JP3374256B2 - 熱処理装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置及びその
クリーニング方法に関するもので、更に詳細には、例え
ば半導体ウエハ等の被処理体に不純物拡散処理等を施す
ための熱処理装置及びそのクリーニング方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程では、例えば
半導体ウエハ（以下にウエハという）上に薄膜や酸化膜
等を積層したり、あるいは不純物の拡散等を行うのに、
ＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、あるいは拡散装置等が用
いられる。これらの装置には、高温加熱した反応容器内
に反応ガスを導入してウエハの処理を行う熱処理装置が
あり、熱処理装置は一度に大量のウエハを処理できるた
め多用されている。この種の熱処理装置においては、反
応容器内へ導入する反応ガスの流量を所定流量に適正に
制御するための流量制御手段が不可欠である。この流量
制御手段として、ガス流量検出センサとそのセンサ検出
値に基いて流路を絞り、ガス流量を設定流量に調節する
流量制御手段とを備えたいわゆるマスフローコントロー
ラが広く用いられている。

【０００３】ところで、この種の熱処理装置において
は、図３に示すように、反応容器１とマスフローコント
ローラ２とを結ぶ反応ガス供給配管３の途中に、ガス中
のパーティクルを捕集するためのファイナルフィルタ４
が設けられており、このフィルタ４に液化した反応ガス
等が付着して詰まりが生じ易い。また、マスフローコン
トローラ２においても、その内部のオリフィス部に液化
したガス等が付着して詰まりが生じ易い。そのため、定
期的に反応ガス供給配管３内を真空引きして、ファイナ
ルフィルタ４に付着した反応ガスを除去（クリーニン
グ）する必要がある。しかし、反応ガスとして可燃性ガ
スや有毒性ガスを使用している場合、真空引きの前に、
窒素（Ｎ₂ ）ガス等の不活性ガスを配管３内に導入し
て、配管３内に残っているガスを置換しなければならな
い。そこで、同図に示すように、マスフローコントロー
ラ２の上流側に不活性ガス供給源５を、下流側に真空ポ
ンプ６を接続している。このようにして不活性ガス供給
配管７と真空排気管８とに各々設けられたバルブ１１，
１２及び反応ガス供給配管３の反応容器１側（下流側）
と反応ガス供給源１３側（上流側）とに設けられたバル
ブ９，１０を個々に開閉操作することで、反応容器１へ
の反応ガス導入、反応ガス供給配管３内の真空引き及び
不活性ガス導入が適宜行えるようにしている。

【０００４】すなわち、ウエハの処理を行う場合は、反
応ガス供給配管３に設けられた上流側及び下流側の両バ
ルブ９，１０を開き、不活性ガス供給配管７及び真空排
気管８に設けられたバルブ１１，１２を閉じる。この状
態で、反応ガス供給源１３からの反応ガスがフィルタ１
４、マスフローコントローラ２及びファイナルフィルタ
４を通って反応容器１に導入され、ウエハの処理に供さ
れる。このとき反応容器１内はその下流側に接続された
真空ポンプ１５によって所定の真空状態に真空引きされ
ており、処理後のガスは真空ポンプ１５を通って図示し
ないガス処理装置へ送られる。

【０００５】次に、反応ガス供給配管３内を真空引きし
てクリーニングする場合は、まず反応ガス供給配管３の
上流側のバルブ１０と真空排気管８のバルブ１１を閉じ
た状態で、不活性ガス供給配管７のバルブ１２を開き、
不活性ガス供給源５より反応ガス供給配管３内へ不活性
ガスを導入してガス置換を行なう。このガス置換は、上
流側（一次側）からの不活性ガスの押し出しのみによっ
て行われる。そして、反応ガス供給配管３内が不活性ガ
スで置換された後、不活性ガス供給配管７のバルブ１２
を閉じ、真空排気管８のバルブ１１を開いて、反応ガス
供給配管３内を真空排気管８と反応容器１の双方から真
空引きする。この真空引きによって、ファイナルフィル
タ４に液化して付着していた反応ガス等が除去される。
そして、この真空引きを十分行なった後、不活性ガス供
給配管７のバルブ１２を閉じクリーニングを終了する。
クリーニング終了後、反応容器１に未処理のウエハをセ
ットし、反応ガス供給配管３の一次側のバルブ１０を開
いて反応容器１内に反応ガスを導入し、次のウエハ処理
を行なう。

