JPH06330323A - 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法 - Google Patents

半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法

Info

Publication number
JPH06330323A
JPH06330323A JP5115898A JP11589893A JPH06330323A JP H06330323 A JPH06330323 A JP H06330323A JP 5115898 A JP5115898 A JP 5115898A JP 11589893 A JP11589893 A JP 11589893A JP H06330323 A JPH06330323 A JP H06330323A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
vacuum exhaust
exhaust pipe
reaction chamber
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5115898A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshige Takahashi
広成 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5115898A priority Critical patent/JPH06330323A/ja
Priority to DE4417205A priority patent/DE4417205C2/de
Publication of JPH06330323A publication Critical patent/JPH06330323A/ja
Priority to US08/522,159 priority patent/US5584963A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 減圧ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を生成す
る半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法を得る
ことを目的とする。 【構成】 半導体装置製造装置の石英管３及び真空排気
配管１３に無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガス並びにキャリ
アガスである窒素ガスを３００Ｔorr〜７００Ｔorrの圧
力で導入し、これらの内壁に付着した反応性ガスの堆積
物を除去する。この圧力は、減圧手段であるアスピレー
ター２６を用いて容易に調節することができる。 【効果】 石英管３及び真空排気配管１３の内壁に付着
した反応性ガスの堆積物を除去し、パーティクルを低減
して信頼性の高い半導体装置を製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置製造装置
及びそのクリーニング方法、特に、半導体素子の製造工
程で用いられるシリコン酸化膜生成装置及びそのクリー
ニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置製造装置例えば減圧Ｃ
ＶＤ装置による半導体ウェハの酸化膜生成は、例えばＳ
ｉＨ４ガス及びＮ２Ｏ（一酸化二窒素）ガス等を用い
て、８５０℃程度の温度において行われてきた。しか
し、ＶＬＳＩ（超大規模集積回路）における一層の高集
積化、生産性向上のため、熱処理温度の低温化、酸化膜
生成時の半導体ウエハ処理枚数の大量処理化により、Ｔ
ＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを用いたプロセス
が一般的となっている。
【０００３】図５は、ＴＥＯＳガスを用いて酸化膜生成
を行う従来の減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図である。
図において、酸化膜生成が行われる半導体ウエハ例えば
シリコンウエハ１は、石英ボート２に複数枚搭載され、
この石英ボート２は、反応チャンバ例えば石英管３内に
収容されている。石英管３の周囲には、加熱用のヒータ
ー４が設けられている。ＴＥＯＳガスは、ＴＥＯＳガス
供給源５から供給され、流量制御用のマスフローコント
ローラー６及びバルブ７例えばエアーオペレーションバ
ルブを介して、真空フランジ８から石英管３内に導入さ
れる。
【０００４】なお、ＴＥＯＳガスのキャリアガスとして
は、例えば窒素ガスが使用される。窒素ガスは、窒素ガ
ス供給源９例えば窒素ボンベから供給され、マスフロー
コントローラー１０及びバルブ１１を介して、ＴＥＯＳ
ガスと共に石英管３内に導入される。石英管３端部に設
けられた真空フランジ１２には、真空排気配管１３を介
して真空ポンプ例えばロータリーポンプ１４が接続され
ている。なお、真空排気配管１３には、真空排気用メイ
ンバルブ１５及び真空排気用サブバルブ１６が設けられ
ている。
【０００５】従来の減圧ＣＶＤ装置は上述したように構
成され、ＴＥＯＳガスを用いて減圧ＣＶＤ法によりシリ
コンウエハ１に酸化膜を生成する場合、まず、大気圧状
態においてシリコンウエハ１を保持した石英ボート２を
石英管３内にセットする。次に、ロータリーポンプ１４
によって石英管３内を真空状態にするために、真空排気
用サブバルブ１６を開けて徐々に２０Ｔorrまで真空引
きを行う。これは、急激に真空引きを行うと石英管３内
にあるパーティクルを巻き上げてシリコンウエハ１に付
着し、シリコンウエハ１に形成されているパターンに欠
陥が生じる場合があるためである。
【０００６】石英管３内が２０Ｔorrを過ぎた時点で、
真空排気用メインバルブ１５を開ける。さらに、石英管
３内が１０-3Ｔorrになった時点で、ＴＥＯＳガス及び
窒素ガスを石英管３内に導入する。この場合、ＴＥＯＳ
ガスは、ＴＥＯＳガス供給源５からマスフローコントロ
ーラー６により例えば８０ｃｃ／分の流量で流し、窒素
ガスは、窒素ガス供給源９からマスフローコントローラ
ー１０により例えば１００ｃｃ／分の流量で流して真空
フランジ８から石英管３内に導入する。石英管３内は、
ロータリーポンプ１４により０．８Ｔorrの圧力に制御
され、かつヒーター４により７００℃の温度に保持され
た状態で、シリコンウエハ１にＴＥＯＳガスの熱分解に
よるシリコン酸化膜の形成が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような減圧Ｃ
ＶＤ装置では、ＴＥＯＳガスが分解してシリコン酸化膜
等の堆積物が石英管３の内壁に付着し、このシリコン酸
化膜がパーティクル発生の原因となるという問題点があ
った。また、導入されるＴＥＯＳガスの多くは未反応ガ
スとして真空排気配管１３から排気される。そのため、
高温に保たれている石英管３内を通過したＴＥＯＳガス
は、加熱されていない真空フランジ１２から真空排気配
