JP2004273605A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理室内でウエハにCVD膜がデポジションする際、インナーチューブ側部内壁面にも、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していく。このCVD膜が累積し、パーティクルが発生する原因となる。このパーティクルを除去するのにメンテナンスを度々する必要があった。
【解決手段】インナ−チューブの、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口を有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通するように形成させ、前記ガス導入部から不活性ガスを供給し、インナーチューブの側部内面付近に不活性ガスを添いながら、上昇させ、インナーチューブへのCVD膜の累積を防ぐ。
【効果】処理室内のパーティクルの発生を低減でき、メンテナンスの頻度を少なくすることができ、稼動率・生産性を向上させることができる。
【選択図】 図3
【解決手段】インナ−チューブの、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口を有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通するように形成させ、前記ガス導入部から不活性ガスを供給し、インナーチューブの側部内面付近に不活性ガスを添いながら、上昇させ、インナーチューブへのCVD膜の累積を防ぐ。
【効果】処理室内のパーティクルの発生を低減でき、メンテナンスの頻度を少なくすることができ、稼動率・生産性を向上させることができる。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造する際に、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積(デポジション)するのに用いる半導体製造装置に関する。
【0002】
ICの製造方法において、基板(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)が、広く使用されている。従来のこの種のCVD装置としては、内管(以下、インナ−チューブという)およびこのインナ−チューブを取り囲む外管(以下、アウタ−チューブという)から構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、複数枚のウエハを保持してインナ−チューブ内に搬入する基板保持手段(以下、ボートという。)と、インナ−チューブ内に処理ガスを供給する供給管と、プロセスチューブ内を排気して減圧する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、処理ガスの供給管がインナ−チューブ下に位置するマニホールドに開設され、さらに不活性ガス供給管がインナ−チューブとアウタ−チューブの空間に開設され、マニホールドにはインナ−チューブとアウタ−チューブの筒状空間に連通する排気口が開設されているものがある(例えば、特許文献1参照)。
このCVD装置においては、複数枚のウエハがボートに搭載され長く整列されて保持された状態でインナ−チューブ内にマニホールド下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナ−チューブ内に処理ガスが供給管から導入されるとともに、ヒータによりプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際、ガス供給管から噴出された処理ガスは、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触し、排気口からアウタ−チューブの外部に排気管により排気される。
【0003】
【特許文献1】
特許3270730号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したCVD装置においてはウエハにCVD膜がデポジションする際、インナーチューブ側部内壁面にも、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していく。CVD膜が累積していくと、CVD膜内に内部応力が発生し、CVD膜自体がこの内部応力に耐えられなくなりクラックが発生する。
一旦、クラックが発生してしまうとこのCVD膜が剥がれ、インナ−チューブ内を浮遊したり、インナ−チューブ下部やウエハの表面上に落ちたりすることにより、パーティクルが発生し続けてしまう。このパーティクルを止めるにはインナーチューブ側部内壁に成膜されたCVD膜を除去しなければならなく、インナ−チューブの取外しなどメンテナンスを度々する必要があった。このメンテナンスをする場合CVD装置の稼動を停止することになり、稼働率を低下させ、生産性の低下を招いてしまう。
【0005】
本発明の目的は、前記したCVD装置において、ウエハにCVD膜がデポジションする際、インナ−チューブ側部内壁面に、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していくのを低減することができる基板処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、複数枚の基板を処理する処理室を形成したインナ−チューブと、このインナ−チューブを取り囲むアウタ−チューブと、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記アウタ−チューブとインナ−チューブの間より排気する排気口とを、備えている基板処理装置において、前記インナ−チューブは、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口を有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通して、形成されることを特徴とする。
【0007】
前記した手段において、ガスはガス導入口からインナ−チューブ内に導入される。インナ−チューブ内に導入されたガスはインナーチューブの下方から上昇し、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触すると同時に、ヒータによりプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際に、インナ−チューブの側部外周に有するガス導入部から不活性ガスを供給し、ガス導入部から側部内部に有するガス通路を通り、側部内面に有する複数のガス噴出口から、噴出されることにより、処理ガスがインナ−チューブ側部内壁面に接触するのを低減することができるので、CVD膜がインナ−チューブ側部内壁面に、接触し成膜していくのを低減することができる。したがって、パーティクルの発生を低減でき、メンテナンスの頻度を少なくすることができ、CVD装置の稼動率を向上させ、生産性を向上させることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置はCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
【0010】
図1に示した減圧CVD装置について説明する。アウターチューブ205は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。インナーチューブ204は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。このアウターチューブ205とインナーチューブ204からプロセスチューブ2は構成されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0011】
アウターチューブ205およびインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205およびインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0012】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ219には、ガスの供給管232が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウターチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232は処理ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【0013】
図2、3に示すようにインナ−チューブ204の側部外周には、窒素ガスを導入するガス導入部30を有し、インナ−チューブ204の側壁内部には窒素ガスを流すことができるガス通路31を有する。また、インナ−チューブ204の側部内壁面には窒素ガスが噴出できるよう複数のガス噴出口32を有し、ガス導入部30とガス通路31とガス噴出口32は外部の窒素ガス供給源(図示せず)からインナ−チューブ204内へと順に連通している。
具体的には、ガス導入部30は窒素ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)33)に連結されており、MFC33はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。さらにガス導入部30はインナーチューブ204の内部に下部から上部にかけて有するガス通路31aの下部に連通する。さらにガス通路31aはインナーチューブ204の内部に円周方向に有するガス通路31bに連通する。例えば、ガス通路31bはインナーチューブ204の内部に上下に複数存在する。また、ガス通路31bは前述した円筒状の複数の箇所からガス噴出口32と連通されている。
【0014】
図2、3に示すようにインナ−チューブ204のガス噴出口32は前記側部に対し垂直方向よりもインナ−チューブ204上端方向に角度を有している。これにより、窒素ガスがインナーチューブ204の側部内壁面を添うように伝いやすくなる。
【0015】
図1に示すようにマニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部により制御する。
【0016】
シールキャップ219には、回転手段(以下回転軸254)が連結されており、回転軸254により、基板保持手段(以下ボート217)及びボート217上に保持されている基板(以下ウエハ200)を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254、及びボートエレベータ115を所定のスピードにするように、駆動制御部により制御する。
【0017】
アウターチューブ205の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円状に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、温度制御部により制御する。
【0018】
図1に示したCVD装置による処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ115によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウエハ200を保持する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ115により、ボート217を上昇させてアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ205内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウエハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを流し、またインナ−チューブ204の側部外周に有するガス導入部30から窒素ガスを供給し、ガス導入部30から側部内部に有するガス通路31を通り、側部内面に有する複数のガス噴出口32から、噴出し供給する。供給された処理用のガスは、インナーチューブ204内を上昇し、ウエハ200に対して均等に供給される。また、インナーチューブ204の側部内面に有する複数のガス噴出口32から供給するガスは、インナーチューブ204の側部内面付近に添いながら、上昇する。
【0019】
減圧CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
【0020】
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウエハ200の減圧CVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウエハ200をアウターチューブ205から取出す。アウターチューブ205から取出されたボート217上の処理済のウエハ200は、未処理のウエハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、減圧CVD処理が成される。
【0021】
なお、一例まで、本実施例のCVD装置にて処理される処理条件は、Si3N4膜の成膜において、ウエハ温度750度、処理用のガスの種類および供給量はNH3を800SCCM、SiH2CL2を80SCCM、インナーチューブ204のガス導入部30への不活性ガスのガス種および供給量はN2を500SCCMとし、処理圧力は40Paである。
【0022】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0023】
例えば、ガス噴出口32は前記下端から上端に有し、大きさを異なるようにし、下端より徐々に大きくなるようすることにより、さらに窒素ガスが供給口からの流れるガスに生じる圧力損失の影響等の違いにより供給量に差違ができるのを生じにくくする手段として好ましい。
【0024】
例えば、ガス噴出口32はヒータ207のゾーンに対し、それぞれにひとつ設けることにより、さらに、または複数設ける場合、また、すくなくとも2つのゾーンに設ける場合も良いとする。複数ゾーンにガス噴出口を設けることにより、インナーチューブ側部内面の上部から下部にかけてより均一に窒素ガスウォールを作ることができる。
【0025】
例えば、不活性ガスとしては窒素ガスを使用するに限らず、アルゴンガスやヘリウムガス等の窒素ガス以外のプリカーサを含まないガス(不活性ガス)を使用してもよい。
【0026】
ガス通路はインナ−チューブの側部内部に形成するに限らず、インナ−チューブの側部外周に形成して、ガス導入部とガス噴出口とを連通するように形成しても良い。
【0027】
前記実施の形態では、SI3N4膜の堆積について説明したが、ドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のCVD膜の成膜全般に適用することができる。
【0028】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧CVD装置および他の熱処理装置(furnace )等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、インナ−チューブの側部内壁面への成膜がしにくくなりパーティクル低減につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態であるインナーチューブの立体図である。
【図3】本発明の一実施の形態であるインナーチューブの正面断面図である。
断面図である。
【符号の説明】
1…処理室、2…プロセスチューブ、30…ガス導入部、31a…ガス通路(上下方向)、
31b…ガス通路(円周方向)、32…ガス噴出口、
33…不活性ガス(窒素ガス)の流量制御手段(マスフローコントローラ)、115…昇降手段(エレベータ)、
200…基板(ウエハ)、204…内管(インナーチューブ)、205…外管(アウターチューブ)、207…ヒータ、
209…マニホールド、217…基板保持具(ボート)、219…蓋体(シールキャップ)、
220…気密部材(Oリング)、231…ガスの排気管、232…ガスの供給管、
241…処理ガスの流量制御手段(マスフローコントローラ)、242…圧力調節器(APC)、
245…圧力検出器(圧力センサ)、246…排気装置(真空ポンプ)、250…筒状空間、
251…保持手段(ヒータベース)、254…回転手段(回転軸)、263…温度検出手段(熱電対)。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造する際に、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等を堆積(デポジション)するのに用いる半導体製造装置に関する。
【0002】
ICの製造方法において、基板(以下、ウエハという。)にポリシリコンやシリコン窒化膜等のCVD膜をデポジションするのにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)が、広く使用されている。従来のこの種のCVD装置としては、内管(以下、インナ−チューブという)およびこのインナ−チューブを取り囲む外管(以下、アウタ−チューブという)から構成され縦形に設置されたプロセスチューブと、複数枚のウエハを保持してインナ−チューブ内に搬入する基板保持手段(以下、ボートという。)と、インナ−チューブ内に処理ガスを供給する供給管と、プロセスチューブ内を排気して減圧する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロセスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、処理ガスの供給管がインナ−チューブ下に位置するマニホールドに開設され、さらに不活性ガス供給管がインナ−チューブとアウタ−チューブの空間に開設され、マニホールドにはインナ−チューブとアウタ−チューブの筒状空間に連通する排気口が開設されているものがある(例えば、特許文献1参照)。
このCVD装置においては、複数枚のウエハがボートに搭載され長く整列されて保持された状態でインナ−チューブ内にマニホールド下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、インナ−チューブ内に処理ガスが供給管から導入されるとともに、ヒータによりプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際、ガス供給管から噴出された処理ガスは、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触し、排気口からアウタ−チューブの外部に排気管により排気される。
【0003】
【特許文献1】
特許3270730号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したCVD装置においてはウエハにCVD膜がデポジションする際、インナーチューブ側部内壁面にも、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していく。CVD膜が累積していくと、CVD膜内に内部応力が発生し、CVD膜自体がこの内部応力に耐えられなくなりクラックが発生する。
一旦、クラックが発生してしまうとこのCVD膜が剥がれ、インナ−チューブ内を浮遊したり、インナ−チューブ下部やウエハの表面上に落ちたりすることにより、パーティクルが発生し続けてしまう。このパーティクルを止めるにはインナーチューブ側部内壁に成膜されたCVD膜を除去しなければならなく、インナ−チューブの取外しなどメンテナンスを度々する必要があった。このメンテナンスをする場合CVD装置の稼動を停止することになり、稼働率を低下させ、生産性の低下を招いてしまう。
【0005】
本発明の目的は、前記したCVD装置において、ウエハにCVD膜がデポジションする際、インナ−チューブ側部内壁面に、処理ガスが接触しCVD膜が成膜していくのを低減することができる基板処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、複数枚の基板を処理する処理室を形成したインナ−チューブと、このインナ−チューブを取り囲むアウタ−チューブと、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入するボートと、前記処理室に処理ガスを導入するガス導入口と、前記アウタ−チューブとインナ−チューブの間より排気する排気口とを、備えている基板処理装置において、前記インナ−チューブは、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口を有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通して、形成されることを特徴とする。
【0007】
前記した手段において、ガスはガス導入口からインナ−チューブ内に導入される。インナ−チューブ内に導入されたガスはインナーチューブの下方から上昇し、ボートに互いに水平に保持された上下のウエハの間を流れてウエハの表面に接触すると同時に、ヒータによりプロセスチューブ内が加熱されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションされる。この際に、インナ−チューブの側部外周に有するガス導入部から不活性ガスを供給し、ガス導入部から側部内部に有するガス通路を通り、側部内面に有する複数のガス噴出口から、噴出されることにより、処理ガスがインナ−チューブ側部内壁面に接触するのを低減することができるので、CVD膜がインナ−チューブ側部内壁面に、接触し成膜していくのを低減することができる。したがって、パーティクルの発生を低減でき、メンテナンスの頻度を少なくすることができ、CVD装置の稼動率を向上させ、生産性を向上させることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【0009】
本実施の形態において、図1に示されているように、本発明に係る半導体製造装置はCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
【0010】
図1に示した減圧CVD装置について説明する。アウターチューブ205は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。インナーチューブ204は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円状に配置されている。このアウターチューブ205とインナーチューブ204からプロセスチューブ2は構成されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0011】
アウターチューブ205およびインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205およびインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0012】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤状の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。シールキャップ219には、ガスの供給管232が貫通するよう設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがアウターチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232は処理ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【0013】
図2、3に示すようにインナ−チューブ204の側部外周には、窒素ガスを導入するガス導入部30を有し、インナ−チューブ204の側壁内部には窒素ガスを流すことができるガス通路31を有する。また、インナ−チューブ204の側部内壁面には窒素ガスが噴出できるよう複数のガス噴出口32を有し、ガス導入部30とガス通路31とガス噴出口32は外部の窒素ガス供給源(図示せず)からインナ−チューブ204内へと順に連通している。
具体的には、ガス導入部30は窒素ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)33)に連結されており、MFC33はガス流量制御部に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。さらにガス導入部30はインナーチューブ204の内部に下部から上部にかけて有するガス通路31aの下部に連通する。さらにガス通路31aはインナーチューブ204の内部に円周方向に有するガス通路31bに連通する。例えば、ガス通路31bはインナーチューブ204の内部に上下に複数存在する。また、ガス通路31bは前述した円筒状の複数の箇所からガス噴出口32と連通されている。
【0014】
図2、3に示すようにインナ−チューブ204のガス噴出口32は前記側部に対し垂直方向よりもインナ−チューブ204上端方向に角度を有している。これにより、窒素ガスがインナーチューブ204の側部内壁面を添うように伝いやすくなる。
【0015】
図1に示すようにマニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部により制御する。
【0016】
シールキャップ219には、回転手段(以下回転軸254)が連結されており、回転軸254により、基板保持手段(以下ボート217)及びボート217上に保持されている基板(以下ウエハ200)を回転させる。又、シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。回転軸254、及びボートエレベータ115を所定のスピードにするように、駆動制御部により制御する。
【0017】
