JPH04341569A - 常圧ｃｖｄ装置の汚染防止方法 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置の汚染防止方法Info
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- JPH04341569A JPH04341569A JP14131191A JP14131191A JPH04341569A JP H04341569 A JPH04341569 A JP H04341569A JP 14131191 A JP14131191 A JP 14131191A JP 14131191 A JP14131191 A JP 14131191A JP H04341569 A JPH04341569 A JP H04341569A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、常圧ＣＶＤ装置の汚
染防止方法に関し、詳細には、反応炉の筐体の内壁面に
、ＳｉＯ２ の微粒子が付着することを防止する方法に
関する。
染防止方法に関し、詳細には、反応炉の筐体の内壁面に
、ＳｉＯ２ の微粒子が付着することを防止する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＩＣの製造においては、シリコン
ウエハの表面に対して酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）など
の薄膜を形成する工程がある。薄膜の形成には専ら化学
的気相成長法（ＣＶＤ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が行われており、これはガ
ス状物質を化学反応で固体化してウエハ面に堆積する方
法である。ＣＶＤ法には各種があるが、反応炉を気密で
真空とし、常圧の反応ガスにより行う常圧ＣＶＤ装置が
多く使用されている。
ウエハの表面に対して酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）など
の薄膜を形成する工程がある。薄膜の形成には専ら化学
的気相成長法（ＣＶＤ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）が行われており、これはガ
ス状物質を化学反応で固体化してウエハ面に堆積する方
法である。ＣＶＤ法には各種があるが、反応炉を気密で
真空とし、常圧の反応ガスにより行う常圧ＣＶＤ装置が
多く使用されている。
【０００３】図２において、１は従来の常圧ＣＶＤ装置
の垂直断面を示し、ベース１１に反応炉１２が固定され
る。 反応炉は円筒形の筐体１２１ と、その上部を中間リン
グ１２２ を介してベルジャ蓋１２３ で覆って構成さ
れ、ベルジャ蓋１２３ と中間リングの外側には冷却用
配管１３が設けられ、またベルジャ蓋の頂点には反応ガ
スを送入する送入配管１４，１５ が接続されている。 反応炉１２の内部には、図示の形状のバッファ板１６が
固定され、その周辺にウエハ２に対する載置台１７が複
数個配設され、各載置台はヒーター１７１ により加熱
され、また図示しない回転機構により自公転する。ＣＶ
Ｄのプロセスにおいては、送入配管１４と１５より例え
ば、モノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の反応ガス
がそれぞれ送入されて反応炉内を矢印の方向にフローし
、載置台に載置されて加熱されたウエハ２の表面にＳｉ
Ｏ２ が蒸着して堆積し、薄膜が形成される。 反応すみの反応ガスは筐体１２１ の下部に設けられた
排出口１８より外部に排出される。
の垂直断面を示し、ベース１１に反応炉１２が固定され
る。 反応炉は円筒形の筐体１２１ と、その上部を中間リン
グ１２２ を介してベルジャ蓋１２３ で覆って構成さ
れ、ベルジャ蓋１２３ と中間リングの外側には冷却用
配管１３が設けられ、またベルジャ蓋の頂点には反応ガ
スを送入する送入配管１４，１５ が接続されている。 反応炉１２の内部には、図示の形状のバッファ板１６が
固定され、その周辺にウエハ２に対する載置台１７が複
数個配設され、各載置台はヒーター１７１ により加熱
され、また図示しない回転機構により自公転する。ＣＶ
Ｄのプロセスにおいては、送入配管１４と１５より例え
ば、モノシラン（ＳｉＨ４）と酸素（Ｏ２）の反応ガス
がそれぞれ送入されて反応炉内を矢印の方向にフローし