【０００６】このように、次のウエハ処理の前に、反応
ガス供給配管内を真空引きしてクリーニングを行なうこ
とで、ファイナルフィルタ４やマスフローコントローラ
２の詰まりを防止し、ウエハ処理の際に常に適正な流量
で反応ガスを導入することができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たクリーニング方法は、マスフローコントローラ２内の
小径のオリフィスを通しての不活性ガスの導入を上流側
からの不活性ガスの押し出しのみによって行うためガス
置換効率が悪く、また、下流側より真空引きを行う際も
マスフローコントローラ２内の小径のオリフィスが抵抗
となるため、一次側の真空度が徐々にしか上がらず、ク
リーニングに時間がかかるという問題があった。

【０００８】そこで、図３に一点鎖線で示すように、反
応ガス供給配管３の途中に、マスフローコントローラ２
を迂回させて開閉弁１６を有するバイパス配管１７を設
け、反応ガス導入時は開閉弁１６を閉じておき、ガス置
換の際にこれを開いてガスを導入することも行われてい
る。これによって、マスフローコントローラ２の下流側
への不活性ガスの導入が円滑に行えるようになる。しか
し、真空引き効率の悪さは依然解消されていない。ま
た、バイパス配管１７を設けたことにより、その内部に
反応ガスが残留して配管腐食が発生しやすくなるという
新たな問題が生じる。

【０００９】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、反応ガス供給配管内の真空引き効率並びにガス置換
効率を向上させ、配管途中に設けられたフィルタ等のク
リーニングを短時間で行うことができる熱処理装置及び
そのクリーニング方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の熱処理装置は、反応ガス供給配管及び
処理ガス排出管が接続された反応容器と、上記反応ガス
供給配管に取付けられた流量制御手段と、を具備した熱
処理装置において、上記反応ガス供給配管における流量
制御手段より上流側に第１のバルブを介して反応ガス供
給手段を接続すると共に、流量制御手段より下流側近傍
に第２のバルブを配設し、上記反応ガス供給配管におけ
る流量制御手段より上流側かつ上記第１のバルブより下
流側と、上記処理ガス排出管の上記真空ポンプより上流
側とを、第３のバルブを有するクリーニング用のバイパ
ス配管で連結し、上記バイパス配管における上記第３の
バルブと上記反応ガス供給配管との間に、第４のバルブ
を有する分岐管を介して不活性ガス供給手段を接続し
た、ことを特徴とするものである（請求項１）。

【００１１】また、請求項２記載の熱処理装置は、請求
項１記載の熱処理装置において、上記反応ガス供給配管
の流量制御手段より上流側かつ第１のバルブ及び第４の
バルブより下流側に、第５のバルブを介して第２の真空
ポンプを接続したことを特徴とするものである。

【００１２】この発明の熱処理装置において、上記反応
ガス供給配管の流量制御手段より下流側にフィルタを取
付ける方が好ましい。

【００１３】また、この発明の熱処理装置のクリーニン
グ方法は、反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が接続
された反応容器、反応ガス供給配管に取付けられた流量
制御手段とを具備した熱処理装置のクリーニング方法を
前提とし、上記処理ガス排出管内を真空引きすると共
に、上記反応ガス供給配管内に上記流量制御手段より上
流側から不活性ガスを導入して、上記反応ガス供給配管
内及び上記反応容器内の反応ガスを不活性ガスで置換す
る第１の工程と、上記処理ガス排出管内を真空引きする
と共に、上記反応ガス供給配管を流量制御手段の下流側
で遮断して、上記流量制御手段の下流側の反応ガス供給
配管内及び反応容器内を真空引きすると共に、上記流量
制御手段の上流側の反応ガス供給配管内を真空引きする
第２の工程と、を有することを特徴とするものである
（請求項３）。

