JPH04323377A - Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
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- JPH04323377A JPH04323377A JP11530291A JP11530291A JPH04323377A JP H04323377 A JPH04323377 A JP H04323377A JP 11530291 A JP11530291 A JP 11530291A JP 11530291 A JP11530291 A JP 11530291A JP H04323377 A JPH04323377 A JP H04323377A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＣＶＤ装置、特に常
圧ＣＶＤ装置のクリーニング方法に関する。
圧ＣＶＤ装置のクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、シリコン
ウエハの表面に対して酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）など
の薄膜を形成する工程がある。薄膜の形成には専ら化学
的気相成長法（ＣＶＤ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が行われており、これはガ
ス状物質を化学反応で固体化してウエハ面に堆積する方
法である。ＣＶＤ法には各種があるが、反応炉を密閉し
、常圧下で成膜を行う常圧ＣＶＤ装置が広く使用されて
いる。
ウエハの表面に対して酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）など
の薄膜を形成する工程がある。薄膜の形成には専ら化学
的気相成長法（ＣＶＤ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が行われており、これはガ
ス状物質を化学反応で固体化してウエハ面に堆積する方
法である。ＣＶＤ法には各種があるが、反応炉を密閉し
、常圧下で成膜を行う常圧ＣＶＤ装置が広く使用されて
いる。
【０００３】図２において、１は常圧ＣＶＤ装置の垂直
断面を示し、ベース１１に筐体１２１ とベルジャ蓋１
２２ よりなる反応炉１２が固定されている。ベルジャ
蓋の頂点には反応ガスを送入する送入口１３，１４ が
設けられ、また反応炉１２の内部には、図示の形状のバ
ッファ板１５が固定され、その周辺にウエハ２に対する
載置台１６が複数個配設され、各載置台はヒーター１７
により加熱され、図示しない回転機構により自公転する
。ＣＶＤのプロセスにおいては、送入口１３，１４ よ
り例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の反
応ガスがそれぞれ送入されて反応炉内を矢印の方向にフ
ローし、載置台に載置されて加熱されたウエハ２の表面
にＳｉＯ２ が蒸着して堆積し、薄膜が形成される。反
応すみの反応ガスは筐体１２１ の下部に設けられた排
出口１８より外部に排出される。
断面を示し、ベース１１に筐体１２１ とベルジャ蓋１
２２ よりなる反応炉１２が固定されている。ベルジャ
蓋の頂点には反応ガスを送入する送入口１３，１４ が
設けられ、また反応炉１２の内部には、図示の形状のバ
ッファ板１５が固定され、その周辺にウエハ２に対する
載置台１６が複数個配設され、各載置台はヒーター１７
により加熱され、図示しない回転機構により自公転する
。ＣＶＤのプロセスにおいては、送入口１３，１４ よ
り例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の反
応ガスがそれぞれ送入されて反応炉内を矢印の方向にフ
ローし、載置台に載置されて加熱されたウエハ２の表面
にＳｉＯ２ が蒸着して堆積し、薄膜が形成される。反
応すみの反応ガスは筐体１２１ の下部に設けられた排
出口１８より外部に排出される。
【０００４】以上の常圧ＣＶＤ装置においては、ウエハ
の載置台１６のみならず反応炉１２の内部全体が反応に
必要な高温の雰囲気となっているため、炉内に送入され
た反応ガスは、ウエハの表面以外に筐体１２１ をはじ
めベルジャ蓋１２２ 、バッファ板１５、載置台１６な
どの壁面にもＳｉＯ２ の微粒子が蒸着し、異物となっ
て炉内が汚染される。この異物微粒子は成長して異物の
フレークとなり、これが振動により剥げて浮遊し、ウエ
ハ面に落下して付着することが起こる。このような異物
のフレークが付着すると生成膜にピンホールが生じて半
導体ＩＣの品質が劣化し、製造歩留まりを著しく低下さ
せる欠点があった。
の載置台１６のみならず反応炉１２の内部全体が反応に