、載置台に載置されて加熱されたウエハ２の表面にＳｉ
Ｏ２ が蒸着して堆積し、薄膜が形成される。 反応すみの反応ガスは筐体１２１ の下部に設けられた
排出口１８より外部に排出される。
【０００４】以上の常圧ＣＶＤ装置においては、ウエハ
の載置台１７のみならず反応炉１２の内全体が反応に必
要な高温の雰囲気となっているため、炉内に送入された
反応ガスは、ウエハの表面以外にベルジャ蓋１２３ を
はじめ、バッファ１６、中間リング１２２や筐体１２１
の各内壁面にもＳｉＯ２ の微粒子が蒸着して炉内が
汚染される。その結果、壁面上で微粒子が成長して異物
のフレークが形成され、これが振動により剥げて浮遊し
、ウエハ面に落下して付着することが起こる。このよう
な異物のフレークが付着すると生成膜にピンホールが生
じて半導体ＩＣの品質が劣化し、製造歩留まりを著しく
低下させる欠点があった。これに対して、中間リング１
２２ とベルジャ蓋１２３ の外側に冷却用配管１３を
設け、これに冷却水を通してベルジャ蓋と中間リングと
を適温に冷却し、反応により生じた水蒸気（Ｈ２ Ｏ）
がそれらの内壁面で結露し、壁面に蒸着されようとする
ＳｉＯ２ の浮遊微粒子を表面張力により捕捉してフレ
ークに成長するのを抑制することが行われている。
の載置台１７のみならず反応炉１２の内全体が反応に必
要な高温の雰囲気となっているため、炉内に送入された
反応ガスは、ウエハの表面以外にベルジャ蓋１２３ を
はじめ、バッファ１６、中間リング１２２や筐体１２１
の各内壁面にもＳｉＯ２ の微粒子が蒸着して炉内が
汚染される。その結果、壁面上で微粒子が成長して異物
のフレークが形成され、これが振動により剥げて浮遊し
、ウエハ面に落下して付着することが起こる。このよう
な異物のフレークが付着すると生成膜にピンホールが生
じて半導体ＩＣの品質が劣化し、製造歩留まりを著しく
低下させる欠点があった。これに対して、中間リング１
２２ とベルジャ蓋１２３ の外側に冷却用配管１３を
設け、これに冷却水を通してベルジャ蓋と中間リングと
を適温に冷却し、反応により生じた水蒸気（Ｈ２ Ｏ）
がそれらの内壁面で結露し、壁面に蒸着されようとする
ＳｉＯ２ の浮遊微粒子を表面張力により捕捉してフレ
ークに成長するのを抑制することが行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
冷却法による異物フレークの抑制はいまだ不十分であり
、内壁面にはなおＳｉＯ２ の微粒子が蒸着してフレー
クに成長するので、適当な周期で炉内のクリーニングが
行われている。従って、内壁面に対してさらに確実にＳ
ｉＯ２ の微粒子の蒸着を防止することが必要である。 この発明は以上に鑑みてなされたもので、少なくとも中
間リング１２２ と筐体１２１ の内壁面に対してＳｉ
Ｏ２ の蒸着による汚染を防止する方法を提供すること
を目的とするものである。
冷却法による異物フレークの抑制はいまだ不十分であり
、内壁面にはなおＳｉＯ２ の微粒子が蒸着してフレー
クに成長するので、適当な周期で炉内のクリーニングが
行われている。従って、内壁面に対してさらに確実にＳ
ｉＯ２ の微粒子の蒸着を防止することが必要である。 この発明は以上に鑑みてなされたもので、少なくとも中
間リング１２２ と筐体１２１ の内壁面に対してＳｉ
Ｏ２ の蒸着による汚染を防止する方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の目的
を達成するもので、常圧ＣＶＤ装置において、ベルジャ
蓋の外周縁部に複数の供給配管と、多数の微小な噴射孔
を有するドーナッツ形の円板を設け、供給配管より窒素
ガスを圧入して噴射孔より垂直下方に噴射し、中間リン
グと筐体との内壁面に沿って窒素ガスのカーテンを形成
し、窒素ガスを複数の排出口より排出するものである。
を達成するもので、常圧ＣＶＤ装置において、ベルジャ
蓋の外周縁部に複数の供給配管と、多数の微小な噴射孔
を有するドーナッツ形の円板を設け、供給配管より窒素
ガスを圧入して噴射孔より垂直下方に噴射し、中間リン
グと筐体との内壁面に沿って窒素ガスのカーテンを形成
し、窒素ガスを複数の排出口より排出するものである。
【０００７】
【作用】上記の汚染防止方法においては、窒素ガスは複
数の供給配管により多数の噴射孔に対して均等に圧入さ
れて噴射され、中間リングと筐体との内壁面に沿った均
一な厚さの窒素ガスのカーテンが形成される。窒素ガス
は複数の排出口より排出されるので、カーテンの裾が乱
