일(140)은 시일의 탄성을 이용하여 밀봉을 유지하는 것으로, 시일의 과잉 조임을 막을 수 있다. 또한, 금속 시일(140)은 시일의 탄성 복원에 의해, 온도 사이클이나 압력 사이클에 의한 부재의 작은 변형을 흡수할 수 있도록 되어 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)에는, 가스 유로가 되는 개구부의 주연을 따라 환형상으로 홈(150)이 형성되어 있고, 이 홈(150) 내에, 전체 형상이 환형상(O링 형상)으로 된 금속 시일(140)이 마련되어 있다. 또한, 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)에는, 홈(150)의 외측 부분에 홈(150)의 주위를 둘러싸도록 환형상의 오목부(160)가 형성되어 있다. 한편, 플랜지부(130) 측에는, 오목부(160)에 대응한 환형상의 볼록부(170)가 형성되어 있고, 오목부(160)에, 볼록부(170)를 끼워 맞추는 끼워맞춤 기구(180)가 구성되어 있다.
이 끼워맞춤 기구(180)는, 진공 처리 챔버(2) 및 덮개(3)를 상온보다 높은 온도, 예를 들면 수십 ℃ 내지 200℃로 승온했을 때에, 알루미늄 합금제의 진공 처 리 챔버(2)의 덮개(3)와 스테인리스강제의 플랜지부(130)의 열팽창률의 차이에 의해 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)와 플랜지부(130)에 위치 편차가 발생하여, 금속 시일(140)의 표면이 마찰되어 손상이 발생하는 것을 방지하기 위한 것이다. 이 끼워맞춤 기구(180)를 마련하는 것에 의해, 예를 들면 300℃ 이상, 바람직하게는 400℃ 이상의 처리 온도로 처리를 실행했을 때에, 진공 처리 챔버(2)나 덮개(3)가 상온보다 높은 온도, 예를 들면 수십 ℃ 내지 200℃로 되었다고 해도 금속 시일(140)의 손상에 기인하는 진공 누설의 발생 가능성을 종래에 비해서 상당히 저감할 수 있다. 이 경우 상한의 처리 온도는 900℃ 이하이다.
또한, 플랜지부(130)를 구성하는 재료로서는, 예를 들면 SUS316(L)(열팽창 계수 16.0×10-6/℃), SUS303(L)(열팽창 계수 17.2×10-6/℃), SUS304(L)(열팽창 계수 17.3×10-6/℃), 하스텔로이(HASTELLOY; 상품명)(열팽창 계수 11.5 ×10-6/℃), 인코넬(INCONEL; 상품명)(열팽창 계수 11.5×10-6/℃), Ni(열팽창 계수13.3×10-6/℃) 등을 사용할 수 있다. 또한, 진공 처리 챔버(1)를 구성하는 알루미늄 합금으로서는, 예를 들면 A5052(열팽창 계수 23.8×10-6/℃), A5056(열팽창 계수 24.3×10-6/℃), A5083(열팽창 계수 23.4×10-6/℃), A6061(열팽창 계수 23.6×10-6/℃), A6063(열팽창 계수 23.4×10-6/℃), A7075(열팽창 계수 23.6×10-6/℃) 등을 사용할 수 있다. 이러한 재료를 사용한 경우, 선팽창률의 차이는 6×10-6 내지 13×10-6/℃ 정도가 된다. 이 때문에, 예를 들면 플랜지부(130)의 직경이 0.1m 정도로, 온도를 상온으로부터 100℃ 상승시킨 경우, 플랜지부(130)의 외주 부분에서 6×10-2mm 내지 13×10-2mm 정도의 열팽창 차이에 의한 신장의 차이가 생긴다. 이 신장의 차이를 억제함으로써, 금속 시일(140)의 표면이 마찰되는 것을 억제한다.
이 경우, 도 3중 일점쇄선으로 도시된 방향에 플랜지부(130)의 중심이 있다고 하면, 열팽창률이 큰 알루미늄 합금제의 진공 처리 챔버(2)가 도면중 화살표(B) 방향으로 선팽창률의 차이만큼 더 연장하려고 한다. 이 때문에, 오목부(160)와 볼록부(170)에서는, 도 3중 일점쇄선으로 도시된 플랜지부(130)의 중심 측[도면중 화살표(C) 부분]이 접촉해서 늘어남을 억제한다. 이 때문에, 상온에 있어서 화살표(C) 부분의 유극(clearance)은, 적어도 5×10-2mm 내지 50×10-2mm 이하로 할 필요가 있고, 예를 들면 10×10-2mm 내지 20×10-2mm 정도로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기한 재료 이외에, 예를 들어, Al2O3(열팽창 계수 6.5×10-6/℃), AlN(열팽창 계수 5.0×10-6/℃) 등을 이용하는 경우가 있다. 홈의 사이즈는 직경이 800mm 이하, 바람직하게는 500mm 이하이다.
