JPH02138473A - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体デバイス、液晶駆動用回路基板等の製造
プロセスにおいで用いられている。処理ガス倒えば反応
ガスによりウェハ基板等の被処理体を処理する為の装置
に関し、より具体的には、処理容器内面に付着する化合
物を減少させる為の機構を具備したこの種の処理装置お
よび処理方法に関する。
プロセスにおいで用いられている。処理ガス倒えば反応
ガスによりウェハ基板等の被処理体を処理する為の装置
に関し、より具体的には、処理容器内面に付着する化合
物を減少させる為の機構を具備したこの種の処理装置お
よび処理方法に関する。
（従来の技術）
半導体デバイス、液晶駆動用回路基板等の製造プロセス
において、反応容器内に反応ガスを流して、ウェハ、回
路基板等の被処理物に薄膜形成、拡散、酸化、エツチン
グ熱処理等の処理を施す処理装置が広く利用されている
。
において、反応容器内に反応ガスを流して、ウェハ、回
路基板等の被処理物に薄膜形成、拡散、酸化、エツチン
グ熱処理等の処理を施す処理装置が広く利用されている
。
しかし上記処理装置にあっては、最終目的に利用される
生成物と同じ組成の化合物等が反応容器内壁面に付着し
、生成物の化学反応中に容器内壁面に付着した化合物が
雰囲気が高温であるため再反応を起こし７、所期の生成
物を化学的に汚染したり、微粒子の状態で所期生成物に
取込まれて、所期生成物の品質を著しく損なう場合があ
る。
生成物と同じ組成の化合物等が反応容器内壁面に付着し
、生成物の化学反応中に容器内壁面に付着した化合物が
雰囲気が高温であるため再反応を起こし７、所期の生成
物を化学的に汚染したり、微粒子の状態で所期生成物に
取込まれて、所期生成物の品質を著しく損なう場合があ
る。
また化学反応を促進する為に外部より励起エネルギを供
給する場合には、容器に付着した化合物が化学反応に必
要なエネルギを吸収若しくは反射し、容器内被処理物に
一定のエネルギを供給することが不可能となり、化学反
応を正確に制御することが難しくなる。
給する場合には、容器に付着した化合物が化学反応に必
要なエネルギを吸収若しくは反射し、容器内被処理物に
一定のエネルギを供給することが不可能となり、化学反
応を正確に制御することが難しくなる。
例えば従来の減圧ＣＶＤ装置においてシリコン酸化膜（
例えば５ｉｎ２）を形成する場合は、次のような手順で
操作を行っている。先ず、加熱装置例えば抵抗加熱ヒー
タ等に囲まれた円筒状石英ガラス製の反応管内に複数枚
のウェハを配列搭載した石英ガラス製のボートを、上記
反応管の開口端から挿入し１反応管内の予め定められた
適正な処理状態に設定される位置に搬入し設置する。次
に上記開口端を例えば円板状のステンレス製蓋体により
気密閉鎖した後、反応管内を予め定められた圧力に排気
する。そして上記ヒータにより反応管内を例えば７００
℃に保持し、四塩化ケイ素（ＳｉＣｆｆ、）ガス、酸素
（０２）ガス等の反応ガスを混合して反応管内に導入し
、熱処理をｔ−７う。
例えば５ｉｎ２）を形成する場合は、次のような手順で
操作を行っている。先ず、加熱装置例えば抵抗加熱ヒー
タ等に囲まれた円筒状石英ガラス製の反応管内に複数枚
のウェハを配列搭載した石英ガラス製のボートを、上記
反応管の開口端から挿入し１反応管内の予め定められた
適正な処理状態に設定される位置に搬入し設置する。次
に上記開口端を例えば円板状のステンレス製蓋体により
気密閉鎖した後、反応管内を予め定められた圧力に排気
する。そして上記ヒータにより反応管内を例えば７００
℃に保持し、四塩化ケイ素（ＳｉＣｆｆ、）ガス、酸素
（０２）ガス等の反応ガスを混合して反応管内に導入し
、熱処理をｔ−７う。
（発明が解決しようとする課題）
しかし上記反応を繰返すと、反応’ｆ？内壁而、面に反
応ガス導入部近傍の内壁面へのシリコン酸化物粒子の付
、ｎが著しく多くなる。この為このン！７゜遊した酸化
物粒子がウェハ表面に付着し、所期のシリコン酸化膜内
に異物が混入するというパーチクル汚染の問題が生じる