【００１４】この発明のクリーニング方法の上記第２の
工程において、流量制御手段の上流側の反応ガス供給配
管内は、反応ガス供給配管と処理ガス排出管とを連通す
るバイパス配管を介して、処理ガス排出管内の真空引き
と同時に真空引きすることができる（請求項４）。ま
た、上記第２の工程において、流量制御手段の上流側の
反応ガス供給配管内は、処理ガス排出管と独立して真空
引きすることができる（請求項５）。

【００１５】この発明のクリーニング方法において、上
記第１の工程と第２の工程からなるサイクルは任意の回
数でよいが、好ましくは第１の工程と第２の工程からな
るサイクルを１０回以上繰り返す方がよい。この場合、
１サイクル中の第１の工程及び第２の工程をいずれも５
秒以内、好ましくは２秒以内で行う方がよい。また、第
１の工程において、反応容器及び反応ガス供給配管内を
１５００〜１９００Torrに加圧する方が好ましく、また
第２の工程において、反応容器及び反応ガス供給配管内
は、３００Torr以下、好ましくは７０Torr以下まで減圧
する方がよい。

【００１６】

【作用】請求項１記載の熱処理装置によれば、反応ガス
供給手段の第１のバルブを閉め、処理ガス排気管を真空
ポンプで真空引きすると共に、反応ガス供給配管内に不
活性ガス供給手段の第４のバルブを開として不活性ガス
を導入して、反応ガス供給配管内及び反応容器内の反応
ガスを不活性ガスで置換することができる。また、反応
ガス供給配管の流量制御手段より下流側の第２のバルブ
を閉とし、バイパス配管の第３のバルブを開として流量
制御手段の下流側の反応ガス供給配管内及び反応容器内
を真空引きすると共に、流量制御手段の上流側の反応ガ
ス供給配管内を真空引きすることができる。

【００１７】請求項２記載の熱処理装置によれば、更
に、反応ガス供給配管の流量制御手段より下流側の第２
のバルブを閉とし、流量制御手段の下流側の反応ガス供
給配管内及び反応容器内を真空引きすると共に、第２の
真空ポンプの第５のバルブを開とし、第２の真空ポンプ
により流量制御手段の上流側の反応ガス供給配管内を真
空引きすることができる。

【００１８】請求項３記載の熱処理装置のクリーニング
方法によれば、反応容器内を常時真空引きしつつ、反応
ガス供給配管内に流量制御手段の上流側から不活性ガス
を導入することで、効率良く短時間でガス置換が行われ
る。このガス置換の後、流量制御手段の下流側近傍の流
路を遮断し、上流側から配管内を真空引きすることで、
流量制御手段内が真空引きされ、その流路絞り部等に液
化して付着していた反応ガス等が除去される。一方、下
流側の配管内は、反応容器側から真空引きされるので、
短時間で所定の真空度に達し、その配管途中に設けられ
ているフィルタ等に液化して付着していた反応ガス等が
気化して除去されていく。このクリーニング処理を、次
の反応ガス導入の前に行なっておくことで、フィルタや
流量制御手段の詰まりを防止し、反応容器内に常に適正
な流量でクリーンな反応ガスを導入することができる。
したがって、真空引き効率並びにガス置換効率が良いの
で、クリーニングを短時間で行うことができ、スループ
ットの向上を図ることができる。

【００１９】

【実施例】以下、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置を
例に挙げ、この発明のクリーニング方法の一実施例につ
いて説明する。

