JPH09909A - 排気装置 - Google Patents
排気装置Info
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- JPH09909A JPH09909A JP18092995A JP18092995A JPH09909A JP H09909 A JPH09909 A JP H09909A JP 18092995 A JP18092995 A JP 18092995A JP 18092995 A JP18092995 A JP 18092995A JP H09909 A JPH09909 A JP H09909A
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- gas
- exhaust
- combustion
- inert gas
- flow rate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】粗引きポンプ出口側に排気ガス切替用バルブを
設ける必要をなくし、簡単で低価格でメンテナンスが容
易であり安全に可燃性ガスと支燃性ガスとを排気できる
排気装置を提供する。 【構成】ＳｉＨ4 系可燃性ガス１０２を反応室１１４内
に流して成膜を行う。成膜時の排気ガスは排気配管１７
０に排気する。Ｎ2 ガスをマスフローコントローラ１５
０によってドライポンプ１４０直後の排気配管１７０に
供給し、可燃性ガスの爆発限界以下の濃度となるように
希釈する。ＮＦ3 系支燃性ガスを流して反応室１１４内
のプラズマクリーニングを行う。クリーニング時の排気
ガスも成膜時と同一の排気配管１７０に排気する。Ｎ2
ガスをマスフローコントローラ１５０によってドライポ
ンプ１４０直後の排気配管１７０に供給し、支燃性ガス
の爆発限界以下の濃度となるように希釈する。
設ける必要をなくし、簡単で低価格でメンテナンスが容
易であり安全に可燃性ガスと支燃性ガスとを排気できる
排気装置を提供する。 【構成】ＳｉＨ4 系可燃性ガス１０２を反応室１１４内
に流して成膜を行う。成膜時の排気ガスは排気配管１７
０に排気する。Ｎ2 ガスをマスフローコントローラ１５
０によってドライポンプ１４０直後の排気配管１７０に
供給し、可燃性ガスの爆発限界以下の濃度となるように
希釈する。ＮＦ3 系支燃性ガスを流して反応室１１４内
のプラズマクリーニングを行う。クリーニング時の排気
ガスも成膜時と同一の排気配管１７０に排気する。Ｎ2
ガスをマスフローコントローラ１５０によってドライポ
ンプ１４０直後の排気配管１７０に供給し、支燃性ガス
の爆発限界以下の濃度となるように希釈する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は排気装置に関し、特に半
導体用成膜装置および液晶装置（ＬＣＤ）用成膜装置に
使用される真空排気装置に関する。
導体用成膜装置および液晶装置（ＬＣＤ）用成膜装置に
使用される真空排気装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体用成膜装置またはＬＣＤ用成膜装
置においては、成膜とガスクリーニング（セルフクリー
ニング）とを連続して行うことが、装置稼働率を上げる
上で重要な要件となっている。
置においては、成膜とガスクリーニング（セルフクリー
ニング）とを連続して行うことが、装置稼働率を上げる
上で重要な要件となっている。
【０００３】以下、代表的な成膜装置であるプラズマＣ
ＶＤ装置を例に挙げて説明する。
ＶＤ装置を例に挙げて説明する。
【０００４】プラズマＣＶＤ装置では、成膜時には、Ｓ
ｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 などの可燃性ガスを用いてＳｉ
Ｎ、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）などの膜を形成
する。そして、例えば、１カセット（基板２０枚）の成
膜終了後、ＮＦ3 ガスなどの支燃性ガスを用いてプラズ
マエッチングを行い成膜時に成膜室に付着した反応生成
物を除去するプラズマクリーニングを行う。
ｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 などの可燃性ガスを用いてＳｉ
Ｎ、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）などの膜を形成
する。そして、例えば、１カセット（基板２０枚）の成
膜終了後、ＮＦ3 ガスなどの支燃性ガスを用いてプラズ
マエッチングを行い成膜時に成膜室に付着した反応生成
物を除去するプラズマクリーニングを行う。
【０００５】このようにプラズマクリーニングを行うこ
とにより成膜室（反応室）を大気開放することなしにク
リーニングすることが可能になるため、短時間でクリー
ニングが可能になり、装置稼働率向上のためにはプラズ
マクリーニングは必須ともいえる技術となってきてい
る。
とにより成膜室（反応室）を大気開放することなしにク
リーニングすることが可能になるため、短時間でクリー
ニングが可能になり、装置稼働率向上のためにはプラズ
マクリーニングは必須ともいえる技術となってきてい
る。
【０００６】このような成膜装置では、成膜時には可燃
性ガスを用い、プラズマクリーニング時には支燃性ガス
を用いるので、成膜装置を安全に操作するには、可燃性
ガスと支燃性ガスとを混合することなく完全に分離して
排気処理することが必要とされていた。
性ガスを用い、プラズマクリーニング時には支燃性ガス
を用いるので、成膜装置を安全に操作するには、可燃性
ガスと支燃性ガスとを混合することなく完全に分離して
排気処理することが必要とされていた。
【０００７】図２はこのような従来の排気装置を備えた
成膜装置の模式図であり、可燃性ガスの排気と支燃性ガ
スの排気とをドライポンプ１４０、２４０の後方の真空
バルブ１６２、１６４または２６２、２６４の切り替え
により行う場合を示したものである。
成膜装置の模式図であり、可燃性ガスの排気と支燃性ガ
スの排気とをドライポンプ１４０、２４０の後方の真空
バルブ１６２、１６４または２６２、２６４の切り替え
により行う場合を示したものである。
【０００８】すなわち、この装置１０は同じ構成の２つ
の成膜装置１００、２００を備えている。成膜は反応室