。また反応管内壁而に付着した酸化物粒子等の反応化合
物による汚染層が厚くなると、加熱装置からのエネルギ
供給の一要素である輻射熱の透過率が減少し、反応管内
の温度分布を悪化させるという問題も生じる。
応ガス導入部近傍の内壁面へのシリコン酸化物粒子の付
、ｎが著しく多くなる。この為このン！７゜遊した酸化
物粒子がウェハ表面に付着し、所期のシリコン酸化膜内
に異物が混入するというパーチクル汚染の問題が生じる
。また反応管内壁而に付着した酸化物粒子等の反応化合
物による汚染層が厚くなると、加熱装置からのエネルギ
供給の一要素である輻射熱の透過率が減少し、反応管内
の温度分布を悪化させるという問題も生じる。
この為、従来は、上記化合物の付着した反応管を定期的
に洗浄しＣいる。この反応管の洗浄にあっては、ＣＶＤ
装置から反応管を取出し、専用洗浄機で弗化水素酸によ
り付着物を除去すると共に純水により洗浄し、乾燥機で
乾燥させ、そして洗浄後の反応管を元の装置に取付け、
調整作業を行うという工程を要する。従って上記洗浄工
程は１反応管の取外し及び取付け、特に減圧ＣＶＯ装置
では真空排気系の分解及び組立てを伴う為、多くの時間
と労力を要するだけでなく、この間装置の稼働を停止せ
ざるを得ないので装置の稼＠率を低下させる原因となっ
ている。しかし、チップの歩留りに顕著に影響するため
、この工程を省略できない。
に洗浄しＣいる。この反応管の洗浄にあっては、ＣＶＤ
装置から反応管を取出し、専用洗浄機で弗化水素酸によ
り付着物を除去すると共に純水により洗浄し、乾燥機で
乾燥させ、そして洗浄後の反応管を元の装置に取付け、
調整作業を行うという工程を要する。従って上記洗浄工
程は１反応管の取外し及び取付け、特に減圧ＣＶＯ装置
では真空排気系の分解及び組立てを伴う為、多くの時間
と労力を要するだけでなく、この間装置の稼働を停止せ
ざるを得ないので装置の稼＠率を低下させる原因となっ
ている。しかし、チップの歩留りに顕著に影響するため
、この工程を省略できない。
特開昭５３−５２３５６号公報においては、上記問題に
対応する為、洗浄の都度反応管を取脱さゼないで反応管
内壁而に沿ってエツチングガスの層流を流すか、成ｉＴ
は反応ガス中に適斌のエツチングガスをドーピングし、
反応管内面における望ましくない反応化合物の堆積を減
少させる技術を開示している。しかしこの技術は被処理
基板の反応領域中にエツチングガスが自由に侵入する為
、物理的及び化学的に両面で基板上の所期反応に悪影響
を及ぼす。
対応する為、洗浄の都度反応管を取脱さゼないで反応管
内壁而に沿ってエツチングガスの層流を流すか、成ｉＴ
は反応ガス中に適斌のエツチングガスをドーピングし、
反応管内面における望ましくない反応化合物の堆積を減
少させる技術を開示している。しかしこの技術は被処理
基板の反応領域中にエツチングガスが自由に侵入する為
、物理的及び化学的に両面で基板上の所期反応に悪影響
を及ぼす。
また特開昭６１１７６１１３号公報においては、熱処理
後の反応管にエツチングガス若しくはエツチング液、純
水等を順に導入し、反応管を熱処理装置自体に収納した
状態で洗浄を行うようにした技術を開示している。しか
しこの技術にあっては、熱処理装置自体に、全洗浄工程
用の大掛かりなｄ９備を併設しなければならない為、装
置の占有スペースの増大及びコストアップが避けられな
い。更に長時間を要する洗浄中は装置の稼働停止となる
為、稼働率の低下を招く、またウェット洗浄は、溶剤や
純粋の取扱い管理面から、超ＬＳＩ対応としては新たな
汚染源を提供する原因ともなる。
後の反応管にエツチングガス若しくはエツチング液、純
水等を順に導入し、反応管を熱処理装置自体に収納した
状態で洗浄を行うようにした技術を開示している。しか
しこの技術にあっては、熱処理装置自体に、全洗浄工程
用の大掛かりなｄ９備を併設しなければならない為、装
置の占有スペースの増大及びコストアップが避けられな
い。更に長時間を要する洗浄中は装置の稼働停止となる
為、稼働率の低下を招く、またウェット洗浄は、溶剤や