管１３にかけて冷却され、真空フランジ１２及び真空排
気配管１３内に堆積物を生成させることになる。この堆
積物は、例えばＣＨ3.8Ｓｉ2Ｏ1.7等で示されるものと
推定され、シリコンウエハ１上に酸化膜を形成する時
に、大気圧から真空状態若しくは真空状態から大気圧状
態へと装置内の圧力が変動する時に、パーティクルとな
って舞い上がりシリコンウエハ１表面へ付着する場合が
ある。シリコンウエハ１表面に付着した堆積物のパーテ
ィクルは、ＶＬＳＩの信頼性を低下させるなどの問題点
があった。
【０００８】また、真空排気配管１３に堆積した堆積物
は、真空排気配管１３を装置から取り外して水、フッ酸
等により洗浄して除去していたが、真空排気配管１３を
取り外す際に堆積物が配管から剥離してパーティクル生
成の原因となったり、真空排気配管１３の清浄作業を例
えば１週間に１度程度と頻繁に行わなければならず、真
空排気配管１３の清浄作業に手数が掛かるという問題点
もあった。
【０００９】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、半導体製造装置の反応チャンバ及
び真空排気配管の内壁に付着した堆積物を除去し、信頼
性の高い半導体装置を製造することができる半導体装置
製造装置及びそのクリーニング方法を得ることを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
に係る発明は、半導体ウエハを収容する反応チャンバ
と、上記反応チャンバに接続され上記反応チャンバ内に
反応性ガスを導入する反応性ガス導入手段と、上記反応
チャンバに接続された真空排気配管と、上記真空排気配
管に接続され上記反応チャンバ及び上記真空排気配管内
を排気する真空排気手段と、上記反応チャンバ及び上記
真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応
チャンバ又は真空排気配管に無水ＨＦガスを導入する無
水ＨＦガス導入手段と、上記反応チャンバ及び上記真空
排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャ
ンバ又は真空排気配管にハロゲン間化合物ガスを導入す
るハロゲン間化合物ガス導入手段と、上記反応チャンバ
及び上記真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれ
らの反応チャンバ又は真空排気配管にキャリアガスを導
入するキャリアガス導入手段とを備えたものである。
【００１１】この発明の請求項第２項に係る発明は、請
求項第１項の半導体装置製造装置における反応チャンバ
及び真空排気配管内を所定の減圧状態にする減圧手段を
真空排気配管に並列に設けたものである。
【００１２】この発明の請求項第３項に係る発明は、半
導体ウエハを収容する反応チャンバ又はこの反応チャン
バに接続された真空排気配管に、無水ＨＦガス及びハロ
ゲン間化合物ガス並びにキャリアガスを導入することに
よって、上記反応チャンバ又は上記真空排気配管の内壁
に付着した反応性ガスの堆積物を除去するものである。
【００１３】この発明の請求項第４項に係る発明は、請
求項第３項の半導体装置製造装置のクリーニング方法に
おいて、無水ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガス並びに
キャリアガスを３００Ｔorr〜７００Ｔorrの範囲の圧力
で反応チャンバ又は真空排気配管に導入するものであ
る。
【００１４】
【作用】この発明の請求項第１項においては、無水ＨＦ
ガス及びハロゲン間化合物ガスをキャリアガスと共に反
応チャンバ又は真空排気配管に導入し、無水ＨＦガス及
びハロゲン間化合物ガスが反応チャンバ又は真空排気配
管の内壁に付着した堆積物と反応して堆積物を気体状に
して除去し、堆積物のパーティクルが半導体ウエハに付
着するのを防止する。
【００１５】この発明の請求項第２項においては、反応
チャンバ及び真空排気配管内を所定の減圧状態に維持し
て半導体装置製造装置のクリーニングを行う。
【００１６】この発明の請求項第３項においては、無水
ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガスをキャリアガスと共
に反応チャンバ又は真空排気配管に導入し、無水ＨＦガ
ス及びハロゲン間化合物ガスが反応チャンバ又は真空排
気配管の内壁に付着した堆積物と反応して堆積物を気体
状にして除去し、反応チャンバ又は真空排気配管内を清
浄にする。
【００１７】この発明の請求項第４項においては、無水
ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガス並びにキャリアガス
を所定の圧力で反応チャンバ及び真空排気配管の少なく
とも一方に導入し、反応チャンバ又は真空排気配管の内
壁に付着した堆積物のエッチングレートを高め、クリー
ニングを迅速にする。
【００１８】
【実施例】
実施例１．図１は、この発明の実施例１による半導体装
置製造装置例えば減圧ＣＶＤ装置の概略構成図である。
なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示してい
る。図において、減圧ＣＶＤ装置の反応チャンバは、石
英管３及びその両端の真空フランジ８、１２により構成
され、石英管３の内部には石英ボート２に搭載された複
数枚のシリコンウェハ１が収容されている。石英管３の
一方の真空フランジ８には、バルブ３２を介して窒素ガ
ス供給源９、ＴＥＯＳガス供給源５、無水ＨＦガス供給
源１７及びＣｌＦ３ガス供給源１８がそれぞれ接続され
ている。キャリアガス導入手段は窒素ガス供給源９、マ
スフローコントローラー１０、バルブ１１、３２、３
３、配管３２ａ、３３ａにより構成され、反応性ガス導
入手段はＴＥＯＳガス供給源５、マスフローコントロー
ラー６、バルブ７、３２、配管３２ａにより構成され
る。
【００１９】減圧ＣＶＤ装置をクリーニングする時に用
いるガスとしては、無水ＨＦガス及びハロゲン間化合物
ガス例えばＣｌＦ３ガスが用いられる。これらのガスの
流量調節並びに導入、停止は、それぞれマスフローコン
トローラー１９、２０並びにバルブ２１、２２例えばエ
アーオペレーションバルブによって行われる。無水ＨＦ
ガス導入手段は無水ＨＦガス供給源１７、マスフローコ
ントローラー１９、バルブ２１、３２、３３及び配管３
２ａ、３３ａにより構成され、ハロゲン間化合物ガス導
入手段はＣｌＦ３ガス供給源１８、マスフローコントロ
ーラー２０、バルブ２２、３２、３３、配管３２ａ、３
３ａにより構成される。
【００２０】石英管３の他方の真空フランジ１２には、
真空排気配管１３が接続され、この真空排気配管１３は
真空排気用メインバルブ１５を介して真空排気手段であ
るロータリーポンプ１４に接続されている。なお、真空
排気配管１３には、配管内の圧力を測定する真空計２３
ａが設けられており、ロータリーポンプ１４の下流側に
は、無水ＨＦガス等の有害なガスを回収する有害ガス回
収装置５０が設けられている。また、真空フランジ８に
は、石英管３内の真空度を測定する真空計２３が設けら
れており、真空フランジ１２には、無水ＨＦガス及びＣ
ｌＦ３ガスを検知するガス検知器２４が設けられてい
る。
【００２１】上述したように構成された減圧ＣＶＤ装置
では、従来装置と同様に、シリコンウエハ１にシリコン
酸化膜を形成する。すなわち、窒素ガス供給源９及びＴ
ＥＯＳガス供給源５から所定流量で石英管３内に導入さ
れた窒素ガス及びＴＥＯＳガスは、ロータリーポンプ１
４により０．８Ｔorr程度の圧力に制御され、石英管３
内はヒーター４により７００℃程度の温度に維持された
状態で、石英管３内に配置されたシリコンウエハ１にＴ
ＥＯＳガスの熱分解によりシリコン酸化膜の形成が行わ
れる。
【００２２】この時、石英管３の内壁はヒーター４によ
り加熱されているため、ＴＥＯＳガスが熱分解してシリ
コン酸化膜が石英管３の内壁にも付着する。石英管３の
内壁に付着したシリコン酸化膜は、上述したようにパー
ティクルの原因となるので望ましくない。また、ＴＥＯ
Ｓガスの多くは未反応ガスとして真空排気配管１３から
排気される。しかし、この未反応ガスは、真空フランジ
１２から真空排気配管１３で急冷されることにより、真
空排気配管１３の内壁に上述のように堆積物を生じる。
この堆積物は、次回にシリコン酸化膜をシリコンウエハ
１上に形成させる過程において、石英管３内を大気圧か
ら減圧状態若しくは減圧状態から大気圧状態へと圧力変
化を生じる時に、石英管３内へ舞い上がりシリコンウエ
ハ１表面へパーティクルとして付着する。
【００２３】次に、上記堆積物を無水ＨＦガス及びＣｌ
Ｆ３ガスにより清浄にするクリーニング操作を説明す
る。この実施例１では、減圧ＣＶＤ装置の石英管３と真
空排気配管１３とを共にクリーニングする場合について
説明する。まず、石英管３内をロータリーポンプ１４に
より真空状態にするために、大径の真空排気用メインバ
ルブ１５を閉じて小径の真空排気用サブバルブ１６を開
け、徐々に２０Ｔorrまで真空引きを行う。石英管３内
が２０Ｔorrを過ぎた時点で、真空排気用メインバルブ
１５も開け、石英管３内の圧力を真空計２３により測定
して圧力が１０-３Ｔorrになったところで、真空排気用
メインバルブ１５及び真空排気用サブバルブ１６を閉じ
ると共に、バルブ１１、３２を開けて窒素ガス供給源９
から窒素ガスを石英管３内に導入する。この時、バルブ
３３や他のガスを導入させるバルブ７、２１、２２は閉
じておく。
【００２４】石英管３内の圧力が５００Ｔorrになった
ところで、ロータリーポンプ１４を作動させ、真空排気
用メインバルブ１５を開け真空排気用サブバルブ１６を
微調整することにより、窒素ガスが流れ続けている石英
管３内の圧力を５００Ｔorrに維持する。また、ヒータ
ー４によって石英管３内の温度を７００℃に保つ。な
お、この圧力の調整は、ロータリーポンプ１４の手前に
ニードルバルブを設けることによって、真空排気用メイ
ンバルブ１５及び真空排気用サブバルブ１６と併用して
行ってもよい。また、他の真空ポンプをロータリーポン
プ１４と併用してもよい。
【００２５】石英管３内の窒素ガスの圧力を５００Ｔor
rに維持して２０分程度流し続け窒素ガスの圧力が安定
となった状態で、バルブ２１、２２を開いて無水ＨＦガ
ス及びＣｌＦ３ガスを石英管３内に導入し、石英管３及
び真空フランジ１２並びに真空排気配管１３のクリーニ
ングを行う。無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスは、それぞ
れマスフローコントローラー１９、２０により流量制御
を行い、窒素ガスの流量を例えば４リットル／分、無水
ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスの合計の流量を例えば１リッ
トル／分とする。クリーニング時の窒素ガス、無水ＨＦ
ガス及びＣｌＦ３ガスの全圧は、好適には３００Ｔorr
〜７００Ｔorr、さらに好適には５００Ｔorr〜６００Ｔ
orrの範囲であり、クリーニングは例えば２時間程度行
う。
【００２６】石英管３内の圧力が３００Ｔorr以下であ
ると、エッチングレートが非常に低くなるため、エッチ
ングレートを実用的な値にまで高めるためには上記全圧
を３００Ｔorr以上とすることが必要である。また、無
水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスの濃度が高すぎると、配管
等を腐食するので、上記全圧を７００Ｔorr以下とする
ことが望ましい。また、無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガス
の合計混合量は、窒素ガスに対して好適には１０％〜２
０％である。また、ＣｌＦ３ガスは、無水ＨＦガスに対
して好適には５％以下の割合で混合する。堆積物のエッ
チングレートは、上記流量で７００℃、５００Ｔorrの
条件下で約１．５％／分である。ここにエッチングレー
ト（％／分）とは、エッチングによって減少した試料の
重さ（ｇ）／エッチング前の試料の重さ（ｇ）×１００
／エッチング時間（分）で表される。
【００２７】以上のクリーニングによって、真空排気配
管１３の内壁に付着した堆積物例えばＣＨ3.8Ｓｉ2Ｏ
1.7は、反応式ＣＨ3.8Ｓｉ2Ｏ1.7＋８ＨＦ→ＣＨ4＋
１．７Ｈ2Ｏ＋２ＳｉＦ4＋２．２Ｈ2によって除去され
る。また、石英管３の内壁に付着した堆積物例えばＳｉ
Ｏ２は、反応式２ＳｉＯ２＋３ＣｌＦ３→ＳｉＦ４＋Ｓ
ｉＣｌ４＋４Ｆ２＋２Ｏ２によって除去される。また、
これらの反応式により発生した有害ガスや無水ＨＦガス
等は、有害ガス回収装置５０により回収される。このよ
うに、反応チャンバ及び真空排気配管の内壁に付着した
堆積物を共に除去することができ、無水ＨＦガスにＣｌ
Ｆ３ガスを添加することによりクリーニング効果を高め
ることができる。
【００２８】実施例２．図２は、この発明の実施例２に
よる半導体装置製造装置例えば減圧ＣＶＤ装置の概略構
成図である。図において、真空排気配管１３には、減圧
手段例えばアスピレーター２６がバルブ２５を介して真
空排気配管１３に並列に設けられている。このアスピレ
ーター２６の拡大断面構造を図３に示す。アスピレータ
ー２６に接続された配管２７には、バルブ２８を介して
窒素ガス供給源２９が接続されており、供給される窒素
ガスの流量は、フローメーター３０及びレギュレーター
３１により調節される。なお、アスピレーター２６の下
流側には、無水ＨＦガス等の有害なガスを回収する有害
ガス回収装置５０が設けられている。また、配管２７に
は、窒素ガス供給源２９からの窒素ガスをフローメータ
ー３０を介さずに直接アスピレーター２６に供給するた
めのバルブ３４が接続されている。
【００２９】次に、減圧手段を用いて減圧ＣＶＤ装置の
石英管３と真空排気配管１３とを共にクリーニングす
る。まず、石英管３内をロータリーポンプ１４により真
空状態にするために、真空排気用メインバルブ１５、バ
ルブ２５を閉じて真空排気用サブバルブ１６を開け、徐
々に２０Ｔorrまで真空引きを行う。石英管３内が２０
Ｔorrを過ぎた時点で、真空排気用メインバルブ１５も
開け、石英管３内の圧力を真空計２３により測定して圧