１１４（２１４）内で行われる。成膜時においては、ガ
スバルブ１１０（２１０）を開き、可燃性ガスであるＳ
ｉＨ4 系ガス１０２（２０２）をＳｉＨ4 系ガス用マス
フローコントローラー１０６（２０６）を介して反応室
１１４（２１４）に供給し、反応室１１４（２１４）か
ら高真空用のターボ分子ポンプ１２０（２２０）、粗引
き用のドライポンプ１４０（２４０）および真空バルブ
１６２を介して排気配管１７２（２７２）に排気し、排
気配管１７２（２７２）に接続された除害装置３０によ
り除害する。反応室１１４の後方には高真空用のゲート
バルブ１１６（２１６）が設けられ、ゲートバルブ１１
６（２１６）の後方には反応室１１４（２１４）内の圧
力を調整するための圧力調整バルブ１１８（２１８）が
設けられ、ターボ分子ポンプ１２０（２２０）とドライ
ポンプ１４０（２４０）との間には粗引き用の真空バル
ブ１３０（２３０）が設けられている。
の成膜装置１００、２００を備えている。成膜は反応室
１１４（２１４）内で行われる。成膜時においては、ガ
スバルブ１１０（２１０）を開き、可燃性ガスであるＳ
ｉＨ4 系ガス１０２（２０２）をＳｉＨ4 系ガス用マス
フローコントローラー１０６（２０６）を介して反応室
１１４（２１４）に供給し、反応室１１４（２１４）か
ら高真空用のターボ分子ポンプ１２０（２２０）、粗引
き用のドライポンプ１４０（２４０）および真空バルブ
１６２を介して排気配管１７２（２７２）に排気し、排
気配管１７２（２７２）に接続された除害装置３０によ
り除害する。反応室１１４の後方には高真空用のゲート
バルブ１１６（２１６）が設けられ、ゲートバルブ１１
６（２１６）の後方には反応室１１４（２１４）内の圧
力を調整するための圧力調整バルブ１１８（２１８）が
設けられ、ターボ分子ポンプ１２０（２２０）とドライ
ポンプ１４０（２４０）との間には粗引き用の真空バル
ブ１３０（２３０）が設けられている。
【０００９】プラズマクリーニング時においては、ガス
バルブ１１０（２１０）を閉じ、ガスバルブ１１２（２
１２）を開き、支燃性ガスであるＮＦ3 系ガス１０４
（２０４）をＮＦ3 系ガス用マスフローコントローラー
１０８（２０８）を介して反応室１１４（２１４）に供
給し、反応室１１４（２１４）から高真空用のターボ分
子ポンプ１２０（２２０）、粗引き用のドライポンプ１
４０（２４０）および真空バルブ１６４を介して排気配
管１７４（２７４）に排気し、排気配管１７４（２７
４）に接続された除害装置３０により除害する。
バルブ１１０（２１０）を閉じ、ガスバルブ１１２（２
１２）を開き、支燃性ガスであるＮＦ3 系ガス１０４
（２０４）をＮＦ3 系ガス用マスフローコントローラー
１０８（２０８）を介して反応室１１４（２１４）に供
給し、反応室１１４（２１４）から高真空用のターボ分
子ポンプ１２０（２２０）、粗引き用のドライポンプ１
４０（２４０）および真空バルブ１６４を介して排気配
管１７４（２７４）に排気し、排気配管１７４（２７
４）に接続された除害装置３０により除害する。
【００１０】この装置１０においては、成膜時において
は、真空バルブ１６４を閉め、真空バルブ１６２を開け
ることにより可燃性ガスであるＳｉＨ4 系ガス１０２
（２０２）を排気配管１７２を介して排気し、プラズマ
クリーニング時においては、真空バルブ１６２を閉め、
真空バルブ１６４を開けることにより支燃性ガスである
ＮＦ3 系ガス１０４（２０４）を排気配管１７４を介し
て排気している。すなわち、可燃性ガスの排気と支燃性
ガスの排気とをドライポンプ１４０（２４０）の後方の
真空バルブ１６２、１６４（２６２、２６４）の切り替
えにより行っている。
は、真空バルブ１６４を閉め、真空バルブ１６２を開け
ることにより可燃性ガスであるＳｉＨ4 系ガス１０２
（２０２）を排気配管１７２を介して排気し、プラズマ
クリーニング時においては、真空バルブ１６２を閉め、
真空バルブ１６４を開けることにより支燃性ガスである
ＮＦ3 系ガス１０４（２０４）を排気配管１７４を介し
て排気している。すなわち、可燃性ガスの排気と支燃性
ガスの排気とをドライポンプ１４０（２４０）の後方の
真空バルブ１６２、１６４（２６２、２６４）の切り替
えにより行っている。
【００１１】しかしながら、この装置１０においては、
真空バルブ１６２、１６４、２６２、２６４の出口側は
大気圧であるため、クリーニング処理により発生した反
応生成物である微小パーティクルが高濃度になりバルブ
が詰まる危険性が大きいという問題がある。そのために
定期的にかつ頻繁に装置を停めて真空バルブ１６２、１
６４、２６２、２６４の清掃を行う必要があり、メンテ
ナンス性を著しく悪くすると共に稼働率を下げる原因と
なっていた。
真空バルブ１６２、１６４、２６２、２６４の出口側は
大気圧であるため、クリーニング処理により発生した反
応生成物である微小パーティクルが高濃度になりバルブ
が詰まる危険性が大きいという問題がある。そのために
定期的にかつ頻繁に装置を停めて真空バルブ１６２、１
６４、２６２、２６４の清掃を行う必要があり、メンテ
ナンス性を著しく悪くすると共に稼働率を下げる原因と
なっていた。
【００１２】このような粗引き用のドライポンプ１４０
（２４０）の後方に設けた真空バルブ１６２、１６４
（２６２、２６４）に起因する問題点を解決するため
に、図３に示すような排気装置を備えた成膜装置が提案
されている。この装置１０においては、高真空用のター
ボ分子ポンプ１２０（２２０）の後方に真空バルブ１３
２、１３４を設け、真空バルブ１３２の後方には可燃性
ガス用のドライポンプ１４２（２４２）を設け、真空バ
ルブ１３４（２３４）の後方には支燃性ガス用のドライ
ポンプ１４４（２４４）を設けている。
（２４０）の後方に設けた真空バルブ１６２、１６４
（２６２、２６４）に起因する問題点を解決するため
に、図３に示すような排気装置を備えた成膜装置が提案
されている。この装置１０においては、高真空用のター
ボ分子ポンプ１２０（２２０）の後方に真空バルブ１３
２、１３４を設け、真空バルブ１３２の後方には可燃性
ガス用のドライポンプ１４２（２４２）を設け、真空バ
ルブ１３４（２３４）の後方には支燃性ガス用のドライ
ポンプ１４４（２４４）を設けている。
【００１３】成膜時においては、真空バルブ１３４を閉
め、真空バルブ１３２を開けて、可燃性ガスであるＳｉ
Ｈ4 系ガス１０２（２０２）をドライポンプ１４２（２
