JP2008227013A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成膜処理からクリーニングへの間に待ち時間なくクリーニングを実施し、スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室２７と、該処理室への成膜用の処理ガス供給手段３４と、前記処理室へのクリーニングガス供給手段と、前記処理室に接続され該処理室の成膜用ガスを排気する為の第１の排気ライン６１と、前記処理室に接続され前記処理室のクリーニングガスを排気する為の第２の排気ライン６２と、前記第１の排気ラインに設けられ該第１の排気ラインを開閉する第１の開閉手段６５と、少なくとも前記第１の排気ラインの前記処理室から前記第１の開閉手段迄を加熱する排気ライン加熱手段７６と、前記第２の排気ラインに設けられ該第２の排気ラインを開閉する第２の開閉手段６６と、前記第２の排気ラインの前記処理室と前記第２の開閉手段との間に接続され前記第２の排気ライン内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６８とを具備する。
【選択図】図２

Description

本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板の表面に化学気相生成による薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、或はアッシング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。

シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板（以下ウェーハ）の表面に化学気相生成による薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング、或はアッシング等の基板処理を行う基板処理装置には、ウェーハを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、所定枚数のウェーハを一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。

例えば、縦型の反応炉を有するバッチ式の基板処理装置では、石英製の反応管にウェーハを水平姿勢で多段に収納し、加熱装置によりウェーハが処理温度に加熱された状態で処理ガスが導入され、ウェーハ表面に薄膜が生成される等所要の処理がなされる。

図４により、従来の基板処理装置に用いられる処理炉１の概略を説明する。尚、図中では、加熱装置は省略している。

耐熱金属製材料から成る炉口フランジ２に石英製の外筒３、該外筒３の内部に同心に石英製の内筒４が気密に立設されている。前記外筒３、前記内筒４は反応管５を構成し、該反応管５と前記炉口フランジ２とで処理室６が画成される。

前記炉口フランジ２の下端開口は炉口７を形成し、該炉口７は炉口蓋８によって気密に閉塞される様になっており、該炉口蓋８には図示を省略した基板保持具（ボート）が載置される。前記炉口蓋８は図示しない昇降手段によって昇降可能に支持されている。

前記ボートは、石英製であり、水平姿勢のウェーハを多段に保持するものであり、ウェーハは前記ボートに支持された状態で前記処理室６に収納される。

前記外筒３と前記内筒４との間には下端が閉塞された円筒空間９が形成される。処理ガス導入管１１が、前記円筒空間９の下方で前記処理室６に連通する様に前記炉口フランジ２に接続され、前記円筒空間９の下端部に連通する様、排気管１２が前記炉口フランジ２に接続される。

前記排気管１２は真空ポンプ等を具備する排気装置１３に接続され、前記排気管１２には前記反応管５から下流側に向って開閉弁１４、トラップ装置１５が設けられている。又、前記排気管１２の前記反応管５から前記トラップ装置１５に至る範囲、及び前記開閉弁１４はヒータ１６が設けられており、前記排気管１２、前記開閉弁１４を１５０℃〜２００℃に加熱している。

前記ウェーハに成膜処理等の基板処理を行う場合、前記処理室６に所定枚数のウェーハを収納し、加熱装置によりウェーハを所定温度に加熱した状態で、前記処理ガス導入管１１より処理ガスを導入し、又前記処理室６が処理圧力に維持される様、前記排気管１２を介して排気ガスが前記排気装置１３によって排気される。

基板処理に伴い、反応副生成物が発生し、反応副生成物は前記処理室６壁面や温度が低い箇所、例えば加熱していない前記排気管１２等に付着するか装置外に排出される。例えば、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 が原料ガスであった場合、基板にはシリコン窒化膜が形成され、ＮＨ4 Ｃｌ等の反応副生成物が生成される。

ＮＨ4 Ｃｌは温度が低い箇所、圧力が急激に低下しガス温度が低下する箇所、例えばポンプ周辺で固体として析出し、付着する。反応副生成物の付着が進行すると、流路を閉塞するので、装置が停止してしまう。