純粋の取扱い管理面から、超ＬＳＩ対応としては新たな
汚染源を提供する原因ともなる。
従って本発明のｒＪ的は、被処理基板とにおける所期の
処理に悪影響を及ぼすことなく、処理管即ち処理容器の
内壁面に化合物が堆積するのを抑制することが可能な処
理装置および処理方法を提供することである。
処理に悪影響を及ぼすことなく、処理管即ち処理容器の
内壁面に化合物が堆積するのを抑制することが可能な処
理装置および処理方法を提供することである。
本発明の他の目的は、稼働時間の低下を招くことなく、
処理容器内面における化合物の堆積を徘除することが可
能な機構を具備した処理装置および処理方法を提供する
ことである。
処理容器内面における化合物の堆積を徘除することが可
能な機構を具備した処理装置および処理方法を提供する
ことである。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成する為、本発明は、処理容器内に処理ガ
スを流して被処理物の処理を行う装置であって、Ｆ記処
理容器内に着脱可能に配置された少なくとも第１および
第２の領域に区画する区画手段と、Ｅ記区画手段による
第１の領域処理物を包囲する領域を限定することと、上
記処理容器内で上記処理領域内と上記区画手段による第
２の領域に設けられる処理領域外とを連通させる手段と
、−１−、記処理領域内に処理ガスを供給する処理ガス
供給手段と、上記処理容器内で且つ上記第２の領域に洗
浄ガスを供給する洗浄ガス供給手段と、上記第２の領域
を流路とするガスを排出する上記処理容器に接続された
排気手段と、を設けたことを特徴とする。
スを流して被処理物の処理を行う装置であって、Ｆ記処
理容器内に着脱可能に配置された少なくとも第１および
第２の領域に区画する区画手段と、Ｅ記区画手段による
第１の領域処理物を包囲する領域を限定することと、上
記処理容器内で上記処理領域内と上記区画手段による第
２の領域に設けられる処理領域外とを連通させる手段と
、−１−、記処理領域内に処理ガスを供給する処理ガス
供給手段と、上記処理容器内で且つ上記第２の領域に洗
浄ガスを供給する洗浄ガス供給手段と、上記第２の領域
を流路とするガスを排出する上記処理容器に接続された
排気手段と、を設けたことを特徴とする。
さらに本発明は処理容器内に設けた被処理体を処理ガス
により処理している期間不要生成物に対し洗浄作用のあ
る洗浄ガスを流入させることを特徴とする。
により処理している期間不要生成物に対し洗浄作用のあ
る洗浄ガスを流入させることを特徴とする。
（作用効果）
本発明によれば、処理領域で被処理物に処理ガスを供給
して処理した処理済のガスを排出する流路に洗浄ガスを
流入させるので、排出系容器壁面への排出物の付着を軽
減できる効果がある。
して処理した処理済のガスを排出する流路に洗浄ガスを
流入させるので、排出系容器壁面への排出物の付着を軽
減できる効果がある。
（実施例）
次に、本発明装置を縦型減圧ＣＶＤ装置に適用した実施
例を説明する。処理容器例えば垂直な長手方向軸を有す
る反応容器、例えば円筒状の反応Ｉｒｆ１６が配備され
た処理部１２と、被処理物例えば半導体ウェハ基板２２
が垂直方向に複数枚、所定の間隔で載置されたボート２
４を１反応管に対してロード及びアンロードする昇降機
構１４とからなる。
例を説明する。処理容器例えば垂直な長手方向軸を有す
る反応容器、例えば円筒状の反応Ｉｒｆ１６が配備され
た処理部１２と、被処理物例えば半導体ウェハ基板２２
が垂直方向に複数枚、所定の間隔で載置されたボート２
４を１反応管に対してロード及びアンロードする昇降機
構１４とからなる。
上記反応管内１６には内管１８が配設され９両管は耐熱
性で反応ガスに対して反応しにくい材質例えば石英から
なる。内管１８は共に上部が円弧状にキャップされた筒
形状をなし、反応Ｉ′ｅ１６内に非接触状態で設けられ
る。反応管１６の内面と内管１８の外面との間は、所定
の例えば１５ｎ１の間隔に形成される。
性で反応ガスに対して反応しにくい材質例えば石英から
なる。内管１８は共に上部が円弧状にキャップされた筒
形状をなし、反応Ｉ′ｅ１６内に非接触状態で設けられ
る。反応管１６の内面と内管１８の外面との間は、所定
の例えば１５ｎ１の間隔に形成される。
上記反応管１６には反応ガスとは別に、塩化水素（ＨＣ
Ｑ、）等のエツチングガス、窒素（Ｎ２）、アルゴン（
Ａｒ）等の不活性ガス等から選択される洗浄ガスを導入
するガス供給口が上端部に接続される。洗浄ガスは間隙
５４の内壁面に接触するように供給構成することが望ま
しい。さらに洗浄ガスは少なくとも反応ガスの流路に供
給構成が望ましい。従って、反応ガスが内管１８から流
出し５拡散しない領域には洗浄ガスを流さなくてもよい
３反応管１Ｇの周囲には、該管を同軸状に包囲するよう
に筒状の加熱機構２６が配設され、該加熱機構は例えば
コイル状に巻回された抵抗加熱ヒータからなる。ヒータ
２６は交流電源（図示せず）に接続され、被処理基板２
２の配置される領域を所望の温度に均一に加熱すること
ができる。
Ｑ、）等のエツチングガス、窒素（Ｎ２）、アルゴン（
Ａｒ）等の不活性ガス等から選択される洗浄ガスを導入
するガス供給口が上端部に接続される。洗浄ガスは間隙
５４の内壁面に接触するように供給構成することが望ま
しい。さらに洗浄ガスは少なくとも反応ガスの流路に供
給構成が望ましい。従って、反応ガスが内管１８から流
出し５拡散しない領域には洗浄ガスを流さなくてもよい
３反応管１Ｇの周囲には、該管を同軸状に包囲するよう
に筒状の加熱機構２６が配設され、該加熱機構は例えば
コイル状に巻回された抵抗加熱ヒータからなる。ヒータ
２６は交流電源（図示せず）に接続され、被処理基板２
２の配置される領域を所望の温度に均一に加熱すること
ができる。
上記内管１８内には、内管内部にモノシラン（Ｓｉｌｌ
、）等の所定の反応ガスを供給する為のガス供給管３２
が配設される。ガス供給管３２は、マスフローコントロ
ーラ等を介してガス供給ｇ（図示せず）に接続される。
、）等の所定の反応ガスを供給する為のガス供給管３２
が配設される。ガス供給管３２は、マスフローコントロ
ーラ等を介してガス供給ｇ（図示せず）に接続される。
ガス供給管３２は下記のマニホルド４２を貫通し、内管
１８の内面に沿って上面まで垂直に延在し、その長平方
向に沿って所定の間隔をおいて反応ガスを流出する多数
のガス吹出し孔３４が穿設される。
１８の内面に沿って上面まで垂直に延在し、その長平方
向に沿って所定の間隔をおいて反応ガスを流出する多数
のガス吹出し孔３４が穿設される。
この孔３４列に対向する内管１８の管壁位置には、反応
ガスを通過排出する為の多数の孔３６が設けられる。こ
の内管に設けられた孔３６は、−に記ガス供給管の孔３
４と夫々対応する高さ位置で、内管側壁のほぼ半周から
４７５周に亘り間隔をおいて複数形成される。上記孔３
６の設けられる領域は、ガス吹出し孔３４からの反応ガ
スが各ウェハの全裏面に一様に拡散される範囲に選択さ
れるガス供給管の孔３４と内管の孔３６との組合わせに
より、内管１８内に多数の基板２２がセットされた状態
において、各基板の処理面に水平な反応ガスの流れを形
成することができる。
ガスを通過排出する為の多数の孔３６が設けられる。こ
の内管に設けられた孔３６は、−に記ガス供給管の孔３
４と夫々対応する高さ位置で、内管側壁のほぼ半周から
４７５周に亘り間隔をおいて複数形成される。上記孔３
６の設けられる領域は、ガス吹出し孔３４からの反応ガ
スが各ウェハの全裏面に一様に拡散される範囲に選択さ
れるガス供給管の孔３４と内管の孔３６との組合わせに
より、内管１８内に多数の基板２２がセットされた状態
において、各基板の処理面に水平な反応ガスの流れを形
成することができる。
反応管１６の下端部には着脱自在なステンレス製の環状
マニホルド４２が配設され、反応管１６と内管１ｇト（
７）Ｉ”ｔＪＩＩの間隙５４が、該マニホルドにより閉
鎖される。マニホルド４２は反応管１６を保持する上側
パーツ４４と、内管１８を保持すると共に、メンテナン
スや相克て時の内管１８の取付は及び取外しを容易にす
る為の下側パーツ４６とから構成される。反応管１６、
内管１８及びマニホルドの上下パーツ４４．４６の各接
合部は、シール部材例えば０リングにより気密保持され
る。マニホルドの上側パーツ４４には排気管４８が接続
され、内管１８の孔３６を通過した処理後のガス及び内
管１８の間隙５４を流れる洗浄処理ガスを排出する。他
方において排気管は、反応管１６内を所望の圧力に減圧
及び反応ガス等を排出可能な真空ポンプ（図示せず）に
接続される。
マニホルド４２が配設され、反応管１６と内管１ｇト（
７）Ｉ”ｔＪＩＩの間隙５４が、該マニホルドにより閉
鎖される。マニホルド４２は反応管１６を保持する上側
パーツ４４と、内管１８を保持すると共に、メンテナン
スや相克て時の内管１８の取付は及び取外しを容易にす
る為の下側パーツ４６とから構成される。反応管１６、
内管１８及びマニホルドの上下パーツ４４．４６の各接
合部は、シール部材例えば０リングにより気密保持され
る。マニホルドの上側パーツ４４には排気管４８が接続
され、内管１８の孔３６を通過した処理後のガス及び内
管１８の間隙５４を流れる洗浄処理ガスを排出する。他
方において排気管は、反応管１６内を所望の圧力に減圧
及び反応ガス等を排出可能な真空ポンプ（図示せず）に
接続される。
反応管と内管との間の間隙５４は、反応領域５２とは内
管１８により仕切られ、内管１８の側壁に設けられた細
孔３６からマニホルドの排気管４８に繋がる排気路を形
成する。従って、この間隙即ち排気路５４は上記ガス供
給口２８から導入される塩化水素ガス等の洗浄ガスと、
上記ガス供給管３２から供給されるモノシラン等の反応
後の反応ガスとの共通のガス流路となっている。このガ
ス流路を流れるガスが、基板の載置されている反応領域
５２即ち内管１８内側へ流れ込まないように、内管１８
側壁の細孔３６はガス流路を形成している間隙５４の流
路断面積に比べて極めて小さく形成され、しかも反応ガ
ス及び洗浄ガス夫々は、反応領域５２側の圧力が排気路
５４側の圧力に比べて高く例えば陽圧になるように流量
制御される。
管１８により仕切られ、内管１８の側壁に設けられた細
孔３６からマニホルドの排気管４８に繋がる排気路を形
成する。従って、この間隙即ち排気路５４は上記ガス供
給口２８から導入される塩化水素ガス等の洗浄ガスと、
上記ガス供給管３２から供給されるモノシラン等の反応
後の反応ガスとの共通のガス流路となっている。このガ
ス流路を流れるガスが、基板の載置されている反応領域
５２即ち内管１８内側へ流れ込まないように、内管１８
側壁の細孔３６はガス流路を形成している間隙５４の流
路断面積に比べて極めて小さく形成され、しかも反応ガ
ス及び洗浄ガス夫々は、反応領域５２側の圧力が排気路
５４側の圧力に比べて高く例えば陽圧になるように流量
制御される。
反応管１６内を気密な処理室として設定するように、マ
ニホルド４２の下端に昇降機構１４の昇降により当接可
能とされたステンレス製の板状の蓋体５６が配設される
。蓋体５６には基板２２を載置する為のボート２４が上
方に支持され、これは反応管１６内の予め定められた高
さ位置に配置可能となっている。
ニホルド４２の下端に昇降機構１４の昇降により当接可
能とされたステンレス製の板状の蓋体５６が配設される
。蓋体５６には基板２２を載置する為のボート２４が上
方に支持され、これは反応管１６内の予め定められた高
さ位置に配置可能となっている。
ボート２４と蓋体５６との間には反応管の熱を逃がさな
いように、例えば石英ガラスからなる保温筒５８が配設
される。ボート２４は耐熱性で且つ反応ガスに対して不
活性な材質例えば石英からなる。ボート２４には、複数
枚例えば１００〜１５０枚程度の裁板２２を例えば３ｍ
の所定間隔で積載できるようになっている。
いように、例えば石英ガラスからなる保温筒５８が配設
される。ボート２４は耐熱性で且つ反応ガスに対して不
活性な材質例えば石英からなる。ボート２４には、複数
枚例えば１００〜１５０枚程度の裁板２２を例えば３ｍ
の所定間隔で積載できるようになっている。
蓋体５６にはボート回転機構が配設され、処理に際し反
応管の垂直軸を中心にボート２４上の基板２２を回転で
きるようになっている。基板２２の上記回転は、基板に
対する温度、ガスの均一性向上を図る為のもので、基板
上における薄膜の均一な形成に貢献する。この回転機構
には、上記蓋体５６の下方に駆動モータ（図示せず）が
設けられ、該モータに係合する回転軸６２が、蓋体５６
の中心を貫通して反応管１６内に垂直に延びる。回転軸
６２は保温筒５８の下部に設けられたセラミック等から
なる支持台６４に接続され、保温筒５８及びボート２４
を支持する。
応管の垂直軸を中心にボート２４上の基板２２を回転で
きるようになっている。基板２２の上記回転は、基板に
対する温度、ガスの均一性向上を図る為のもので、基板
上における薄膜の均一な形成に貢献する。この回転機構
には、上記蓋体５６の下方に駆動モータ（図示せず）が
設けられ、該モータに係合する回転軸６２が、蓋体５６
の中心を貫通して反応管１６内に垂直に延びる。回転軸
６２は保温筒５８の下部に設けられたセラミック等から
なる支持台６４に接続され、保温筒５８及びボート２４
を支持する。
上記構造の縦型ＣｖＤ装置の動作態様を以下に説明する
。
。
先ず、基板移し替え装置（図示せず）により、所望の数
の基板２２が上述の状態でボート２４上に積載される。
の基板２２が上述の状態でボート２４上に積載される。
そしてこのボート２４が、昇降機構１４により下方位置
に下ろされた蓋体の保温筒５８上に自動的に載置される
。載置されたボート２４は、昇降機構１４により所定斌
上昇され、反応管１６内の予め定められた位置に、内管
１８の内面に接触することなく搬入される。この時、上
記反応管下部のマニホルド４２と上記蓋体５６とが当接
することにより、自動的にボート２４が位置決めされる
と共に、気密な反応空間が形成される。次に反応管１６
内が所望の低圧状態例えば１〜５ Ｔ ｏ ｒ ｒに保
持されるように、反応管１６に連携する真空ポンプ（図
示せず）が作動制御される。また減圧操作と並行して、
予めヒータ２６に電圧が印加され、ヒータが所望の温度
例えば６００〜１２００℃に設定される。
に下ろされた蓋体の保温筒５８上に自動的に載置される
。載置されたボート２４は、昇降機構１４により所定斌
上昇され、反応管１６内の予め定められた位置に、内管
１８の内面に接触することなく搬入される。この時、上
記反応管下部のマニホルド４２と上記蓋体５６とが当接
することにより、自動的にボート２４が位置決めされる
と共に、気密な反応空間が形成される。次に反応管１６
内が所望の低圧状態例えば１〜５ Ｔ ｏ ｒ ｒに保
持されるように、反応管１６に連携する真空ポンプ（図
示せず）が作動制御される。また減圧操作と並行して、
予めヒータ２６に電圧が印加され、ヒータが所望の温度
例えば６００〜１２００℃に設定される。
上記所望の条件の設定後、マスフローコントローラ等に
より５００３ＣＣＭ程度に流量調整されて反応領域５２
内に反応ガス、例えばシラン（Ｓｉ１１４）、ジクロシ
ラン（ＳｉＨ，Ｃ１１ｚ ）が所定時間供給される。す
ると上記ガス供給管の吹出し孔３４から導入された反応
ガスは基板表面に平行でほぼ均一な反応ガスの流れを作
りながら、内管の細孔３６へ向かって流れ、この孔を通
過後、上記間隙５４により形成されるガス排気路を流れ
、排気管４８より排出さ九る。
より５００３ＣＣＭ程度に流量調整されて反応領域５２
内に反応ガス、例えばシラン（Ｓｉ１１４）、ジクロシ
ラン（ＳｉＨ，Ｃ１１ｚ ）が所定時間供給される。す
ると上記ガス供給管の吹出し孔３４から導入された反応
ガスは基板表面に平行でほぼ均一な反応ガスの流れを作
りながら、内管の細孔３６へ向かって流れ、この孔を通
過後、上記間隙５４により形成されるガス排気路を流れ
、排気管４８より排出さ九る。
また上記反応ガスの供給と同時に、反応管１６の内面及
び内管１８の外面への反応化合物の付着を防止または減
少させる為に、反応処理中に生成される化合物を分解す
るガスや付着物を除去するガスが選択される。例えば反
応管頂部の供給口２８から洗浄ガス、例えばエツチング
ガスである塩化水素ガスが５００５ＣＣＭ程度供給され
