JPH11329978A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH11329978A JPH11329978A JP13653398A JP13653398A JPH11329978A JP H11329978 A JPH11329978 A JP H11329978A JP 13653398 A JP13653398 A JP 13653398A JP 13653398 A JP13653398 A JP 13653398A JP H11329978 A JPH11329978 A JP H11329978A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust
- reaction
- flange
- pipe
- product
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 短時間で簡単に排気系の反応副生成物を除去
できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 反応炉の排気フランジ３の排出管６と排
気配管４とを、つなぎ配管１０で接続し、排気フランジ
３からの排気ガスをつなぎ配管１０を通して排気配管４
に流す。排気フランジ３から排気ガスが排出され、つな
ぎ配管１０及びその周辺に反応副生成物が付着したら、
つなぎ配管１０の開口（取出口）を気密に覆う盲フラン
ジ１１を取り外し、つなぎ配管１０の開口から反応副生
成物の取出用具等を用いて反応副生成物を取り出す。そ
の後、盲フランジ１１を再びつなぎ配管１０のフランジ
部１０ｂに気密に取り付ける。
できる半導体製造装置を提供する。 【解決手段】 反応炉の排気フランジ３の排出管６と排
気配管４とを、つなぎ配管１０で接続し、排気フランジ
３からの排気ガスをつなぎ配管１０を通して排気配管４
に流す。排気フランジ３から排気ガスが排出され、つな
ぎ配管１０及びその周辺に反応副生成物が付着したら、
つなぎ配管１０の開口（取出口）を気密に覆う盲フラン
ジ１１を取り外し、つなぎ配管１０の開口から反応副生
成物の取出用具等を用いて反応副生成物を取り出す。そ
の後、盲フランジ１１を再びつなぎ配管１０のフランジ
部１０ｂに気密に取り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン等のウェ
ーハやガラス基板に処理を施してＩＣ等の半導体素子を
製造する半導体製造装置に係り、特に排気系に付着した
反応副生成物を簡易に除去することができる半導体製造
装置に関する。
ーハやガラス基板に処理を施してＩＣ等の半導体素子を
製造する半導体製造装置に係り、特に排気系に付着した
反応副生成物を簡易に除去することができる半導体製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、縦型ＣＶＤ装置であり、ＣＶＤ
装置の筺体１内には反応炉２が設けられている。高温状
態の反応炉２内には、ガス供給系から供給されたＴＥＯ
Ｓ等の処理ガスが流され、基板が成膜処理される。処理
後の未反応ガスなどの排気ガスは、反応炉２下部の排気
通路を形成する排気フランジ３から筺体１背面側の排気
配管４へと排出される。
装置の筺体１内には反応炉２が設けられている。高温状
態の反応炉２内には、ガス供給系から供給されたＴＥＯ
Ｓ等の処理ガスが流され、基板が成膜処理される。処理
後の未反応ガスなどの排気ガスは、反応炉２下部の排気
通路を形成する排気フランジ３から筺体１背面側の排気
配管４へと排出される。
【０００３】排気フランジ３の排出管６と排気配管４と
の間は、図３に示すように、つなぎ配管５により接続さ
れている。排出管６のフランジ部６ａとつなぎ配管５の
フランジ部５ａとの間には、シール材としてＯリング７
が介設され、位置決めピン８により位置決めされ、図示
省略のボルト、クランプ等によって排出管６とつなぎ配
管５は気密に接続固定されている。また、排気配管４の
フランジ部４ａとつなぎ配管５のフランジ部５ｂとは、
カラークランプ９により、気密に接続固定されている。
これにより、排気ガスは、リークすることなく、排気フ
ランジ３からつなぎ配管５を通って排気配管４へと流れ
る。
の間は、図３に示すように、つなぎ配管５により接続さ
れている。排出管６のフランジ部６ａとつなぎ配管５の
フランジ部５ａとの間には、シール材としてＯリング７
が介設され、位置決めピン８により位置決めされ、図示
省略のボルト、クランプ等によって排出管６とつなぎ配
管５は気密に接続固定されている。また、排気配管４の
フランジ部４ａとつなぎ配管５のフランジ部５ｂとは、
カラークランプ９により、気密に接続固定されている。
これにより、排気ガスは、リークすることなく、排気フ
ランジ３からつなぎ配管５を通って排気配管４へと流れ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応炉に供
給されるＴＥＯＳなどの処理ガスは、温度が低くなると
反応副生成物が生成されるという性質がある。ＴＥＯＳ
の場合、約４００℃以下で反応副生成物が生成され、排
気系への反応副生成物の付着がメンテナンス上、大きな
問題となっている。
給されるＴＥＯＳなどの処理ガスは、温度が低くなると
反応副生成物が生成されるという性質がある。ＴＥＯＳ
の場合、約４００℃以下で反応副生成物が生成され、排
気系への反応副生成物の付着がメンテナンス上、大きな
問題となっている。
【０００５】そこで、従来、排気系配管への反応副生成
物の付着量を減少させるために、つなぎ配管５から排気
配管４までの配管外周部にヒータを巻き付け、シール材
の耐熱温度（バイトン製Ｏリングでは１５０℃）まで配
管を加熱する方法が採られている。
物の付着量を減少させるために、つなぎ配管５から排気
配管４までの配管外周部にヒータを巻き付け、シール材
の耐熱温度（バイトン製Ｏリングでは１５０℃）まで配
管を加熱する方法が採られている。
【０００６】しかしながら、この配管加熱によっても、
反応副生成物の付着防止は十分ではなく、基板処理のバ
ッチ回数の増加に伴い、排気系の排気通路が付着物によ
って徐々に閉塞状態となり、排気配管４の後流側に設け
られたピエゾバルブによる圧力制御が不可能となってし
まう。従って、この反応副生成物を除去するために、定
期的に排気系の配管を取り外す大規模なメンテナンスを
行っており、このメンテナンスによって装置のダウンタ
イムが長くなるという問題があった。
反応副生成物の付着防止は十分ではなく、基板処理のバ
ッチ回数の増加に伴い、排気系の排気通路が付着物によ
って徐々に閉塞状態となり、排気配管４の後流側に設け
られたピエゾバルブによる圧力制御が不可能となってし
まう。従って、この反応副生成物を除去するために、定
期的に排気系の配管を取り外す大規模なメンテナンスを
行っており、このメンテナンスによって装置のダウンタ
イムが長くなるという問題があった。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解消す
べくなされたもので、短時間で簡易に排気系の反応副生
成物を除去でき、装置のダウンタイムを大幅に短縮する
ことができる半導体製造装置を提供することを目的とす
る。
べくなされたもので、短時間で簡易に排気系の反応副生
成物を除去でき、装置のダウンタイムを大幅に短縮する
ことができる半導体製造装置を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体製造装置は、反応炉内に処理ガスを
供給して基板を処理し排気ガスを排気系より排出する半
導体製造装置であって、前記排気系に、これに付着した
反応副生成物を取り出すための開閉可能な取出口を設け
たものである。
に、本発明の半導体製造装置は、反応炉内に処理ガスを
供給して基板を処理し排気ガスを排気系より排出する半
導体製造装置であって、前記排気系に、これに付着した
反応副生成物を取り出すための開閉可能な取出口を設け
たものである。
【０００９】排気系に反応副生成物がある程度付着した
ら、排気系の取出口を開け、取出口から反応副生成物を
取り出すための取出用具ないし掻出用具を挿入して反応
副生成物を除去し、その後、取出口を密閉する。このよ
うに、取出用具などを挿入できる程度の取出口を開閉す
るだけで済むので、リークチェックの箇所も少なくリー
クチェックも短時間で行うことができ、メンテナンス性
を向上できる。また、このような簡易な反応副生成物の
除去作業を定期的に行えば、排気系の配管を取り外す大
掛かりなメンテナンスを実施するメンテナンスサイクル
を大幅に延長することができる。なお、反応副生成物は
反応炉の炉口部付近に付着しやすいため、取出口は炉口
部付近に設けるのが好ましい。また、取出口を排気系に
複数設けるようにしてもよい。
ら、排気系の取出口を開け、取出口から反応副生成物を
取り出すための取出用具ないし掻出用具を挿入して反応
副生成物を除去し、その後、取出口を密閉する。このよ
うに、取出用具などを挿入できる程度の取出口を開閉す
るだけで済むので、リークチェックの箇所も少なくリー
クチェックも短時間で行うことができ、メンテナンス性
を向上できる。また、このような簡易な反応副生成物の
除去作業を定期的に行えば、排気系の配管を取り外す大
掛かりなメンテナンスを実施するメンテナンスサイクル
を大幅に延長することができる。なお、反応副生成物は
反応炉の炉口部付近に付着しやすいため、取出口は炉口
部付近に設けるのが好ましい。また、取出口を排気系に
複数設けるようにしてもよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。図１は、本発明を縦型ＣＶＤ装置
に適用した一実施形態であって、縦型ＣＶＤ装置の排気
系を示す概略断面図である。図２は、本発明が適用され
る縦型ＣＶＤ装置の一例を示す全体構成の斜視図であ
る。
面を用いて説明する。図１は、本発明を縦型ＣＶＤ装置
に適用した一実施形態であって、縦型ＣＶＤ装置の排気
系を示す概略断面図である。図２は、本発明が適用され
る縦型ＣＶＤ装置の一例を示す全体構成の斜視図であ
る。
【００１１】図２の反応炉２は、図示省略するが、イン
ナーチューブとアウターチューブとの二重管構造となっ
ており、ウェーハ等が挿入されたインナーチューブ内を
導入された処理ガスが上昇し所定の成膜処理がなされた
後、インナーチューブとアウターチューブとの間を処理
後の排気ガスが流下し、反応炉２下部外周部の排気フラ
ンジ３に集められて排出される。
ナーチューブとアウターチューブとの二重管構造となっ
ており、ウェーハ等が挿入されたインナーチューブ内を
導入された処理ガスが上昇し所定の成膜処理がなされた
後、インナーチューブとアウターチューブとの間を処理
後の排気ガスが流下し、反応炉２下部外周部の排気フラ
ンジ３に集められて排出される。
【００１２】図１に示すように、排気フランジ３の排気
ガスを水平方向に向けて排出する排出管６と垂直方向に
設けられた排気配管４との間には、管の中心軸を排出管
６の中心軸と一致させるように、つなぎ配管１０が設け
られる。つなぎ配管１０は、ほぼ直管形状のもので、両
端部が開口してフランジ部１０ａ、１０ｂが形成される
と共に、排気配管４の入口部と接続される接続管部１０
ｃが、つなぎ配管１０の一端部側の外周面より上方に延
出させて形成されている。排出管６のフランジ部６ａと
つなぎ配管１０のフランジ部１０ａとの間にはＯリング
７が設けられ、両フランジ部６ａ、１０ａは位置決めピ
ン８により位置決めされ、図示省略のボルト、クランプ
等によって気密に接続固定されている。また、排気配管
４のフランジ部４ａとつなぎ配管１０の接続管部１０ｃ
のフランジ部１０ｄとは、カラークランプ９により、気
密に接続固定されている。
ガスを水平方向に向けて排出する排出管６と垂直方向に
設けられた排気配管４との間には、管の中心軸を排出管
６の中心軸と一致させるように、つなぎ配管１０が設け
られる。つなぎ配管１０は、ほぼ直管形状のもので、両
端部が開口してフランジ部１０ａ、１０ｂが形成される
と共に、排気配管４の入口部と接続される接続管部１０
ｃが、つなぎ配管１０の一端部側の外周面より上方に延
出させて形成されている。排出管６のフランジ部６ａと
つなぎ配管１０のフランジ部１０ａとの間にはＯリング
７が設けられ、両フランジ部６ａ、１０ａは位置決めピ
ン８により位置決めされ、図示省略のボルト、クランプ
等によって気密に接続固定されている。また、排気配管
４のフランジ部４ａとつなぎ配管１０の接続管部１０ｃ
のフランジ部１０ｄとは、カラークランプ９により、気
密に接続固定されている。
【００１３】排気フランジ３の排出管６の延長上に位置
するつなぎ配管１０の開口部外周のフランジ部１０ｂに
は、盲フランジ１１が取り付けられ、反応副生成物の取
出口となる開口が気密に覆われている。盲フランジ１１
とつなぎ配管１０のフランジ部１０ｂの間にはＯリング
１２が挟まれ、ボルト１３で固定されている。また、排
気系配管を加熱して反応副生成物の付着を減少させるた
めに、つなぎ配管１０から排気配管４までの配管外周部
にヒータ（図示せず）が巻き付けられている。
するつなぎ配管１０の開口部外周のフランジ部１０ｂに
は、盲フランジ１１が取り付けられ、反応副生成物の取
出口となる開口が気密に覆われている。盲フランジ１１
とつなぎ配管１０のフランジ部１０ｂの間にはＯリング
１２が挟まれ、ボルト１３で固定されている。また、排
気系配管を加熱して反応副生成物の付着を減少させるた
めに、つなぎ配管１０から排気配管４までの配管外周部
にヒータ（図示せず）が巻き付けられている。
【００１４】反応炉２にはＴＥＯＳ系などの処理ガスが
供給され、未反応ガス等からなる排気ガスが、排気フラ
ンジ３から排出されると、排気フランジ３からつなぎ配
管１０、排気配管４にかけて反応副生成物が付着してく
る（反応副生成物は、例えば、処理ガスがＴＥＯＳ（Ｓ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）の場合、ＳｉＯXである）。そこで、
本実施形態では、定期的につなぎ配管１０、排出管６及
びそれらの周辺の反応副生成物の除去を行う。すなわ
ち、盲フランジ１１を取り外し、つなぎ配管１０の開口
（取出口）から反応副生成物の取出用具ないし掻出用具
を用いて反応副生成物を取り出す。その後、盲フランジ
１１を再びつなぎ配管１０のフランジ部１０ｂに取り付
け、盲フランジ１１部のリークチェックを行う。この作
業の間、排気フランジ３より熱せられたＮ2ガスが多量
に流れ出すと危険なため、Ｎ2ガス流量を通常のＮ2パー
ジに比べて十分に控えておくのがよい。
供給され、未反応ガス等からなる排気ガスが、排気フラ
ンジ３から排出されると、排気フランジ３からつなぎ配
管１０、排気配管４にかけて反応副生成物が付着してく
る（反応副生成物は、例えば、処理ガスがＴＥＯＳ（Ｓ
ｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）の場合、ＳｉＯXである）。そこで、
本実施形態では、定期的につなぎ配管１０、排出管６及
びそれらの周辺の反応副生成物の除去を行う。すなわ
ち、盲フランジ１１を取り外し、つなぎ配管１０の開口
（取出口）から反応副生成物の取出用具ないし掻出用具
を用いて反応副生成物を取り出す。その後、盲フランジ
１１を再びつなぎ配管１０のフランジ部１０ｂに取り付
け、盲フランジ１１部のリークチェックを行う。この作
業の間、排気フランジ３より熱せられたＮ2ガスが多量
に流れ出すと危険なため、Ｎ2ガス流量を通常のＮ2パー
ジに比べて十分に控えておくのがよい。
【００１５】排気フランジ３の排出管６からつなぎ配管
１０にかけて反応副生成物が最も付着しやすいが、排出
管６の延長上に位置し、排出管６及びつなぎ配管１０の
内部を直接的に見通すことのできる、つなぎ配管１０の
開口部から反応副生成物を取り出すようにしているの
で、迅速に且つ効率の良い除去ができる。また、炉口部
付近に付着した反応副生成物を除去できるので、反応炉
２内のパーティクル数を減少でき、半導体素子の製造に
おいて製品の品質および歩留まりの向上を図ることがで
きる。
１０にかけて反応副生成物が最も付着しやすいが、排出
管６の延長上に位置し、排出管６及びつなぎ配管１０の
内部を直接的に見通すことのできる、つなぎ配管１０の
開口部から反応副生成物を取り出すようにしているの
で、迅速に且つ効率の良い除去ができる。また、炉口部
付近に付着した反応副生成物を除去できるので、反応炉
２内のパーティクル数を減少でき、半導体素子の製造に
おいて製品の品質および歩留まりの向上を図ることがで
きる。
【００１６】なお、上記実施形態では、つなぎ配管１０
の開口を盲フランジ１１で塞ぐ構成としたが、つなぎ配
管１０の一部分が取り外し可能な構造とし、この一部分
を取り外して反応副生成物を取り出すようにしてもよ
い。また、排気配管４側に反応副生成物の取出口を設け
てもよい。また、本発明は、横型ＣＶＤ装置などにも勿
論、適用することができる。
の開口を盲フランジ１１で塞ぐ構成としたが、つなぎ配
管１０の一部分が取り外し可能な構造とし、この一部分
を取り外して反応副生成物を取り出すようにしてもよ
い。また、排気配管４側に反応副生成物の取出口を設け
てもよい。また、本発明は、横型ＣＶＤ装置などにも勿
論、適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上要するに、本発明によれば、排気系
に反応副生成物を取り出すための開閉可能な取出口を設
けたため、排気系に反応副生成物が付着したら、排気系
の取出口を開けて簡易且つ迅速に反応副生成物を除去す
ることができ、メンテナンス性の向上が図れ、半導体製
造装置のダウンタイムを大幅に短縮することができる。
また、排気系に付着する反応副生成物を定期的に良好に
除去できるので、反応炉などの装置内のパーティクル数
も減少でき、製品の品質・歩留まりを向上させることが
できる。
に反応副生成物を取り出すための開閉可能な取出口を設
けたため、排気系に反応副生成物が付着したら、排気系
の取出口を開けて簡易且つ迅速に反応副生成物を除去す
ることができ、メンテナンス性の向上が図れ、半導体製
造装置のダウンタイムを大幅に短縮することができる。
また、排気系に付着する反応副生成物を定期的に良好に
除去できるので、反応炉などの装置内のパーティクル数
も減少でき、製品の品質・歩留まりを向上させることが
できる。
【図１】本発明に係る半導体製造装置を縦型ＣＶＤ装置
に適用した一実施形態であって、縦型ＣＶＤ装置の排気
系を示す概略断面図である。
に適用した一実施形態であって、縦型ＣＶＤ装置の排気
系を示す概略断面図である。
【図２】縦型ＣＶＤ装置の全体構成を示す一部破断した
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図３】従来の縦型ＣＶＤ装置の排気系を示す概略断面
図である。
図である。
１ 筺体 ２ 反応炉 ３ 排気フランジ ４ 排気配管 ５ つなぎ配管 ６ 排出管 ７ Ｏリング ９ カラークランプ １０ つなぎ配管 １１ 盲フランジ １２ Ｏリング １３ ボルト
Claims (1)
- 【請求項１】反応炉内に処理ガスを供給して基板を処理
し排気ガスを排気系より排出する半導体製造装置におい
て、 前記排気系に、これに付着した反応副生成物を取り出す
ための開閉可能な取出口を設けたことを特徴とする半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13653398A JPH11329978A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13653398A JPH11329978A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329978A true JPH11329978A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15177420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13653398A Pending JPH11329978A (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11329978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100851236B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2008-08-20 | 피에스케이 주식회사 | 배기장치 및 이를 포함하는 기판처리장치, 그리고 배기방법 |
| WO2008156031A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置 |
| KR102010324B1 (ko) * | 2019-03-05 | 2019-08-13 | (주)오방테크놀로지 | 패럴린 코팅 장치 |
-
1998
- 1998-05-19 JP JP13653398A patent/JPH11329978A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100851236B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2008-08-20 | 피에스케이 주식회사 | 배기장치 및 이를 포함하는 기판처리장치, 그리고 배기방법 |
| WO2008156031A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置 |
| KR102010324B1 (ko) * | 2019-03-05 | 2019-08-13 | (주)오방테크놀로지 | 패럴린 코팅 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6524650B1 (en) | Substrate processing apparatus and method | |
| EP1381079B1 (en) | Heat treating method | |
| JP2778574B2 (ja) | 半導体用製造装置 | |
| JP4114972B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH11345778A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及びそのクリーニング機構 | |
| US8051870B2 (en) | Pressure reduction process device, pressure reduction process method, and pressure regulation valve | |
| JPH11329978A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0261068A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPH01309315A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2686447B2 (ja) | 反応装置 | |
| JPH0766145A (ja) | 熱処理装置及びその運転方法 | |
| JP2003524301A (ja) | 真空内でプラズマを使用して基板に表面処理を施すための装置および方法 | |
| JP3563565B2 (ja) | 排気装置および排気方法 | |
| JP2009088308A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100700762B1 (ko) | 박막형성장치의 세정방법 | |
| JP2010147201A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0831743A (ja) | Ｃｖｄ装置の汚染防止方法及びその装置 | |
| JPH09162165A (ja) | 処理装置及びそのクリーニング方法 | |
| JP3690095B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP3894865B2 (ja) | 半導体製造装置、被覆管および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP4465342B2 (ja) | 半導体製造装置、排気管系および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP2714576B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH08195332A (ja) | 半導体製造装置用排気装置 | |
| KR20060124441A (ko) | 모듈 히터가 구비된 반도체 제조장치 | |
| JPH0917732A (ja) | 半導体製造方法および装置 |