４２）により排気配管１７２を介して排気し、プラズマ
クリーニング時においては、真空バルブ１３２を閉め、
真空バルブ１３４を開けることにより支燃性ガスである
ＮＦ3 系ガス１０４（２０４）をドライポンプ１４４
（２４４）により排気配管１７４を介して排気してい
る。すなわち、可燃性ガス排気専用のドライポンプ１４
２（２４２）と支燃性ガス排気専用のドライポンプ１４
４（２４４）をそれぞれ各成長装置に設けることによ
り、粗引き用のドライポンプ後方の真空バルブを不要と
して図２に示した装置の問題点を解決している。
め、真空バルブ１３２を開けて、可燃性ガスであるＳｉ
Ｈ4 系ガス１０２（２０２）をドライポンプ１４２（２
４２）により排気配管１７２を介して排気し、プラズマ
クリーニング時においては、真空バルブ１３２を閉め、
真空バルブ１３４を開けることにより支燃性ガスである
ＮＦ3 系ガス１０４（２０４）をドライポンプ１４４
（２４４）により排気配管１７４を介して排気してい
る。すなわち、可燃性ガス排気専用のドライポンプ１４
２（２４２）と支燃性ガス排気専用のドライポンプ１４
４（２４４）をそれぞれ各成長装置に設けることによ
り、粗引き用のドライポンプ後方の真空バルブを不要と
して図２に示した装置の問題点を解決している。
【００１４】しかしながら、この装置１０においては、
高価な粗引き用のドライポンプを各成長装置１００、２
００に対して２台づつ使用することになり成長装置が高
価なものとなる上に排気配管が複雑になりポンプボック
スのフットプリントも大きくなるなどの問題があった。
高価な粗引き用のドライポンプを各成長装置１００、２
００に対して２台づつ使用することになり成長装置が高
価なものとなる上に排気配管が複雑になりポンプボック
スのフットプリントも大きくなるなどの問題があった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、従来技術の問題点である粗引きポンプの出口側に設
けたバルブの詰まりの問題や排気系が高価になり複雑に
なるという問題を解決し、簡単で低価格な構造であって
安全に可燃性ガスと支燃性ガスとを除害装置に導くこと
ができる排気装置を提供することにある。
は、従来技術の問題点である粗引きポンプの出口側に設
けたバルブの詰まりの問題や排気系が高価になり複雑に
なるという問題を解決し、簡単で低価格な構造であって
安全に可燃性ガスと支燃性ガスとを除害装置に導くこと
ができる排気装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明によれ
ば、可燃性ガス供給系と支燃性ガス供給系とが接続され
た反応室を排気する排気装置であって、真空ポンプと前
記真空ポンプの排出口側に接続された排気配管とを備え
た排気装置において、前記排気配管または前記真空ポン
プの前記排出口に不活性ガス供給手段を接続して前記真
空ポンプから排出される前記可燃性ガスおよび支燃性ガ
スを前記不活性ガスにより希釈できるようにし、前記可
燃性ガスと前記支燃性ガスとを単一の前記排気配管から
排気するようにしたことを特徴とする排気装置が提供さ
れる。
ば、可燃性ガス供給系と支燃性ガス供給系とが接続され
た反応室を排気する排気装置であって、真空ポンプと前
記真空ポンプの排出口側に接続された排気配管とを備え
た排気装置において、前記排気配管または前記真空ポン
プの前記排出口に不活性ガス供給手段を接続して前記真
空ポンプから排出される前記可燃性ガスおよび支燃性ガ
スを前記不活性ガスにより希釈できるようにし、前記可
燃性ガスと前記支燃性ガスとを単一の前記排気配管から
排気するようにしたことを特徴とする排気装置が提供さ
れる。
【００１７】本発明においては、排気配管または真空ポ
ンプの排出口に不活性ガス供給手段を接続して真空ポン
プから排出される可燃性ガスおよび支燃性ガスを不活性
ガスにより希釈できるようにしているから、排気配管内
の可燃性ガスを爆発限界以下となるように希釈でき、支
燃性ガスも爆発限界以下となるように希釈できる。従っ
て、可燃性ガスと支燃性ガスとを単一の排気配管から排
気するようにできる。その結果、真空ポンプの後方に可
燃性ガスと支燃性ガスとの排気配管を切り換えて分離す
るための真空バルブを設ける必要もなくなり、クリーニ
ング処理により発生した反応生成物である微小パーティ
クルによるバルブ詰まりの問題も解消され、装置のメン
テナンスも容易となる。また、可燃性ガスと支燃性ガス
との排気配管を切り換えるための真空バルブ切り替えも
不要となるため、人手による誤操作、ノイズなどによる
制御系の誤動作のために起こる可燃性ガスと支燃性ガス
との混合が防止でき安全性がより確保し易くなる。さら
に、可燃性ガス排気専用の真空ポンプと支燃性ガス排気
専用の真空ポンプを設ける必要もなくなり、装置が安価
なものになると共に、排気配管も簡単となり、ポンプボ
ックスのフットプリントが大きくなることもなくなる。
また、排気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となるよ
うに希釈でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるように
希釈できるようになることから、安全に可燃性ガスと支
燃性ガスとを除害装置に導くことができるようになる。
ンプの排出口に不活性ガス供給手段を接続して真空ポン
プから排出される可燃性ガスおよび支燃性ガスを不活性
ガスにより希釈できるようにしているから、排気配管内
の可燃性ガスを爆発限界以下となるように希釈でき、支
燃性ガスも爆発限界以下となるように希釈できる。従っ
て、可燃性ガスと支燃性ガスとを単一の排気配管から排
気するようにできる。その結果、真空ポンプの後方に可
燃性ガスと支燃性ガスとの排気配管を切り換えて分離す
るための真空バルブを設ける必要もなくなり、クリーニ
ング処理により発生した反応生成物である微小パーティ
クルによるバルブ詰まりの問題も解消され、装置のメン
テナンスも容易となる。また、可燃性ガスと支燃性ガス
との排気配管を切り換えるための真空バルブ切り替えも
不要となるため、人手による誤操作、ノイズなどによる
制御系の誤動作のために起こる可燃性ガスと支燃性ガス
との混合が防止でき安全性がより確保し易くなる。さら
に、可燃性ガス排気専用の真空ポンプと支燃性ガス排気
専用の真空ポンプを設ける必要もなくなり、装置が安価
なものになると共に、排気配管も簡単となり、ポンプボ
