JP3883353B2 - 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3883353B2 JP3883353B2 JP2000025692A JP2000025692A JP3883353B2 JP 3883353 B2 JP3883353 B2 JP 3883353B2 JP 2000025692 A JP2000025692 A JP 2000025692A JP 2000025692 A JP2000025692 A JP 2000025692A JP 3883353 B2 JP3883353 B2 JP 3883353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- processing
- exhaust pipe
- lid
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、特に、気密に閉じられた処理室内で被処理物に処理を施す半導体製造装置の異物低減技術に係り、例えば、減圧ＣＶＤ装置や拡散装置等を使用した半導体装置の製造方法に利用して有効なものに関する。
【０００２】
一般に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコンやポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ膜形成工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
【０００３】
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、減圧ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入される処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、処理室に原料ガスを導入するガス導入口と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブの外側に敷設されて処理室を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入され、処理室内に原料ガスがガス導入口から導入されるとともに、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハにＣＶＤ膜がデポジションされるように構成されている。
【０００４】
減圧ＣＶＤ装置が使用された従来のＣＶＤ膜形成工程においては、ウエハが処理室に搬入される前およびウエハが処理室から搬入された後の待機運転中（以下、アイドル運転中という。）は処理室の炉口がシャッタまたはシールキャップによって閉じられた状態で、５ｌ／ｍｉｎ以下の窒素（Ｎ2 ）ガスがマスフローコントローラによって制御されて処理室に供給されて処理室がパージされる。この際、処理室内の圧力は大気圧になっており、窒素ガスの流れは、ガス導入口→処理室→排気口→排気管→廃棄処理装置となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した減圧ＣＶＤ装置においては、アイドル運転中に５ｌ／ｍｉｎ程度の窒素ガスが処理室に流された場合であっても金属成分や塩素成分等の異物が処理室に拡散しているという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。そして、これは、排気口よりも下流の排気経路に付着ないし吸着した金属成分や処理ガス成分等の異物が処理室の内部に逆流するためと考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、アイドル運転中の異物の処理室への逆流を防止することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第一の蓋体によって気密に閉じられる処理室内に大気圧状態で前記第一の蓋体が開かれて、被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態でこの処理室内に処理ガスが供給されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
大気圧下で前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が気密に閉じられて、この処理室内が減圧排気されつつ不活性ガスが供給される待機ステップと、
を備えていることを特徴とする。
【０００８】
前記した手段によれば、待機ステップにおいては処理室が減圧排気されながら不活性ガスが供給されるため、排気口よりも下流の排気経路に付着ないし吸着した異物が処理室に逆流することはない。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、減圧ＣＶＤ装置が使用されてウエハにＣＶＤ膜が形成されるＣＶＤ膜形成工程を備えており、図１に示されているように、ＣＶＤ膜形成工程は搬入ステップＳ１と、成膜処理ステップＳ２と、搬出ステップＳ３と、待機ステップＳ４とを備えている。ここで、ＣＶＤ膜形成工程に使用される減圧ＣＶＤ装置の構成を説明する。
【００１１】
図２〜図４に示されているように、減圧ＣＶＤ装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１を備えている。プロセスチューブ１はインナチューブ２とアウタチューブ３とから構成されており、インナチューブ２は炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ３は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ２は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室４を実質的に形成している。インナチューブ２の下端開口は被処理物としてのウエハを出し入れするための炉口５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ２の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１２】
アウタチューブ３は内径がインナチューブ２の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ２とアウタチューブ３との間の下端部は円形リング形状に形成されたインレットフランジ６によって気密封止されており、インレットフランジ６が減圧ＣＶＤ装置の機枠に支持されることより、プロセスチューブ１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１３】
インレットフランジ６の側壁の上部には処理室４を所定の真空度に真空排気するための排気口７が開設されており、排気口７はインナチューブ２とアウタチューブ３との間に形成された隙間に連通した状態になっている。インナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって排気路８は横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気口７がインレットフランジ６に接続されているため、排気口７は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路８の最下端部に配置された状態になっている。図３および図４に示されているように、排気口７には真空ポンプ１１がメイン排気管１２によって接続されている。メイン排気管１２にはメイン排気管１２に介設されたメインバルブ１３を迂回するサブ排気管１４が接続されており、サブ排気管１４にはサブバルブ１５が介設されている。