アウターチューブ205の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円状に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、温度制御部により制御する。
【0018】
図1に示したCVD装置による処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ115によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウエハ200を保持する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ115により、ボート217を上昇させてアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ205内を所定の真空状態まで排気した後、回転軸254により、ボート217及びボート217上に保持されているウエハ200を回転させる。同時にガスの供給管232から処理用のガスを流し、またインナ−チューブ204の側部外周に有するガス導入部30から窒素ガスを供給し、ガス導入部30から側部内部に有するガス通路31を通り、側部内面に有する複数のガス噴出口32から、噴出し供給する。供給された処理用のガスは、インナーチューブ204内を上昇し、ウエハ200に対して均等に供給される。また、インナーチューブ204の側部内面に有する複数のガス噴出口32から供給するガスは、インナーチューブ204の側部内面付近に添いながら、上昇する。
【0019】
減圧CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の真空になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間減圧CVD処理を行う。
【0020】
このようにして減圧CVD処理が終了すると、次のウエハ200の減圧CVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウエハ200をアウターチューブ205から取出す。アウターチューブ205から取出されたボート217上の処理済のウエハ200は、未処理のウエハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、減圧CVD処理が成される。
【0021】
なお、一例まで、本実施例のCVD装置にて処理される処理条件は、Si3N4膜の成膜において、ウエハ温度750度、処理用のガスの種類および供給量はNH3を800SCCM、SiH2CL2を80SCCM、インナーチューブ204のガス導入部30への不活性ガスのガス種および供給量はN2を500SCCMとし、処理圧力は40Paである。
【0022】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【0023】
例えば、ガス噴出口32は前記下端から上端に有し、大きさを異なるようにし、下端より徐々に大きくなるようすることにより、さらに窒素ガスが供給口からの流れるガスに生じる圧力損失の影響等の違いにより供給量に差違ができるのを生じにくくする手段として好ましい。
【0024】
例えば、ガス噴出口32はヒータ207のゾーンに対し、それぞれにひとつ設けることにより、さらに、または複数設ける場合、また、すくなくとも2つのゾーンに設ける場合も良いとする。複数ゾーンにガス噴出口を設けることにより、インナーチューブ側部内面の上部から下部にかけてより均一に窒素ガスウォールを作ることができる。
【0025】
例えば、不活性ガスとしては窒素ガスを使用するに限らず、アルゴンガスやヘリウムガス等の窒素ガス以外のプリカーサを含まないガス(不活性ガス)を使用してもよい。
【0026】
ガス通路はインナ−チューブの側部内部に形成するに限らず、インナ−チューブの側部外周に形成して、ガス導入部とガス噴出口とを連通するように形成しても良い。
【0027】
前記実施の形態では、SI3N4膜の堆積について説明したが、ドープドポリシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のCVD膜の成膜全般に適用することができる。
【0028】
前記実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、横形ホットウオール形減圧CVD装置および他の熱処理装置(furnace )等の半導体製造装置全般に適用することができる。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、インナ−チューブの側部内壁面への成膜がしにくくなりパーティクル低減につながる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す正面断面図である。
【図2】本発明の一実施の形態であるインナーチューブの立体図である。
【図3】本発明の一実施の形態であるインナーチューブの正面断面図である。
断面図である。
【符号の説明】
1…処理室、2…プロセスチューブ、30…ガス導入部、31a…ガス通路(上下方向)、
31b…ガス通路(円周方向)、32…ガス噴出口、
33…不活性ガス(窒素ガス)の流量制御手段(マスフローコントローラ)、115…昇降手段(エレベータ)、
200…基板(ウエハ)、204…内管(インナーチューブ)、205…外管(アウターチューブ)、207…ヒータ、
209…マニホールド、217…基板保持具(ボート)、219…蓋体(シールキャップ)、
220…気密部材(Oリング)、231…ガスの排気管、232…ガスの供給管、
241…処理ガスの流量制御手段(マスフローコントローラ)、242…圧力調節器(APC)、
245…圧力検出器(圧力センサ)、246…排気装置(真空ポンプ)、250…筒状空間、
251…保持手段(ヒータベース)、254…回転手段(回転軸)、263…温度検出手段(熱電対)。
Claims (1)
- 複数枚の基板を処理する処理室を形成する内管と、
この内管を取り囲む外管と、前記複数枚の基板を保持して前記処理室に搬入する基板保持具とを備えている基板処理装置において、
前記内管は、側部外周に位置するガス導入部と、側部内部に位置するガス通路と、側部内面に位置する複数のガス噴出口とを有し、前記ガス導入部と前記ガス通路と前記ガス噴出口は、順番に連通して形成されていることを特徴とする基板処理装置。
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