JP5885870B2 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 246
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 144
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 401
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 159
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 148
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 636
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 37
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 25
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理装置であって、
前記シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、
前記シャワーヘッドに接続されるガス排気管と、
前記ガス供給管と前記ガス排気管とに接続され、前記ガス供給管と前記ガス排気管との両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
を備えた基板処理装置が提供される。
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理工程と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング工程と、
を備えた半導体装置の製造方法が提供される。
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理手順と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理手順と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
以下に、本発明の第一の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態に係る基板処理装置は、処理対象となる基板に対して一枚ずつ処理を行う枚葉式の基板処理装置として構成されている。
処理対象となる基板としては、例えば、半導体装置(半導体デバイス)が作り込まれる半導体ウエハ基板(以下、単に「ウエハ」という。)が挙げられる。
このような基板に対して行う処理としては、エッチング、アッシング、成膜処理等が挙げられるが、本実施形態では特に成膜処理を行うものとする。
図1に示すように、基板処理装置100は処理容器202を備えている。処理容器202は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器202は、例えばアルミニウム(Al)やステンレス(SUS)などの金属材料により構成されている。処理容器202内には、ウエハ200を処理する処理空間201と、ウエハ200を処理空間201に搬送する際にウエハ200が通過する搬送空間203とが形成されている。処理容器202は、上部容器202aと下部容器202bで構成される。上部容器202aと下部容器202bの間には仕切り板204が設けられる。
処理空間201の下部には、ウエハ200を支持する基板支持部210が設けられている。基板支持部210は、ウエハ200を載置する基板載置面211と、基板載置面211を表面に持つ基板載置台212と、基板載置台212に内包された加熱源としてのヒータ213と、を主に有する。基板載置台212には、リフトピン207が貫通する貫通孔214が、リフトピン207と対応する位置にそれぞれ設けられている。
具体的には、基板載置台212をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン207の上端部が基板載置面211の上面から突出して、リフトピン207がウエハ200を下方から支持するようになっている。また、基板載置台212をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン207は基板載置面211の上面から埋没して、基板載置面211がウエハ200を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン207は、ウエハ200と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。
処理空間201の上部(ガス供給方向上流側)には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド230が設けられている。シャワーヘッド230の蓋231にはガス導入孔241が設けられ、当該ガス導入孔241には後述するガス供給系が接続される。ガス導入孔241から導入されるガスは、シャワーヘッド230のバッファ空間232に供給される。
シャワーヘッド230の蓋231には、整合器251、高周波電源252が接続されている。そして、高周波電源252、整合器251でインピーダンスを調整することで、シャワーヘッド230、処理空間201にプラズマが生成されるようになっている。
シャワーヘッド230の蓋231に設けられたガス導入孔241には、共通ガス供給管242が接続されている。共通ガス供給管242は、ガス導入孔241への接続によって、シャワーヘッド230内のバッファ空間232に連通することになる。また、共通ガス供給管242には、第一ガス供給管243aと、第二ガス供給管244aと、第三ガス供給管245aと、接続管249aと、が接続されている。第二ガス供給管244aは、リモートプラズマユニット(RPU)244eを介して共通ガス供給管242に接続される。