力が１０-３Ｔorrになったところで、真空排気用メイン
バルブ１５及び真空排気用サブバルブ１６を閉じると共
に、バルブ１１、３２を開けて窒素ガス供給源９から窒
素ガスを石英管３内に導入する。この時、バルブ３３や
他のガスを導入させるバルブ７、２１、２２は閉じてお
く。石英管３内の圧力が５００Ｔorrになったところ
で、バルブ２５及び２８を開き、窒素ガス供給源２９か
ら窒素ガスを配管２７に導入することによってアスピレ
ーター２６を作動させ、窒素ガスが流れ続けている石英
管３内の圧力を５００Ｔorrに維持する。また、ヒータ
ー４によって石英管３内の温度を７００℃に保つ。
【００３０】石英管３内の窒素ガスの圧力を５００Ｔor
rに維持して２０分程度流し続け窒素ガスの圧力が安定
となった状態で、バルブ２１、２２を開いて無水ＨＦガ
ス及びＣｌＦ３ガスを石英管３内に導入し、石英管３及
び真空フランジ１２並びに真空排気配管１３のクリーニ
ングを行う。無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスは、それぞ
れマスフローコントローラー１９、２０により流量制御
を行い、窒素ガスの流量を例えば４リットル／分、無水
ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスの合計の流量を例えば１リッ
トル／分とする。クリーニング時の窒素ガス、無水ＨＦ
ガス及びＣｌＦ３ガスの全圧は、実施例１と同様に好適
には３００Ｔorr〜７００Ｔorr、さらに好適には５００
Ｔorr〜６００Ｔorrの範囲であり、クリーニングは例え
ば２時間程度行う。以上のクリーニングによって、石英
管３及び真空排気配管１３の内壁に付着した堆積物は、
実施例１と同様に除去される。また、有害ガスは有害ガ
ス回収装置５０により回収される。
【００３１】次いで、クリーニング終了後、バルブ２
１、２２を閉めて無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスの供給
を止め、バルブ１１を開け圧力５００Ｔorrの窒素ガス
によって石英管３、真空排気配管１３のパージを行う。
次に、バルブ２８を閉じてバルブ３４を開けることによ
り、窒素ガスをフローメーター３０等を介さずに直接勢
い良くアスピレーター２６に供給することにより、短時
間で石英管３内の圧力を５０Ｔorrにする。その後、バ
ルブ３４を閉め、石英管３内の窒素ガス圧力を増加させ
る。窒素ガスの圧力が６００Ｔorrになったらバルブ３
４を開け、再度石英管３内を５０Ｔorrの圧力にする。
この操作によって、石英管３及び真空排気配管１３内を
速やかに窒素ガスで置換することができる。次に、バル
ブ３４を閉め、真空排気用メインバルブ１５を開け、ロ
ータリーポンプ１４により石英管３内を１０-3Ｔorrの
圧力にする。この状態で２０分程度維持し、無水ＨＦガ
ス及びＣｌＦ３ガスの濃度が１０ｐｐｍ以下となってい
ることをガス検知器２４で確認した後、真空排気用メイ
ンバルブ１５を閉じ、バルブ１１を開けて大気圧になる
まで窒素ガスを石英管３内に導入する。
【００３２】次に、シリコンウェハ１に酸化膜を形成す
るバッチ処理による操作を２回、３回と繰り返し、シリ
コンウエハ１表面に付着した０．３μｍ以上のパーティ
クル数を測定しその結果を図４に示した。クリーニング
を行わずにシリコンウェハ１に酸化膜を形成した場合に
は、パーティクル数は２００個であった。しかし、クリ
ーニング後にシリコンウェハ１に酸化膜を形成した場
合、１回目の酸化膜形成後のパーティクル数は５個、同
様に２回目は３個、３回目は４個であり、パーティクル
数は非常に減少した。このような結果は、従来の薬液に
よるクリーニングに匹敵するものである。
【００３３】実施例３．この実施例では、減圧ＣＶＤ装
置の真空排気配管１３だけを真空排気手段を用いてクリ
ーニングする場合について説明する。まず、図１におい
て、バルブ４６を閉じると共に、バルブ１１、３３を開
けて窒素ガス供給源９から窒素ガスを直接真空排気配管
１３に導入する。この時、バルブ３２や他のガスを導入
させるバルブ７、２１及び２２は閉じておく。
【００３４】真空排気配管１３内の窒素ガスの圧力が５
００Ｔorrになったところで、真空排気用メインバルブ
１５を開け真空排気用サブバルブ１６を微調整すること
により、窒素ガスが流れ続けている真空排気配管１３内
の圧力をロータリーポンプ１４によって５００Ｔorrに
維持する。この圧力の調整は、実施例１と同様にニード
ルバルブや他の真空ポンプを併用できる。その後、バル
ブ２１、２２を開けて無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスを
真空排気配管１３内に流し、約５００Ｔorrの圧力で真
空排気配管１３のクリーニングを行う。クリーニングを
行った後、バルブ２１、２２を閉めて無水ＨＦガス及び
ＣｌＦ３ガスの供給を止めた後、窒素ガス供給源９から
の窒素ガスにより５００Ｔorrの圧力で真空排気配管１
３のパージを行い、真空排気配管１３のクリーニングは
終了する。なお、真空排気配管１３内を流れた有害なガ
スは、有害ガス回収装置５０により回収される。このよ
うに、堆積物の付着し易い真空排気配管１３を単独で重
点的にクリーニングすることができる。
【００３５】実施例４．この実施例では、減圧ＣＶＤ装
置の真空排気配管１３だけを減圧手段を用いてクリーニ
ングする場合について説明する。まず、図２において、
バルブ４６を閉じると共に、バルブ１１、３３を開けて
窒素ガス供給源９から窒素ガスを直接真空排気配管１３
に導入する。この時、バルブ３２や他のガスを導入させ
るバルブ７、２１及び２２は閉じておく。
【００３６】真空排気配管１３内の窒素ガスの圧力が５
００Ｔorrになったところで、バルブ２５及び２８を開
き、窒素ガス供給源２９から窒素ガスを配管２７に導入
することによってアスピレーター２６を作動させ、窒素
ガスが流れ続けている真空排気配管１３内の窒素ガスの
圧力を５００Ｔorrに維持する。その後、バルブ２１、
２２を開けて無水ＨＦガス及びＣｌＦ３ガスを真空排気
配管１３内に流し、約５００Ｔorrの圧力で真空排気配
管１３のクリーニングを行う。クリーニングを行った
後、バルブ２１、２２を閉めて無水ＨＦガス及びＣｌＦ
３ガスの供給を止めた後、窒素ガス供給源９からの窒素
ガスにより５００Ｔorrの圧力で真空排気配管１３のパ
ージを行い、真空排気配管１３のクリーニングは終了す
る。なお、真空排気配管１３内を流れた有害なガスは、
有害ガス回収装置５０により回収される。このように、
堆積物の付着し易い真空排気配管１３を単独で重点的に
クリーニングすることができる。
【００３７】実施例５．図１及び図２では、ヒーター４
が配置されているヒーターゾーンより石英管３の方が長
いので、真空フランジ８、１２の近傍の石英管３両端部
の温度が低くなり堆積物が付着し易い。これを回避する
ために、図５に示すように、石英管３の両端部に真空室
３５を形成したものを半導体装置製造装置に使用するこ
とができる。これによって、石英管４０の両端部におけ
る保温性が向上し、堆積物の付着を極力抑えることがで