【００１４】
インレットフランジ６の側壁の下部にはガス導入管９がインナチューブ２の炉口５に連通するように挿入されており、ガス導入管９には後述する処理ガスの供給源や不活性ガスの供給源（いずれも図示しない。）が接続されるようになっている。ガス導入管９によって炉口５に導入されたガスはインナチューブ２の処理室４内を流通して排気路８を通って排気口７によって排気されることになる。
【００１５】
インレットフランジ６には成膜処理ステップＳ２において処理室４を閉塞する第二の蓋体としてのシールキャップ１０が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ１０はアウタチューブ３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ１の外部に垂直に設備されたエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ１０の中心線上には被処理物としてのウエハ２０を保持するためのボート２１が垂直に立脚されて支持されている。ボート２１は上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材２４とを備えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するように刻設された多数条の保持溝２５間にウエハ２０を挿入されることにより、複数枚のウエハ２０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１６】
アウタチューブ３の外部にはプロセスチューブ１内を加熱するためのヒータユニット３０が、アウタチューブ３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３０はプロセスチューブ１内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。ヒータユニット３０は減圧ＣＶＤ装置の機枠３１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。機枠３１には待機ステップＳ４において処理室４を閉じる第二の蓋体としてのシャッタ３２が設置されており、シャッタ３２はシャッタ昇降回転装置３３によってインレットフランジ６の下端面にシール状態で当接することにより、処理室４を気密に閉じるように構成されている。
【００１７】
次に、前記構成に係る減圧ＣＶＤ装置が使用されてウエハにＣＶＤ膜が形成されるＣＶＤ膜形成工程を、ウエハに窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のＣＶＤ膜が形成される場合について図１に沿って説明する。
【００１８】
図１に示されている搬入ステップＳ１において、複数枚のウエハ２０を整列保持したボート２１はシールキャップ１０の上にウエハ２０群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、エレベータによって差し上げられてインナチューブ２の炉口５から処理室４に搬入されて行き、図２に示されているように、シールキャップ１０に支持されたままの状態で処理室４に存置される。この状態で、シールキャップ１０は処理室４を気密に閉じた状態になる。
【００１９】
図１に示されている処理ステップＳ２において、処理室４がシールキャップ１０によって気密に閉じられた状態で、プロセスチューブ１の内部が所定の真空度（数百Ｐａ以下）に排気口７によって真空排気され、ヒータユニット３０によってプロセスチューブ１の内部が所定の温度（約７６０℃）に全体にわたって均一に加熱され、図２に示されているように、処理ガスとしての原料ガス３４が処理室４にガス導入管９によって所定の流量供給される。Ｓｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜をデポジションする場合には原料ガス３４としては、例えば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 とが処理室４に導入される。
【００２０】
導入された原料ガス３４はインナチューブ２の処理室４を上昇し、上端開口からインナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって形成された排気路８に流出して排気口７から排気される。原料ガス３４は処理室４を通過する際にウエハ２０の表面に接触する。この接触による原料ガス３４のＣＶＤ反応により、ウエハ２０の表面にはＳｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜が堆積（デポジション）する。
【００２１】
Ｓｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜が所望の堆積膜厚だけデポジションされる予め設定された処理時間が経過すると、図２に示されている搬出ステップＳ３において、シールキャップ１０が下降されて処理室４が開かれるとともに、ボート２１に保持された状態でウエハ２０群が炉口５からプロセスチューブ１の外部に図３に示されているように搬出される。
【００２２】
続いて、図２に示されている待機ステップＳ４において、図４に示されているように、シャッタ３２がインレットフランジ６の下端面にシール状態に当接されて処理室４が閉じられ、処理室４が減圧排気されつつ不活性ガスとしての窒素ガス３５が供給される。この際、図４に示されているように、メインバルブ１３が閉じられサブバルブ１５が開かれることにより、真空ポンプ１１による排気量は処理ステップＳ２の排気量よりも低めに抑えられ、窒素ガス３５の供給中における処理室４の内圧は大気圧よりも若干低めに抑えられる。例えば、窒素ガス３５の供給流量は、０．５〜１０ｌ／ｍｉｎ、処理室４の内圧は、５〜１５０Ｐａ、に制御される。
【００２３】
処理室４内に対して待機ステップＳ４が実行されている間に、処理室４の外部においては成膜処理済みウエハ２０と、これから成膜処理するウエハ２０との交換作業が同時進行される。そして、交換作業が完了すると、搬入ステップＳ１に進み、以降、図１に示されているルーチンが繰り返されて行くことになる。
【００２４】
ところで、処理ステップにおいて、真空排気される原料ガスの残りや反応生成物（金属成分および塩素成分）および塵埃等の全ての物質は、排気口や排気管を流れて行く間にこれらの内壁面の極微細な凹凸表面や継手部の継ぎ目等に接触するため、これらの表面や隙間等に付着したり吸着したりして異物として堆積することになる。そして、処理室が大気圧の状態に長期間維持されると、排気口や排気管の内壁面や継手部に堆積した異物は処理室内に逆流するという現象が、次の通り究明された。
【００２５】