第一ガス供給管243aには、上流方向から順に、原料ガス供給源243b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)243c、及び開閉弁であるバルブ243dが設けられている。そして、第一ガス供給管243aからは、原料ガスが、MFC243c、バルブ243d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第二ガス供給管244aには、上流方向から順に、反応ガス供給源244b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)244c、及び開閉弁であるバルブ244dが設けられている。第二ガス供給管244aのバルブ244dよりも下流側には、RPU244eが設けられている。そして、第二ガス供給管244aからは、反応ガスが、MFC244c、バルブ244d、RPU244e、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。反応ガスは、リモートプラズマユニット244eによりプラズマ状態とされ、ウエハ200上に照射される。
第三ガス供給管245aには、上流方向から順に、パージガス供給源245b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)245c、及び開閉弁であるバルブ245dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、基板処理工程では、パージガスとしての不活性ガスが、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。また、クリーニング工程では、必要に応じて、クリーニングガスのキャリアガス又は希釈ガスとしての不活性ガスが、MFC245c、バルブ245d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
第三ガス供給管245aのバルブ245dよりも下流側には、クリーニングガス供給管248aの下流端が接続されている。クリーニングガス供給管248aには、上流方向から順に、クリーニングガス供給源248b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)248c、及び開閉弁であるバルブ248dが設けられている。そして、第三ガス供給管245aからは、クリーニング工程では、クリーニングガスが、MFC248c、バルブ248d、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
なお、クリーニングガス供給系は、共通ガス供給管242と後述する接続管249aとを介して、後述する第二排気管262にも接続される。クリーニング工程では、クリーニングガスが、共通ガス供給管242、接続管249a及び第二排気管262を通過する経路からもシャワーヘッド230内に供給される。
処理容器202の雰囲気を排気する排気系は、処理容器202に接続された複数の排気管を有する。具体的には、搬送空間203に接続される排気管(第一排気管)261と、バッファ空間232に接続される排気管(第二排気管)262と、処理空間201に接続される排気管(第三排気管)263とを有する。また、各排気管261,262,263の下流側には、排気管(第四排気管)264が接続される。
第一排気管261は、搬送空間203の側面あるいは底面に接続される。第一排気管261には、高真空あるいは超高真空を実現する真空ポンプとして、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)265が設けられる。第一排気管261において、TMP265の下流側には、バルブ266が設けられる。また、第一排気管261において、TMP265の上流側には、バルブ267が設けられる。また、第一排気管261において、バルブ267の上流側には、バイパス管261aが接続される。バイパス管261aには、バルブ261bが設けられる。バイパス管261aの下流側は、第四排気管264に接続される。
第二排気管262は、バッファ空間232の上面(具体的にはガスガイド235の上方の位置)に接続される。つまり、第二排気管262は、シャワーヘッド230に接続され、これによりシャワーヘッド230内のバッファ空間232に連通することになる。また、第二排気管262には、バルブ268が設けられる。このバルブ268は、第二排気管262のガス流路開閉を行うものである。なお、バルブ268は、ガス流路開閉の開度調整機能に対応したものであってもよい。
第三排気管263は、処理空間201の側方に接続される。第三排気管263には、処理空間201内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるAPC(Auto Pressure Controller)269が設けられる。APC269は、開度調整可能な弁体(図示せず)を有し、後述するコントローラからの指示に応じて第三排気管263のコンダクタンスを調整する。第三排気管263において、APC269の上流側には、バルブ271が設けられる。
ガス供給系における共通ガス供給管242には、接続管249aが接続されている。接続管249aは、共通ガス供給管242と第二排気管262とを接続する。
接続管249aは、クリーニングガス供給系(具体的には、クリーニング工程でクリーニングガスが供給されることになる第三ガス供給管245a)の共通ガス供給管242への接続箇所よりもガス供給方向下流側で、共通ガス供給管242に接続される。なお、接続管249aは、共通ガス供給管242から分岐した分岐管とも考えることができる。
基板処理装置100は、基板処理装置100の各部の動作を制御するコントローラ280を有している。コントローラ280は、演算部281及び記憶部282を少なくとも有する。コントローラ280は、上記した各構成に接続され、上位コントローラや使用者の指示に応じて記憶部282からプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。具体的には、コントローラ280は、ゲートバルブ205、昇降機構218、ヒータ213、高周波電源252、整合器251、MFC243c〜248c、バルブ243d〜248d、APC269、TMP265、DP272、バルブ266,267,268,271,261b等の動作を制御する。
次に、半導体装置の製造方法の一工程として、基板処理装置100を使用して、ウエハ200上に薄膜を形成する工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置100を構成する各部の動作はコントローラ280により制御される。
基板処理装置100では、先ず、基板載置台212をウエハ200の搬送位置まで下降させることにより、基板載置台212の貫通孔214にリフトピン207を貫通させる。その結果、リフトピン207が、基板載置台212表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ205を開いて搬送空間203を移載室(図示せず)と連通させる。そして、この移載室からウエハ移載機(図示せず)を用いてウエハ200を搬送空間203に搬入し、リフトピン207上にウエハ200を移載する。これにより、ウエハ200は、基板載置台212の表面から突出したリフトピン207上に水平姿勢で支持される。
基板搬入・載置工程(S101)の後は、次に、成膜工程(S102)を行う。以下、図3を参照し、成膜工程(S102)について詳細に説明する。なお、成膜工程(S102)は、異なる処理ガスを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック処理である。
成膜工程(S102)では、先ず、原料ガス供給工程(S201)を行う。原料ガス供給工程(S201)に際しては、原料(TiCl4)を気化させて原料ガス(すなわちTiCl4ガス)を生成(予備気化)させておく。原料ガスの予備気化は、上述した基板搬入・載置工程(S101)と並行して行ってもよい。原料ガスを安定して生成させるには、所定の時間を要するからである。
原料ガスの供給を停止した後は、第三ガス供給管245aから不活性ガス(N2ガス)を供給し、シャワーヘッド230及び処理空間201のパージを行う。このときも、バルブ271は開状態とされてAPC269によって処理空間201の圧力が所定の圧力となるように制御される。一方、バルブ271以外のガス排気系のバルブは全て閉状態とされる。これにより、原料ガス供給工程(S201)でウエハ200に吸着できなかった原料ガスは、DP272により、第三排気管263を介して処理空間201から除去される。
シャワーヘッド230及び処理空間201のパージが完了したら、続いて、反応ガス供給工程(S203)を行う。反応ガス供給工程(S203)では、バルブ244dを開けて、リモートプラズマユニット244e、シャワーヘッド230を介して、処理空間201内への反応ガス(NH3ガス)の供給を開始する。このとき、反応ガスの流量が所定流量となるように、マスフローコントローラ244cを調整する。反応ガスの供給流量は、例えば1000〜10000sccmである。
反応ガスの供給を停止した後は、パージ工程(S204)を行って、シャワーヘッド230及び処理空間201に残留している反応ガスや反応副生成物を除去する。このパージ工程(S204)は、既に説明したパージ工程(S202)と同様に行えばよいため、ここでの説明は省略する。
以上の原料ガス供給工程(S201)、パージ工程(S202)、反応ガス供給工程(S203)、パージ工程(S204)を1サイクルとして、コントローラ280は、この処理サイクルを所定回数(nサイクル)実施したか否かを判定する(S205)。処理サイクルを所定回数実施すると、ウエハ200上には、所望膜厚の窒化チタン(TiN)膜が形成される。
以上の各工程(S201〜S205)からなる成膜工程(S102)の後は、図2に示すように、次に、基板搬出工程(S103)を行う。
ウエハ200の搬出後、コントローラ280は、基板搬入・載置工程(S101)、成膜工程(S102)及び基板搬出工程(S103)の一連の各工程の実施回数が所定の回数に到達したか否かを判定する(S104)。所定の回数に到達したと判断されたら、クリーニング工程(S105)に移行する。所定の回数に到達していないと判断されたら、次に待機しているウエハ200の処理を開始するため、基板搬入・載置工程(S101)に移行する。
クリーニング工程(S105)では、クリーニングガス供給系のバルブ248dを開け、シャワーヘッド230を介して、クリーニングガスを処理空間201へ供給する。このとき、高周波電源252で電力を印加すると共に整合器251によりインピーダンスを整合させ、シャワーヘッド230及び処理空間201内のクリーニングガスをプラズマ励起する。プラズマ励起されたクリーニングガスは、シャワーヘッド230及び処理空間201内の壁に付着した副生成物を除去する。
ここで、基板処理装置100が行うクリーニング工程(S105)について、具体例を挙げてさらに詳しく説明する。
ここでは、特に、クリーニング工程(S105)を行う際のクリーニングガスの流れについて、図1を参照しながら、第一具体例、第二具体例、第三具体例に分けて説明する。
クリーニング工程(S105)に際して、コントローラ280は、クリーニングガス供給系のバルブ248dを開け、クリーニングガス供給源248bからのクリーニングガスを、第三ガス供給管245aを介して、共通ガス供給管242内へ供給する。そうすると、クリーニングガスは、共通ガス供給管242内を通り、シャワーヘッド230内のバッファ空間232に送り込まれる。
第二排気管262はパージ工程S202、S204において処理ガスの排気路となるため、シャワーヘッド230において第二排気管262が接続された箇所の近傍は、不要な膜(反応副生成物等)が付着する可能性が高い。一方で、第二排気管262と共通ガス供給管242との間にはガスガイド235が介在するため、共通ガス供給管242から供給されたクリーニングガスは第二排気管262が接続された箇所の近傍には回り込み難い。
ところが、上述したように、共通ガス供給管242のみならず接続管249a及び第二排気管262をも利用してクリーニングガスを供給すれば、シャワーヘッド230の内部の所望箇所、特にクリーニングガスが回り込み難くクリーニングし難い箇所(ガスガイド235よりも上部の空間)、さらには、膜付着がし易く、かつ、クリーニングし難い箇所(第二排気管262の接続箇所近傍)のクリーニング効率を向上させ得るようになる。しかも、第二排気管262を利用するので、専用のクリーニングガス供給路を別途設けるといった必要もなく、シャワーヘッド230に接続するガス経路の複雑化等を極力抑制し得るようになる。
クリーニング工程(S105)の第二具体例では、共通ガス供給管242からシャワーヘッド230内にクリーニングガスを供給する第一クリーニング処理と、共通ガス供給管242と第二排気管262との両方からシャワーヘッド230内にクリーニングガスを供給する第二クリーニング処理とを、選択的に(非同時に)行う。
これにより、第一クリーニング処理においては、主として処理空間201内に対して、共通ガス供給管242を利用したメインストリームのみからのクリーニングを行うことになる。
これにより、第二クリーニング処理においては、処理空間201に加えてシャワーヘッド230内の上部空間(クリーニングし難い箇所(ガスガイド235よりも上部の空間))についても積極的に、共通ガス供給管242、接続管249a及び第二排気管262を利用したクリーニングを行うことになる。
図6は、クリーニング工程の一具体例の詳細を示すフロー図である。
クリーニング工程(S105)の第三具体例では、第二クリーニング処理を行う場合に、コントローラ280が第二ガス排気系におけるバルブ268を所定開度開ける。そうすると、接続管249aを経て第二排気管262へ送り込まれたクリーニングガスは、その一部がシャワーヘッド230内へ供給される一方で、残部が第二排気管262から第四排気管264へ流れることになり、これによりシャワーヘッド230に接続される第二ガス排気系についても併せてクリーニングされることになる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
次に、本発明の第二の実施形態を説明する。ただし、ここでは、主として、上述した第一の実施形態の場合との相違点について説明する。
図7は、第二の実施形態に係る枚葉式の基板処理装置の概略構成図である。なお、図中において、第一の実施形態に係る基板処理装置100と同様な構成要素については、同一符号を付している。
共通ガス供給管242には、リモートプラズマユニット(RPU)248eを介して、クリーニングガス供給管248aの下流端が接続されている。クリーニングガス供給管248aには、上流方向から順に、クリーニングガス供給源248b、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)248c、及び開閉弁であるバルブ248dが設けられている。そして、クリーニングガス供給管248aは、クリーニング工程では、クリーニングガスが、MFC248c、バルブ248d、RPU248e、共通ガス供給管242を介して、シャワーヘッド230内に供給される。
共通ガス供給管242に接続される接続管249aは、少なくとも、クリーニングガス供給系248におけるRPU248eよりもガス供給方向下流側で、共通ガス供給管242に接続される。なお、接続管249aは、共通ガス供給管242から分岐した分岐管とも考えることができる。
次いで、第二の実施形態に係る基板処理装置102が行う基板処理工程について説明する。
次いで、第二の実施形態に係る基板処理装置102が行うクリーニング工程について説明する。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果を奏する。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理装置であって、
前記シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、
前記シャワーヘッドに接続されるガス排気管と、
前記ガス供給管と前記ガス排気管とに接続され、前記ガス供給管と前記ガス排気管との両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
を備えた基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記ガス供給管と前記ガス排気管とを接続する接続管を備え、
前記クリーニングガス供給系は、前記接続管よりも前記ガス供給管におけるガス供給方向上流側にて当該ガス供給管に接続される
付記1に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記接続管の前記ガス排気管への接続箇所よりも当該ガス排気管のガス排気方向下流側に設けられて当該ガス排気管のガス流路開閉を行う第一のバルブと、
前記接続管に設けられて当該接続管のガス流路開閉を行う第二のバルブと、を備える
付記2に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記クリーニングガス供給系が前記ガス供給管内に供給したクリーニングガスをプラズマ励起するプラズマユニットを備えるとともに、
前記接続管は、前記プラズマユニットよりも前記ガス供給管におけるガス供給方向下流側にて当該ガス供給管に接続される
付記2又は3記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記ガス供給管に接続され当該ガス供給管内に前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給系を備えるとともに、
前記接続管は、前記処理ガス供給系の前記ガス供給管への接続箇所よりもガス供給方向上流側で当該ガス供給管に接続される
付記2から4のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記ガス排気管は、前記シャワーヘッドとの接続箇所形状が前記ガス供給管の管外周を囲む環状に形成されている
付記1から5のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記ガス排気管は、前記シャワーヘッドとの接続箇所が前記ガス供給管の周囲に配置される複数本の管路によって構成されている
付記1から5のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記クリーニングガス供給系による前記ガス供給管内へのクリーニングガス供給動作、前記第一のバルブによる前記ガス排気管のガス流路開閉動作、及び、前記第二のバルブによる前記接続管のガス流路開閉動作を制御するコントローラを備えるとともに、
前記コントローラは、前記第二のバルブを閉じて前記クリーニングガス供給系からのクリーニングガスを前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内へ供給する第一クリーニング処理と、前記第一のバルブを閉じ前記第二のバルブを開けて前記クリーニングガス供給系からのクリーニングガスを前記ガス供給管及び前記ガス排気管の両方から前記シャワーヘッド内へ供給する第二クリーニング処理とを行う
付記3から7のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第一クリーニング処理と前記第二クリーニング処理との実行頻度を相違させる
付記8に記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第一クリーニング処理を所定回数行うと前記第二クリーニング処理を行う
付記8又は9記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第一クリーニング処理を所定時間行った後に前記第二クリーニング処理を開始する
付記8から10のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第一クリーニング処理を行う場合と前記第二クリーニング処理を行う場合とで、前記クリーニングガス供給系から供給するクリーニングガスの流量を相違させる
付記8から11のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第二のバルブを開ける際の開度調整を行う