きる。なお、真空室３５の中に例えば石英ウール３６を
収容することも可能であり、真空室３５部分の熱容量を
増大させることができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明の請求項
第１項は、半導体ウエハを収容する反応チャンバと、上
記反応チャンバに接続され上記反応チャンバ内に反応性
ガスを導入する反応性ガス導入手段と、上記反応チャン
バに接続された真空排気配管と、上記真空排気配管に接
続され上記反応チャンバ及び上記真空排気配管内を排気
する真空排気手段と、上記反応チャンバ及び上記真空排
気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャン
バ又は真空排気配管に無水ＨＦガスを導入する無水ＨＦ
ガス導入手段と、上記反応チャンバ及び上記真空排気配
管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャンバ又
は真空排気配管にハロゲン間化合物ガスを導入するハロ
ゲン間化合物ガス導入手段と、上記反応チャンバ及び上
記真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反
応チャンバ又は真空排気配管にキャリアガスを導入する
キャリアガス導入手段とを備えたので、排気系配管を取
り外して別途にクリーニングする必要がなく、反応チャ
ンバ及び真空排気配管の内壁に付着した堆積物を除去し
てシリコン酸化膜形成時に堆積物のパーティクルが半導
体ウエハに付着するのを防止でき、信頼性の高い半導体
装置を製造できる半導体装置製造装置が得られるという
効果を奏する。
【００３９】この発明の請求項第２項は、請求項第１項
の半導体装置製造装置に反応チャンバ及び真空排気配管
内を所定の減圧状態にする減圧手段を設けたので、半導
体装置製造装置のクリーニング時に反応チャンバ又は真
空排気配管内のガスの圧力を容易に調節することができ
ると共に、窒素ガスによる反応チャンバ及び真空排気配
管内のパージを迅速に行うことができるいう効果を奏す
る。
【００４０】この発明の請求項第３項は、半導体ウエハ
を収容する反応チャンバ又はこの反応チャンバに接続さ
れた真空排気配管に、無水ＨＦガス及びハロゲン間化合
物ガス並びにキャリアガスを導入することによって、上
記反応チャンバ又は上記真空排気配管の内壁に付着した
反応性ガスの堆積物を除去するので、堆積物の付着し易
い真空排気配管を単独で重点的にクリーニングする等が
可能であり、効率的に半導体装置製造装置のクリーニン
グを行うことができ、反応チャンバ又は真空排気配管の
内壁に付着した堆積物を除去してシリコン酸化膜形成時
に半導体ウエハに付着する堆積物のパーティクルが発生
するのを防止でき、信頼性の高い半導体装置が得られる
という効果を奏する。
【００４１】この発明の請求項第４項は、請求項第３項
の半導体装置製造装置のクリーニング方法において、無
水ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガス並びにキャリアガ
スを３００Ｔorr〜７００Ｔorrの範囲の圧力で反応チャ
ンバ又は真空排気配管に導入するので、反応チャンバ及
び真空排気配管の内壁に付着した堆積物のエッチングレ
ートを高めてクリーニングを迅速に行うことができると
いう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１及び３による減圧ＣＶＤ装
置を示す概略構成図である。
【図２】この発明の実施例２及び４による減圧ＣＶＤ装
置を示す概略構成図である。
【図３】図２に示した減圧ＣＶＤ装置のアスピレーター
を示す拡大断面図である。
【図４】この発明の実施例２により減圧ＣＶＤ装置のク
リーニングを行った後にシリコンウェハに酸化膜を形成
した回数と、シリコンウェハ表面に付着したパーティク
ル数との関係を示す線図である。
【図５】この発明の実施例５による減圧ＣＶＤ装置の石
英管を示す側断面図である。
【図６】従来の減圧ＣＶＤ装置を示す概略構成図であ
る。
【符号の説明】
１ シリコンウェハ ２ 石英ボード ３ 石英管 ４ ヒーター ５ ＴＥＯＳガス供給源 ６、１０、１９、２０ マスフローコントローラー ７、１１、２１、２２、２５、２８、３２、３３、３
４、４６ バルブ ８、１２ 真空フランジ ９、２９ 窒素ガス供給源 １３ 真空排気配管 １４ ロータリーポンプ １５ 真空排気用メインバルブ １６ 真空排気用サブバルブ １７ 無水ＨＦガス供給源 １８ ＣｌＦ３ガス供給源 ２３ 真空計 ２４ ガス検知器 ２６ アスピレーター ２７ 配管 ３０ フローメーター ３１ レギュレーター ３２ａ、３３ａ 配管 ３５ 真空室 ３６ 石英ウール ４０ 石英管 ５０ 有害ガス回収装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ウエハを収容する反応チャンバ
    と、 上記反応チャンバに接続され上記反応チャンバ内に反応
    性ガスを導入する反応性ガス導入手段と、 上記反応チャンバに接続された真空排気配管と、 上記真空排気配管に接続され上記反応チャンバ及び上記
    真空排気配管内を排気する真空排気手段と、 上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一
    方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管に
    無水ＨＦガスを導入する無水ＨＦガス導入手段と、 上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一
    方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管に
    ハロゲン間化合物ガスを導入するハロゲン間化合物ガス
    導入手段と、 上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一
    方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管に
    キャリアガスを導入するキャリアガス導入手段とを備え
    たことを特徴とする半導体装置製造装置。
  2. 【請求項２】 反応チャンバ及び真空排気配管内を所定
    の減圧状態にする減圧手段を上記真空排気配管に並列に
    設けたことを特徴とする請求項第１項記載の半導体装置
    製造装置。
  3. 【請求項３】 半導体ウエハを収容する反応チャンバ又
    はこの反応チャンバに接続された真空排気配管に、無水
    ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガス並びにキャリアガス
    を導入することによって、上記反応チャンバ又は上記真
    空排気配管の内壁に付着した反応性ガスの堆積物を除去
    することを特徴とする半導体装置製造装置のクリーニン
    グ方法。
  4. 【請求項４】 無水ＨＦガス及びハロゲン間化合物ガス