すなわち、処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎだけ供給する待機運転を八時間継続した後に、処理室の炉口を閉じたシャッタの炉口側表面を観察したところ、シャッタの周辺部に白い粉が付着していた。分析の結果、この白い粉はＮＨ4 Ｃｌであることが判明した。このようにシャッタの炉口側表面の周辺部にＮＨ4 Ｃｌが局部的に付着する理由は、次のように考察される。まず、処理室が大気圧の状態に長期間維持されると、排気口や排気管の内壁面や継手部に堆積したＮＨ4 Ｃｌはベーパ化（蒸発）して処理室内に逆流する。シャッタ内部の周辺は冷却水の循環によって冷却されているため、ベーパ化したＮＨ4 Ｃｌは凝縮して付着することになる。ちなみに、シャッタは成膜処理中には使用していないため、シャッタに付着したＮＨ4 Ｃｌは成膜処理中に付着したものではないことは明らかである。
【００２６】
しかし、本実施形態に係るＩＣの製造方法におけるＣＶＤ膜形成工程においては、前述した通り、待機ステップＳ４において、処理室４がシャッタ３２によってシール状態に閉じられ、処理室４が減圧排気されつつ不活性ガスとしての窒素ガス３５が供給されるため、排気口７やメイン排気管１２の内壁面や継手部に堆積した異物は処理室内に逆流することは防止される。すなわち、本実施形態に係る待機ステップＳ４においては、排気口７やメイン排気管１２に付着したＮＨ4 Ｃｌ等の異物がベーパ化したとしても処理室４に逆流せずに、排気口７やメイン排気管１２等の排気経路を通って真空ポンプ１１によって外部に真空排気されることになる。
【００２７】
本実施形態に係る待機ステップＳ４において排気口やメイン排気管に付着した異物の逆流が防止されることは、次の実験によって検証された。
【００２８】
1) 目視比較
処理室を減圧排気しながら窒素ガスを供給する待機運転を八時間継続した後に、処理室を閉じたシャッタの炉口側表面を観察したところ、本実施形態の場合にはシャッタの周辺部への白い粉の付着は見られなかった。従来例の場合には、前述した通りに、シャッタの周辺部への白い粉の付着が見られた。
【００２９】
2) 金属汚染比較
プロセスチューブや排気口およびメイン排気管に対するメンテナンス作業を実施してからＣＶＤ膜形成工程を二十回（二十バッチ）繰り返した後に、鉄（Ｆｅ）および銅（Ｃｕ）の濃度を測定したところ、次の表１が得られた。表１中、本実施形態は前述した待機ステップＳ４の条件で実施した場合であり、従来例は処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給した場合である。また、単位はａｔｍｓ／ｃｍ2 である。表１によれば、本実施形態の鉄および銅の濃度は従来例に比べて大幅に低減しているのが理解される。
【００３０】
【表１】
【００３１】
2) パーティクル比較
プロセスチューブや排気口およびメイン排気管に対するメンテナンス作業を実施してからＣＶＤ膜形成工程を二十回（二十バッチ）繰り返した後に、アイドル運転中のパーティクルを採取したところ、次の表２が得られた。表２中、本実施形態は前述した待機ステップＳ１の条件で実施した場合であり、従来例は処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給した場合である。また、単位は個数であり、処理室上部および処理室下部での増加量で示されている。表２によれば、本実施形態のパーティクルの増加量は従来例に比べて大幅に低減しているのが理解される。
【００３２】
【表２】
【００３３】
前記実施形態によれば、次の効果が得られる。
【００３４】
1) 排気口やメイン排気管に付着ないしは吸着した異物の待機ステップ中の逆流を防止することにより、逆流した異物のウエハへの再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することができる。
【００３５】
2) 逆流した異物のウエハへの再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することにより、ＩＣの製造方法における歩留りを高めることができるとともに、ＩＣの品質並びに信頼性を高めることができる。
【００３６】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３７】
例えば、処理室の炉口はシールキャップとシャッタとによって閉塞するように構成するに限らず、処理ステップと待機ステップとのいずれについてもシールキャップまたはゲートバルブによって兼用的に閉塞するように構成してもよい。
【００３８】
成膜処理はＳｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜を形成する処理に限らず、ポリシリコンや酸化シリコン等の他のＣＶＤ膜や、スパッタリング膜を形成する成膜処理であってもよい。さらに、処理は成膜処理に限らず、アッシング処理やドライエッチング処理等であってもよい。
【００３９】
減圧ＣＶＤ装置はバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、横形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置、枚葉式減圧ＣＶＤ装置等の他の減圧ＣＶＤ装置であってもよい。
【００４０】
半導体製造装置は減圧ＣＶＤ装置に限らず、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用される拡散装置や、スパッタリング装置やドライエッチング装置等の半導体製造装置であってもよい。要するに、本発明は、被処理物が処理室に搬入されて真空排気されつつ処理ガスが処理室に供給されて所望の処理が実施される半導体製造装置全般に適用することができる。
【００４１】
前記実施形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理物はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
排気口やメイン排気管に付着ないしは吸着した異物の待機ステップ中の逆流を防止することにより、逆流した異物の被処理物への再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することができるため、半導体装置の製造方法における歩留りを高めることができるとともに、半導体装置の品質並びに信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法におけるＣＶＤ膜形成工程の流れを示すブロック図である。
【図２】搬入ステップおよび処理ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の一部省略正面断面図である。
【図３】搬出ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の正面断面図である。
【図４】待機ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の一部省略正面断面図である。
【符号の説明】