ックスのフットプリントが大きくなることもなくなる。
また、排気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となるよ
うに希釈でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるように
希釈できるようになることから、安全に可燃性ガスと支
燃性ガスとを除害装置に導くことができるようになる。
【００１８】排気配管の後方に接続された除害装置を備
える場合には、真空ポンプの排出口と除害装置との間に
はバルブを設けることなく真空ポンプの排出口と除害装
置との間を排気配管により直接接続することが好まし
い。
える場合には、真空ポンプの排出口と除害装置との間に
はバルブを設けることなく真空ポンプの排出口と除害装
置との間を排気配管により直接接続することが好まし
い。
【００１９】真空ポンプとしては、粗引き用のドライポ
ンプ、油回転ポンプ等が好適に使用され、ドライポンプ
がより好ましく使用される。
ンプ、油回転ポンプ等が好適に使用され、ドライポンプ
がより好ましく使用される。
【００２０】不活性ガスとしては好ましくはＮ2 ガスが
使用される。
使用される。
【００２１】この不活性ガス供給手段は、不活性ガス供
給配管と、不活性ガス供給配管に接続され不活性ガス供
給配管内を流れる不活性ガスの流量を制御する不活性ガ
ス流量制御手段とを備えることが好ましい。このような
不活性ガス流量制御手段を備えることにより、不活性ガ
スの流量制御が容易となり、容易に排気配管内の可燃性
ガスを爆発限界以下となるように希釈でき、支燃性ガス
も爆発限界以下となるように希釈できるばかりでなく、
不活性ガスを流しすぎることも防止できて不活性ガスを
無駄に浪費することも防止できる。不活性ガス流量制御
手段としては好ましくはマスフローコントローラが用い
られる。
給配管と、不活性ガス供給配管に接続され不活性ガス供
給配管内を流れる不活性ガスの流量を制御する不活性ガ
ス流量制御手段とを備えることが好ましい。このような
不活性ガス流量制御手段を備えることにより、不活性ガ
スの流量制御が容易となり、容易に排気配管内の可燃性
ガスを爆発限界以下となるように希釈でき、支燃性ガス
も爆発限界以下となるように希釈できるばかりでなく、
不活性ガスを流しすぎることも防止できて不活性ガスを
無駄に浪費することも防止できる。不活性ガス流量制御
手段としては好ましくはマスフローコントローラが用い
られる。
【００２２】さらに、可燃性ガス供給系により供給され
る可燃性ガスのガス流量に応じて排気配管内の可燃性ガ
ス濃度が爆発限界以下となるように不活性ガスの流量を
制御する制御信号を不活性ガス制御手段に供給可能であ
り、支燃性ガス供給系により供給される支燃性ガスのガ
ス流量に応じて排気配管内の支燃性ガス濃度が爆発限界
以下となるように不活性ガスの流量を制御する制御信号
を不活性ガス制御手段に供給可能な主制御手段を備える
ことにより、自動的に排気配管内の可燃性ガス濃度およ
び支燃性ガス濃度を爆発限界以下に希釈できランニング
コストを低く抑えることができる。この主制御装置は、
成膜装置等に用いられ、可燃性ガスや支燃性ガスの流量
等を制御するＣＰＵ制御装置と兼用することが好まし
い。
る可燃性ガスのガス流量に応じて排気配管内の可燃性ガ
ス濃度が爆発限界以下となるように不活性ガスの流量を
制御する制御信号を不活性ガス制御手段に供給可能であ
り、支燃性ガス供給系により供給される支燃性ガスのガ
ス流量に応じて排気配管内の支燃性ガス濃度が爆発限界
以下となるように不活性ガスの流量を制御する制御信号
を不活性ガス制御手段に供給可能な主制御手段を備える
ことにより、自動的に排気配管内の可燃性ガス濃度およ
び支燃性ガス濃度を爆発限界以下に希釈できランニング
コストを低く抑えることができる。この主制御装置は、
成膜装置等に用いられ、可燃性ガスや支燃性ガスの流量
等を制御するＣＰＵ制御装置と兼用することが好まし
い。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の実施例につき図面を参照して
説明する。
説明する。
【００２４】図１は本発明の排気装置の一実施例を説明
するための模式図である。図１は排気装置だけでなく、
本実施例の排気装置を使用したプラズマＣＶＤ装置１０
のほぼ全体を示している。
するための模式図である。図１は排気装置だけでなく、
本実施例の排気装置を使用したプラズマＣＶＤ装置１０
のほぼ全体を示している。
【００２５】プラズマＣＶＤ装置１０は、２つのプラズ
マＣＶＤ装置１００、２００を備えている。
マＣＶＤ装置１００、２００を備えている。
【００２６】プラズマＣＶＤ装置１００、２００は、成
膜用可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3、Ｈ2 、ＰＨ3 な
ど）とクリーニング用支燃性ガス（ＮＦ3 など）を供給
するためのプロセスガス供給系４０と、プラズマＣＶＤ
による成膜を行うための反応室系５０と、成膜時および
クリーニング時に反応室内の圧力を調整すると共に、反
応室内で発生する反応生成物を反応室外に排出するため
の真空排気系６０と、真空排気系から排出される排気ガ
スを安全に除害するための除害装置３０とをそれぞれ備
えている。
膜用可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3、Ｈ2 、ＰＨ3 な
ど）とクリーニング用支燃性ガス（ＮＦ3 など）を供給
するためのプロセスガス供給系４０と、プラズマＣＶＤ
による成膜を行うための反応室系５０と、成膜時および
クリーニング時に反応室内の圧力を調整すると共に、反
応室内で発生する反応生成物を反応室外に排出するため
の真空排気系６０と、真空排気系から排出される排気ガ
スを安全に除害するための除害装置３０とをそれぞれ備
えている。
【００２７】成膜は反応室１１４（２１４）内で行われ
る。成膜を行うには、まず、ガスバルブ１１０（２１
０）、１１２（２１２）を閉じ、ゲートバルブ１１６、
真空バルブ１３０を開いた状態で、反応室１１４（２１
４）内をターボ分子ポンプ１２０（２２０）およびドラ
イポンプ１４０（２４０）で高真空に排気した後、ガス
バルブ１１０（２１０）を開にしてＳｉＨ4 系ガス用マ
スフローコントローラ１０６（２０６）によって成膜用