【００２０】図１に示す縦型熱処理装置は、加熱炉４０
と、この加熱炉４０のヒータ４０ａの内側に配置された
石英製の反応容器４１と、この反応容器４１内に半導体
ウエハ等の被処理体Ｗを水平に多数保持した状態で矢印
１８で示したようにロード、アンロードする石英製の熱
処理ボ−ト１９とで主要部が構成されている。

【００２１】上記反応容器４１は、上端が閉塞しかつ下
端に開口されて形成された外筒２０と、この外筒２０内
に同軸的に設けられた上下両端が開口された内筒２１と
を備え、全体として下端に開口部が形成された二重構造
の容器として構成されている。そして、この反応容器４
１内に上記熱処理ボ−ト１９をロードすると、この熱処
理ボ−ト１９下端の保温筒２２に形成されたキャップ２
２ａで反応容器４１の開口部が封止されて気密状態とな
るように構成されている。

【００２２】上記反応容器４１の下端部には、反応ガス
供給配管２３並びに処理ガス排出管２４が接続されてい
る。反応ガス供給配管２３の上流端には、反応ガス、例
えばジクロールシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）を収容した反
応ガスボンべ２５が設けられており、この反応ガスボン
べ２５から反応容器４１に至る反応ガス供給配管２３の
管路途中には、上流側から順に、一次側フィルタ２６、
圧力計２７、第１のバルブ２８、流量制御手段としての
マスフローコントローラ（以下にＭＦＣという）２９、
第２のバルブ３０及びファイナルフィルタ３１が配設さ
れている。一方、処理ガス排出管２４には第１の真空ポ
ンプ３２ａが設けられ、この第１の真空ポンプ３２ａの
更に下流にはガス処理装置３３が設けられている。

【００２３】上記のように構成される縦型熱処理装置に
おいて、第１の真空ポンプ３２ａによって反応容器４１
内を所定の真空状態に調節すると共に、第１、第２の両
方のバルブ２８，３０を開くことにより、反応ガスボン
べ２５からの反応ガスが、一次側フィルタ２６を通り、
ガス中のパーティクル等が除去される。次に、反応ガス
はＭＦＣ２９内の図示しないオリフィス部で流量制御さ
れ、更にファイナルフィルタ３１で液化した部分等が除
去されて反応容器４１内に導入される。反応ガスは被処
理体Ｗの処理に供された後、処理ガス排出管２４を通し
てガス処理装置３３に収集され、ここで無害化処理され
て排気される。

【００２４】しかし、前述したように、反応ガス供給配
管２３に設けられたファイナルフィルタ３１やＭＦＣ２
９は、液化した反応ガス等が付着して詰まりが生じ易
い。そのため、適宜反応ガス供給配管２３内を真空引き
して、ファイナルフィルタ３１やマスフローコントロー
ラ２９をクリーニングする必要がある。

【００２５】そこで、この実施例の縦型熱処理装置にお
いては、この発明のクリーニング方法によって上記ＭＦ
Ｃ２９及び上記ファイナルフィルタ３１のクリーニング
を行なうために、上記反応ガス供給配管２３のＭＦＣ２
９上流側と上記処理ガス排出管２４の第１の真空ポンプ
３２ａより上流側とを第３のバルブ３４を有するクリー
ニング用のバイパス配管３５で連結する。このバイパス
配管３５の第３のバルブ３４と反応ガス供給配管２３と
の間の管路途中に、第４のバルブ３６を有する分岐管３
７を介して例えば窒素（Ｎ₂ ）等の不活性ガスの供給源
である不活性ガスボンべ３８が接続されている。そし
て、第３，第４のバルブ３４，３６と上記第１，第２の
バルブ２６，３０の４つのバルブを個々に開閉操作する
ことで、反応容器４１への反応ガス導入、反応ガス供給
配管２３内の真空引き及び不活性ガス導入が行えるよう
になっている。更にまた、上記反応ガス供給配管２３の
ＭＦＣ２９より上流側に、第５のバルブ４２を有する連
結管４３を介して第２の真空ポンプ３２ｂが接続されて
いる。なお、この第２の真空ポンプ３２ｂは必ずしも設
けなくてもよい。