必要な高温の雰囲気となっているため、炉内に送入され
た反応ガスは、ウエハの表面以外に筐体１２１ をはじ
めベルジャ蓋１２２ 、バッファ板１５、載置台１６な
どの壁面にもＳｉＯ２ の微粒子が蒸着し、異物となっ
て炉内が汚染される。この異物微粒子は成長して異物の
フレークとなり、これが振動により剥げて浮遊し、ウエ
ハ面に落下して付着することが起こる。このような異物
のフレークが付着すると生成膜にピンホールが生じて半
導体ＩＣの品質が劣化し、製造歩留まりを著しく低下さ
せる欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の反応炉内の汚染
に対して従来は、定期的または必要の都度、装置を停止
し、ベルジャ蓋を開いて内部を掃除器によりクリーニン
グすることが行われている。しかし、壁面に蒸着したＳ
ｉＯ２ などの異物微粒子や、そのフレークは簡単には
除去されずかなりの労力と時間を要し、このためにＣＶ
Ｄ装置の稼働率が低下している。そこでクリーニングを
効率的に行う方法が必要とされている。この発明は以上
に鑑みてなされたもので、化学的な方法により、クリー
ニング作業の省力化と常圧ＣＶＤ装置の稼働率を向上す
る効率的な方法を提供することを目的とするものである
。
に対して従来は、定期的または必要の都度、装置を停止
し、ベルジャ蓋を開いて内部を掃除器によりクリーニン
グすることが行われている。しかし、壁面に蒸着したＳ
ｉＯ２ などの異物微粒子や、そのフレークは簡単には
除去されずかなりの労力と時間を要し、このためにＣＶ
Ｄ装置の稼働率が低下している。そこでクリーニングを
効率的に行う方法が必要とされている。この発明は以上
に鑑みてなされたもので、化学的な方法により、クリー
ニング作業の省力化と常圧ＣＶＤ装置の稼働率を向上す
る効率的な方法を提供することを目的とするものである
。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに上記の常圧ＣＶＤ装置においては、放電装置（例え
ば、オゾン発生器等）を設け、これに弗化炭素ＣＦ４
またはＣ２ Ｆ６ 、または三弗化窒素ＮＦ３ を供給
し、その放電作用により分解して弗素ガスＦを発生させ
て反応炉内に送入する。この弗素ガスと炉内の壁面に堆
積したＳｉＯ２ の異物微粒子とを反応させて弗化シリ
コンＳｉＦ４ などのガスとして外部に排出し、炉内を
クリーニングする。クリーニングの終了後、適時にモノ
シランＳｉＨ４ と酸素Ｏ２ の反応ガスにジボランＢ
２ Ｈ６ またはホスフィンＰＨ３ を加えたガスを炉
内に送入して空デポジットを行い、反応により発生した
水蒸気Ｈ２ Ｏに残留した弗素ガスを吸着し、排出させ
るものである。
めに上記の常圧ＣＶＤ装置においては、放電装置（例え
ば、オゾン発生器等）を設け、これに弗化炭素ＣＦ４
またはＣ２ Ｆ６ 、または三弗化窒素ＮＦ３ を供給
し、その放電作用により分解して弗素ガスＦを発生させ
て反応炉内に送入する。この弗素ガスと炉内の壁面に堆
積したＳｉＯ２ の異物微粒子とを反応させて弗化シリ
コンＳｉＦ４ などのガスとして外部に排出し、炉内を
クリーニングする。クリーニングの終了後、適時にモノ
シランＳｉＨ４ と酸素Ｏ２ の反応ガスにジボランＢ
２ Ｈ６ またはホスフィンＰＨ３ を加えたガスを炉
内に送入して空デポジットを行い、反応により発生した
水蒸気Ｈ２ Ｏに残留した弗素ガスを吸着し、排出させ
るものである。
【０００７】
【作用】以上のクリーニング方法においては、放電装置
（オゾン発生器）により発生した弗素ガスを炉内に送入
して壁面に堆積しているＳｉＯ２ の異物微粒子と反応
させる。この反応により異物微粒子は弗化シリコンＳｉ
Ｆ４ などのガスとなって排出されて炉内がクリーニン
グされる。この場合、送入された弗素ガスはすべてが反
応せずに一部が炉内に残留するので、適当な時点で上記
の空デポジットを行い、発生した水に弗素ガスを吸着し
、排出してＣＶＤの薄膜生成に支障を与えないようにす
る。 以上の化学的な方法によりクリーニング作業は省力化さ
れ、また短時間になされるのでＣＶＤ装置の稼働率を向
上することができる。
（オゾン発生器）により発生した弗素ガスを炉内に送入
して壁面に堆積しているＳｉＯ２ の異物微粒子と反応
させる。この反応により異物微粒子は弗化シリコンＳｉ
Ｆ４ などのガスとなって排出されて炉内がクリーニン
グされる。この場合、送入された弗素ガスはすべてが反
応せずに一部が炉内に残留するので、適当な時点で上記
の空デポジットを行い、発生した水に弗素ガスを吸着し
、排出してＣＶＤの薄膜生成に支障を与えないようにす
る。 以上の化学的な方法によりクリーニング作業は省力化さ
れ、また短時間になされるのでＣＶＤ装置の稼働率を向
上することができる。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の構成図で、３は