    並びにキャリアガスを、３００Ｔorr〜７００Ｔorrの範
    囲の圧力で反応チャンバ又は真空排気配管に導入するこ
    とを特徴とする請求項第３項記載の半導体装置製造装置
    のクリーニング方法。
JP5115898A 1993-05-18 1993-05-18 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法 Pending JPH06330323A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5115898A JPH06330323A (ja) 1993-05-18 1993-05-18 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
DE4417205A DE4417205C2 (de) 1993-05-18 1994-05-17 Herstellungsgerät für Halbleiter-Vorrichtungen und Reinigungsverfahren für das Gerät
US08/522,159 US5584963A (en) 1993-05-18 1995-09-14 Semiconductor device manufacturing apparatus and cleaning method for the apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5115898A JPH06330323A (ja) 1993-05-18 1993-05-18 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06330323A true JPH06330323A (ja) 1994-11-29

Family

ID=14673938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5115898A Pending JPH06330323A (ja) 1993-05-18 1993-05-18 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5584963A (ja)
JP (1) JPH06330323A (ja)
DE (1) DE4417205C2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015178678A (ja) * 2015-04-06 2015-10-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Families Citing this family (213)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
US5855677A (en) * 1994-09-30 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling the temperature of reaction chamber walls
US5783495A (en) * 1995-11-13 1998-07-21 Micron Technology, Inc. Method of wafer cleaning, and system and cleaning solution regarding same
JPH09202973A (ja) * 1996-01-24 1997-08-05 Tokyo Electron Ltd 成膜処理装置の排気システム構造
JPH09213673A (ja) * 1996-02-06 1997-08-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置及びシリコン酸化膜の除去方法
JP3400293B2 (ja) * 1996-05-01 2003-04-28 株式会社東芝 Ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
GB9614849D0 (en) * 1996-07-15 1996-09-04 Boc Group Plc Processes for the scubbing of noxious substances
JP3991375B2 (ja) * 1996-11-13 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 トラップ装置
US6156107A (en) * 1996-11-13 2000-12-05 Tokyo Electron Limited Trap apparatus
US6095158A (en) * 1997-02-06 2000-08-01 Lam Research Corporation Anhydrous HF in-situ cleaning process of semiconductor processing chambers
US5849092A (en) * 1997-02-25 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Process for chlorine trifluoride chamber cleaning
JPH10306377A (ja) * 1997-05-02 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd 微量ガス供給方法及びその装置
US5972078A (en) * 1997-07-31 1999-10-26 Fsi International, Inc. Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus
US6321680B2 (en) * 1997-08-11 2001-11-27 Torrex Equipment Corporation Vertical plasma enhanced process apparatus and method
US6352594B2 (en) * 1997-08-11 2002-03-05 Torrex Method and apparatus for improved chemical vapor deposition processes using tunable temperature controlled gas injectors
US7393561B2 (en) 1997-08-11 2008-07-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for layer by layer deposition of thin films
US6780464B2 (en) 1997-08-11 2004-08-24 Torrex Equipment Thermal gradient enhanced CVD deposition at low pressure