【００２６】上記縦型熱処理装置を用いて被処理体Ｗに
熱拡散処理を施す場合には、まず、加熱炉４０で所定の
熱処理温度に加熱された反応容器４１内へ熱処理ボ−ト
１９をロードして水平に保持した多数の被処理体Ｗを反
応容器４１内に収納する。このとき、反応容器４１の開
口部は保温筒２２のキャップ２２ａで封止される。次い
で、真空ポンプ３２ａを駆動させて反応容器４１内を所
定の真空度に保持した状態で、反応ガス供給配管２３の
第１及び第２の両バルブ２８，３０を開とし、反応ガス
供給配管２３を介して反応容器４１内に反応ガスを所定
流量で所定時間供給して被処理体Ｗに熱拡散層を形成す
る。

【００２７】次いで、この発明の方法によるクリーニン
グ処理を行う。クリーニング処理中、第１の真空ポンプ
３２ａは常に駆動させたままの状態としておく。クリー
ニング処理において、まず第１のバルブ２８を閉じた
後、第４のバルブ３６を開として反応ガス供給配管２３
内にＭＦＣ２９の上流側から不活性ガスを導入し、反応
ガス供給配管２３及び反応容器４１内の反応ガスを不活
性ガスに置換する。このガス置換における不活性ガスの
導入は、反応容器４１側から反応ガス供給配管２３内が
真空引きされつつ行われるので、短時間で十分なガス置
換がなされる。この場合、第３のバルブ３４及び第５の
バルブ４２は閉となっている（第１の工程）。

【００２８】次いで、第４のバルブ３６を閉じて不活性
ガスの供給を断ち、第２のバルブ３０を閉じてＭＦＣ２
９の下流側の流路を遮断した後、第３のバルブ３４を開
く。これによって、反応ガス供給配管２３内は、ＭＦＣ
２９の上流側と反応容器４１側（下流側）の両側から真
空引きされる。そして、上流側からの真空引きにより、
ＭＦＣ２９内が急速に所定の真空度に真空引きされ、Ｍ
ＦＣ２９のオリフィス部等に液化して付着していた反応
ガス等が気化して除去されていく。一方、第２のバルブ
３０より下流側の反応ガス供給配管２３内も、反応容器
４１側から真空引きされるので、ＭＦＣ２９が抵抗とな
ることなく急速に所定の真空度に達し、ファイナルフィ
ルタ３１に液化して付着していた反応ガス等が気化して
除去されていく（第２の工程）。この場合、同時に第５
のバルブ４２を開とし、第１の真空ポンプ３２ａと共に
第２の真空ポンプ３２ｂを駆動させてもよい。

【００２９】このように第２の真空ポンプ３２ｂを駆動
させることにより、反応ガス供給配管２３のＭＦＣ２９
より上流側を迅速に真空引きすることができる。第２の
真空ポンプ３２ｂを駆動させるときは、第４のバルブ３
４を閉じることによりバイパス配管３５を使用しなくて
もよい。

【００３０】本実施例においては、不活性ガスで置換す
る第１の工程と真空引きする第２の工程からなるサイク
ルが、１０回以上繰り返される。この場合、１サイクル
中の第１の工程は５秒以内、好ましくは２秒以内で行わ
れ、第２の工程も５秒以内、好ましくは２秒以内となっ
ている。例えば第１の工程及び第２の工程を各々２秒間
で行い、１０サイクルのクリーニング処理を行うと、合
計４０秒でクリーニング処理が終了する。

【００３１】この間、第１の工程中、反応容器４１及び
反応ガス供給配管２３内は、約１５００〜１９００Torr
まで加圧され、第２の工程中、反応容器４１及び反応ガ
ス供給配管２３内は真空引きにより３００Torr以下、好
ましくは７０Torr以下まで減圧される。このような加圧
状態（第１の工程）と減圧状態（第２の工程）を短時間
の間に繰り返すことにより、反応容器４１及び反応ガス
供給配管２３内に乱流を生じさせることができる。この
ためＭＦＣ２９内及びファイナルフィルタ３１内に液化
して付着している反応ガス等を容易に引剥がして、不活
性ガスと共に外方へ排出することができる。

【００３２】このようなクリーニング処理が終了した
後、反応容器４１内を不活性ガスで置換し、熱処理ボ−
ト１９をアンロードして、熱処理された被処理体Ｗを反
応容器４１内より取り出す。そして、未処理の被処理体
Ｗを保持した熱処理ボ−ト１９を上述したと同様にロー
ドして反応容器４１内に収納した後、第４のバルブ３６
を閉じて不活性ガスの供給を断ち、加熱炉４０によって
反応容器４１が所定の熱処理温度に加熱されるのを待っ
て、第１のバルブ２８を開放して反応容器４１に反応ガ
スを導入し、被処理体Ｗの熱処理を行う。この間、第３
のバルブ３４及び第５のバルブ４２は閉となっている。

【００３３】このように、熱処理工程を終える度に、反
応ガス供給配管２３内をクリーニングすることで、フィ
ルタ３１やＭＦＣ２９の詰まりを防止し、反応容器４１
内に常に適正な流量でクリーンな反応ガスを導入するこ
とができるので、歩留まり向上が図られる。また、この
発明のクリーニング方法は、反応ガス供給配管２３内の
真空引き並びに不活性ガスによるガス置換を効率良く短
時間で行えるのでクリーニングの所要時間が短く、スル
ープットが向上する。

【００３４】また、この発明のクリーニング方法によれ
ば、反応ガス供給配管３の途中に、図３に示すようなバ
イパス配管を設ける必要がないので、その内部に反応ガ
スが残留して配管腐食が発生するのを防止することがで
きる。また、上記実施例のように、反応ガス供給配管２
３と処理ガス排出管２４とをバイパス配管３５で連結
し、反応ガス供給配管２３内の上流側と下流側の両側か
らの真空引を１つの第１の真空ポンプ３２ａで行った場
合、配管系が一系統に集約される。その結果、配管系の
内容積が小さくなり、短時間で真空引きできるようにな
る。

【００３５】なお、この発明に係る方法で反応ガス供給
配管に対して真空引きを行った場合と、同一の反応ガス
供給配管に対して従来方法で真空引きを行った場合の真
空度の時間変化の測定結果を図２のグラフに示す。この
測定結果によると、この発明に係る方法で真空引きを行
った場合、真空引きを開始してから直ぐにＣｌ₂ 濃度の
急速な低下がみられ、約４０秒後にはバックグラウンド
に達している。これに対し、従来方法による場合では、
真空引き開始後約４０秒経過した時点ではわずかな変化
しかみられず、約３０分経過した時点でもバックグラウ
ンドよりも遥かに高いＣｌ₂ 濃度のままである。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る熱
処理装置及びそのクリーニング方法によれば、以下のよ
うな優れた効果が得られる。

【００３７】反応容器内を常時真空引きしつつ、反応ガ
ス供給配管内に流量制御手段の上流側から不活性ガスを
導入して配管内の反応ガスを置換するようにしたので、
ガス置換効率を著しく向上できる。

【００３８】また、ガス置換を行った後、流量制御手段
の下流側近傍の流路を遮断し、上流側から反応ガス供給
配管内を真空引きするようにしたので、流量制御手段内
が急速に真空引きされ、流路絞り部等に液化して付着し
ていた反応ガス等を短時間で除去できる。また、遮断箇
所よりも下流側の配管内も、反応容器側から真空引きさ
れるので、流量制御手段が抵抗となることなく急速に真
空引きされ、配管途中に設けられているフィルタ等に液
化して付着していた反応ガス等を短時間で除去できる。
このため、短時間でクリーニングを行うことができ、ス
ループットの向上を図ることができる。