付記8から12のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
好ましくは、
前記コントローラは、前記第二クリーニング処理を行う場合に前記第一のバルブを所定開度開ける
付記8から13のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理工程と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング工程と、
を備えた半導体装置の製造方法が提供される。
好ましくは、
前記クリーニング工程では、前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第一クリーニング処理と、前記ガス供給管と前記ガス排気管との両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第二クリーニング処理とを、選択的に行う
付記15に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理手順と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
好ましくは、
前記クリーニング手順では、前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第一クリーニング処理と、前記ガス供給管と前記ガス排気管との両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第二クリーニング処理とを、選択的に行う
付記17に記載のプログラムが提供される。
本発明の他の一態様によれば、
ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理手順と、
前記シャワーヘッド内へのガス供給のために当該シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、当該シャワーヘッド内からのガス排気のために当該シャワーヘッドに接続されるガス排気管との両方から、当該シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
好ましくは、
前記クリーニング手順では、前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第一クリーニング処理と、前記ガス供給管と前記ガス排気管との両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第二クリーニング処理とを、選択的に行う
付記17に記載のプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200・・・ウエハ(基板)
201・・・処理空間
230・・・シャワーヘッド
232・・・バッファ空間
242・・・共通ガス供給管
262・・・第二排気管
249a・・・接続管
249b,268・・・バルブ
Claims (21)
- ガス分散機構としてのシャワーヘッドを介して処理空間にガスを供給し当該処理空間内の基板を処理する基板処理装置であって、
前記シャワーヘッドに接続されるガス供給管と、
前記シャワーヘッドに接続されるガス排気管と、
前記ガス供給管と前記ガス排気管とに接続され、前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、
前記クリーニングガスを前記ガス供給管から前記シャワーヘッド内へ供給する第一クリーニング処理と、前記クリーニングガスを前記ガス供給管及び前記ガス排気管の両方から前記シャワーヘッド内へ供給する第二クリーニング処理とを行わせるように前記クリーニングガス供給系を制御するように構成された制御部と、
を備えた基板処理装置。 - 前記制御部は、前記第一クリーニング処理と前記第二クリーニング処理との実行頻度を相違させる請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第一クリーニング処理を所定回数行うと前記第二クリーニング処理を行う請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第一クリーニング処理を所定時間行った後に前記第二クリーニング処理を開始する請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第一クリーニング処理を行う場合と前記第二クリーニング処理を行う場合とで、前記クリーニングガス供給系から供給するクリーニングガスの流量を相違させる請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第二クリーニング処理を行う際の前記クリーニングガスの流量を前記第一クリーニング処理を行う際の流量よりも大きくする請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置。
- ガス分散機構としてのシャワーヘッドに接続されたガス供給管を介して前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第一クリーニング工程と、
前記シャワーヘッドに接続されたガス排気管と前記ガス供給管の両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給する第二クリーニング工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第一クリーニング工程を所定回数行った後に前記第二クリーニング工程が行われる請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一クリーニング工程を所定時間行った後に前記第二クリーニング工程を開始する請求項7または請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一クリーニング工程の前記クリーニングガス流量と、前記第二クリーニング工程の前記クリーニングガス流量とを、異ならせる請求項7から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二クリーニング工程の前記クリーニングガス流量を前記第一クリーニング工程の前記クリーニングガス流量よりも大きくする請求項7から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- ガス分散機構としてのシャワーヘッドに接続されたガス供給管を介して前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給させる第一クリーニング手順と、
前記シャワーヘッドに接続されたガス排気管と前記ガス供給管の両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給させる第二クリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。 - 前記第一クリーニング手順を所定回数行わせた後に前記第二クリーニング手順をコンピュータに実行させる請求項12に記載のプログラム。
- 前記第一クリーニング手順を所定時間行った後に前記第二クリーニング手順をコンピュータに開始させる請求項12または13に記載のプログラム。
- 前記第一クリーニング手順の前記クリーニングガス流量と、前記第二クリーニング手順の前記クリーニングガス流量とを、異ならせる手順をコンピュータに実行させる請求項12から14のいずれかに記載のプログラム。
- 前記第二クリーニング手順の前記クリーニングガス流量を前記第一クリーニング手順の前記クリーニングガス流量よりも大きくさせる請求項12から15のいずれかに記載のプログラム。
- ガス分散機構としてのシャワーヘッドに接続されたガス供給管を介して前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給させる第一クリーニング手順と、
前記シャワーヘッドに接続されたガス排気管と前記ガス供給管の両方から前記シャワーヘッド内にクリーニングガスを供給させる第二クリーニング手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。 - 前記第一クリーニング手順を所定回数行わせた後に前記第二クリーニング手順をコンピュータに実行させるプログラムが記録された請求項17に記載の記録媒体。
- 前記第一クリーニング手順を所定時間行った後に前記第二クリーニング手順をコンピュータに開始させるプログラムが記録された請求項17または請求項18に記載の記録媒体。
- 前記第一クリーニング手順の前記クリーニングガス流量と、前記第二クリーニング手順の前記クリーニングガス流量とを、異ならせる手順をコンピュータに実行させるプログラムが記録された請求項17から19のいずれかに記載の記録媒体。
- 前記第二クリーニング手順の前記クリーニングガス流量を前記第一クリーニング工程の前記クリーニングガス流量よりも大きくさせる請求項17から20のいずれかに記載の記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015077907A JP5885870B2 (ja) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015077907A JP5885870B2 (ja) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014055513A Division JP5764228B1 (ja) | 2014-03-18 | 2014-03-18 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015178678A JP2015178678A (ja) | 2015-10-08 |
JP5885870B2 true JP5885870B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=54262921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015077907A Active JP5885870B2 (ja) | 2015-04-06 | 2015-04-06 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5885870B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06330323A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法 |
JP4764574B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の運転方法 |
JP4356943B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2009-11-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US7408225B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-08-05 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms |
JP4433486B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2010-03-17 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2008288281A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US7736441B2 (en) * | 2007-10-09 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | Cleaning fixtures and methods of cleaning electrode assembly plenums |
KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2015
- 2015-04-06 JP JP2015077907A patent/JP5885870B2/ja active Active
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---|---|
JP2015178678A (ja) | 2015-10-08 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160128 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
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