JP2008227143A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】稼働率の低下を防止しつつドライクリーニング方法を実施する。
【解決手段】ＣＶＤ装置の処理炉３０は、処理室３６内に成膜ガスやクリーニングガスを供給するノズル５１、５６と、ノズル５１、５６に開閉弁５３、５８を介して接続され成膜ガスを供給する成膜ガス供給ライン５２、５７と、ノズル５１、５６に開閉弁６３、６７を介して接続されクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン６２、６６と、ノズル５１と成膜ガス供給ライン５２を加熱するヒータ７２とを具備する。排気管４０にヒータ７１を敷設する。成膜する際にはヒータ７２を所定の温度に加熱維持する。ドライクリーニングする際には、ヒータ７１、７２をエッチング温度以下に制御する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板処理装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜および半導体膜を形成するのに利用して有効なものに関する。

ＩＣの製造方法において、ウエハに窒化膜を形成する工程（プロセス）には、密閉された反応室（処理室）内にジクロロシランガスとアンモニアガスとを供給し、ウエハ上に窒化シリコン膜を熱化学反応によってデポジション（堆積）させるＣＶＤ装置が、広く使用されている。例えば、特許文献１参照。
特開平１１−２８８９２７号公報

このようなＣＶＤ装置においては、ウエハの表面に対するＣＶＤ膜の形成が本来の目的であるが、 実際にはウエハの表面以外、 例えば、処理室や排気管の表面にもＣＶＤ膜が堆積してしまう。
この堆積膜の厚さが一定以上に達すると、膜剥離が生じウエハ上での異物発生要因となってしまう。
このため、 処理室や排気管の表面に堆積した堆積膜を除去するクリーニング方法を実施することが必要となる。
そこで、堆積膜が一定以上付着すると、処理室を形成するプロセスチューブや排気管をＣＶＤ装置から取外してＨＦ（弗化水素）の水溶液の洗浄槽により除去するウエットクリーニング方法が、従来から実施されている。

しかしながら、ウエットクリーニング方法はメンテナンスがきわめて困難であるために、近年は、 メンテナンスが容易なドライクリーニング方法が採用され始めている。
ドライクリーニング方法を実施するＣＶＤ装置としては、ドライクリーニングを実施する専用のガス配管およびノズルを設け、処理室内にクリーニングガスを供給するように構成したものが、考えられる。

しかしながら、クリーニングガスを供給する専用のガス配管およびノズルを設けるＣＶＤ装置においては、窒化シリコンの形成処理によって発生した反応副生成物（塩化アンモニウム）がクリーニングガス供給専用のガス配管およびノズルに押し戻されてしまう。
塩化アンモニウムの真空状態における昇華温度は、１２０℃程度である。
そこで、クリーニング専用のガス配管およびノズルに配管ヒータを敷設して昇華温度以上に加熱することが考えられるが、処理室との接続に使用されるフレキシブル配管は、その形状の性質上、配管ヒータとの接触面積を充分に確保することができないために、加熱が不充分になってしまうことがある。
以上の理由により、クリーニング専用の配管およびノズルに反応副生成物が堆積してしまい、その堆積した反応副生成物が剥がれてパーティクル源となってしまう。
したがって、クリーニング専用の配管およびノズルに対するメンテナンス作業を頻繁に実施しなければならない。結局、ＣＶＤ装置の稼働率が低下してしまう。