KR100253089B1 (ko) * 1997-10-29 2000-05-01 윤종용 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법
US5900047A (en) * 1997-11-26 1999-05-04 Sony Corporation Exhaust system for a semiconductor etcher that utilizes corrosive gas
US6107198A (en) * 1998-03-26 2000-08-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Ammonium chloride vaporizer cold trap
US6156154A (en) * 1998-06-24 2000-12-05 Seagate Technology, Inc. Apparatus for etching discs and pallets prior to sputter deposition
KR100572305B1 (ko) * 1998-11-23 2006-09-27 삼성전자주식회사 반도체제조설비
US6383300B1 (en) * 1998-11-27 2002-05-07 Tokyo Electron Ltd. Heat treatment apparatus and cleaning method of the same
US6186154B1 (en) 1998-12-07 2001-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Find end point of CLF3 clean by pressure change
US6740247B1 (en) 1999-02-05 2004-05-25 Massachusetts Institute Of Technology HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching
US6117213A (en) * 1999-05-07 2000-09-12 Cbl Technologies, Inc. Particle trap apparatus and methods
US20040094086A1 (en) * 2001-03-29 2004-05-20 Keiichi Shimaoka Production device and production method for silicon-based structure
KR100431657B1 (ko) * 2001-09-25 2004-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치, 그리고 웨이퍼의 식각방법 및 식각 장치
US7013091B2 (en) * 2002-01-16 2006-03-14 Pts Corporation Synchronization of pulse and data sources
JP3985899B2 (ja) * 2002-03-28 2007-10-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US20050082002A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-21 Yuusuke Sato Method of cleaning a film-forming apparatus and film-forming apparatus
US20070151668A1 (en) 2006-01-04 2007-07-05 Tokyo Electron Limited Gas supply system, substrate processing apparatus, and gas supply method
US7622310B2 (en) * 2006-04-27 2009-11-24 Metrosol, Inc. Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
US7663747B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-16 Metrosol, Inc. Contamination monitoring and control techniques for use with an optical metrology instrument
US20090229663A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Nanocrystalline photovoltaic device
US20090233007A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Chemical vapor deposition reactor and method
US20090229664A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-17 Nanopv Technologies Inc. Method of manufacturing nanocrystalline photovoltaic devices
JP5274557B2 (ja) * 2008-07-04 2013-08-28 シャープ株式会社 真空処理装置及びガス供給方法
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP6552206B2 (ja) * 2015-02-02 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 排気管無害化方法及び成膜装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
CN104707494A (zh) * 2015-03-30 2015-06-17 上海纳诺巴伯纳米科技有限公司 一种超饱和氢气溶液的制备装置及其制备方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190002318A (ko) * 2017-06-29 2019-01-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기계 설비 시스템
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
DE102019218727A1 (de) * 2019-12-03 2021-06-10 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und verfahren zum bearbeiten mindestens eines halbleiter-substrates