【００３９】更に、このクリーニングを、次の反応ガス
導入の前に行なっておくことで、フィルタや流量制御手
段の詰まりを防止し、反応容器内に常に適正な流量でク
リーンな反応ガスを導入することができるので、歩留ま
りの向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のクリーニング方法の好ましい一実施
例が適用される熱処理装置を示す構成図である。

【図２】この発明に係る方法で真空引きを行った場合
と、従来方法で真空引きを行った場合の真空度の時間変
化の測定結果を示すグラフである。

【図３】従来のクリーニング方法が適用される熱処理装
置を示す概念図である。

【符号の説明】

２３ 反応ガス供給配管 ２９ 流量制御手段（ＭＦＣ） ２５ 反応ガスボンベ ２８ 第１のバルブ ３０ 第２のバルブ ３１ ファイナルフィルタ ３２ａ 第１の真空ポンプ ３２ｂ 第２の真空ポンプ ３４ 第３のバルブ ３５ バイパス配管 ３６ 第４のバルブ ３８ 不活性ガスボンベ ４１ 反応容器 ４２ 第５のバルブ ４３ 連結管 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−231936（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−285171（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−155912（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/22 511

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が
   接続された反応容器と、上記反応ガス供給配管に取付け
   られた流量制御手段とを具備した熱処理装置において、 上記反応ガス供給配管における流量制御手段より上流側
   に第１のバルブを介して反応ガス供給手段を接続すると
   共に、流量制御手段より下流側近傍に第２のバルブを配
   設し、 上記反応ガス供給配管における流量制御手段より上流側
   かつ上記第１のバルブより下流側と、上記処理ガス排出
   管の上記真空ポンプより上流側とを、第３のバルブを有
   するクリーニング用のバイパス配管で連結し、 上記バイパス配管における上記第３のバルブと上記反応
   ガス供給配管との間に、第４のバルブを有する分岐管を
   介して不活性ガス供給手段を接続した、 ことを特徴とする熱処理装置 。
2. 【請求項２】 上記反応ガス供給配管の流量制御手段よ
   り上流側かつ第１のバルブ及び第４のバルブより下流側
   に、第５のバルブを介して第２の真空ポンプを接続した
   ことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
3. 【請求項３】 反応ガス供給配管及び処理ガス排出管が
   接続された反応容器と、反応ガス供給配管に取付けられ
   た流量制御手段とを具備した熱処理装置のクリーニング
   方法において、 上記処理ガス排出管内を真空引きすると共に、上記反応
   ガス供給配管内に上記流量制御手段より上流側から不活
   性ガスを導入して、上記反応ガス供給配管内及び上記反
   応容器内の反応ガスを不活性ガスで置換する第１の工程
   と、 上記処理ガス排出管内を真空引きすると共に、上記反応
   ガス供給配管を流量制御手段の下流側で遮断して、上記
   流量制御手段の下流側の反応ガス供給配管内及び反応容
   器内を真空引きすると共に、上記流量制御手段の上流側
   の反応ガス供給配管内を真空引きする第２の工程と、を
   有することを特徴とする熱処理装置のクリーニング方
   法。
4. 【請求項４】 第２の工程において、流量制御手段の上
   流側の反応ガス供給配管内は、反応ガス供給配管と処理
   ガス排出管とを連通するバイパス配管を介して、処理ガ
   ス排出管内の真空引きと同時に真空引きされることを特
   徴とする請求項３記載の熱処理装置のクリーニング方
   法。
5. 【請求項５】 第２の工程において、流量制御手段の上
   流側の反応ガス供給配管内は、処理ガス排出管と独立し
   て真空引きされることを特徴とする請求項３記載の熱処
   理装置のクリーニング方法。