１…プロセスチューブ、２…インナチューブ、３…アウタチューブ、４…処理室、５…炉口、６…インレットフランジ、７…排気口、８…排気路、９…ガス導入管、１０…シールキャップ（第一の蓋体）、１１…真空ポンプ、１２…メイン排気管、１３…メインバルブ、１４…サブ排気管、１５…サブバルブ、２０…ウエハ（被処理物）、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、３０…ヒータユニット、３１…機枠、３２…シャッタ（第二の蓋体）、３３…シャッタ昇降回転装置、３４…原料ガス（処理ガス）、３５…窒素ガス（不活性ガス）。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、特に、気密に閉じられた処理室内で被処理物に処理を施す半導体製造装置の異物低減技術に係り、例えば、減圧ＣＶＤ装置や拡散装置等を使用した半導体装置の製造方法に利用して有効なものに関する。
【０００２】
一般に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に窒化シリコンやポリシリコン等のＣＶＤ膜を形成するＣＶＤ膜形成工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
【０００３】
バッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、減圧ＣＶＤ装置という。）は、ウエハが搬入される処理室を形成し縦形に設置されたプロセスチューブと、処理室に原料ガスを導入するガス導入口と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブの外側に敷設されて処理室を加熱するヒータとを備えており、複数枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された状態で処理室に下端の炉口から搬入され、処理室内に原料ガスがガス導入口から導入されるとともに、ヒータによって処理室が加熱されることにより、ウエハにＣＶＤ膜がデポジションされるように構成されている。
【０００４】
減圧ＣＶＤ装置が使用された従来のＣＶＤ膜形成工程においては、ウエハが処理室に搬入される前およびウエハが処理室から搬入された後の待機運転中（以下、アイドル運転中という。）は処理室の炉口がシャッタまたはシールキャップによって閉じられた状態で、５ｌ／ｍｉｎ以下の窒素（Ｎ2 ）ガスがマスフローコントローラによって制御されて処理室に供給されて処理室がパージされる。この際、処理室内の圧力は大気圧になっており、窒素ガスの流れは、ガス導入口→処理室→排気口→排気管→廃棄処理装置となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した減圧ＣＶＤ装置においては、アイドル運転中に５ｌ／ｍｉｎ程度の窒素ガスが処理室に流された場合であっても金属成分や塩素成分等の異物が処理室に拡散しているという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。そして、これは、排気口よりも下流の排気経路に付着ないし吸着した金属成分や処理ガス成分等の異物が処理室の内部に逆流するためと考えられる。
【０００６】
本発明の目的は、アイドル運転中の異物の処理室への逆流を防止することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第一の蓋体によって気密に閉じられる処理室内に大気圧状態で前記第一の蓋体が開かれて、被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態でこの処理室内に処理ガスが供給されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
大気圧下で前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が気密に閉じられて、この処理室内が減圧排気されつつ不活性ガスが供給される待機ステップと、
を備えていることを特徴とする。
【０００８】
前記した手段によれば、待機ステップにおいては処理室が減圧排気されながら不活性ガスが供給されるため、排気口よりも下流の排気経路に付着ないし吸着した異物が処理室に逆流することはない。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１０】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、減圧ＣＶＤ装置が使用されてウエハにＣＶＤ膜が形成されるＣＶＤ膜形成工程を備えており、図１に示されているように、ＣＶＤ膜形成工程は搬入ステップＳ１と、成膜処理ステップＳ２と、搬出ステップＳ３と、待機ステップＳ４とを備えている。ここで、ＣＶＤ膜形成工程に使用される減圧ＣＶＤ装置の構成を説明する。
【００１１】
図２〜図４に示されているように、減圧ＣＶＤ装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ１を備えている。プロセスチューブ１はインナチューブ２とアウタチューブ３とから構成されており、インナチューブ２は炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ３は石英ガラスが使用されて円筒形状に一体成形されている。インナチューブ２は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２の筒中空部はボートによって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室４を実質的に形成している。インナチューブ２の下端開口は被処理物としてのウエハを出し入れするための炉口５を実質的に構成している。したがって、インナチューブ２の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
【００１２】
アウタチューブ３は内径がインナチューブ２の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ２にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。インナチューブ２とアウタチューブ３との間の下端部は円形リング形状に形成されたインレットフランジ６によって気密封止されており、インレットフランジ６が減圧ＣＶＤ装置の機枠に支持されることより、プロセスチューブ１は垂直に据え付けられた状態になっている。
【００１３】
インレットフランジ６の側壁の上部には処理室４を所定の真空度に真空排気するための排気口７が開設されており、排気口７はインナチューブ２とアウタチューブ３との間に形成された隙間に連通した状態になっている。インナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって排気路８は横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気口７がインレットフランジ６に接続されているため、排気口７は円筒形状の中空体を形成されて垂直に延在した排気路８の最下端部に配置された状態になっている。図３および図４に示されているように、排気口７には真空ポンプ１１がメイン排気管１２によって接続されている。メイン排気管１２にはメイン排気管１２に介設されたメインバルブ１３を迂回するサブ排気管１４が接続されており、サブ排気管１４にはサブバルブ１５が介設されている。
【００１４】
インレットフランジ６の側壁の下部にはガス導入管９がインナチューブ２の炉口５に連通するように挿入されており、ガス導入管９には後述する処理ガスの供給源や不活性ガスの供給源（いずれも図示しない。）が接続されるようになっている。ガス導入管９によって炉口５に導入されたガスはインナチューブ２の処理室４内を流通して排気路８を通って排気口７によって排気されることになる。