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
US11551912B2 (en) 2020-01-20 2023-01-10 Asm Ip Holding B.V. Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP7436253B2 (ja) * 2020-03-23 2024-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理方法および熱処理装置
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE209485C (ja) *
DD209485A1 (de) * 1982-09-16 1984-05-09 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren zum reinigen elektrisch leitfaehiger reaktionsrohre von cvd-anlagen
JPS60220138A (ja) * 1984-04-13 1985-11-02 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 反応装置の清掃方法
JPS621873A (ja) * 1985-06-28 1987-01-07 Canon Inc 堆積膜形成装置の洗浄方法
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
JPS63176475A (ja) * 1987-01-16 1988-07-20 Nec Corp Ｃｖｄ装置清掃方法
JP2720966B2 (ja) * 1987-07-13 1998-03-04 セントラル硝子株式会社 薄膜を付着した部品の再生利用方法
JPH01116080A (ja) * 1987-10-29 1989-05-09 Nippon Sanso Kk 清掃室を具備した光励起気相成長装置
JPH01158722A (ja) * 1987-12-15 1989-06-21 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長装置
JPH0394059A (ja) * 1989-09-05 1991-04-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 金属酸化薄膜形成方法およびその装置
JP3140068B2 (ja) * 1991-01-31 2001-03-05 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法
JP2896268B2 (ja) * 1992-05-22 1999-05-31 三菱電機株式会社 半導体基板の表面処理装置及びその制御方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015178678A (ja) * 2015-04-06 2015-10-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
DE4417205C2 (de) 1998-10-08
DE4417205A1 (de) 1994-11-24
US5584963A (en) 1996-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06330323A (ja) 半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
JPH07169693A (ja) 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
US6164295A (en) CVD apparatus with high throughput and cleaning method therefor
CN1327485C (zh) 薄膜形成装置的洗净方法
EP1596419A2 (en) High rate etching using fluorine plasma
EP1932941A1 (en) Thermal etch process for cleaning CVD chambers
US20050011445A1 (en) Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system
JP2003077839A (ja) 半導体製造装置のパージ方法及び半導体装置の製造方法
CN105719949A (zh) 选择性氮化物蚀刻
JP5011148B2 (ja) 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
JP2006148095A (ja) 六フッ化硫黄リモートプラズマ源洗浄
JP2002334869A (ja) シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
JP5498640B2 (ja) 窒化物半導体製造装置部品の洗浄方法と洗浄装置
TWI415177B (zh) A substrate processing method and a substrate processing apparatus
US20050082002A1 (en) Method of cleaning a film-forming apparatus and film-forming apparatus
US7942974B2 (en) Method of cleaning a film-forming apparatus
CN102732855A (zh) 薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置
JP4320389B2 (ja) Ｃｖｄチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
TW202333870A (zh) 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式
JPH04323377A (ja) Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
TWI738053B (zh) 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP2012209585A (ja) 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
KR101416172B1 (ko) 박막 증착 장비의 챔버 세정 방법
JPH02151031A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0410621A (ja) 窒化シリコン膜のエッチング処理方法、及びその装置