れることが少なく、これらによりカーテンが内壁面をム
ラなくカバーして反応ガスにより生成されるＳｉＯ２
の微粒子の蒸着が防止される。
数の供給配管により多数の噴射孔に対して均等に圧入さ
れて噴射され、中間リングと筐体との内壁面に沿った均
一な厚さの窒素ガスのカーテンが形成される。窒素ガス
は複数の排出口より排出されるので、カーテンの裾が乱
れることが少なく、これらによりカーテンが内壁面をム
ラなくカバーして反応ガスにより生成されるＳｉＯ２
の微粒子の蒸着が防止される。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示し、（ａ）
は一部垂直断面図、（ｂ） は一部平面図である。図２
と同じ構成部材については同一の符号を使用する。図１
（ａ） において、図２の従来の常圧ＣＶＤ装置の構成
と作用は説明を省略する。この発明においては、ベルジ
ャ蓋１２３ の外周縁部１９に、窒素ガスの噴射部３を
設ける。噴射部３は、図の（ｂ） に示すように複数（
図では４個）の供給配管３１と、多数の微小な噴射孔３
３１ を有するドーナッツ形の円板３３とよりなり、円
板の上部に窒素ガスに対するトンネル３２を設ける。噴
射孔３３１ の実例としては、反応炉１２の直径を例え
ば９００ｍｍとすると、１５ｍｍ間隔で、約１７００個
が適当とされる。複数の供給配管より圧入された窒素ガ
スはトンネル内に均等に分配され、噴射孔より垂直下方
に噴射されて中間リング１２２ と筐体１２１ の内壁
面に対してカーテンが形成される。この場合、噴射孔は
多数が稠密に配列されているのでカーテンは厚さは均一
である。このカーテンにより反応ガスが内壁面に接近せ
ず、従って反応ガスより生成されるＳｉＯ２ の微粒子
の蒸着が防止される。カーテンの窒素ガスは筐体１２１
の周囲に設けられた排出口１９より排出される。排出
口は複数（図では６個）あるので、排出はほぼ均等にな
されてカーテンの裾が乱れることが少なく、内壁面がム
ラなくカバーされる。
は一部垂直断面図、（ｂ） は一部平面図である。図２
と同じ構成部材については同一の符号を使用する。図１
（ａ） において、図２の従来の常圧ＣＶＤ装置の構成
と作用は説明を省略する。この発明においては、ベルジ
ャ蓋１２３ の外周縁部１９に、窒素ガスの噴射部３を
設ける。噴射部３は、図の（ｂ） に示すように複数（
図では４個）の供給配管３１と、多数の微小な噴射孔３
３１ を有するドーナッツ形の円板３３とよりなり、円
板の上部に窒素ガスに対するトンネル３２を設ける。噴
射孔３３１ の実例としては、反応炉１２の直径を例え
ば９００ｍｍとすると、１５ｍｍ間隔で、約１７００個
が適当とされる。複数の供給配管より圧入された窒素ガ
スはトンネル内に均等に分配され、噴射孔より垂直下方
に噴射されて中間リング１２２ と筐体１２１ の内壁
面に対してカーテンが形成される。この場合、噴射孔は
多数が稠密に配列されているのでカーテンは厚さは均一
である。このカーテンにより反応ガスが内壁面に接近せ
ず、従って反応ガスより生成されるＳｉＯ２ の微粒子
の蒸着が防止される。カーテンの窒素ガスは筐体１２１
の周囲に設けられた排出口１９より排出される。排出
口は複数（図では６個）あるので、排出はほぼ均等にな
されてカーテンの裾が乱れることが少なく、内壁面がム
ラなくカバーされる。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明による汚
染防止方法は、窒素ガスをベルジャ蓋の外周縁より反応
炉内に垂直下方に噴射して厚さがムラなく均一なカーテ
ンを形成し、カーテンにより反応ガスを遮断して、中間
リングと筐体との内壁面に対するＳｉＯ２ の微粒子の
蒸着を防止するもので、これにより微粒子のフレークに
よる酸化膜のピンホールの発生が回避され、半導体ＩＣ
の品質が向上するとともに、反応炉内のクリーニングの
周期が短縮できる効果が大きい。
染防止方法は、窒素ガスをベルジャ蓋の外周縁より反応
炉内に垂直下方に噴射して厚さがムラなく均一なカーテ
ンを形成し、カーテンにより反応ガスを遮断して、中間
リングと筐体との内壁面に対するＳｉＯ２ の微粒子の
蒸着を防止するもので、これにより微粒子のフレークに
よる酸化膜のピンホールの発生が回避され、半導体ＩＣ
の品質が向上するとともに、反応炉内のクリーニングの
周期が短縮できる効果が大きい。
【図１】 この発明の一実施例の構造を示し、（ａ）
はこの発明を適用した常圧ＣＶＤ装置の一部垂直断面