従って、前記ヒータ１６によって前記排気管１２を流れる排気ガスを加熱し、又前記トラップ装置１５によって排気ガスを冷却して析出物を除去している。

又、反応副生成物の一部は前記外筒３の内壁或は前記内筒４の内外壁等に堆積する。堆積した反応副生成物は剥離するとパーティクルとなって前記処理室６を浮遊し、ウェーハに付着して製品品質、歩留りを低下させる。そこで、定期的或は所定稼働時間経過後、反応副生成物を除去する為、前記処理室６に清掃用ガスを流通させてセルフクリーニングしている。

セルフクリーニングは、前記処理室６を前記加熱装置の加熱により高温にした状態で前記ガス導入管１１から前記処理室６に清掃用ガス（クリーニングガス）、例えばＮＦ3 ガス、ＣｌＦ3 ガス、Ｆ2 ガスを導入し、前記外筒３の内壁或は前記内筒４の内外壁面等に堆積した反応副生成物をエッチング除去し、清掃用ガスと共に排気する。

前記排気管１２、前記開閉弁１４等は金属製であり、加熱されている状態で前記清掃用ガスに触れると腐食する。この為、成膜処理に引続きクリーニングを連続して実施する場合は、前記ヒータ１６への通電を停止し、前記排気管１２、前記開閉弁１４が冷えるのを待ってクリーニングを実施している。

この為、成膜処理からクリーニングに移行する間に待ち時間が発生し、全体として処理時間が長くなり、スループットが向上しない要因となっていた。

特開２０００−２１７９５号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、成膜処理からクリーニングに移行する間に待ち時間なく、クリーニングの実施を可能とし、スループットの向上を図るものである。

本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に成膜用のガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室に接続され、前記処理ガス供給手段から前記処理室に成膜用ガスが供給される際に該処理室を排気する為の第１の排気ラインと、前記処理室に接続され、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室にクリーニングガスが供給される際に該処理室を排気する為の第２の排気ラインと、前記第１の排気ラインに設けられ、該第１の排気ラインを開閉する第１の開閉手段と、少なくとも前記第１の排気ラインの前記処理室から前記第１の開閉手段迄を加熱する排気ライン加熱手段と、前記第２の排気ラインに設けられ、該第２の排気ラインを開閉する第２の開閉手段と、前記第２の排気ラインの前記処理室と前記第２の開閉手段との間に接続され、前記第２の排気ライン内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備する基板処理装置に係り、又前記第１の排気ラインの前記処理室と前記第１の開閉手段との間に接続され、前記第１の排気ライン内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給手段を更に備える基板処理装置に係るものである。

本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に成膜用のガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室に接続され、前記処理ガス供給手段から前記処理室に成膜用ガスが供給される際に該処理室を排気する為の第１の排気ラインと、前記処理室に接続され、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室にクリーニングガスが供給される際に該処理室を排気する為の第２の排気ラインと、前記第１の排気ラインに設けられ、該第１の排気ラインを開閉する第１の開閉手段と、少なくとも前記第１の排気ラインの前記処理室から前記第１の開閉手段迄を加熱する排気ライン加熱手段と、前記第２の排気ラインに設けられ、該第２の排気ラインを開閉する第２の開閉手段と、前記第２の排気ラインの前記処理室と前記第２の開閉手段との間に接続され、前記第２の排気ライン内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備するので、前記不活性ガス供給手段により、不活性ガスを供給することで前記第２の排気ラインの前記処理室と前記第２の開閉手段との間を不活性ガス雰囲気とすることで前記処理室により成膜用のガスによりウェーハへの成膜処理を実行している場合も前記第２の排気ライン内に反応副生成物が付着するのを防止することができ、成膜処理からクリーニングに移行する際に、前記第１の排気ラインが冷却する迄の待ち時間なく、クリーニングの実施を可能とし、スループットの向上を図れる。

又本発明によれば、前記第１の排気ラインの前記処理室と前記第１の開閉手段との間に接続され、前記第１の排気ライン内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給手段を更に備えるので、前記第１の排気ライン内部を不活性ガス雰囲気とすることで前記処理室によりクリーニングガスにより処理を実行している場合も前記第１の排気ラインの腐食を防止することができ、成膜処理からクリーニングに移行する際に、更に前記第１の排気ラインが冷却する迄の待ち時間なく、クリーニングの実施を可能とし、スループットの向上を図れるという優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

図１は、本発明が実施される基板処理装置が具備する処理炉の一例を示している。

処理炉２１は、加熱手段としてのヒータ２２を有する。該ヒータ２２は円筒形状であり、支持基盤としてのヒータベース２３に支持されることにより垂直に設置されている。

前記ヒータ２２の内側には、該ヒータ２２と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２４が配設されている。該プロセスチューブ２４は内部反応管２５と、その外側に同心に設けられた外部反応管２６とから構成されている。

前記内部反応管２５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状であり、前記外部反応管２６は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状となっている。

前記内部反応管２５の内部には処理室２７が画成され、該処理室２７にはウェーハ２８がボート２９によって保持され、収納可能となっている。該ボート２９は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、所定枚数のウェーハ２８を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート２９の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板３１が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ２２からの熱がマニホールド３２側に伝わり難くなる様構成されている。

前記外部反応管２６の下方には、該外部反応管２６と同心円状に前記マニホールド３２が配設されている。該マニホールド３２は、例えばステンレス鋼等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状となっており、該マニホールド３２の上端に前記外部反応管２６が気密に立設され、前記マニホールド３２の内壁に突設された内フランジ３３に前記内部反応管２５が立設されている。前記プロセスチューブ２４と前記マニホールド３２により反応容器が形成される。

シールキャップ４７にはガス導入部としてのノズル３４が前記処理室２７に連通する様に設けられ、前記ノズル３４にはガス供給管３５が接続されている。該ガス供給管３５には、ガス流量制御器３６を介して図示しない処理ガス供給源、不活性ガス供給源、クリーニングガス供給源が接続され、更に前記ガス供給管３５にはガス給排の為の開閉弁、例えば前記ガス流量制御器３６の上流側、下流側には第１開閉弁３７、第２開閉弁３８が設けられている。

前記ガス流量制御器３６には、ガス流量制御部３９が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所要の量となる様所要のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記マニホールド３２には、前記処理室２７の雰囲気を排気する排気系４１が設けられている。該排気系４１は、前記内部反応管２５と前記外部反応管２６との間に形成される筒状空間４２の下端部に連通している。前記排気系４１には圧力センサ４３及び圧力調整装置４４が設けられ、真空ポンプ等の真空排気装置４５が接続されており、前記処理室２７の圧力が所定の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。

前記排気系４１について図２〜図３により、更に説明する。

該排気系４１は、前記筒状空間４２に連通する主排気管６１、前記筒状空間４２に連通する副排気管６２を具備し、前記主排気管６１、前記副排気管６２はトラップ装置６３の下流側で排気管６４として合流し、該排気管６４には前記圧力調整装置４４、前記真空排気装置４５が設けられている。

前記主排気管６１の前記トラップ装置６３の上流側には第３開閉弁６５が設けられ、前記副排気管６２には第４開閉弁６６が設けられている。前記主排気管６１の上流端から前記第３開閉弁６５迄、及び前記副排気管６２の上流端から前記第４開閉弁６６迄は、それぞれ２重管構造となっている。前記主排気管６１の２重管部６１ａには主不活性ガス供給管６７が連通され、前記副排気管６２の２重管部６２ａには副不活性ガス供給管６８が連通され、前記主不活性ガス供給管６７、前記副不活性ガス供給管６８は第５開閉弁６９及び第６開閉弁７０を介してそれぞれ不活性ガス供給源（図示せず）に接続されている。

又、前記２重管部６１ａ部分、及び前記第３開閉弁６５にはヒータ７６が設けられ、１５０℃〜２００℃に加熱する様になっている。更に好ましくは、前記第３開閉弁６５と前記トラップ装置６３との間にも前記ヒータ７６を設け、１５０〜２００℃に加熱する様にするとよい。

前記２重管部６１ａ、前記２重管部６２ａについて、図３を参照して説明する。尚、前記２重管部６１ａと前記２重管部６２ａとは同一構造であるので、以下は２重管部６２ａについて説明する。

前記副排気管６２に対して同心に内管７２が設けられ、該内管７２はステンレス鋼等の耐腐食性金属製であり、前記内管７２にはガス吐出孔７４が全面に亘り、多数均等な分布で穿設されている。前記副排気管６２との間には円筒状の間隙７３が形成され、該間隙７３と前記副排気管６２内部とは前記ガス吐出孔７４によって連通され、前記間隙７３には前記副不活性ガス供給管６８が連通している。

図示しない不活性ガス供給源より前記副不活性ガス供給管６８を介して不活性ガスが前記間隙７３に供給されることで、前記ガス吐出孔７４より不活性ガスが前記内管７２の全面から均一に流出する様になっている。