弗素ガス発生部を示し、弗化炭素ＣＦ４ またはＣ２
Ｆ６ 、または三弗化窒素ＮＦ３ のガスはマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）３１により流量が調整されて放
電装置（オゾン発生器）３２に供給される。放電装置（
オゾン発生器）には電源３３より所定の電圧が印加され
、発生器の放電作用により供給されたガスが分解して弗
素ガスＦなどが発生し、この弗素ガスは切り替えバルブ
４を経て反応炉１２の送入口１３（または１４） より
炉内に送入される。 弗素ガスは、反応炉１２の筐体１２１ をはじめ、ベル
ジャ蓋１２２ 、バッファ１５、載置台１６などの壁面
に堆積しているＳｉＯ２ の異物微粒子またはそのフレ
ークと反応し、弗化シリコンＳｉＦ４ のガスとなって
排出口１８より排出される。クリーニングにより残留し
た弗素ガスに対しては、ＣＶＤ反応プロセスに使用され
るモノシランＳｉＨ４ に、ジボランＢ２ Ｈ６ また
はホスフィンＰＨ３ を加えたものと、酸素Ｏ２ とを
送入口１３，１４ より炉内に送入して空デポジットを
行い、反応により発生した水蒸気Ｈ２ Ｏに弗素ガスを
吸着し、排出させる。なお、空デポジットにおいては、
モノシランとジボランまたはホスフィンはバルブ４の切
り替えにより送入口１３に供給される。
弗素ガス発生部を示し、弗化炭素ＣＦ４ またはＣ２
Ｆ６ 、または三弗化窒素ＮＦ３ のガスはマスフロー
コントローラ（ＭＦＣ）３１により流量が調整されて放
電装置（オゾン発生器）３２に供給される。放電装置（
オゾン発生器）には電源３３より所定の電圧が印加され
、発生器の放電作用により供給されたガスが分解して弗
素ガスＦなどが発生し、この弗素ガスは切り替えバルブ
４を経て反応炉１２の送入口１３（または１４） より
炉内に送入される。 弗素ガスは、反応炉１２の筐体１２１ をはじめ、ベル
ジャ蓋１２２ 、バッファ１５、載置台１６などの壁面
に堆積しているＳｉＯ２ の異物微粒子またはそのフレ
ークと反応し、弗化シリコンＳｉＦ４ のガスとなって
排出口１８より排出される。クリーニングにより残留し
た弗素ガスに対しては、ＣＶＤ反応プロセスに使用され
るモノシランＳｉＨ４ に、ジボランＢ２ Ｈ６ また
はホスフィンＰＨ３ を加えたものと、酸素Ｏ２ とを
送入口１３，１４ より炉内に送入して空デポジットを
行い、反応により発生した水蒸気Ｈ２ Ｏに弗素ガスを
吸着し、排出させる。なお、空デポジットにおいては、
モノシランとジボランまたはホスフィンはバルブ４の切
り替えにより送入口１３に供給される。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明のクリー
ニング方法においては、放電装置（例えば、オゾン発生
器）により弗化炭素または三弗化窒素より弗素ガスを発
生し、これを炉内に送入して壁面に堆積しているＳｉＯ
２ の異物微粒子と反応させ、弗化シリコンＳｉＦ４
などのガスとして排出して炉内が短時間にクリーニング
され、炉内に残留した弗素ガスは、反応ガスなどにより
空デポジットを行って発生した水に吸着し、排出され、
ＣＶＤの薄膜生成プロセスに支障を与えないようにした
もので、以上の化学的な方法によりクリーニング作業の
省力化と、常圧ＣＶＤ装置の稼働率を向上に寄与する効
果には大きいものがある。
ニング方法においては、放電装置（例えば、オゾン発生
器）により弗化炭素または三弗化窒素より弗素ガスを発
生し、これを炉内に送入して壁面に堆積しているＳｉＯ
２ の異物微粒子と反応させ、弗化シリコンＳｉＦ４
などのガスとして排出して炉内が短時間にクリーニング
され、炉内に残留した弗素ガスは、反応ガスなどにより
空デポジットを行って発生した水に吸着し、排出され、
ＣＶＤの薄膜生成プロセスに支障を与えないようにした
もので、以上の化学的な方法によりクリーニング作業の
省力化と、常圧ＣＶＤ装置の稼働率を向上に寄与する効
果には大きいものがある。
【図１】 この発明の一実施例の構成図である。
【図２】 常圧ＣＶＤ装置の構成図を示す。
１…常圧ＣＶＤ装置、１１…ベース、１２…反応炉、１
２１ …筐体、１２２ …ベルジャ蓋、１３，１４ …
送入口、１５…バッファ、１６…載置台、１７…ヒータ
ー、１８…排出口、２…ウエハ、３…弗素ガス発生部、
３１…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、３２…放電
装置、３３…電源、４…切り替えバルブ。
２１ …筐体、１２２ …ベルジャ蓋、１３，１４ …
送入口、１５…バッファ、１６…載置台、１７…ヒータ
ー、１８…排出口、２…ウエハ、３…弗素ガス発生部、
３１…マスフローコントローラ（ＭＦＣ）、３２…放電