図、（ｂ） は一部平面図である。
はこの発明を適用した常圧ＣＶＤ装置の一部垂直断面
図、（ｂ） は一部平面図である。
【図２】 従来の常圧ＣＶＤ装置の一部垂直断面図を
示す。
示す。
１…常圧ＣＶＤ装置、１１…ベース、１２…反応炉、１
２１ …筐体、１２２ …中間リング、１３…冷却配管
、１４，１５ …送入配管、１６…バッファ、１７…載
置台、１７１ …ヒーター、１８…排出口、１９…ベル
ジャ蓋の外周縁部、２…ウエハ、３…噴射部、３１…供
給配管、３２…トンネル、３３…円板、３３１ …噴射
孔。
２１ …筐体、１２２ …中間リング、１３…冷却配管
、１４，１５ …送入配管、１６…バッファ、１７…載
置台、１７１ …ヒーター、１８…排出口、１９…ベル
ジャ蓋の外周縁部、２…ウエハ、３…噴射部、３１…供
給配管、３２…トンネル、３３…円板、３３１ …噴射
孔。
Claims (1)
- 【請求項１】 円筒形の筐体と、該筐体の上部を中間
リングを介してベルジャ蓋で覆ってなる反応炉に対して
、該ベルジャ蓋の頂点に設けられた送入口より反応ガス
を送入し、送入された反応ガスを前記筐体の下部に設け
られた複数の排出口より排出し、かつ、該中間リングと
ベルジャ蓋の外壁に冷却手段が配設された常圧ＣＶＤ装
置において、該ベルジャ蓋の外周縁部に複数の供給配管
と、多数の微小な噴射孔を有するドーナッツ形の円板を
設け、該供給配管より窒素ガスを圧入して該噴射孔より
垂直下方に噴射し、前記中間リングと筐体との内壁面に
沿って窒素ガスのカーテンを形成し、該窒素ガスを前記
複数の排出口より排出することを特徴とする、常圧ＣＶ
Ｄ装置の汚染防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131191A JPH04341569A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 常圧ｃｖｄ装置の汚染防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131191A JPH04341569A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 常圧ｃｖｄ装置の汚染防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341569A true JPH04341569A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15288947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14131191A Pending JPH04341569A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 常圧ｃｖｄ装置の汚染防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04341569A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007261908A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Plantec Inc | 熱改質装置 |
| CN110129766A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-16 | 广东先导稀材股份有限公司 | 镀膜装置以及石英舟表面镀覆系统 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14131191A patent/JPH04341569A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007261908A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Plantec Inc | 熱改質装置 |
| CN110129766A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-08-16 | 广东先导稀材股份有限公司 | 镀膜装置以及石英舟表面镀覆系统 |
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