可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 、ＰＨ3 など）を
反応室１１４（２１４）内に流す。なお、図１において
は、成膜用可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 、ＰＨ
3 など）を簡単のためにＳｉＨ4 系ガス１０２（２０
２）として表している。
る。成膜を行うには、まず、ガスバルブ１１０（２１
０）、１１２（２１２）を閉じ、ゲートバルブ１１６、
真空バルブ１３０を開いた状態で、反応室１１４（２１
４）内をターボ分子ポンプ１２０（２２０）およびドラ
イポンプ１４０（２４０）で高真空に排気した後、ガス
バルブ１１０（２１０）を開にしてＳｉＨ4 系ガス用マ
スフローコントローラ１０６（２０６）によって成膜用
可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 、ＰＨ3 など）を
反応室１１４（２１４）内に流す。なお、図１において
は、成膜用可燃性ガス（ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｈ2 、ＰＨ
3 など）を簡単のためにＳｉＨ4 系ガス１０２（２０
２）として表している。
【００２８】圧力調整バルブ１１８（２１８）により反
応室１１４（２１４）内を所定の圧力（０．３〜１．０
Ｔｏｒｒ）に調整した後、高周波電源（図示せず）によ
り高周波電力（ＲＦ電力）を投入しプラズマを発生させ
ることにより、反応室１１４（２１４）内に載置された
基板（図示せず）上に所定の膜を形成する。この時、反
応室１１４（２１４）内には基板以外の場所（上下電極
表面、側壁面など）にも反応生成物が付着する。
応室１１４（２１４）内を所定の圧力（０．３〜１．０
Ｔｏｒｒ）に調整した後、高周波電源（図示せず）によ
り高周波電力（ＲＦ電力）を投入しプラズマを発生させ
ることにより、反応室１１４（２１４）内に載置された
基板（図示せず）上に所定の膜を形成する。この時、反
応室１１４（２１４）内には基板以外の場所（上下電極
表面、側壁面など）にも反応生成物が付着する。
【００２９】反応室１１４（２１４）内で発生した反応
生成物および未反応ガスはターボ分子ポンプ１２０（２
１０）およびドライポンプ１４０（２４０）により反応
室１１４（２１４）外に排気され、排気配管１７０を介
して除害装置３０に供給され、除害装置３０により分解
処理されて除害された後、大気に放出される。
生成物および未反応ガスはターボ分子ポンプ１２０（２
１０）およびドライポンプ１４０（２４０）により反応
室１１４（２１４）外に排気され、排気配管１７０を介
して除害装置３０に供給され、除害装置３０により分解
処理されて除害された後、大気に放出される。
【００３０】ドライポンプ１４０（２４０）より下流は
大気圧であり、排気ガスである未反応ガス等の可燃性ガ
スが高濃度になるため爆発の危険性がある。従って、爆
発を防止するためにＮ2 ユーティリティ２０からのＮ2
ガスをＮ2 ガス用マスフローコントローラ１５０（２５
０）によってドライポンプ１４０（２４０）直後の排気
配管１７０（２７０）に供給し、可燃性ガスの爆発限界
（例えば、ＳｉＨ4 では０．６６％）以下の濃度となる
ようにＮ2 ガスにより排気配管１７０（２７０）内の排
気ガスを希釈する。
大気圧であり、排気ガスである未反応ガス等の可燃性ガ
スが高濃度になるため爆発の危険性がある。従って、爆
発を防止するためにＮ2 ユーティリティ２０からのＮ2
ガスをＮ2 ガス用マスフローコントローラ１５０（２５
０）によってドライポンプ１４０（２４０）直後の排気
配管１７０（２７０）に供給し、可燃性ガスの爆発限界
（例えば、ＳｉＨ4 では０．６６％）以下の濃度となる
ようにＮ2 ガスにより排気配管１７０（２７０）内の排
気ガスを希釈する。
【００３１】希釈用のＮ2 ガスの流量制御はＮ2 ガス用
マスフローコントローラ１５０（２５０）により行って
いるため、主制御装置（ＣＰＵ制御装置）（図示せず）
によりＳｉＨ4 系ガス１０２（２０２）の流量のセット
値に対して爆発限界以下になるように自動的に希釈用Ｎ
2 ガスの流量を設定することができる。これにより、Ｓ
ｉＨ4 系ガス１０２（２０２）の流量を変更した時でも
安全に排気配管１７０（２７０）内の排気ガスをＮ2 ガ
スにより希釈することができる。なお、ＳｉＨ4 系ガス
用マスフローコントローラ１０６（２０６）も同じ主制
御装置（ＣＰＵ制御装置）によって制御されている。
マスフローコントローラ１５０（２５０）により行って
いるため、主制御装置（ＣＰＵ制御装置）（図示せず）
によりＳｉＨ4 系ガス１０２（２０２）の流量のセット
値に対して爆発限界以下になるように自動的に希釈用Ｎ
2 ガスの流量を設定することができる。これにより、Ｓ
ｉＨ4 系ガス１０２（２０２）の流量を変更した時でも
安全に排気配管１７０（２７０）内の排気ガスをＮ2 ガ
スにより希釈することができる。なお、ＳｉＨ4 系ガス
用マスフローコントローラ１０６（２０６）も同じ主制
御装置（ＣＰＵ制御装置）によって制御されている。
【００３２】成膜操作を重ねると反応室１１４（２１
４）内は反応生成物で汚れてくる。そして、反応生成物
の膜はがれによりパーティクルが発生し、基板上に形成
される膜中に混入して膜質の劣化を招くようになる。
４）内は反応生成物で汚れてくる。そして、反応生成物
の膜はがれによりパーティクルが発生し、基板上に形成
される膜中に混入して膜質の劣化を招くようになる。
【００３３】これを防止するために、反応室１１４（２
１４）内は定期的（例えば、基板２０枚成膜する毎に１
回の割合）にガスクリーニングを行うことが必要とな
る。以下、このクリーニング工程を説明する。
１４）内は定期的（例えば、基板２０枚成膜する毎に１
回の割合）にガスクリーニングを行うことが必要とな
る。以下、このクリーニング工程を説明する。
【００３４】成膜が終了すると、ガスバルブ１１０（２
１０）を閉にした後、ターボ分子ポンプ１２０（２２
０）とドライポンプ１４０（２４０）とにより反応室１
１４（２１４）内を高真空に排気し、残差除去操作を行
う。なお、この時もＮ2 ユーティリティ２０からのＮ2
ガスをＮ2 ガス用マスフローコントローラ１５０（２５
０）により排気配管１７０に供給しておくことが好まし
い。
１０）を閉にした後、ターボ分子ポンプ１２０（２２