本発明の目的は、 稼働率の低下を防止しつつドライクリーニング方法を実施することができる基板処理装置を提供することにある。

前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を処理する処理室と、
前記処理室内に成膜ガスないしクリーニングガスを供給する第一ガス供給ラインと、
該第一ガス供給ラインに第一開閉弁を介して接続され、該第一ガス供給ラインに成膜ガスを供給する成膜ガス供給ラインと、
前記第一ガス供給ラインに第二開閉弁を介して接続され、前記第一ガス供給ラインにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ラインと、
前記第一ガス供給ラインを加熱するヒータと、
前記成膜ガス供給ラインから前記第一ガス供給ラインに前記第一開閉弁を開き成膜ガスを供給する際には、前記ヒータを所定の温度に加熱維持し、前記クリーニングガス供給ラインから第一ガス供給ラインに前記第二開閉弁を開きクリーニングガスを供給する際には、前記ヒータに電力を供給しないように制御する加熱制御部と、
を備えた基板処理装置。
（２）基板を処理室内に搬入するステップと、
成膜ガス供給ラインを加熱する第一ヒータによって成膜ガスを加熱するステップと、
前記成膜ガス供給ラインに第一開閉弁を介して接続される第一ガス供給ラインへ前記第一開閉弁を開き前記成膜ガス供給ラインから成膜ガスを供給するステップと、
少なくとも前記第一ガス供給ラインへ成膜ガスが供給されている間、第二ヒータによって前記第一ガス供給ラインを加熱するステップと、
前記成膜ガスを前記第一ガス供給ラインから前記処理室内に供給するステップと、
前記成膜ガスとは異なるガス種の成膜ガスを前記処理室内に供給するステップと、
少なくとも前記処理室内へ成膜ガスを供給している間、前記処理室内を排気する排気ラインを第三ヒータによって加熱するステップと、
前記処理室内を加熱し前記基板を処理するステップと、
前記基板を処理室内から搬出するステップと、
前記第二ヒータおよび第三ヒータへの電力の供給を止めるステップと、
前記処理室内を密閉するステップと、
第二開閉弁を介して前記第一ガス供給ラインに接続されるクリーニングガス供給ラインから前記第二開閉弁を開きクリーニングガスを供給するステップと、
を備えた半導体装置の製造方法。

前記（１）（２）によれば、処理室内をクリーニングする際に、クリーニングガスによるガス供給ラインの腐食を防止することができる。
他方、成膜する際に、ガス供給ライン内での成膜ガスの液化を防止するとともに、成膜ガスの反応によって発生する副生成物がガス供給ラインに逆流するのを防止することができる。

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。

本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法における成膜工程を実施するバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ＣＶＤ装置という。）として構成されている。

図１および図２に示されているように、ＣＶＤ装置１０は略直方体の箱形状に形成された筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁の内側にはカセットステージ１２が設置されており、カセットステージ１２にはウエハ１を収納して搬送するカセット２が構内搬送装置（図示せず）によって供給されるようになっている。
筐体１１の内部室のカセットステージ１２の後側には、昇降手段としてのカセットエレベータ１３が設けられており、カセットエレベータ１３には搬送手段としてのカセット移載装置１４が取り付けられている。
カセットエレベータ１３の後側にはカセット２を保管するカセット棚１５が設けられており、カセットステージ１２の上方には予備カセット棚１６が設けられている。予備カセット棚１６の上方にはクリーンユニット１７が設けられており、クリーンユニット１７はクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるように構成されている。
筐体１１の内部室のカセット棚１５の後側には、移載装置エレベータ１８が垂直に設置されており、移載装置エレベータ１８にはウエハ１を移載するウエハ移載装置１９が設置されている。

筐体１１内の移載装置エレベータ１８の後側には、モータ駆動方式の送りねじ軸装置等によって構築されたボートエレベータ２０が設置されており、ボートエレベータ２０の昇降台２１にはボート２３がアーム２２や断熱キャップ２８およびシールキャップ２９を介して支持されている。
ボート２３は上下で一対の端板２４および２５と、両端板２４、２５間に垂直に配設された複数本の保持部材２６とを備えており、各保持部材２６には複数条の保持溝２７が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設されている。
そして、ウエハ１は複数条の保持溝２７間に外周辺部が挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボート２３に保持されるようになっている。ボート２３とシールキャップ２９との間には断熱キャップ２８が形成されている。

本実施の形態に係るＣＶＤ装置は、図３に示された処理炉３０を備えている。
図３に示されているように、処理炉３０は加熱機構としてのヒータ３１を有する。
ヒータ３１は円筒形状であり、支持板としてのヒータベース３２に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ３１の内側には反応管としてのプロセスチューブ３３が、ヒータ３１と同心円状に配設されている。プロセスチューブ３３は外部反応管としてのアウタチューブ３４と、その内側に設けられた内部反応管としてのインナチューブ３５とから構成されている。
アウタチューブ３４は、例えば石英（ＳｉＯ₂ ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、内径がインナチューブ３５の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ３５と同心円状に設けられている。
インナチューブ３５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナチューブ３５の筒中空部には処理室３６が形成されており、基板としてのウエハ１をボート２３によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウタチューブ３４とインナチューブ３５との隙間によって筒状空間３７が形成されている。