【００１５】
インレットフランジ６には成膜処理ステップＳ２において処理室４を閉塞する第二の蓋体としてのシールキャップ１０が垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ１０はアウタチューブ３の外径と略等しい円盤形状に形成されており、プロセスチューブ１の外部に垂直に設備されたエレベータ（図示せず）によって垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ１０の中心線上には被処理物としてのウエハ２０を保持するためのボート２１が垂直に立脚されて支持されている。ボート２１は上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２、２３間に架設されて垂直に配設された複数本の保持部材２４とを備えており、各保持部材２４に長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するように刻設された多数条の保持溝２５間にウエハ２０を挿入されることにより、複数枚のウエハ２０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するように構成されている。
【００１６】
アウタチューブ３の外部にはプロセスチューブ１内を加熱するためのヒータユニット３０が、アウタチューブ３の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット３０はプロセスチューブ１内を全体にわたって均一に加熱するように構成されている。ヒータユニット３０は減圧ＣＶＤ装置の機枠３１に支持されることにより垂直に据え付けられた状態になっている。機枠３１には待機ステップＳ４において処理室４を閉じる第二の蓋体としてのシャッタ３２が設置されており、シャッタ３２はシャッタ昇降回転装置３３によってインレットフランジ６の下端面にシール状態で当接することにより、処理室４を気密に閉じるように構成されている。
【００１７】
次に、前記構成に係る減圧ＣＶＤ装置が使用されてウエハにＣＶＤ膜が形成されるＣＶＤ膜形成工程を、ウエハに窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）のＣＶＤ膜が形成される場合について図１に沿って説明する。
【００１８】
図１に示されている搬入ステップＳ１において、複数枚のウエハ２０を整列保持したボート２１はシールキャップ１０の上にウエハ２０群が並んだ方向が垂直になる状態で載置され、エレベータによって差し上げられてインナチューブ２の炉口５から処理室４に搬入されて行き、図２に示されているように、シールキャップ１０に支持されたままの状態で処理室４に存置される。この状態で、シールキャップ１０は処理室４を気密に閉じた状態になる。
【００１９】
図１に示されている処理ステップＳ２において、処理室４がシールキャップ１０によって気密に閉じられた状態で、プロセスチューブ１の内部が所定の真空度（数百Ｐａ以下）に排気口７によって真空排気され、ヒータユニット３０によってプロセスチューブ１の内部が所定の温度（約７６０℃）に全体にわたって均一に加熱され、図２に示されているように、処理ガスとしての原料ガス３４が処理室４にガス導入管９によって所定の流量供給される。Ｓｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜をデポジションする場合には原料ガス３４としては、例えば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 とが処理室４に導入される。
【００２０】
導入された原料ガス３４はインナチューブ２の処理室４を上昇し、上端開口からインナチューブ２とアウタチューブ３との隙間によって形成された排気路８に流出して排気口７から排気される。原料ガス３４は処理室４を通過する際にウエハ２０の表面に接触する。この接触による原料ガス３４のＣＶＤ反応により、ウエハ２０の表面にはＳｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜が堆積（デポジション）する。
【００２１】
Ｓｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜が所望の堆積膜厚だけデポジションされる予め設定された処理時間が経過すると、図２に示されている搬出ステップＳ３において、シールキャップ１０が下降されて処理室４が開かれるとともに、ボート２１に保持された状態でウエハ２０群が炉口５からプロセスチューブ１の外部に図３に示されているように搬出される。
【００２２】
続いて、図２に示されている待機ステップＳ４において、図４に示されているように、シャッタ３２がインレットフランジ６の下端面にシール状態に当接されて処理室４が閉じられ、処理室４が減圧排気されつつ不活性ガスとしての窒素ガス３５が供給される。この際、図４に示されているように、メインバルブ１３が閉じられサブバルブ１５が開かれることにより、真空ポンプ１１による排気量は処理ステップＳ２の排気量よりも低めに抑えられ、窒素ガス３５の供給中における処理室４の内圧は大気圧よりも若干低めに抑えられる。例えば、窒素ガス３５の供給流量は、０．５〜１０ｌ／ｍｉｎ、処理室４の内圧は、５〜１５０Ｐａ、に制御される。
【００２３】
処理室４内に対して待機ステップＳ４が実行されている間に、処理室４の外部においては成膜処理済みウエハ２０と、これから成膜処理するウエハ２０との交換作業が同時進行される。そして、交換作業が完了すると、搬入ステップＳ１に進み、以降、図１に示されているルーチンが繰り返されて行くことになる。
【００２４】
ところで、処理ステップにおいて、真空排気される原料ガスの残りや反応生成物（金属成分および塩素成分）および塵埃等の全ての物質は、排気口や排気管を流れて行く間にこれらの内壁面の極微細な凹凸表面や継手部の継ぎ目等に接触するため、これらの表面や隙間等に付着したり吸着したりして異物として堆積することになる。そして、処理室が大気圧の状態に長期間維持されると、排気口や排気管の内壁面や継手部に堆積した異物は処理室内に逆流するという現象が、次の通り究明された。
【００２５】
すなわち、処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎだけ供給する待機運転を八時間継続した後に、処理室の炉口を閉じたシャッタの炉口側表面を観察したところ、シャッタの周辺部に白い粉が付着していた。分析の結果、この白い粉はＮＨ4 Ｃｌであることが判明した。このようにシャッタの炉口側表面の周辺部にＮＨ4 Ｃｌが局部的に付着する理由は、次のように考察される。まず、処理室が大気圧の状態に長期間維持されると、排気口や排気管の内壁面や継手部に堆積したＮＨ4 Ｃｌはベーパ化（蒸発）して処理室内に逆流する。シャッタ内部の周辺は冷却水の循環によって冷却されているため、ベーパ化したＮＨ4 Ｃｌは凝縮して付着することになる。ちなみに、シャッタは成膜処理中には使用していないため、シャッタに付着したＮＨ4 Ｃｌは成膜処理中に付着したものではないことは明らかである。
【００２６】