る。この際、内管１８内部即ち反応領域５２側の圧力は
内管１８外側即ち間隙５４側の圧力よりも常に高く例え
ば陽圧となるように維持される。このように反応ガス及
び洗浄ガスの流景が制御されることにより、間隙５４側
のガスが反応領域５２側に逆流することはなくなる。従
って、基板２２上における所期の反応に悪影響を及ぼす
ことなく５反応管１６内面及び内管１８外面における反
応化合物の生成及び付着の阻止を、反応領域５２内にお
番プる所期反応と同時進行的に行うことが可能となる。
び内管１８の外面への反応化合物の付着を防止または減
少させる為に、反応処理中に生成される化合物を分解す
るガスや付着物を除去するガスが選択される。例えば反
応管頂部の供給口２８から洗浄ガス、例えばエツチング
ガスである塩化水素ガスが５００５ＣＣＭ程度供給され
る。この際、内管１８内部即ち反応領域５２側の圧力は
内管１８外側即ち間隙５４側の圧力よりも常に高く例え
ば陽圧となるように維持される。このように反応ガス及
び洗浄ガスの流景が制御されることにより、間隙５４側
のガスが反応領域５２側に逆流することはなくなる。従
って、基板２２上における所期の反応に悪影響を及ぼす
ことなく５反応管１６内面及び内管１８外面における反
応化合物の生成及び付着の阻止を、反応領域５２内にお
番プる所期反応と同時進行的に行うことが可能となる。
洗浄ガスがエツチングガスのような反応処理中に生成さ
れる化合物を分解するガスである場合は、同ガスは化学
的な作用と物理的な作用とにより。
れる化合物を分解するガスである場合は、同ガスは化学
的な作用と物理的な作用とにより。
上記化合物の生成及び付着を阻止する。即ち、化学的な
作用は化合物の化学的な分解であり、また物理的な作用
は反応管壁面におけるガスの滞留防止である。洗浄ガス
が不活性ガスである場合は。
作用は化合物の化学的な分解であり、また物理的な作用
は反応管壁面におけるガスの滞留防止である。洗浄ガス
が不活性ガスである場合は。
同ガスは」１記物理的な作用１こより上記化合物の生成
及び付着を阻止する。
及び付着を阻止する。
上述の如く所期の反応生成物即ち薄膜形成と。
排気ガス中における反応化合物の除去とが同時に行われ
る為、処理中におけるパーチクルの発生が非常に少なく
なる。また反応管１６内面及び内管１８外面における反
応化合物の生成及び付着も大幅に減少する。従って輻射
熱等により反応領域５２内の温度制御が乱されることな
く良質な所期の薄膜を形成することができる。
る為、処理中におけるパーチクルの発生が非常に少なく
なる。また反応管１６内面及び内管１８外面における反
応化合物の生成及び付着も大幅に減少する。従って輻射
熱等により反応領域５２内の温度制御が乱されることな
く良質な所期の薄膜を形成することができる。
ＣｖＤ処理後、反応ガス及び洗浄ガスの供給が停止され
、不活性ガス、例えば窒素が反応管１６内に導入され１
反応管内が排気置換されると共に大気圧に復帰される。
、不活性ガス、例えば窒素が反応管１６内に導入され１
反応管内が排気置換されると共に大気圧に復帰される。
そして蓋体５６が開放され、基板２２が積載されたボー
ト２４が昇降機構１４により下ろされ、処理が終了する
。
ト２４が昇降機構１４により下ろされ、処理が終了する
。
内管１８は内面の汚染状態に応じて時々装置外に取外し
て洗浄することが必要となろう。このような場合であっ
ても反応管１６は処理装置内に据付けたままで内管１８
のみを交換すればよいから洗浄工程は容易となり、しか
も処理装置の稼働時間の低下を招くことはない。
て洗浄することが必要となろう。このような場合であっ
ても反応管１６は処理装置内に据付けたままで内管１８
のみを交換すればよいから洗浄工程は容易となり、しか
も処理装置の稼働時間の低下を招くことはない。
第２図は本発明の第２実施例である他のタイプの縦型Ｃ
ＶＯ装置を示す。この装置も垂直な長手方向軸を有する
反応容器、例えば円筒状の反応管７６が配備された処理
部７２と、被処理物例えば半導体ウェハ基板８２が垂直
方向に複数枚、所定の間隔で載置されたボート８４を、