アウタチューブ３４の下側にはマニホールド３８が、アウタチューブ３４と同心円状に配設されている。マニホールド３８は例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。
マニホールド３８はインナチューブ３５とアウタチューブ３４とに係合しており、これらを支持するように設けられている。マニホールド３８がヒータベース３２に支持されることにより、プロセスチューブ３３は垂直に据え付けられた状態となっている。
プロセスチューブ３３とマニホールド３８により反応容器が形成される。
なお、マニホールド３８とアウタチューブ３４との間には、シール部材としてのＯリング３９が設けられている。

マニホールド３８には処理室３６内の雰囲気を排気するラインとしての排気管４０が設けられている。排気管４０は、インナチューブ３５とアウタチューブ３４との隙間によって形成された筒状空間３７の下端部に配置されており、筒状空間３７に連通している。
排気管４０のマニホールド３８との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ４１および圧力調整装置（可変コンダクタンスバルブ）４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置４３が接続されており、処理室３６内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。
圧力調整装置４２および圧力センサ４１には圧力制御部４４が、電気配線Ｂによって電気的に接続されている。
圧力制御部４４は圧力センサ４１によって検出された圧力に基づいて圧力調整装置４２により、処理室３６内の圧力が所望の圧力とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド３８の下方には、マニホールド３８の下端開口を気密に閉塞する炉口蓋体としてのシールキャップ２９が設けられている。シールキャップ２９はマニホールド３８の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。
シールキャップ２９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２９の上面には、マニホールド３８の下端と当接するシール部材としてのＯリング２９ａが設けられている。
シールキャップ２９はプロセスチューブ３３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ２０によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２３を処理室３６に対し搬入搬出することが可能となっている。

シールキャップ２９の処理室３６と反対側には、ボートを回転させる回転機構４５が設置されている。回転機構４５の回転軸４６はシールキャップ２９を貫通して、ボート２３に接続されており、ボート２３を回転させることでウエハ１を回転させるように構成されている。
回転機構４５およびボートエレベータ２０には、駆動制御部４７が電気配線Ａによって電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

プロセスチューブ３３内には温度検出器としての温度センサ４８が設置されている。
ヒータ３１と温度センサ４８とには温度制御部４９が、それぞれ電気配線Ｄによって電気的に接続されている。
温度制御部４９は温度センサ４８により検出された温度情報に基づきヒータ３１への通電具合を調整することにより、処理室３６内の温度を所望の温度分布とさせるべく所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド３８には第一ガス供給ラインとしてのノズル５１が処理室３６内に連通するように接続されており、ノズル５１には成膜ガス供給ライン５２が第一開閉弁としての成膜ガス用開閉弁５３を介して接続されている。
成膜ガス供給ライン５２のノズル５１との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのマスフローコントローラ（以下、ＭＦＣという。）５４を介して、第一成膜ガスとしてのジクロロシラン（ＳｉＨ₂ Ｃｌ₂ ）を供給する成膜ガス供給源（以下、ジクロロシラン供給源という。）５５が接続されている。

マニホールド３８のノズル（以下、第一ノズルという。）５１とは他の部位には、別の第一ガス供給ラインとしてのノズル（以下、第二ノズルという。）５６が処理室３６内に連通するように接続されており、第二ノズル５６には成膜ガス供給ライン５７が、別の第一開閉弁としての成膜ガス用開閉弁（以下、第二成膜ガス用開閉弁という。）５８を介して接続されている。
成膜ガス供給ライン５７の第二ノズル５６との接続側と反対側である上流側には、ＭＦＣ５９を介して、別の成膜ガスとしてのアンモニア（ＮＨ₃ ）を供給する成膜ガス供給源（以下、アンモニア供給源という。）６０が接続されている。

ＭＦＣ５４、５９には成膜ガス流量制御部６１が電気配線Ｃによって電気的に接続されている。
成膜ガス流量制御部６１は供給するガスの流量を所望の量とさせるべく所望のタイミングにて、ＭＦＣ５４、５９を制御するように構成されている。
便宜上、図２および図３において、第一ノズル５１および第二ノズル５６は上下方向にずらして図示しているが、実際上は、第一ノズル５１および第二ノズル５６は周方向にずらされて配置されている。

第一ノズル５１にはクリーニングガス供給ライン６２が第二開閉弁としてのクリーニングガス用開閉弁６３を介して接続されている。
クリーニングガス供給ライン６２の第一ノズル５１との接続側と反対側である上流側にはＭＦＣ６４を介して、クリーニングガスとしての弗化窒素（ＮＦ₃ ）を供給するクリーニングガス供給源６５が接続されている。
また、第二ノズル５６にはクリーニングガス供給ライン６２の分岐ライン６６が、別の第二開閉弁としてのクリーニングガス用開閉弁６７を介して接続されている。
ＭＦＣ６４およびクリーニングガス用開閉弁６３、６７にはクリーニングガス流量制御部６８が電気配線Ｅによって電気的に接続されている。
クリーニングガス流量制御部６８は供給するガス流量を所望量とさせるべくＭＦＣ６４を制御するように構成されているとともに、クリーニングガス用開閉弁６３、６７を所望のタイミングにて開閉するように構成されている。

図３に示されているように、排気管４０にはジャケットヒータ等からなる第一ヒータ７１が敷設されている。
また、第一ノズル５１および成膜ガス供給ライン５２には、テープヒータ等からなる第二ヒータ７２が全長にわたって敷設されている。
これらのヒータ７１、７２は温度制御部７４にそれぞれ電気配線Ｆによって接続されている。温度制御部７４は排気管４０と第一ノズル５１および成膜ガス供給ライン５２との温度を、 所定の温度とさせるべく制御するように構成されている。

圧力制御部４４、駆動制御部４７、成膜ガス流量制御部６１、クリーニングガス流量制御部６８、温度制御部７４は、操作部および入出力部をも構成しており、ＣＶＤ装置全体を制御する主制御部７５に電気的に接続されている。
圧力制御部４４、駆動制御部４７、成膜ガス流量制御部６１、クリーニングガス流量制御部６８、温度制御部７４および主制御部７５は、コントローラ７６として構成されている。

次に、以上の構成に係るＣＶＤ装置１０を用いて、ウエハ１の上に窒化シリコン膜を形成する方法について説明する。
なお、以下の説明において、ＣＶＤ装置１０を構成する各部の動作はコントローラ７６により制御される。

ウエハ１が装填されたカセット２はカセットステージ１２にウエハ１が上向きの姿勢で構内搬送装置によって搬入され、カセットステージ１２によってウエハ１が水平姿勢となるように９０度回転させられる。
さらに、カセット２はカセットエレベータ１３の昇降動作、横行動作およびカセット移載装置１４の進退動作、回転動作の協働によって、カセットステージ１２からカセット棚１５または予備カセット棚１６に搬送される。カセット棚１５にはウエハ移載装置１９の搬送対象となるカセット２が収納される移載棚が設定されており、ウエハ１が移載に供されるカセット２はカセットエレベータ１３、カセット移載装置１４により移載棚に移載される。

カセット２が移載棚に移載されると、ウエハ１は移載棚からボート２３へ、ウエハ移載装置１９の進退動作、回転動作および移載装置エレベータ１８の昇降動作の協働により移載される。複数枚のウエハ１はボート２３に互いに平行で中心線が揃った状態にウエハ移載装置１９によって装填（ウエハチャージング）される。

所定の枚数のウエハ１がボート２３に装填（ウエハチャージ）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ１を保持したボート２３は、ボートエレベータ２０によって持ち上げられて処理室３６に搬入（ボートローディング）される。
この状態で、シールキャップ２９はＯリング２９ａを介してマニホールド３８の下端をシールした状態となる。

処理室３６内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置４３によって真空排気される。この際、処理室３６内の圧力は圧力センサ４１で測定され、この測定された圧力に基づき、圧力調整装置４２がフィードバック制御される。
また、処理室３６内が所望の温度となるようにヒータ３１によって加熱される。
この際、処理室３６内が所望の温度分布となるように温度センサ４８が検出した温度情報に基づきヒータ３１への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構４５によってボート２３が回転されることにより、ウエハ１が回転される。