しかし、本実施形態に係るＩＣの製造方法におけるＣＶＤ膜形成工程においては、前述した通り、待機ステップＳ４において、処理室４がシャッタ３２によってシール状態に閉じられ、処理室４が減圧排気されつつ不活性ガスとしての窒素ガス３５が供給されるため、排気口７やメイン排気管１２の内壁面や継手部に堆積した異物は処理室内に逆流することは防止される。すなわち、本実施形態に係る待機ステップＳ４においては、排気口７やメイン排気管１２に付着したＮＨ4 Ｃｌ等の異物がベーパ化したとしても処理室４に逆流せずに、排気口７やメイン排気管１２等の排気経路を通って真空ポンプ１１によって外部に真空排気されることになる。
【００２７】
本実施形態に係る待機ステップＳ４において排気口やメイン排気管に付着した異物の逆流が防止されることは、次の実験によって検証された。
【００２８】
1) 目視比較
処理室を減圧排気しながら窒素ガスを供給する待機運転を八時間継続した後に、処理室を閉じたシャッタの炉口側表面を観察したところ、本実施形態の場合にはシャッタの周辺部への白い粉の付着は見られなかった。従来例の場合には、前述した通りに、シャッタの周辺部への白い粉の付着が見られた。
【００２９】
2) 金属汚染比較
プロセスチューブや排気口およびメイン排気管に対するメンテナンス作業を実施してからＣＶＤ膜形成工程を二十回（二十バッチ）繰り返した後に、鉄（Ｆｅ）および銅（Ｃｕ）の濃度を測定したところ、次の表１が得られた。表１中、本実施形態は前述した待機ステップＳ４の条件で実施した場合であり、従来例は処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給した場合である。また、単位はａｔｍｓ／ｃｍ2 である。表１によれば、本実施形態の鉄および銅の濃度は従来例に比べて大幅に低減しているのが理解される。
【００３０】
【表１】
2) パーティクル比較
プロセスチューブや排気口およびメイン排気管に対するメンテナンス作業を実施してからＣＶＤ膜形成工程を二十回（二十バッチ）繰り返した後に、アイドル運転中のパーティクルを採取したところ、次の表２が得られた。表２中、本実施形態は前述した待機ステップＳ１の条件で実施した場合であり、従来例は処理室を大気圧に維持した状態で窒素ガスを５ｌ／ｍｉｎ供給した場合である。また、単位は個数であり、処理室上部および処理室下部での増加量で示されている。表２によれば、本実施形態のパーティクルの増加量は従来例に比べて大幅に低減しているのが理解される。
【００３２】
【表２】
前記実施形態によれば、次の効果が得られる。
【００３４】
1) 排気口やメイン排気管に付着ないしは吸着した異物の待機ステップ中の逆流を防止することにより、逆流した異物のウエハへの再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することができる。
【００３５】
2) 逆流した異物のウエハへの再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することにより、ＩＣの製造方法における歩留りを高めることができるとともに、ＩＣの品質並びに信頼性を高めることができる。
【００３６】
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３７】
例えば、処理室の炉口はシールキャップとシャッタとによって閉塞するように構成するに限らず、処理ステップと待機ステップとのいずれについてもシールキャップまたはゲートバルブによって兼用的に閉塞するように構成してもよい。
【００３８】
成膜処理はＳｉ3 Ｎ4 のＣＶＤ膜を形成する処理に限らず、ポリシリコンや酸化シリコン等の他のＣＶＤ膜や、スパッタリング膜を形成する成膜処理であってもよい。さらに、処理は成膜処理に限らず、アッシング処理やドライエッチング処理等であってもよい。
【００３９】
減圧ＣＶＤ装置はバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、横形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置、枚葉式減圧ＣＶＤ装置等の他の減圧ＣＶＤ装置であってもよい。
【００４０】
半導体製造装置は減圧ＣＶＤ装置に限らず、酸化処理や拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフロー等にも使用される拡散装置や、スパッタリング装置やドライエッチング装置等の半導体製造装置であってもよい。要するに、本発明は、被処理物が処理室に搬入されて真空排気されつつ処理ガスが処理室に供給されて所望の処理が実施される半導体製造装置全般に適用することができる。
【００４１】
前記実施形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、被処理物はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
排気口やメイン排気管に付着ないしは吸着した異物の待機ステップ中の逆流を防止することにより、逆流した異物の被処理物への再付着や金属汚染等の弊害の発生を未然に防止することができるため、半導体装置の製造方法における歩留りを高めることができるとともに、半導体装置の品質並びに信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法におけるＣＶＤ膜形成工程の流れを示すブロック図である。
【図２】搬入ステップおよび処理ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の一部省略正面断面図である。
【図３】搬出ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の正面断面図である。
【図４】待機ステップを示す減圧ＣＶＤ装置の一部省略正面断面図である。
【符号の説明】
１…プロセスチューブ、２…インナチューブ、３…アウタチューブ、４…処理室、５…炉口、６…インレットフランジ、７…排気口、８…排気路、９…ガス導入管、１０…シールキャップ（第一の蓋体）、１１…真空ポンプ、１２…メイン排気管、１３…メインバルブ、１４…サブ排気管、１５…サブバルブ、２０…ウエハ（被処理物）、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、３０…ヒータユニット、３１…機枠、３２…シャッタ（第二の蓋体）、３３…シャッタ昇降回転装置、３４…原料ガス（処理ガス）、３５…窒素ガス（不活性ガス）。
Claims (7)
- 処理室を閉じる第一の蓋体が開かれてこの処理室内に被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態で前記処理室内に処理ガスが供給され、前記処理室内から排気されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室内から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給される待機ステップと、を備えている半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内を減圧排気する排気口にはメイン排気管が接続されており、このメイン排気管にはメインバルブが設けられると共に、このメインバルブを迂回するようにサブ排気管が接続されており、