０）とドライポンプ１４０（２４０）とにより反応室１
１４（２１４）内を高真空に排気し、残差除去操作を行
う。なお、この時もＮ2 ユーティリティ２０からのＮ2
ガスをＮ2 ガス用マスフローコントローラ１５０（２５
０）により排気配管１７０に供給しておくことが好まし
い。
【００３５】その後、ガスバルブ１１２（２１２）を開
にしてＮＦ3 系ガス用マスフローコントローラ１０８
（２０８）によってガスクリーニング用支燃性ガス（Ｎ
Ｆ3 など）を反応室１１４（２１４）内に流す。なお、
図１においては、ガスクリーニング用支燃性ガス（ＮＦ
3 など）を簡単のためにＮＦ3 系ガス１０４（２０４）
として表している。
にしてＮＦ3 系ガス用マスフローコントローラ１０８
（２０８）によってガスクリーニング用支燃性ガス（Ｎ
Ｆ3 など）を反応室１１４（２１４）内に流す。なお、
図１においては、ガスクリーニング用支燃性ガス（ＮＦ
3 など）を簡単のためにＮＦ3 系ガス１０４（２０４）
として表している。
【００３６】圧力調整バルブ１１８（２１８）により反
応室１１４（２１４）内を所定の圧力（０．２〜０．７
Ｔｏｒｒ）に調整した後、高周波電源（図示せず）によ
り高周波電力（ＲＦ電力）を投入しプラズマを発生させ
ることにより、反応室１１４（２１４）内のガスエッチ
ングを行い、反応室１１４（２１４）内に堆積した反応
生成物の除去を行ってプラズマクリーニングを行う。
応室１１４（２１４）内を所定の圧力（０．２〜０．７
Ｔｏｒｒ）に調整した後、高周波電源（図示せず）によ
り高周波電力（ＲＦ電力）を投入しプラズマを発生させ
ることにより、反応室１１４（２１４）内のガスエッチ
ングを行い、反応室１１４（２１４）内に堆積した反応
生成物の除去を行ってプラズマクリーニングを行う。
【００３７】このガスエッチングによって反応室１１４
（２１４）から除去された反応生成物および未反応ガス
は、成膜時と同じように、ターボ分子ポンプ１２０（２
１０）およびドライポンプ１４０（２４０）により反応
室１１４（２１４）外に排気され、排気配管１７０を介
して除害装置３０に供給され、除害装置３０により分解
処理されて除害された後、大気に放出される。
（２１４）から除去された反応生成物および未反応ガス
は、成膜時と同じように、ターボ分子ポンプ１２０（２
１０）およびドライポンプ１４０（２４０）により反応
室１１４（２１４）外に排気され、排気配管１７０を介
して除害装置３０に供給され、除害装置３０により分解
処理されて除害された後、大気に放出される。
【００３８】ドライポンプ１４０（２４０）より下流は
大気圧であり、排気ガスである未反応ガス等の支燃性ガ
スが高濃度になるのを防止するために、Ｎ2 ユーティリ
ティ２０からのＮ2 ガスをＮ2 ガス用マスフローコント
ローラ１５０（２５０）によってドライポンプ１４０
（２４０）直後の排気配管１７０（２７０）に供給し、
支燃性ガスの爆発限界以下の濃度となるようにＮ2 ガス
により排気配管１７０（２７０）内の排気ガスを希釈す
る。
大気圧であり、排気ガスである未反応ガス等の支燃性ガ
スが高濃度になるのを防止するために、Ｎ2 ユーティリ
ティ２０からのＮ2 ガスをＮ2 ガス用マスフローコント
ローラ１５０（２５０）によってドライポンプ１４０
（２４０）直後の排気配管１７０（２７０）に供給し、
支燃性ガスの爆発限界以下の濃度となるようにＮ2 ガス
により排気配管１７０（２７０）内の排気ガスを希釈す
る。
【００３９】希釈用のＮ2 ガスの流量制御はＮ2 ガス用
マスフローコントローラ１５０（２５０）により行って
いるため、主制御装置（ＣＰＵ制御装置）（図示せず）
によりＮＦ3 系ガス１０４（２０４）の流量のセット値
に対して爆発限界以下になるように自動的に希釈用Ｎ2
ガスの流量を設定することができる。これにより、ＮＦ
3 系ガス１０４（２０４）の流量を変更した時でも安全
に排気配管１７０（２７０）内の排気ガスをＮ2 ガスに
より希釈することができる。なお、ＮＦ3 系ガス用マス
フローコントローラ１０８（２０８）も同じ主制御装置
（ＣＰＵ制御装置）によって制御されている。
マスフローコントローラ１５０（２５０）により行って
いるため、主制御装置（ＣＰＵ制御装置）（図示せず）
によりＮＦ3 系ガス１０４（２０４）の流量のセット値
に対して爆発限界以下になるように自動的に希釈用Ｎ2
ガスの流量を設定することができる。これにより、ＮＦ
3 系ガス１０４（２０４）の流量を変更した時でも安全
に排気配管１７０（２７０）内の排気ガスをＮ2 ガスに
より希釈することができる。なお、ＮＦ3 系ガス用マス
フローコントローラ１０８（２０８）も同じ主制御装置
（ＣＰＵ制御装置）によって制御されている。
【００４０】反応室１１４（２１４）のクリーニング終
了後は、ガスバルブ１１２（２１２）を閉にした後、タ
ーボ分子ポンプ１２０（２２０）とドライポンプ１４０
（２４０）とにより反応室１１４（２１４）内を高真空
に排気し、残差除去操作を行う。なお、この時もＮ2 ユ
ーティリティ２０からのＮ2 ガスをＮ2 ガス用マスフロ
ーコントローラ１５０（２５０）により排気配管１７０
に供給しておくことが好ましい。
了後は、ガスバルブ１１２（２１２）を閉にした後、タ
ーボ分子ポンプ１２０（２２０）とドライポンプ１４０
（２４０）とにより反応室１１４（２１４）内を高真空
に排気し、残差除去操作を行う。なお、この時もＮ2 ユ
ーティリティ２０からのＮ2 ガスをＮ2 ガス用マスフロ
ーコントローラ１５０（２５０）により排気配管１７０
に供給しておくことが好ましい。
【００４１】その後、上述したのと同様にして、成膜工
程、クリーニング工程を繰り返して行う。
程、クリーニング工程を繰り返して行う。
【００４２】本実施例においては、成膜時においても、
クリーニング時においても排気ガスはＮ2 ガスにより爆
発限界以下に希釈されているので、同一の排気経路によ
り排気ガスを排気できる。その結果、成膜時の可燃性の
排気ガスとクリーニング時の支燃性の排気ガスとをバル
ブを使用して切り換える必要がなくなる。従って、ドラ
イポンプ１４０（２４０）の後方と除害装置３０との間
の大気圧部にはバルブ等の詰まりやすい部品を設けてい
ないのでメンテナンスが容易となる上に、安全性に優れ
た排気装置が得られている。
クリーニング時においても排気ガスはＮ2 ガスにより爆
発限界以下に希釈されているので、同一の排気経路によ
り排気ガスを排気できる。その結果、成膜時の可燃性の
排気ガスとクリーニング時の支燃性の排気ガスとをバル
ブを使用して切り換える必要がなくなる。従って、ドラ
イポンプ１４０（２４０）の後方と除害装置３０との間
の大気圧部にはバルブ等の詰まりやすい部品を設けてい
ないのでメンテナンスが容易となる上に、安全性に優れ
た排気装置が得られている。
【００４３】なお、上述した一実施例においては、反応
室が２つの２チャンバ構成のプラズマＣＶＤ装置につい
て説明したが、反応室が１つの場合や反応室が３以上の
場合にも適用できることは言うまでもない。
室が２つの２チャンバ構成のプラズマＣＶＤ装置につい
て説明したが、反応室が１つの場合や反応室が３以上の
場合にも適用できることは言うまでもない。
【００４４】また、上述した一実施例においては、本発
明の排気装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合につ
いて説明したが、本発明の排気装置はドライエッチング
装置、スパッタ装置、熱ＣＶＤ装置などにも適用でき
る。
明の排気装置をプラズマＣＶＤ装置に適用した場合につ
いて説明したが、本発明の排気装置はドライエッチング
装置、スパッタ装置、熱ＣＶＤ装置などにも適用でき
る。
【００４５】
【発明の効果】本発明においては、可燃性ガス供給系と
支燃性ガス供給系とが接続された反応室を排気する排気
装置であって、真空ポンプと前記真空ポンプの排出口側
に接続された排気配管とを備えた排気装置において、排
気配管または真空ポンプの排出口に不活性ガス供給手段
を接続して真空ポンプから排出される可燃性ガスおよび
支燃性ガスを不活性ガスにより希釈できるようにしてい
るから、排気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となる
ように希釈でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるよう
に希釈できる。従って、可燃性ガスと支燃性ガスとを単
一の排気配管から排気するようにでき、その結果、真空
ポンプの後方に可燃性ガスと支燃性ガスとの排気配管を
切り換えて分離するための真空バルブを設ける必要もな
くなり、クリーニング処理により発生した反応生成物で
ある微小パーティクルによるバルブ詰まりの問題も解消
され、装置のメンテナンスも容易となる。また、可燃性
ガスと支燃性ガスとの排気配管を切り換えるための真空
バルブ切り替えも不要となるため、人手による誤操作、
ノイズなどによる制御系の誤動作のために起こる可燃性
ガスと支燃性ガスとの混合が防止でき安全性がより確保
し易くなる。さらに、可燃性ガス排気専用の真空ポンプ
と支燃性ガス排気専用の真空ポンプを設ける必要もなく
なり、装置が安価なものになると共に、排気配管も簡単
となり、ポンプボックスのフットプリントが大きくなる
こともなくなる。また、排気配管内の可燃性ガスを爆発
限界以下となるように希釈でき、支燃性ガスも爆発限界
以下となるように希釈できるようになることから、安全
に可燃性ガスと支燃性ガスとを除害装置に導くことがで
きるようになる。
支燃性ガス供給系とが接続された反応室を排気する排気
装置であって、真空ポンプと前記真空ポンプの排出口側
に接続された排気配管とを備えた排気装置において、排
気配管または真空ポンプの排出口に不活性ガス供給手段
を接続して真空ポンプから排出される可燃性ガスおよび
支燃性ガスを不活性ガスにより希釈できるようにしてい
るから、排気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となる
ように希釈でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるよう
に希釈できる。従って、可燃性ガスと支燃性ガスとを単
一の排気配管から排気するようにでき、その結果、真空
ポンプの後方に可燃性ガスと支燃性ガスとの排気配管を
切り換えて分離するための真空バルブを設ける必要もな
くなり、クリーニング処理により発生した反応生成物で
ある微小パーティクルによるバルブ詰まりの問題も解消
され、装置のメンテナンスも容易となる。また、可燃性
ガスと支燃性ガスとの排気配管を切り換えるための真空
バルブ切り替えも不要となるため、人手による誤操作、
ノイズなどによる制御系の誤動作のために起こる可燃性
ガスと支燃性ガスとの混合が防止でき安全性がより確保
し易くなる。さらに、可燃性ガス排気専用の真空ポンプ
と支燃性ガス排気専用の真空ポンプを設ける必要もなく
なり、装置が安価なものになると共に、排気配管も簡単
となり、ポンプボックスのフットプリントが大きくなる
こともなくなる。また、排気配管内の可燃性ガスを爆発
限界以下となるように希釈でき、支燃性ガスも爆発限界
以下となるように希釈できるようになることから、安全
に可燃性ガスと支燃性ガスとを除害装置に導くことがで
きるようになる。
【００４６】不活性ガス供給手段が、不活性ガス供給配
管に接続され不活性ガス供給配管内を流れる不活性ガス
の流量を制御する不活性ガス流量制御手段を備えること
により、不活性ガスの流量制御が容易となり、容易に排
気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となるように希釈
でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるように希釈でき
るばかりでなく、不活性ガスを流しすぎることも防止で
きて不活性ガスを無駄に浪費することも防止できる。
管に接続され不活性ガス供給配管内を流れる不活性ガス
の流量を制御する不活性ガス流量制御手段を備えること
により、不活性ガスの流量制御が容易となり、容易に排
気配管内の可燃性ガスを爆発限界以下となるように希釈
でき、支燃性ガスも爆発限界以下となるように希釈でき
るばかりでなく、不活性ガスを流しすぎることも防止で
きて不活性ガスを無駄に浪費することも防止できる。
【００４７】さらに、可燃性ガス供給系により供給され
る可燃性ガスのガス流量に応じて排気配管内の可燃性ガ
ス濃度が爆発限界以下となるように不活性ガスの流量を
制御する制御信号を不活性ガス制御手段に供給可能であ
り、支燃性ガス供給系により供給される支燃性ガスのガ
ス流量に応じて排気配管内の支燃性ガス濃度が爆発限界
以下となるように不活性ガスの流量を制御する制御信号