또한, 도 3에 도시하는 바와 같이, 금속 시일(140)의 배치 부분보다, 외측에 끼워맞춤 기구(180)를 마련하면, 끼워맞춤 기구(180)의 부분에 있어서, 부재끼리의 마찰이 억제되므로, 먼지의 발생이 방지되어서, 진공 처리 챔버(2) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 끼워맞춤 기구(180)로서는, 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3) 측에 볼록부를 마련하고, 플랜지부(130) 측에 오목부를 마련해도 좋지만, 이들 부재의 강도를 고려한 경우에는, 더욱 강도가 높은 플랜지부(130) 측에 볼록부를 마련한 도 3의 구성으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 도 4에 도시하는 바와 같이, 상기 구성의 끼워맞춤 기구(180) 및 금속 시일(140) 등은, 도 1에 도시한 제 1 가스 도입관(35a) 및 제 2 가스 도입관(35b)을 구성하는 가스 배관 구성 부재와, 진공 처리 챔버(2)의 샤워 헤드의 상단 플레이트(25a)의 접속부[도 1의 화살표(G)의 부분]에도 마련되어 있다. 또한, 도 4에 있어서, 제 1 가스 도입관(35a) 및 제 2 가스 도입관(35b)은 플랜지(35)에 접속되어 있다. 또한, 이 경우, 금속 시일(140), 볼록부(170)는 상단 플레이트(25a) 측이 아닌, 플랜지부(35) 측에 배치된 구성으로 해도 좋다.
상기의 끼워맞춤 기구(180)는, 도 1에 도시하는 상술한 스테이지 유지 부재(6)와 진공 처리 챔버(2) 내를 진공 배기하는 배기부 구성 부재인 진공 배기 배관(70)의 접속부[도 1의 화살표(D)의 부분]에도 마련되어 있다.
도 1의 화살표(D)의 부분의 끼워맞춤 기구(180)는, 알루미늄 합금제의 스테이지 유지 부재(6)와 스테인리스강제의 진공 배기 배관(70)의 열팽창률의 차이에 의해, 이들에 위치 편차가 발생하여, 금속 시일(140)의 표면이 마찰되어서 손상이 발생하는 것을 방지하기 위한 것이다. 이에 의해, 금속 시일(140)의 손상에 기인하는 진공 누설의 발생 가능성을 종래에 비해서 저감할 수 있다. 또한, 상기와 같은 끼워맞춤 기구(180)는, 진공 처리 챔버(2)의 개구부를 기밀하게 폐색하는 각종 부분에 적용할 수 있으며, 예를 들어, 진공 처리 챔버(2)의 내부를 가시화하는 창의 부분이나, 진공 처리 챔버(2)의 내부에 접근하여 유지 보수하기 위한 액세스 보트 부분 등에 대해서도 마찬가지로 하여 적용할 수 있다.
그런데, 도 1에 도시하는 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3) 사이[도 1의 화살표(E)의 부분]에는, 종래 수지제의 O링으로 밀봉하여, 진공 밀봉하면서 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3)의 전기적인 접속을 유지하고, 진공 처리 챔버(2)를 거쳐서 덮개(3)를 접지 전위로 하였다. 그러나, 진공 처리 챔버(2) 및 덮개(3)의 면접촉이 불충분해서, 진공 처리 챔버(2)와 실드 덮개(3) 사이의 전기적인 접촉 저항이 높아져서, 이들 사이에 전위차가 발생하고 있었지만, 도 3에 도시한 본 실시형태와 같은 구성의 끼워맞춤 기구(180)가 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3)의 접속 부분[도 1의 화살표(E)의 부분]에 마련된 것에 의해, 접지 전위가 낮게 억제되고, 효율적으로 전력을 공급할 수 있어서, 전력 손실이 적은 안정된 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이와 같이 끼워맞춤 기구(180)를 마련하는 것에 의해, 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3)가 이종의 금속 재료로 구성되어 있는 경우에는, 그 선팽창률의 차이에 의해, 또는 이들이 동일 금속 재질로 형성되어 있는 경우에는, 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3)의 온도차에 기인하는 열팽창 차이에 의해, 끼워맞춤 기구(180)의 오목부와 볼록부가 강하게 접촉하고, 진공 처리 챔버(2)와 덮개(3) 사이의 전기적 저항을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 진공 처리 챔버(2)를 거쳐서 덮개(3)를 접지 전위로 유지할 수 있다.
상기의 끼워맞춤 기구(180)와 마찬가지로, 진공 처리 챔버(2)와 그 하부에 마련된 스테이지 유지 부재(6)의 접속 부분[도 1의 화살표(F)의 부분]에도, 부재 사이의 전기적인 접촉 저항을 감소시킬 목적으로, 끼워맞춤 기구(180)가 마련되어 있다. 이에 의해, 진공 처리 챔버(2)와 스테이지 유지 부재(6) 사이의 전기적 저항을 감소시킬 수 있고, 유지 부재(6)를 거쳐서 그 상부에 마련된 진공 처리 챔버(2) 및 덮개(3)를 접지 전위로 유지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에서는 성막 시에 진공 처리 챔버(2)의 벽 온도가, 상온보다 높은 온도, 예를 들면 수십 ℃에서 200℃ 정도가 된 경우에 있어서도, 금속 시일(140)이 손상을 받아서 진공 누설이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 이종 재료와 진공 시일 구성을 하는 곳에 본 발명의 시일 구성을 설치하는 등으로 하여 적용 가능하다.
또한, 본 발명은 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 각종 변형이 가능한 것은 물론이다. 예를 들면, 상기 실시 형태에서는, 본 발명을 고주파 전력에 의해 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 CVD 장치에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 마이크로파에 의해 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 플라즈마 CVD 장치나, 다른 진공 처리 장치에 관해서도 마찬가지로 해서 적용할 수 있다.
본 발명의 진공 처리 장치는 반도체 장치의 제조 분야 등에서 이용할 수 있다. 따라서, 산업상의 이용 가능성을 갖는다.

Claims (11)

  1. 피처리물을 수용하고, 내부를 진공 분위기로 하여 상기 피처리물에 소정의 처리를 실시하는 진공 처리 챔버와,
    상기 진공 처리 챔버의 개구부를 폐색하도록 마련되고, 상기 진공 처리 챔버와는 열팽창률이 상이한 재료로 구성된 진공 처리 장치 구성 부재를 구비한 진공 처리 장치에 있어서,
    상기 진공 처리 챔버와 상기 진공 처리 장치 구성 부재의 접촉부에,
    상기 접촉부를 기밀 밀봉하는 금속 시일과,
    상기 진공 처리 장치 구성 부재를 상기 진공 처리 챔버에 구속해서, 열팽창차에 의해 상기 진공 처리 장치 구성 부재와 상기 진공 처리 챔버에 위치의 편차가 발생하는 것을 억제하는 끼워맞춤 기구를 갖고,
    상기 끼워맞춤 기구는 상기 진공 처리 챔버의 중심으로부터 보아서 상기 금속 시일보다 외측에 마련되며,
    상기 피처리물은 300℃ 내지 900℃에서 처리되는
    진공 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 처리 챔버가 알루미늄 합금으로 구성되고, 상기 진공 처리 장치 구성 부재가 스테인리스강으로 구성되어 있는
    진공 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 처리 챔버 내에 소정의 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와,
    고주파 전력의 인가에 의해 상기 진공 처리 챔버 내에 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 기구를 구비한
    진공 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 진공 처리 장치 구성 부재가 상기 진공 처리 챔버 내에 상기 처리 가스를 도입하기 위한 가스 배관 구성 부재인
    진공 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 진공 처리 장치 구성 부재가 상기 진공 처리 챔버 내로부터 배기하기 위한 배기부 구성 부재인
    진공 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 처리가 금속막을 형성하는 성막 처리인
    진공 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 끼워맞춤 기구는, 상기 진공 처리 장치 구성 부재 측에 볼록부가 형성되고, 상기 진공 처리 챔버 측에 오목부가 형성되어 있는
    진공 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 끼워맞춤 기구는, 상기 진공 처리 장치 구성 부재 측에 오목부가 형성되고, 상기 진공 처리 챔버 측에 볼록부가 형성되어 있는
    진공 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 시일은 O링부와 C링부로 구성되어 있는
    진공 처리 장치.
  11. 삭제
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