前記待機ステップでは、前記メインバルブが閉じられることにより、前記サブ排気管が用いられて前記処理室内が減圧排気されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理室を閉じる第一の蓋体が開かれてこの処理室内に被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態で前記処理室内に処理ガスが供給され、前記処理室内から排気されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室内から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給される待機ステップと、を備えている半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内を減圧排気する排気口には真空ポンプがメイン排気管を介して接続されており、このメイン排気管にはメインバルブが設けられると共に、このメインバルブを迂回するようにサブ排気管が接続されており、このサブ排気管にはサブバルブが設けられており、
前記待機ステップでは、前記メインバルブが閉じられ前記サブバルブが開かれることにより、前記サブ排気管が用いられて前記真空ポンプにより前記処理室内が減圧排気されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理室を閉じる第一の蓋体が開かれてこの処理室内に被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態で前記処理室内に処理ガスが供給され、前記処理室内から排気されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室内から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給される待機ステップと、を備えている半導体装置の製造方法であって、
前記待機ステップでの前記処理室内の排気量は、前記処理ステップでの前記処理室内の排気量よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 処理室を閉じる第一の蓋体が開かれてこの処理室内に被処理物が搬入される搬入ステップと、
前記処理室が前記第一の蓋体とは異なる第二の蓋体によって閉じられた状態で前記処理室内に処理ガスが供給されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物が前記処理室内から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給される待機ステップと、を備えている半導体装置の 製造方法であって、
前記処理室内を減圧排気する排気口にはメイン排気管が接続されており、このメイン排気管にはメインバルブが設けられると共に、このメインバルブを迂回するようにサブ排気管が接続されており、
前記待機ステップでは、前記メインバルブが閉じられることにより前記サブ排気管が用いられて前記処理室内が減圧排気されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被処理物をボートにより保持するステップと、
処理室を閉じる第一の蓋体が開かれてこの処理室内に前記被処理物を保持した前記ボートが搬入される搬入ステップと、
前記処理室が第二の蓋体によって閉じられた状態で前記処理室内に処理ガスが供給されて、前記被処理物に処理が施される処理ステップと、
前記第二の蓋体が開かれて、処理された前記被処理物を保持した前記ボートが前記処理室内から搬出される搬出ステップと、
前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給される待機ステップと、を備えている半導体装置の製造方法であって、
前記処理室内を減圧排気する排気口にはメイン排気管が接続されており、このメイン排気管にはメインバルブが設けられると共にこのメインバルブを迂回するようにサブ排気管が接続されており、前記待機ステップでは、前記メインバルブが閉じられることにより前記サブ排気管が用いられて前記処理室内が減圧排気され、前記待機ステップが行われている間に、前記処理室の外部において、前記ボートに対して、処理された前記被処理物と、次に処理する被処理物との交換作業が行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 被処理物を処理する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス導入管と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記排気口にメイン排気管を介して接続された真空ポンプと、
前記メイン排気管に設けられたメインバルブと、
前記メインバルブを迂回するように前記メイン排気管に設けられたサブ排気管と、
前記サブ排気管に設けられたサブバルブと、
待機運転中に前記処理室を閉じる第一の蓋体と、
前記処理室内に処理ガスが供給されて前記被処理物に処理が施されるときに前記処理室を閉じる第二の蓋体と、を有し、
前記待機運転中に前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記メインバルブが閉じられ前記サブバルブが開かれることにより、前記サブ排気管が用いられて前記真空ポンプにより前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給されるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。 - 被処理物を処理する処理室と、
前記処理室内で被処理物を保持するボートと、
前記処理室内にガスを供給するガス導入管と、
前記処理室内を排気する排気口と、
前記排気口にメイン排気管を介して接続された真空ポンプと、
前記メイン排気管に設けられたメインバルブと、
前記メインバルブを迂回するように前記メイン排気管に設けられたサブ排気管と、
前記サブ排気管に設けられたサブバルブと、
前記ボートが前記処理室内から搬出された状態の待機運転中に前記処理室を閉じる第一の蓋体と、
前記処理室内に処理ガスが供給されて前記ボートにより保持された前記被処理物に処理が施されるときに前記処理室を閉じる第二の蓋体と、を有し、
前記待機運転中に前記第一の蓋体によって前記処理室が閉じられた状態で、前記メインバルブが閉じられ前記サブバルブが開かれることにより、前記サブ排気管が用いられて前 記真空ポンプにより前記処理室内が減圧排気されつつ前記処理室内に不活性ガスが供給されるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000025692A JP3883353B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000025692A JP3883353B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006286132A Division JP4383439B2 (ja) | 2006-10-20 | 2006-10-20 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217194A JP2001217194A (ja) | 2001-08-10 |
| JP3883353B2 true JP3883353B2 (ja) | 2007-02-21 |