を不活性ガス制御手段に供給可能な主制御手段を備える
ことにより、自動的に排気配管内の可燃性ガス濃度およ
び支燃性ガス濃度を爆発限界以下に希釈できランニング
コストを低く抑えることができる。
る可燃性ガスのガス流量に応じて排気配管内の可燃性ガ
ス濃度が爆発限界以下となるように不活性ガスの流量を
制御する制御信号を不活性ガス制御手段に供給可能であ
り、支燃性ガス供給系により供給される支燃性ガスのガ
ス流量に応じて排気配管内の支燃性ガス濃度が爆発限界
以下となるように不活性ガスの流量を制御する制御信号
を不活性ガス制御手段に供給可能な主制御手段を備える
ことにより、自動的に排気配管内の可燃性ガス濃度およ
び支燃性ガス濃度を爆発限界以下に希釈できランニング
コストを低く抑えることができる。
【図１】本発明の排気装置の一実施例を説明するための
模式図である。
模式図である。
【図２】従来の排気装置を説明するための模式図であ
る。
る。
【図３】従来の排気装置を説明するための模式図であ
る。
る。
２０…Ｎ2 ユーティリティ ３０…除害装置 １００、２００…成長装置 １０２、２０２…ＳｉＨ4 系ガス １０４、２０４…ＮＦ3 系ガス １０６、２０６…ＳｉＨ4 系ガス用マスフローコントロ
ーラ １０８、２０８…ＮＦ3 系ガス用マスフローコントロー
ラ １１０、１１２、２１０、２１２…ガスバルブ １１４、２１４…反応室 １１６、２１６…ゲートバルブ １１８、２１８…圧力調整バルブ １２０、２２０…ターボ分子ポンプ １３０、１３２、１３４、２３０、２３２、２３４…真
空バルブ １４０、１４２、１４４、２４０、２４２、２４４…ド
ライポンプ １５０、２５０…Ｎ2 ガス用マスフローコントローラ １６２、１６４、２６２、２６４…真空バルブ １７０、１７２、１７４、２７２、２７４…排気配管
ーラ １０８、２０８…ＮＦ3 系ガス用マスフローコントロー
ラ １１０、１１２、２１０、２１２…ガスバルブ １１４、２１４…反応室 １１６、２１６…ゲートバルブ １１８、２１８…圧力調整バルブ １２０、２２０…ターボ分子ポンプ １３０、１３２、１３４、２３０、２３２、２３４…真
空バルブ １４０、１４２、１４４、２４０、２４２、２４４…ド
ライポンプ １５０、２５０…Ｎ2 ガス用マスフローコントローラ １６２、１６４、２６２、２６４…真空バルブ １７０、１７２、１７４、２７２、２７４…排気配管
Claims (3)
- 【請求項１】可燃性ガス供給系と支燃性ガス供給系とが
接続された反応室を排気する排気装置であって、真空ポ
ンプと前記真空ポンプの排出口側に接続された排気配管
とを備えた排気装置において、前記排気配管または前記
真空ポンプの前記排出口に不活性ガス供給手段を接続し
て前記真空ポンプから排出される前記可燃性ガスおよび
支燃性ガスを前記不活性ガスにより希釈できるように
し、前記可燃性ガスと前記支燃性ガスとを単一の前記排
気配管から排気するようにしたことを特徴とする排気装
置。 - 【請求項２】前記不活性ガス供給手段が、不活性ガス供
給配管と、前記不活性ガス供給配管に接続され前記不活
性ガス供給配管内を流れる前記不活性ガスの流量を制御
する不活性ガス流量制御手段とを備えることを特徴とす
る請求項１記載の排気装置。 - 【請求項３】前記可燃性ガス供給系により供給される前
記可燃性ガスのガス流量に応じて前記排気配管内の前記
可燃性ガス濃度が爆発限界以下となるように前記不活性
ガスの流量を制御する制御信号を前記不活性ガス制御手
段に供給可能であり、前記支燃性ガス供給系により供給
される前記支燃性ガスのガス流量に応じて前記排気配管
内の前記支燃性ガス濃度が爆発限界以下となるように前
記不活性ガスの流量を制御する制御信号を前記不活性ガ
ス制御手段に供給可能な主制御手段をさらに有すること
を特徴とする請求項２記載の排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18092995A JPH09909A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18092995A JPH09909A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09909A true JPH09909A (ja) | 1997-01-07 |
Family
ID=16091753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18092995A Pending JPH09909A (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09909A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008081810A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Ulvac Japan Ltd | 排気装置及び排気方法 |
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| WO2010001849A1 (ja) * | 2008-07-04 | 2010-01-07 | シャープ株式会社 | 真空処理装置及びガス供給方法 |
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| WO2019181539A1 (ja) * | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| KR20220080713A (ko) | 2020-12-07 | 2022-06-14 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 열처리 장치 |
| US12051596B2 (en) | 2020-03-23 | 2024-07-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus |
-
1995
- 1995-06-23 JP JP18092995A patent/JPH09909A/ja active Pending
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