装置、３３…電源、４…切り替えバルブ。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応炉内に送入された反応ガスの反応
により、該反応炉内に載置された被処理のウエハの表面
に酸化シリコンＳｉＯ２ の薄膜を形成する常圧ＣＶＤ
装置において、前記反応炉に対して放電装置を設け、該
放電装置に弗化炭素ＣＦ４ またはＣ２ Ｆ６ 、また
は三弗化窒素ＮＦ３ を供給し、該放電装置の放電作用
により分解して弗素ガスＦを発生し、該弗素ガスを前記
反応炉内に送入し、該弗素ガスと前記反応炉内の壁面に
堆積しているＳｉＯ２ の異物微粒子とを反応させて弗
化シリコンＳｉＦ４ などのガスとして外部に排出して
クリーニングし、該クリーニングの終了後、適時にモノ
シランＳｉＨ４ にジボランＢ２Ｈ６ またはホスフィ
ンＰＨ３ 、酸素Ｏ２ 等の反応により水を発生する反
応ガス系を前記反応炉内に送入して空デポジットを行い
、反応により発生した水蒸気Ｈ２ Ｏに前記反応炉内に
残留した前記弗素ガスを吸着し、排気させることを特徴
とする、ＣＶＤ装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11530291A JPH04323377A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11530291A JPH04323377A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323377A true JPH04323377A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14659271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11530291A Pending JPH04323377A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323377A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201847A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Applied Materials Inc | 薄膜形成方法 |
| JPH07201738A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-04 | Applied Materials Inc | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 |
| FR2872506A1 (fr) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | Air Liquide | Procede de preparation d'un gaz ou melange de gaz contenant du fluor moleculaire |
| FR2872505A1 (fr) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | Air Liquide | Generateur de gaz fluore |
| WO2006010857A1 (fr) * | 2004-06-30 | 2006-02-02 | L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Procede de preparation d'un gaz ou melange de gaz contenant du fluor moleculaire |
| FR2887245A1 (fr) * | 2005-06-21 | 2006-12-22 | Air Liquide | Procede de preparation d'un gaz ou melange de gaz contenant du fluor moleculaire |
| JP2010212712A (ja) * | 2010-04-27 | 2010-09-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置 |
| JP2012074738A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2012099840A (ja) * | 2011-12-27 | 2012-05-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
-
1991
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