JPH08195332A - 半導体製造装置用排気装置 - Google Patents
半導体製造装置用排気装置Info
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- JPH08195332A JPH08195332A JP600295A JP600295A JPH08195332A JP H08195332 A JPH08195332 A JP H08195332A JP 600295 A JP600295 A JP 600295A JP 600295 A JP600295 A JP 600295A JP H08195332 A JPH08195332 A JP H08195332A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空用排気配管から分岐された計器類及び機
能ライン類の小径の接続配管内に反応副生成物又は未反
応プロセスガスが付着し、計器類のトラブル、機能ライ
ンの不調を起すことを回避する。 【構成】 半導体製造装置２２の真空用排気配管９，１
７，２５に計器類等の接続配管より大径の分岐配管２４
Ａ〜２４Ｄを接続し、この分岐配管２４Ａ〜２４Ｄに、
計器類等の接続配管２６を接続し、この配管２６に計器
類１１，１４，機能ライン１２，１３，１５，１６，２
１を接続することを特徴とする。
能ライン類の小径の接続配管内に反応副生成物又は未反
応プロセスガスが付着し、計器類のトラブル、機能ライ
ンの不調を起すことを回避する。 【構成】 半導体製造装置２２の真空用排気配管９，１
７，２５に計器類等の接続配管より大径の分岐配管２４
Ａ〜２４Ｄを接続し、この分岐配管２４Ａ〜２４Ｄに、
計器類等の接続配管２６を接続し、この配管２６に計器
類１１，１４，機能ライン１２，１３，１５，１６，２
１を接続することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハを熱処理，成
膜処理する熱処理，膜生成装置等の半導体製造装置に係
り、特にその排気装置に関する。
膜処理する熱処理，膜生成装置等の半導体製造装置に係
り、特にその排気装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来装置の１例を示す構成説明
図、図４は従来の１部の斜視図である。図３，４におい
て２２は半導体製造装置、１は反応室内を９００℃に加
熱するためのヒータ、２は反応室をつくる筒状の石英硝
子製のアウタチューブ、３は反応室内のガスの流れをつ
くる石英硝子製のインナチューブである。４は多数のウ
ェーハを載置する石英硝子製のボート、５は反応室内に
ガスを導入する吸気口５Ａ、減圧にする排気口５Ｂをも
つステンレス鋼製のインレットアダプタである。インレ
ットアダプタ５にインナチューブ３，アウタチューブ２
を設置する構造となっている。６はインレットアダプタ
５下部とのシール性をＯリングによってよくし、反応室
内へのパーティクルの侵入を防ぎ、反応室内を減圧にす
るためのステンレス鋼製のシールキャップである。１０
はインレットアダプタ５に連結された真空用排気配管に
挿設されたメインバルブで、真空排気ラインの切替え開
閉バルブであり、シールキャップ６が閉、ポンプ２０作
動中、反応室内が１０Ｔｏｒｒ以下の減圧の時に開とな
るようにインターロックがセットされている。２３はこ
のメインバルブ１０を制御する真空バルブ制御装置、２
０は真空用排気配管に連結された真空ポンプで、半導体
製造装置２２の反応室内を排気する。
図、図４は従来の１部の斜視図である。図３，４におい
て２２は半導体製造装置、１は反応室内を９００℃に加
熱するためのヒータ、２は反応室をつくる筒状の石英硝
子製のアウタチューブ、３は反応室内のガスの流れをつ
くる石英硝子製のインナチューブである。４は多数のウ
ェーハを載置する石英硝子製のボート、５は反応室内に
ガスを導入する吸気口５Ａ、減圧にする排気口５Ｂをも
つステンレス鋼製のインレットアダプタである。インレ
ットアダプタ５にインナチューブ３，アウタチューブ２
を設置する構造となっている。６はインレットアダプタ
５下部とのシール性をＯリングによってよくし、反応室
内へのパーティクルの侵入を防ぎ、反応室内を減圧にす
るためのステンレス鋼製のシールキャップである。１０
はインレットアダプタ５に連結された真空用排気配管に
挿設されたメインバルブで、真空排気ラインの切替え開
閉バルブであり、シールキャップ６が閉、ポンプ２０作
動中、反応室内が１０Ｔｏｒｒ以下の減圧の時に開とな
るようにインターロックがセットされている。２３はこ
のメインバルブ１０を制御する真空バルブ制御装置、２
０は真空用排気配管に連結された真空ポンプで、半導体
製造装置２２の反応室内を排気する。
【０００３】上記半導体製造装置２２は、シールキャッ