次いで、ジクロロシランガスおよびアンモニアガスが第一ノズル５１および第二ノズル５６から処理室３６内へ供給される。
供給されたジクロロシランガスおよびアンモニアガスは処理室３６内を上昇し、インナチューブ３５の上端開口から筒状空間３７に流出して排気管４０から排気される。
処理室３６内を通過する際に、ジクロロシランガスおよびアンモニアガスはウエハ１の表面と接触し、この際に、熱ＣＶＤ反応によってウエハ１の表面上に窒化シリコン膜が堆積（デポジション）される。

このとき、ジクロロシランガスの沸点は８．４℃であるため、液化しないように、温度制御部７４は第二ヒータ７２を制御することにより、第一ノズル５１および成膜ガス供給ライン５２の温度を、４０℃程度に維持する。
また、温度制御部７４は第一ヒータ７１を制御することにより、排気管４０を１５０℃程度に維持する。

予め設定された処理時間が経過すると、図示しない不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室３６内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室３６内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ２０によりシールキャップ２９が下降されて、マニホールド３８の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ１がボート２３に保持された状態でマニホールド３８の下端からプロセスチューブ３３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
その後、処理済ウエハ１はボート２３より取り出される（ウエハディスチャージ）。

ところで、以上のような成膜ステップの実施に際しては、プロセスチューブ３３やマニホールド３８や排気管４０やシールキャップ２９や第一ノズル５１および第二ノズル５６の表面にもＣＶＤ膜が堆積してしまう。
この堆積膜の厚さが一定以上に達すると、膜剥離が生じるために、ウエハ１上での異物発生要因となってしまう。
そこで、本実施の形態に係るＩＣの製造方法においては、堆積膜が剥離する厚さになる前に、ドライクリーニングステップを実施する。

以下に、弗化窒素ガスを処理炉３０内に直接供給し、 付着した堆積膜を除去するドライクリーニングステップについて説明する。

堆積膜が付着したプロセスチューブ３３において、 処理室３６内の温度をヒータ３１によって所定の温度（弗化窒素によるドライエッチング温度）まで加熱する。
この後、クリーニングガス用開閉弁６３、６７を開き、クリーニングガスとしての弗化窒素ガスをクリーニングガス供給ライン６２および分岐ライン６６を経由して、第一ノズル５１および第二ノズル５６へ供給し、弗化窒素ガスのエッチング反応によって堆積膜を除去する。
このとき、 温度制御部７４は第二ヒータ７２をＯＦＦにすることにより、弗化窒素による第一ノズル５１および成膜ガス供給ライン５２の腐食を防止する。
また、温度制御部７４は第一ヒータ７１を制御することによって、排気管４０の温度を１０５℃以下に維持する。これにより、排気管４０の弗化窒素による腐食を防止することができる。

堆積膜が除去されたら、 直ちに、第一ノズル５１および第二ノズル５６からのクリーニングガス供給を止め、 処理室３６内のシーズニングを行ない、 成膜ステップに移行することができる状態に復帰させる。

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。

1) クリーニングガスを使用してドライクリーニングを実施する際に、第一ノズルおよび成膜ガス供給ラインを加熱しないことにより、第一ノズルおよび成膜ガス供給ラインの腐食を防止することができる。

2) 第一ノズルおよび成膜ガス供給ラインの腐食を防止することにより、第一ノズルおよび成膜ガス供給ライン等のＣＶＤ装置構成部材の定期的交換の頻度を減少することができるので、メンテナンス性能を向上させることができる。

3) 成膜する際に、第一ノズルおよび成膜ガス供給ラインを第二ヒータによって加熱することにより、成膜ガスの液化を防止することができるので、液化した成膜ガスが第一ノズルおよび成膜ガス供給ラインに付着するのを未然に防止することができるとともに、反応副生成物が逆流するのを防止することができる。

4) 第一ガス供給ラインとしての第一ノズルおよび第二ノズルにクリーニングガス供給ラインを、クリーニングガス用開閉弁（第二開閉弁）を介して接続することにより、第一ノズルおよび第二ノズルをクリーニングガス供給に共用することができるので、第一ノズルおよび第二ノズル等への反応副生成物の堆積を回避することができ、その結果、第一ノズルおよび第二ノズル等の寿命を延ばすことができ、交換頻度を抑制することができ、ＣＶＤ装置の稼動率を向上させることができる。

5) 第二ヒータを第一ノズルおよびジクロロシランを供給する成膜ガス供給ラインのみに敷設することにより、配管ヒータの部品点数を低減することができるので、イニシャルコストおよびランニングコストを低減することができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。

成膜処理は窒化シリコン膜を形成する処理に限らず、酸化シリコン膜や他の酸化膜や窒化膜、さらには、金属膜および半導体膜（例えば、ポリシリコン膜）等の他のＣＶＤ膜を形成する処理であってもよい。
説明の便宜上、ノズル５１、ノズル５６と表現しているが、ノズルは金属製のガス配管と石英や金属製のノズルとを構成するようにしてもよい。

ＣＶＤ装置はバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置に限らず、横形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置等の他のＣＶＤ装置であってもよい。

さらに、ＣＶＤ装置に限らず、酸化膜形成装置や拡散装置およびアニール装置等の基板処理装置全般に適用することができる。

前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。

本発明の一実施の形態であるＣＶＤ装置を示す正面断面図である。 その側面断面図である。 処理炉を示す縦断面図である。

符号の説明

１…ウエハ（被処理基板）、２…カセット、
１０…ＣＶＤ装置（基板処理装置）、１１…筐体、１２…カセットステージ、１３…カセットエレベータ、１４…カセット移載装置、１５…カセット棚、１６…予備カセット棚、１７…クリーンユニット、１８…移載装置エレベータ、１９…ウエハ移載装置、
２０…ボートエレベータ、２１…昇降台、２２…アーム、２２ａ…Ｏリング、
２３…ボート、２４、２５…端板、２６…保持部材、２７…保持溝、２８…断熱キャップ、２９…シールキャップ、
３０…処理炉、３１…ヒータ（加熱機構）、３２…ヒータベース、３３…プロセスチューブ（反応管）、３４…アウタチューブ（外部反応管）、３５…インナチューブ（内部反応管）、３６…処理室、３７…筒状空間、３８…マニホールド、３９…Ｏリング（シール部材）、
４０…排気管、４１…圧力センサ（圧力検出器）、４２…圧力調整装置、４３…真空排気装置、４４…圧力制御部、
４５…回転機構、４６…回転軸、４７…駆動制御部、
４８…温度センサ（温度検出器）、４９…温度制御部、
５１…第一ノズル（第一ガス供給ライン）、５２…成膜ガス供給ライン、５３…成膜ガス用開閉弁（第一開閉弁）、５４…ＭＦＣ、５５…ジクロロシラン供給源（成膜ガス供給源、
５６…第二ノズル（第一ガス供給ライン）、５７…成膜ガス供給ライン、５８…成膜ガス用開閉弁（第一開閉弁）、５９…ＭＦＣ、６０…アンモニア供給源（成膜ガス供給源）、６１…成膜ガス流量制御部、
６２…クリーニングガス供給ライン、６３…クリーニングガス用開閉弁（第二開閉弁）、６４…ＭＦＣ、６５…クリーニングガス供給源、６６…分岐ライン、６７…クリーニングガス用開閉弁（第二開閉弁）、６８…クリーニングガス流量制御部、
７１…第一ヒータ、７２…第二ヒータ、７４…温度制御部、
７５…主制御部、７６…コントローラ。

Claims (1)

1. 基板を処理する処理室と、
   前記処理室内に成膜ガスないしクリーニングガスを供給する第一ガス供給ラインと、
   該第一ガス供給ラインに第一開閉弁を介して接続され、該第一ガス供給ラインに成膜ガスを供給する成膜ガス供給ラインと、
   前記第一ガス供給ラインに第二開閉弁を介して接続され、前記第一ガス供給ラインにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ラインと、
   前記第一ガス供給ラインを加熱するヒータと、
   前記成膜ガス供給ラインから前記第一ガス供給ラインに前記第一開閉弁を開き成膜ガスを供給する際には、前記ヒータを所定の温度に加熱維持し、前記クリーニングガス供給ラインから第一ガス供給ラインに前記第二開閉弁を開きクリーニングガスを供給する際には、前記ヒータに電力を供給しないように制御する加熱制御部と、
   を備えた基板処理装置。

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