前記圧力調整装置４４及び前記圧力センサ４３、前記第３開閉弁６５、前記第４開閉弁６６、前記第５開閉弁６９、前記第６開閉弁７０には、圧力制御部４６が電気的に接続されており、該圧力制御部４６は前記圧力センサ４３により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置４４により前記処理室２７の圧力が所要の圧力となる様、所要のタイミングにて制御され、又前記第３開閉弁６５、前記第４開閉弁６６、前記第５開閉弁６９、前記第６開閉弁７０が所要のタイミングで開閉される様になっている。

前記マニホールド３２の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シールキャップ４７によって気密に閉塞可能である。該シールキャップ４７は例えばステンレス鋼等の金属からなり、円盤状に形成されている。該シールキャップ４７の下面側には、前記ボート２９（図１参照）を回転させる回転機構４８が設けられている。該回転機構４８の回転軸４９は前記シールキャップ４７を貫通してボート受け台５１に連結されており、前記ボート２９を回転させることでウェーハ２８を回転させる様に構成されている。

前記シールキャップ４７は、垂直方向に昇降される様にボートエレベータ５２によって支持されており、これにより前記ボート２９を前記処理室２７に対し装入引出しすることが可能となっている。前記回転機構４８及び前記ボートエレベータ５２には、駆動制御部５３が電気的に接続されており、所要の作動をする様所要のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記筒状空間４２には温度センサ５４が前記内部反応管２５の下部から上部に掛渡って立設されている。前記ヒータ２２と前記温度センサ５４、前記ヒータ７６には、電気的に温度制御部５５が接続されており、該温度制御部５５は前記温度センサ５４により検出された温度情報に基づき前記ヒータ２２への通電状態を調整することにより前記処理室２７の温度が所要の温度分布となる様に制御する。又、前記温度制御部５５は前記主排気管６１の前記２重管部６１ａに設けられる温度センサ（図示せず）により検出された温度情報に基づき前記ヒータ７６への通電状態を調整することにより前記２重管部６１ａ等の温度が所定の温度分布となる様に制御する。

前記ガス流量制御部３９、前記圧力制御部４６、前記駆動制御部５３、前記温度制御部５５は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部５６に電気的に接続されている。前記ガス流量制御部３９、前記圧力制御部４６、前記駆動制御部５３、前記温度制御部５５、前記主制御部５６は制御装置５７として構成されている。

次に、上記構成に係る処理炉２１を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ２８上への薄膜の処理（成膜処理）について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の作動は前記制御装置５７により制御される。

所定枚数のウェーハ２８が基板移載機（図示せず）によって前記ボート２９に装填されると、該ボート２９は、前記ボートエレベータ５２によって上昇されて前記処理室２７に装入される。この状態で、前記シールキャップ４７は炉口部を気密に閉塞する。

成膜処理を実行するにあたり、前記第４開閉弁６６を閉塞し、前記第３開閉弁６５を開放し、前記ヒータ７６により前記２重管部６１ａを加熱する。又、前記第５開閉弁６９を閉塞し、前記第６開閉弁７０を開放して前記２重管部６２ａに不活性ガスを供給し、前記内管７２の前記ガス吐出孔７４から不活性ガスを流出させておく。

前記処理室２７が所定の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置４５によって真空排気される。この際、前記処理室２７の圧力は、前記圧力センサ４３で検出され、検出結果に基づき前記圧力調整装置４４が、前記処理室２７の圧力をフィードバック制御する。

又、該処理室２７が所定の温度（処理温度）となる様に前記ヒータ２２によって加熱される。この際、前記処理室２７が所定の温度分布となる様に前記温度センサ５４が検出した温度情報に基づき前記ヒータ２２への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構４８により、前記ボート２９が回転される。該ボート２９と一体にウェーハ２８が回転され、該ウェーハ２８に対する処理が均一化される。

又、前記第１開閉弁３７、前記第２開閉弁３８等、前記ガス供給管３５に設けられた開閉弁の開閉作動が行われ、処理ガス供給源（図示せず）から処理ガスの供給が開始される。前記ガス流量制御器３６にて所要の流量となる様に制御された処理ガスは、前記ガス供給管３５を流通して前記ノズル３４から前記処理室２７に導入される。導入された処理ガスは該処理室２７を上昇し、前記内部反応管２５の上端開口で折返し、前記筒状空間４２を流下して前記排気系４１から排気される。処理ガスは前記処理室２７を通過する際にウェーハ２８の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ２８の表面上に薄膜が成膜される。

成膜処理中、排気ガスは前記２重管部６１ａ、前記第３開閉弁６５、前記トラップ装置６３を経て前記真空排気装置４５より排気される。又、反応副生成物が前記２重管部６１ａに付着しない様に前記ヒータ７６によって所定温度に加熱される。又、前記トラップ装置６３では排気ガスを冷却し、排気ガス中の処理ガス、反応副生成物の低温で液化、固化するものを析出させ、除去する。

この時、前記２重管部６２ａ内に前記副不活性ガス供給管６８から不活性ガスが供給されていることにより、前記処理室２７からの排気ガスが前記処理室２７側から前記第４開閉弁６６側へ流れず、前記第４開閉弁６６側から前記処理室２７側への不活性ガスの流れを作ることができ、前記２重管部６２ａ内に反応副生成物の付着が抑制できる。

而も、前記副排気管６２は２重配管構造となっており、前記副排気管６２（外管）と前記内管７２との間に前記間隙７３を有し、前記内管７２は、複数の前記ガス吐出孔７４を有しているので、不活性ガスが前記内管７２全面から均一に流出する様にすることができ、より一層前記２重管部６２ａ内（前記内管７２内）への反応副生成物の付着を抑制することができる。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室２７が不活性ガスに置換されると共に、該処理室２７の圧力が常圧に復帰される。

前記ボートエレベータ５２により前記シールキャップ４７を介して前記ボート２９が降下される。

処理後の処理済みウェーハ２８の搬出については、上記説明と逆の手順で行われる。

次に、クリーニング処理について説明する。

クリーニング処理を実行する場合は、前記第３開閉弁６５及び前記第６開閉弁７０を閉じ、前記第４開閉弁６６を開放し、前記第５開閉弁６９を開放する。

該第５開閉弁６９を開放することで、前記２重管部６１ａの内部に前記間隙７３、前記ガス吐出孔７４を介して不活性ガスが流出し、前記２重管部６１ａの内部は不活性ガス雰囲気とされる。

前記真空排気装置４５を駆動し、又前記圧力調整装置４４を制御して前記処理室２７を排気する。

該処理室２７を前記ヒータ２２の加熱により高温にした状態で前記ノズル３４から前記処理室２７にクリーニングガス、例えばＮＦ3 ガス、ＣｌＦ3 ガス、Ｆ2 ガスを導入し、前記外部反応管２６の内壁或は前記内部反応管２５の内外壁面等に堆積した反応副生成物をエッチング除去する。クリーニング後の排気ガスは、クリーニングガスと共に前記副排気管６２を経て排気される。

この時、前記２重管部６１ａ内に前記主不活性ガス供給管６７から不活性ガスが供給されていることにより、前記処理室２７からのクリーニングガスが前記処理室２７側から前記第３開閉弁６５側へ流れず前記第３開閉弁６５側から前記処理室２７側への不活性ガスの流れを作ることができ、前記２重管部６１ａの内部の腐食を抑制することができる。

而も前記主排気管６１は２重配管構造となっており、前記主排気管６１（外管）と前記主排気管６１内の前記内管７２との間に前記間隙７３を有し、前記内管７２は複数の前記ガス吐出孔７４を有しているので、不活性ガスが前記内管７２全面から均一に流出する様にすることができ、より一層前記２重管部６１ａ内（前記内管７２内）の腐食を抑制することができる。

尚、クリーニング処理中、前記２重管部６２ａの不活性ガスを停止する。

所定時間クリーニング処理を実行し、クリーニングが終了すると、前記処理室２７を排気し、不活性ガスを該処理室２７に供給してガスパージし、次工程の基板処理を可能な状態にする。

尚、前記２重管部６１ａ，６２ａは、前記内管７２を設けないで、２重管とせず１重管とし、前記主不活性ガス供給管６７、前記副不活性ガス供給管６８からそれぞれ直接、管内に不活性ガスを供給する様にしてもよい。

更に、前記内管７２は交換可能としてもよい。

更に又、前記主排気管６１、前記副排気管６２の前記２重管部６１ａ、前記２重管部６２ａは、両方に設けてもよいし、いずれか一方に設けてもよい。

更に又、前記主不活性ガス供給管６７を設けなくてもよい。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室に成膜用のガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室に接続され、前記処理ガス供給手段から前記処理室に成膜用ガスが供給される際に該処理室を排気する為の第１の排気ラインと、前記処理室に接続され、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室にクリーニングガスが供給される際に該処理室を排気する為の第２の排気ラインと、前記第１の排気ラインに設けられ、該第１の排気ラインを開閉する第１の開閉手段と、該第１の開閉手段より下流側の前記第１の排気ラインに設けられ、該第１の排気ラインから排気された排気ガスを冷却する冷却手段と、少なくとも前記第１の排気ラインの前記処理室から前記冷却手段迄を加熱する排気ライン加熱手段と、前記第２の排気ラインに設けられ、該第２の排気ラインを開閉する第２の開閉手段とを備え、前記第２の排気ラインは、前記処理室と前記第２の開閉手段との間が第１の内管と第１の外管とで形成される２重配管構造となっており、前記第１の外管と前記第１の内管との間に第１の隙間を有し、前記第１の内管は複数の第１の流出孔を有し、前記第１の隙間に不活性ガスを供給することで前記第１の流出孔から前記第１の内管内に不活性ガスを供給可能としたことを特徴とする基板処理装置。

（付記２）前記第１の排気ラインは、前記処理室と前記第１の開閉手段との間が第２の内管と第２の外管とで形成される２重配管構造となっており、前記第２の外管と前記第２の内管との間に隙間を有し、前記第２の内管には複数の第２の流出孔を有し、前記第２の隙間に不活性ガスを供給することで前記第２の流出孔から前記第２の内管内に不活性ガスを供給可能とした付記１の基板処理装置。

（付記３）前記第１の排気ラインと前記第２の排気ラインとは、前記冷却手段より下流側で接続される様接続部を有する付記１，２の基板処理装置。

（付記４）前記接続部に接続され、下流側に設けられる第３の排気ラインとを更に備え、該第３の排気ラインには排気手段が備えられている付記３の基板処理装置。

（付記５）付記１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記第１の排気ラインを前記排気ライン加熱手段により加熱する工程と、前記第１の隙間に不活性ガスを供給する工程と、前記処理室に前記処理ガス供給手段から処理ガスを供給しつつ前記第１の排気ラインから排気し、基板を処理する工程とを有する半導体装置の製造方法。

（付記６）付記２の基板処理装置を用いて処理するクリーニング方法であって、前記第２の隙間に不活性ガスを供給する工程と、前記処理室に前記クリーニングガス供給手段からクリーニングガスを供給しつつ前記第２の排気ラインから排気する工程とを有するクリーニング方法。

本発明に係る基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態を示す概略説明図である。 本発明の実施の形態の要部を示す説明図である。 従来の処理炉の概略説明図である。

符号の説明

２１ 処理炉
２７ 処理室
３４ ノズル
４１ 排気系
４４ 圧力調整装置
４５ 真空排気装置
６１ 主排気管
６１ａ ２重管部
６２ 副排気管
６２ａ ２重管部
６３ トラップ装置
６５ 第３開閉弁
６６ 第４開閉弁
６７ 主不活性ガス供給管
６８ 副不活性ガス供給管
６９ 第５開閉弁
７０ 第６開閉弁
７２ 内管
７３ 間隙
７４ ガス吐出孔

Claims (2)

1. 基板を処理する処理室と、該処理室に成膜用のガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室に接続され、前記処理ガス供給手段から前記処理室に成膜用ガスが供給される際に該処理室を排気する為の第１の排気ラインと、前記処理室に接続され、前記クリーニングガス供給手段から前記処理室にクリーニングガスが供給される際に該処理室を排気する為の第２の排気ラインと、前記第１の排気ラインに設けられ、該第１の排気ラインを開閉する第１の開閉手段と、少なくとも前記第１の排気ラインの前記処理室から前記第１の開閉手段迄を加熱する排気ライン加熱手段と、前記第２の排気ラインに設けられ、該第２の排気ラインを開閉する第２の開閉手段と、前記第２の排気ラインの前記処理室と前記第２の開閉手段との間に接続され、前記第２の排気ライン内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の排気ラインの前記処理室と前記第１の開閉手段との間に接続され、前記第１の排気ライン内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給手段を更に備える請求項１の基板処理装置。

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