プ６を開けて、複数のシリコンウェーハを載置したボー
ト４を、アウタチューブ２とインナチューブ３よりなる
反応室へ挿入してシールキャップ６を閉じ、反応室内を
真空ポンプ２０により減圧し、吸気口５Ａより半導体プ
ロセスガスを流すと共にウェーハをヒータ１により加熱
して、所望の半導体膜を形成する。半導体製造プロセス
で最もハードといわれているＳｉ3 Ｎ4 膜（窒化膜）で
は、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロロシラン）＋ＮＨ3 （アン
モニア）又は、ＳｉＨＣｌ 2 （トリクロロシラン）＋Ｎ
Ｈ3 のプロセスガスが用いられるため、半導体副生成物
ＮＨ4 Ｃｌ（塩化アンモニア）が発生し、排気配管内部
に付着する。又、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜
のＴＥＯＳガスについても、同じである。
プ６を開けて、複数のシリコンウェーハを載置したボー
ト４を、アウタチューブ２とインナチューブ３よりなる
反応室へ挿入してシールキャップ６を閉じ、反応室内を
真空ポンプ２０により減圧し、吸気口５Ａより半導体プ
ロセスガスを流すと共にウェーハをヒータ１により加熱
して、所望の半導体膜を形成する。半導体製造プロセス
で最もハードといわれているＳｉ3 Ｎ4 膜（窒化膜）で
は、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロロシラン）＋ＮＨ3 （アン
モニア）又は、ＳｉＨＣｌ 2 （トリクロロシラン）＋Ｎ
Ｈ3 のプロセスガスが用いられるため、半導体副生成物
ＮＨ4 Ｃｌ（塩化アンモニア）が発生し、排気配管内部
に付着する。又、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜
のＴＥＯＳガスについても、同じである。
【０００４】７，１９は配管外径６０．５〜１１４．３
ｍｍ，ステンレス鋼製の真空用排気配管で、配管の取外
しが容易にできるように、配管の両端はＮＷフランジが
溶接され、クランンプチェーンで固定される。８，１８
は、つなぎ配管の取付け精度のにげ及び装置本体を移動
することなく配管が脱着できるようにするためのステン
レス鋼製のベローズ真空用排気配管である。真空用排気
配管９は、計器類及び必要な配管ラインを設けるための
接続配管２６（外径６．３５〜１２．７ｍｍ）が溶接さ
れている。１１は圧力を測定する反応室側真空センサ、
１２は大気圧ベントで、反応室内が常圧になったとき、
プレッシャスイッチ１２Ａがはたらき、エアバルブ１２
Ｂが開となり、本ラインから排気される。また、反応室
内にパーティクルが侵入しないようにチェックバルブ
（逆流防止弁）１２Ｃが設置されている。スロー排気ラ
イン１３は、初期の反応室内真空引きの時にウェーハの
振動及びパーティクルの舞い上がりを防止するためのも
ので、スロー排気ラインのエアバルブ１３Ａは、シール
キャップ６が閉、ポンプ２０作動中の時に開となるよう
にインターロックがセットされている。１４は圧力を測
定するポンプ側真空センサ、１５は圧力制御部で、Ｎ2
バラスト制御方式により圧力を制御するためのものであ
り、圧力は、反応室側真空センサ１１で検知され、コン
トローラで必要な流量に演算され、ピエゾバルブ１５Ｂ
で流量が制御される。圧力制御部のエアバルブ１５Ａ
は、ポンプ２０作動中の時に開となるようにインターロ
ックがセットされている。１６は大気圧戻しで、メイン
バルブ１０からポンプ２０までの間を大気圧に戻すため
のものであり、大気圧戻しのエアバルブ１６Ａは、下段
ポンプ停止の時に開可能となるようにインターロックが
セットされている。１６Ｂはチェックバルブ、１６Ｃは
流量計である。２０は真空ポンプで、反応室内を減圧に
するためのものであり、ポンプは、上段ポンプ（メカニ
カルブースタポンプ）と下段ポンプ（ドライポンプ）に
別れ、最初に下段ポンプであら引きを行ない、１０ｔｏ
ｒｒ以下の減圧時に上段ポンプを駆動する。２１は排気
希釈ラインでは、可燃性、毒性ガスを安全に排気させる
ため、Ｎ2 ガスで希釈させユーティリテ設備に送るもの
である。
ｍｍ，ステンレス鋼製の真空用排気配管で、配管の取外
しが容易にできるように、配管の両端はＮＷフランジが
溶接され、クランンプチェーンで固定される。８，１８
は、つなぎ配管の取付け精度のにげ及び装置本体を移動
することなく配管が脱着できるようにするためのステン
レス鋼製のベローズ真空用排気配管である。真空用排気
配管９は、計器類及び必要な配管ラインを設けるための
接続配管２６（外径６．３５〜１２．７ｍｍ）が溶接さ
れている。１１は圧力を測定する反応室側真空センサ、
１２は大気圧ベントで、反応室内が常圧になったとき、
プレッシャスイッチ１２Ａがはたらき、エアバルブ１２
Ｂが開となり、本ラインから排気される。また、反応室
内にパーティクルが侵入しないようにチェックバルブ
（逆流防止弁）１２Ｃが設置されている。スロー排気ラ
イン１３は、初期の反応室内真空引きの時にウェーハの
振動及びパーティクルの舞い上がりを防止するためのも
ので、スロー排気ラインのエアバルブ１３Ａは、シール
キャップ６が閉、ポンプ２０作動中の時に開となるよう
にインターロックがセットされている。１４は圧力を測
定するポンプ側真空センサ、１５は圧力制御部で、Ｎ2
バラスト制御方式により圧力を制御するためのものであ
り、圧力は、反応室側真空センサ１１で検知され、コン
トローラで必要な流量に演算され、ピエゾバルブ１５Ｂ
で流量が制御される。圧力制御部のエアバルブ１５Ａ
は、ポンプ２０作動中の時に開となるようにインターロ
ックがセットされている。１６は大気圧戻しで、メイン
バルブ１０からポンプ２０までの間を大気圧に戻すため
のものであり、大気圧戻しのエアバルブ１６Ａは、下段
ポンプ停止の時に開可能となるようにインターロックが
セットされている。１６Ｂはチェックバルブ、１６Ｃは
流量計である。２０は真空ポンプで、反応室内を減圧に
するためのものであり、ポンプは、上段ポンプ（メカニ
カルブースタポンプ）と下段ポンプ（ドライポンプ）に
別れ、最初に下段ポンプであら引きを行ない、１０ｔｏ
ｒｒ以下の減圧時に上段ポンプを駆動する。２１は排気
希釈ラインでは、可燃性、毒性ガスを安全に排気させる
ため、Ｎ2 ガスで希釈させユーティリテ設備に送るもの
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、図３，図４に示すように真空用排気配管９，１７，
２５に配管径の小さい接続配管２６を接続し、この接続
配管２６に反応室側真空センサ１１と，大気圧ベント１
２と，スロー排気ライン１３と，ポンプ側真空センサ１
４と，圧力制御部１５と，大気圧戻し１６と，排気希釈
ライン２１を接続していたので、該接続配管２６内に反
応副生成物又は未反応プロセスガスが付着し、計器類の
トラブル、機能ラインの不調を起こすという課題があっ
た。
は、図３，図４に示すように真空用排気配管９，１７，
２５に配管径の小さい接続配管２６を接続し、この接続
配管２６に反応室側真空センサ１１と，大気圧ベント１
２と，スロー排気ライン１３と，ポンプ側真空センサ１
４と，圧力制御部１５と，大気圧戻し１６と，排気希釈
ライン２１を接続していたので、該接続配管２６内に反
応副生成物又は未反応プロセスガスが付着し、計器類の
トラブル、機能ラインの不調を起こすという課題があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、真空用排
気配管から分岐された計器類及び機能ライン類の小径の
接続配管内に反応副生成物又は未反応プロセスが付着
し、計器類のトラブル、機能ラインの不調を起すことを
解決するため、図１に示すように半導体製造装置２２の
真空用排気配管９，１７，２５に計器類等の接続配管よ
り大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを接続し、この分岐配
管２４Ａ〜２４Ｄに、計器類等の接続配管２６を接続
し、この配管２６に計器類１１，１４，機能ライン１
２，１３，１５，１６，２１を接続することを特徴とす
る。
気配管から分岐された計器類及び機能ライン類の小径の
接続配管内に反応副生成物又は未反応プロセスが付着
し、計器類のトラブル、機能ラインの不調を起すことを
解決するため、図１に示すように半導体製造装置２２の
真空用排気配管９，１７，２５に計器類等の接続配管よ
り大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを接続し、この分岐配
管２４Ａ〜２４Ｄに、計器類等の接続配管２６を接続
し、この配管２６に計器類１１，１４，機能ライン１
２，１３，１５，１６，２１を接続することを特徴とす
る。
【０００７】
【作 用】このように計器類等の接続配管２６より大径
の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを用い、これに計器類等の接
続配管２６を介して計器類１１，１４、機能ライン１
２，１３，１５，１６，２１を接続するようにしたの
で、分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを定期的に分離して効率的
に洗浄しメンテナンスを行うことにより半導体副生成物
及び未反応プロセスガスの付着による計器類のトラブ
ル、機能ラインの不調を起すことを回避することができ
ることになる。
の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを用い、これに計器類等の接
続配管２６を介して計器類１１，１４、機能ライン１
２，１３，１５，１６，２１を接続するようにしたの
で、分岐配管２４Ａ〜２４Ｄを定期的に分離して効率的
に洗浄しメンテナンスを行うことにより半導体副生成物
及び未反応プロセスガスの付着による計器類のトラブ
ル、機能ラインの不調を起すことを回避することができ
ることになる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明装置の１実施例を示す構成説明
図、図２は本発明の１部の斜視図である。本実施例は、
真空用排気配管９，１７，２５にそれぞれ計器類等の接
続配管２６より大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄをフラン
ジ部で着脱可能に取付け、この分岐配管２４Ａに反応室
側真空センサ１１，大気圧ベント１２のプレッシャスイ
ッチ１２Ａ、エアバルブ１２Ｂをそれぞれ接続配管２６
で接続し、前記分岐配管２４Ｂにポンプ側真空センサ１
４を接続配管２６で接続し、前記分岐配管２４Ａ，２４
Ｂ間にスロー排気ライン１３のエアバルブ１３Ａを接続
配管２６で接続し、前記分岐配管２４Ｃにエアバルブ１
５Ａとピエゾバルブ１５Ｂよりなる圧力制御部１５及び
エアバルブ１６Ａとチェック弁１６Ｂと流量計１６Ｃよ
りなる大気圧戻し１６をそれぞれ接続配管２６で接続す
ると共に前記分岐配管２４Ｄに排気希釈ライン２１を接
続配管２６で接続せしめる。
図、図２は本発明の１部の斜視図である。本実施例は、
真空用排気配管９，１７，２５にそれぞれ計器類等の接
続配管２６より大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄをフラン
ジ部で着脱可能に取付け、この分岐配管２４Ａに反応室
側真空センサ１１，大気圧ベント１２のプレッシャスイ
ッチ１２Ａ、エアバルブ１２Ｂをそれぞれ接続配管２６
で接続し、前記分岐配管２４Ｂにポンプ側真空センサ１
４を接続配管２６で接続し、前記分岐配管２４Ａ，２４
Ｂ間にスロー排気ライン１３のエアバルブ１３Ａを接続
配管２６で接続し、前記分岐配管２４Ｃにエアバルブ１
５Ａとピエゾバルブ１５Ｂよりなる圧力制御部１５及び
エアバルブ１６Ａとチェック弁１６Ｂと流量計１６Ｃよ
りなる大気圧戻し１６をそれぞれ接続配管２６で接続す
ると共に前記分岐配管２４Ｄに排気希釈ライン２１を接
続配管２６で接続せしめる。
【０００９】このように真空センサ１１，１４、プレッ
シャスイッチ１２Ａ、エアバルブ１２Ｂ、１３Ａ並びに
圧力制御部１５、大気圧戻し１６及び排気希釈ライン２
１等は、真空用排気配管９，１７，２５から配管径の小
さい計器類等の接続配管２６を分岐してこれに接続せ
ず、該接続配管２６より大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄ
を設けてこれに集約させて取付けるようにしたので、分
岐配管２４Ａ〜２４Ｄを定期的に分離して効率的に洗浄
しメンテナンスを行うことにより半導体副生成物及び未
反応プロセスガスの付着による計器類のトラブル、機能
ラインの不調を起すことを回避することができることに
なる。
シャスイッチ１２Ａ、エアバルブ１２Ｂ、１３Ａ並びに
圧力制御部１５、大気圧戻し１６及び排気希釈ライン２
１等は、真空用排気配管９，１７，２５から配管径の小
さい計器類等の接続配管２６を分岐してこれに接続せ
ず、該接続配管２６より大径の分岐配管２４Ａ〜２４Ｄ
を設けてこれに集約させて取付けるようにしたので、分
岐配管２４Ａ〜２４Ｄを定期的に分離して効率的に洗浄
しメンテナンスを行うことにより半導体副生成物及び未
反応プロセスガスの付着による計器類のトラブル、機能
ラインの不調を起すことを回避することができることに
なる。
【００１０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体製
造装置の真空用排気配管から分岐配管を取外して定期的
にメンテナンスを行うことにより半導体副生成物及び未
反応プロセスガスの付着による計器類のトラブル、機能
ラインの不調を起すことを回避することができる。
造装置の真空用排気配管から分岐配管を取外して定期的
にメンテナンスを行うことにより半導体副生成物及び未
反応プロセスガスの付着による計器類のトラブル、機能
ラインの不調を起すことを回避することができる。
【図１】本発明装置の１実施例を示す構成説明図であ
る。
る。
【図２】本発明の１部の斜視図である。
【図３】従来装置の１例を示す構成説明図である。
【図４】従来の１部の斜視図である。