Family
ID=18551517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000025692A Expired - Lifetime JP3883353B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3883353B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100827478B1 (ko) | 2006-11-03 | 2008-05-06 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 저압기상증착설비의 자동셔터와 자동셔터를 통한 퍼지가스세정방법 |
| JP4961381B2 (ja) | 2008-04-14 | 2012-06-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR20150120470A (ko) * | 2013-03-25 | 2015-10-27 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3374256B2 (ja) * | 1992-12-18 | 2003-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP3305817B2 (ja) * | 1993-06-28 | 2002-07-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 |
| JPH0963963A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体基板処理装置及び半導体基板処理方法 |
-
2000
- 2000-02-02 JP JP2000025692A patent/JP3883353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001217194A (ja) | 2001-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6270575B2 (ja) | 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3386651B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| US6365518B1 (en) | Method of processing a substrate in a processing chamber | |
| KR100297284B1 (ko) | 처리장치및드라이크리닝방법 | |
| JP3556804B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP3023982B2 (ja) | 成膜方法 | |
| JP2002518601A (ja) | パージガスチャネル及びポンプシステムを有する基板支持装置 | |
| JP2001250787A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH10247627A (ja) | 成膜方法及びその装置 | |
| KR20070044497A (ko) | 기판처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조방법 | |
| JPH1116858A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法及び処理方法 | |
| US6733593B1 (en) | Film forming device | |
| KR101023364B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 지지체 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100709801B1 (ko) | 프리코트막의 형성방법, 성막장치의 아이들링 방법,재치대 구조, 성막장치 및 성막방법 | |
| JP3667038B2 (ja) | Ｃｖｄ成膜方法 | |
| JP3883353B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JP3118737B2 (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JP4383439B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| KR20170007611A (ko) | 퍼니스형 반도체 장치, 이의 세정 방법 및 이를 이용한 박막 형성 방법 | |
| JPH04162709A (ja) | 半導体製造装置および反応処理方法 | |
| US20030175426A1 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
| JP4897159B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004273605A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0917705A (ja) | 連続熱処理方法 | |
| JP2004339566A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050329 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060523 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060719 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061020 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061114 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061114 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3883353 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091124 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101124 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111124 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121124 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131124 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |