JP7317083B2 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程の後に、前記処理容器に備えられた冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると不具合を生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する降温工程と、
前記降温工程の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングするクリーニング工程と、
を有する技術が提供される。
以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。
図1に示されているように、基板処理装置10は、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐え得る第1搬送室103を備えている。第1搬送室103の筐体101は平面視が例えば五角形であり、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
予備室122,123の前側には、大気圧下の状態でウエハ200を搬送することができる第2搬送室121がゲートバルブ128、129を介して連結されている。第2搬送室121には、ウエハ200を移載する第2基板移載機124が設けられている。
次に、各処理モジュールPM1~PM4における処理容器202a~202dの構成について説明する。
処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。処理容器202は、例えば石英またはセラミックス等の非金属材料で形成された上部容器2021と、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)等の金属材料により形成された下部容器2022とで構成されている。処理容器202内には、上方側(後述する基板載置台212よりも上方の空間)に、ウエハ200を処理する処理空間(処理室)201が形成されており、その下方側で下部容器2022に囲まれた空間に搬送空間203が形成されている。
処理空間201内には、ウエハ200を支持する基板支持部(サセプタ)210が設けられている。基板支持部210は、ウエハ200を載置する載置面211と、載置面211を表面に持つ基板載置台212と、基板載置台212に内包された加熱部としてのヒータ213と、を主に有する。基板載置台212には、リフトピン207が貫通する貫通孔214が、リフトピン207と対応する位置にそれぞれ設けられている。
処理空間201の上部(ガス供給方向上流側)には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド230が設けられている。シャワーヘッド230は、例えば上部容器2021に設けられた穴2021aに挿入される。
シャワーヘッド230の蓋231に設けられた貫通孔231aに挿入されるガス供給管241には、共通ガス供給管242が接続されている。ガス供給管241と共通ガス供給管242は、管の内部で連通している。そして、共通ガス供給管242から供給されるガスは、ガス供給管241、貫通孔231aを通じて、シャワーヘッド230内に供給される。
第一ガス供給管243aには、上流方向から順に、第一ガス供給源243b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)243c、および、開閉弁であるバルブ243dが設けられている。そして、第一ガス供給管243aからは、第一元素を含有するガス(以下、「第一元素含有ガス」という。)が、第一ガス供給源243b、MFC243c、バルブ243d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第二ガス供給管244aには、下流にリモートプラズマユニット244eが設けられている。上流には、上流方向から順に、第二ガス供給源244b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)244c、および、開閉弁であるバルブ244dが設けられている。そして、第二ガス供給管244aからは、第二元素を含有するガス(以下、「第二元素含有ガス」という。)が、第二ガス供給源244b、MFC244c、バルブ244d、リモートプラズマユニット244e、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第三ガス供給管245aには、上流方向から順に、第三ガス供給源245b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)245c、および、開閉弁であるバルブ245dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、クリーニングガスが、第三ガス供給源245b、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
処理容器202の雰囲気を排気する排気系は、処理容器202に接続された排気管263を有する。具体的には、処理空間201に接続される排気管263を有する。
次に、処理容器202に設けられる冷却機構について、具体的な態様を説明する。
ウエハ200上に膜を形成する成膜工程においては、ウエハ200を高温状態にすることが望ましい。高温状態にすることで処理空間201に供給されるガスのエネルギーやウエハ200上での反応状態が、低温(例えば室温)状態に比べて高くなるためである。一方、クリーニング工程については、処理容器202内を、成膜工程における温度と比較して低温にすることが望ましい。
次に、制御部(制御手段)としてのコントローラ500の構成について説明する。
次に、半導体製造工程の一工程として、上述した構成の処理容器202を用いてウエハ200上に薄膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ500により制御される。
本工程では、基板支持部210にウエハ200が支持されていない状態で、処理容器202内を昇温させる。
処理容器202においては、先ず、基板載置台212をウエハ200の搬送位置(搬送ポジション)まで下降させることにより、基板載置台212の貫通孔214にリフトピン207を貫通させる。その結果、リフトピン207が、基板載置台212表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ205を開いて搬送空間203を第1搬送室103と連通させる。そして、この第1搬送室103か第1基板移載機112を用いてウエハ200を搬送空間203に搬入し、リフトピン207上にウエハ200を移載する。これにより、ウエハ200は、基板載置台212の表面から突出したリフトピン207上に水平姿勢で支持される。
次に、成膜工程(S12)を行う。以下、図5を参照し、成膜工程(S12)について詳細に説明する。なお、成膜工程(S12)は、異なる処理ガスを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック処理である。
成膜工程(S12)では、先ず、第一の処理ガス供給工程(S20)を行う。第一の処理ガス供給工程(S20)において、第一の処理ガスとして第一元素含有ガスであるシリコン含有ガスを供給する際は、バルブ243dを開くとともに、シリコン含有ガスの流量が所定流量となるように、MFC243cを調整する。これにより、処理空間201内へのシリコン含有ガスの供給が開始される。なお、シリコン含有ガスの供給流量は、例えば100sccm以上5000sccm以下である。このとき、第三ガス供給系のバルブ248dを開き、第三ガス供給管245aからN2ガスを供給する。また、第一不活性ガス供給系からN2ガスを流してもよい。また、この工程に先立ち、第三ガス供給管245aからN2ガスの供給を開始していてもよい。
シリコン含有ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管245aからN2ガスを供給し、処理空間201のパージを行う。
このとき、バルブ275およびバルブ277は開状態とされてAPC276によって処理空間201の圧力が所定圧力となるように制御される。これにより、第一の処理ガス供給工程(S20)でウエハ200に結合できなかったシリコン含有ガスは、真空ポンプ278により、排気管263を介して処理空間201から除去される。
シャワーヘッドバッファ室232および処理空間201のパージが完了したら、続いて、第二の処理ガス供給工程(S22)を行う。第二の処理ガス供給工程(S22)では、バルブ244dを開けて、シャワーヘッド230を介して、処理空間201内へ第二の処理ガスとして第二元素含有ガスであるNH3ガスの供給を開始する。このとき、NH3ガスの流量が所定流量となるように、MFC244cを調整する。NH3ガスの供給流量は、例えば1000~10000sccmである。また、第二の処理ガス供給工程(S22)においても、第三ガス供給系のバルブ248dは開状態とされ、第三ガス供給管245aからN2ガスが供給される。このようにすることで、NH3ガスが第三ガス供給系に侵入することを防ぐ。
NH3ガスの供給を停止した後は、上述したパージ工程(S21)と同様のパージ工程(S23)を実行する。パージ工程(S23)における各部の動作は、上述したパージ工程(S21)と同様であるので、ここでの説明を省略する。
以上の第一の処理ガス供給工程(S20)、パージ工程(S21)、第二の処理ガス供給工程(S22)、パージ工程(S23)を1サイクルとして、コントローラ500は、このサイクルを所定回数(nサイクル)実施したか否かを判定する(S24)。サイクルを所定回数実施すると、ウエハ200上には、所望膜厚のSiN層が形成される。
基板搬出工程(S13)では、上述した基板搬入載置・加熱工程(S11)と逆の手順にて、処理済みのウエハ200を処理容器202の外へ搬出する。
以上の基板搬入載置・加熱工程(S11)、成膜工程(S12)、基板搬出工程(S13)を1サイクルとして、コントローラ500は、このサイクルを所定回数(mサイクル)実施したか否かを判定する(S14)。そして、所定回数(mサイクル)実施していない場合には、ステップS11へ戻り、基板搬入載置・加熱工程(S11)と同様の手順にて、次に待機している未処理のウエハ200を処理容器202内に搬入する。その後、搬入されたウエハ200に対しては、成膜工程(S12)が実行されることになる。そして、所定回数(mサイクル)実施した場合には、次の降温工程(S15)を実行する。ここで、上述したサイクルを所定回数(mサイクル)実施すると、処理容器202内の壁面等には、所望膜厚のSiN層が形成される。
降温工程(S15)では、基板支持部210にウエハ200を支持していない状態で、配管部316、317,318,319,320,321,322内に冷却媒体を所定時間供給する。すなわち、冷媒流路に冷却媒体を所定時間供給し、シャワーヘッド230やシャフト217等の低温部や処理容器202内を所定温度まで降温する。
クリーニング工程(S16)では、処理容器202内にクリーニングガスを供給する。すなわち、基板支持部210にウエハ200が支持されていない状態で、処理容器202内にクリーニングガスを供給して、クリーニングする。このとき、例えば処理空間201中の温度を100~500℃の間、具体的には300℃~500℃の間とする。
クリーニング工程(S16)の後、判定工程S17を行う。ここでは、次に処理するウエハ200が存在すれば昇温工程S10に移行し、次に処理するウエハ200が存在しなければ、終了するよう判定する。
以上に、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程の後に、前記処理容器に備えられた冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると不具合を生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する降温工程と、
前記降温工程の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングするクリーニング工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
前記クリーニング工程の後、
前記基板が支持されていない状態で、前記処理容器内を昇温させる昇温工程を有する。
付記2に記載の方法であって、
前記冷媒流路には真空ポンプが接続され、
前記昇温工程では、前記真空ポンプを稼働させて、前記冷媒流路を真空引きする。
付記2に記載の方法であって、
前記昇温工程では、前記冷媒流路の内側に設けられた加熱部を制御する。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記低温部は、前記処理ガスにより腐食される材質で構成され、前記処理ガスと接する領域には腐食防止用コーティングが施され、
前記処理ガス供給工程では、前記コーティングが施された状態で前記処理ガスを供給し、
前記降温工程では、前記コーティングが劣化しない温度まで前記低温部を降温させる。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記低温部は、シャワーヘッドであり、前記冷媒流路は前記シャワーヘッドの周囲に設けられる。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記低温部は前記基板支持部を支持するシャフトであり、前記冷媒流路は、前記シャフトの内部に設けられる。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記処理容器には基板搬入出口が設けられ、
前記基板搬入出口には、弁体及びシャフトを備えたゲートバルブが隣接され、
前記低温部は、前記基板搬入出口近傍である。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記処理容器には、前記処理容器の外部から前記処理容器の内部が視認できるビューポートが設けられ、
前記低温部は前記ビューポート近傍である。
付記1又は2に記載の方法であって、
前記低温部は、Oリングである。
付記1に記載の方法であって、
前記基板支持部にはヒータが内包され、
前記降温工程における前記基板支持部と前記低温部との距離は、前記処理ガス供給工程における前記距離よりも離間させる。
付記2に記載の方法であって、
前記基板支持部にはヒータが内包され、
前記昇温工程における前記基板支持部と前記低温部との距離は、前記処理ガス供給工程における前記距離よりも離間させる。
本開示の他の態様によれば、
基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を内包する処理容器と、
前記処理容器に備えられ、第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると不具合を生じる低温部と、
前記処理容器に備えられ、前記低温部を冷却する冷媒流路と、
前記処理容器に備えられた加熱部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記冷媒流路に不活性ガス又は空気を供給する冷媒ガス供給部と、
前記加熱部と前記処理ガス供給部と前記クリーニングガス供給部と前記冷媒ガス供給部と、を制御して、
前記基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を前記第一温度まで加熱すると共に、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理と、
前記処理ガスを供給する処理の後に、前記冷媒流路に不活性ガス又は空気を所定時間供給し、前記低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する処理と、
前記降温する処理の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングする処理と、
を行うよう制御することが可能なように構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する手順と、
前記処理ガスを供給する手順の後に、前記処理容器に備えられた冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると不具合を生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する手順と、
前記低温部を降温する手順の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングする手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
202 処理容器
500 コントローラ(制御部)
Claims (20)
- 基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程の後に、前記処理容器に備えられ、真空ポンプが接続される冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると腐食またはコーティングの剥がれを生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する降温工程と、
前記降温工程の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、
前記処理ガス供給工程または前記クリーニング工程のうち、少なくともいずれかの工程では、前記真空ポンプを稼働させた状態で前記冷媒流路を真空引きさせる
半導体装置の製造方法。 - 前記冷媒流路に供給される不活性ガスは、前記第一温度において冷却性能を維持可能なガスである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記冷媒流路にはバルブが設けられ、前記第二温度に到達したら前記バルブを閉とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記クリーニング工程の後、
前記基板が支持されていない状態で、前記処理容器内を昇温させる昇温工程を有する請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記昇温工程では、前記真空ポンプを稼働させて、前記冷媒流路を真空引きする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記昇温工程では、前記冷媒流路の内側に設けられた加熱部を制御する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板支持部にはヒータが内包され、
前記昇温工程における前記基板支持部と前記低温部との距離は、前記処理ガス供給工程における前記距離よりも離間させる請求項4に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温部は、前記処理ガスにより腐食される材質で構成され、前記処理ガスと接する領域には腐食防止用コーティングが施され、
前記処理ガス供給工程では、前記コーティングが施された状態で前記処理ガスを供給し、
前記降温工程では、前記コーティングが劣化しない温度まで前記低温部を降温させる
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温部は、シャワーヘッドであり、前記冷媒流路は前記シャワーヘッドの周囲に設けられる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記低温部は、前記処理ガスにより腐食される材質で構成されると共に、前記基板と平行する面に腐食防止用コーティングが施されたシャワーヘッドであり、
前記処理ガス供給工程では、前記コーティングが施された状態で前記処理ガスを供給し、
前記降温工程では、前記コーティングが劣化しない温度まで前記低温部を降温させる
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温部は、前記処理ガスにより腐食される材質で構成されると共に、貫通孔に腐食防止用コーティングが施されたシャワーヘッドであり、
前記処理ガス供給工程では、前記コーティングが施された状態で前記処理ガスを供給し、
前記降温工程では、前記コーティングが劣化しない温度まで前記低温部を降温させる
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温部は前記基板支持部を支持するシャフトであり、前記冷媒流路は、前記シャフトの内部に設けられる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記処理容器には基板搬入出口が設けられ、
前記基板搬入出口には、弁体及びシャフトを備えたゲートバルブが隣接され、
前記低温部は、前記基板搬入出口近傍である
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記処理容器には、前記処理容器の外部から前記処理容器の内部が視認できるビューポートが設けられ、
前記低温部は前記ビューポート近傍である請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記低温部は、Oリングであり、前記冷媒流路は前記Oリングの周囲に設けられる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記冷媒流路は、Oリングとヒータとの間に設けられる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板支持部にはヒータが内包され、
前記降温工程における前記基板支持部と前記低温部との距離は、前記処理ガス供給工程における前記距離よりも離間させる請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部を内包する処理容器と、
前記処理容器に備えられ、第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると腐食またはコーティングの剥がれを生じる低温部と、
前記処理容器に備えられ、真空ポンプが接続される冷媒流路と、
前記処理容器に備えられた加熱部と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理容器内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記冷媒流路に不活性ガス又は空気を供給する冷媒ガス供給部と、
前記加熱部と前記処理ガス供給部と前記クリーニングガス供給部と前記冷媒ガス供給部と、を制御して、
前記基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を前記第一温度まで加熱すると共に、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理と、
前記処理ガスを供給する処理の後に、前記冷媒流路に不活性ガス又は空気を所定時間供給し、前記低温部を前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する処理と、
前記降温する処理の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングする処理と、を行い、
前記処理ガスを供給する処理または前記クリーニングする処理のうち、少なくともいずれかの処理では、前記真空ポンプを稼働させた状態で前記冷媒流路を真空引きさせるよう制御することが可能なように構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する手順と、
前記処理ガスを供給する手順の後に、前記処理容器に備えられ、真空ポンプが接続される冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると腐食またはコーティングの剥がれを生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する手順と、
前記低温部を降温する手順の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングする手順と、をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラムであって、
前記処理ガスを供給する手順または前記クリーニングする手順のうち、少なくともいずれかの手順では、前記真空ポンプを稼働させた状態で前記冷媒流路を真空引きさせるプログラム。 - 基板支持部に基板を支持した状態で、前記基板を第一温度まで加熱すると共に、前記基板支持部を内包した処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記処理ガス供給工程の後に、前記処理容器に備えられ、真空ポンプが接続される冷媒流路に不活性ガス若しくは空気を所定時間供給することにより、前記処理容器に備えられ、前記第一温度の状態でクリーニングガスを供給すると腐食またはコーティングの剥がれを生じる低温部を、前記第一温度よりも低い第二温度まで降温する降温工程と、
前記降温工程の後、前記処理容器内にクリーニングガスを供給して、前記低温部をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、
前記処理ガス供給工程または前記クリーニング工程のうち、少なくともいずれかの工程では、前記真空ポンプを稼働させた状態で前記冷媒流路を真空引きさせる
基板処理方法。
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