１ ヒータ ２ アウタチューブ ３ インナチューブ ４ ボート ５ インレッドアダプタ ５Ａ 吸気口 ５Ｂ 排気口 ６ シールキャップ ７ 真空用排気配管 ８ ベローズ真空用排気配管 ９ 真空用排気配管 １０ メインバルブ １１ 反応室側真空センサ １２ 大気圧ベント １２Ａ プレッシャスイッチ １２Ｂ エアバルブ １２Ｃ チェックバルブ １３ スロー排気ライン １３Ａ エアバルブ １４ ポンプ側真空センサ １５ 圧力制御部 １５Ａ エアバルブ １５Ｂ ピエゾバルブ １６ 大気圧戻し １６Ａ エアバルブ １６Ｂ チェックバルブ １６Ｃ 流量計 １７ 真空用排気配管 １８ ベローズ真空用排気配管 １９ 真空用排気配管 ２０ 真空ポンプ ２１ 排気希釈ライン ２２ 半導体製造装置 ２３ 真空バルブ制御装置 ２４Ａ〜２４Ｄ 分岐配管 ２５ 真空用排気配管 ２６ 接続配管
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造装置の真空用排気配管に計器
類等の接続配管より大径の分岐配管を接続し、この分岐
配管に、計器類等の接続配管を接続し、この配管に計器
類，機能ラインを接続することを特徴とする半導体製造
装置用排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP600295A JPH08195332A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体製造装置用排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP600295A JPH08195332A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体製造装置用排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195332A true JPH08195332A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11626552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP600295A Pending JPH08195332A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体製造装置用排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195332A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044267A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 真空容器ロードロック装置 |
| JP2007324478A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| CN102465279A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置 |
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP600295A patent/JPH08195332A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044267A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 真空容器ロードロック装置 |
| JP2007324478A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| CN102465279A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置 |
| JP2012104755A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置の組み立て方法及び真空処理装置 |
| US8943669B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-02-03 | Tokyo Electron Limited | Assembly method for vacuum processing apparatus |
| TWI501300B (zh) * | 2010-11-12 | 2015-09-21 | Tokyo Electron Ltd | 真空處理裝置的組裝方法及真空處理裝置 |
| WO2024057590A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | 株式会社Kokusai Electric | 排気構造、排気システム、処理装置及び半導体装置の製造方法 |
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