反応管７６に対してロード及びアンロードする昇降機構
７４とからなる。
ＶＯ装置を示す。この装置も垂直な長手方向軸を有する
反応容器、例えば円筒状の反応管７６が配備された処理
部７２と、被処理物例えば半導体ウェハ基板８２が垂直
方向に複数枚、所定の間隔で載置されたボート８４を、
反応管７６に対してロード及びアンロードする昇降機構
７４とからなる。
上記反応管７６内には第１内管７８及び第２内管８０が
配設され、各管は耐熱性で反応ガスに対して反応しにく
い材質例えば石英からなる。また両内管７８．８ｏは共
に上部が開放された筒形状をなし、第１内管７８は第２
内管８０内に非接触状・態で設けられ、第２内管８０は
反応管７６内に非接触状態で設けられる。
配設され、各管は耐熱性で反応ガスに対して反応しにく
い材質例えば石英からなる。また両内管７８．８ｏは共
に上部が開放された筒形状をなし、第１内管７８は第２
内管８０内に非接触状・態で設けられ、第２内管８０は
反応管７６内に非接触状態で設けられる。
反応管７６の周囲には、骸骨を同軸状に包囲するように
筒状の加熱機構８６が配設され、該加熱機構は例えばコ
イル状に巻回された抵抗加熱ヒータからなる。ヒータ８
６は交流型ｇ（図示せず）に接続され、被処理基板８２
の配置される領域を所望の温度に均一に加熱することが
できる。
筒状の加熱機構８６が配設され、該加熱機構は例えばコ
イル状に巻回された抵抗加熱ヒータからなる。ヒータ８
６は交流型ｇ（図示せず）に接続され、被処理基板８２
の配置される領域を所望の温度に均一に加熱することが
できる。
反応管７６の下端部には着脱自在なステンレス製の環状
マニホルド１０２が配設され、反応管と第２内管との間
の間隙】１５は、 該マニホルドにより閉鎖される。マ
ニホルド１０２は反応管７６を保持する上側パーツ１０
４と、第２内管８０を保持すると共に、メンテナンスや
組立て時の内管の取付は及び取外しを容易にする為の下
側パーツ１０６とから構成される。反応管７６、第２内
壱８０及びマニホルドの上下パーツ１０４．１０６の各
接合部はシール部材例えば０リングにより気密保持され
る。マニホルドの上側パーツ１０４には排気管１０８が
接続され、他方において排気管は、反応管７６内を所望
の圧力に減圧及び反応ガス等を排出可能な真空ポンプ（
図示せず）に接続される。
マニホルド１０２が配設され、反応管と第２内管との間
の間隙】１５は、 該マニホルドにより閉鎖される。マ
ニホルド１０２は反応管７６を保持する上側パーツ１０
４と、第２内管８０を保持すると共に、メンテナンスや
組立て時の内管の取付は及び取外しを容易にする為の下
側パーツ１０６とから構成される。反応管７６、第２内
壱８０及びマニホルドの上下パーツ１０４．１０６の各
接合部はシール部材例えば０リングにより気密保持され
る。マニホルドの上側パーツ１０４には排気管１０８が
接続され、他方において排気管は、反応管７６内を所望
の圧力に減圧及び反応ガス等を排出可能な真空ポンプ（
図示せず）に接続される。
反応管７６内を気密な処理室として設定するように、マ
ニホルド１０２の下端に昇降機構７４の昇降により当接
可能とされたステンレス製の板状の蓋体１１６が配設さ
れる。蓋体１１６には基板８２を載置する為のボート８
４が上方に支持され、これは反応管７６内の予め定めら
れた高さ位置に配置可能となっている。ボート８４と蓋
体１１６との間には反応管７６の熱を逃がさないように
、例えば石英ガラスからなる保温筒１１８が配設される
。ボート８４は耐熱性で且つ反応ガスに対して不活性な
材質例えば石英からなる。ボート８４には、複数枚例え
ば１００〜１５０枚程度の基板８２を例えば３ｎｎの所
定間隔で積載できるようになっている。
ニホルド１０２の下端に昇降機構７４の昇降により当接
可能とされたステンレス製の板状の蓋体１１６が配設さ
れる。蓋体１１６には基板８２を載置する為のボート８
４が上方に支持され、これは反応管７６内の予め定めら
れた高さ位置に配置可能となっている。ボート８４と蓋
体１１６との間には反応管７６の熱を逃がさないように
、例えば石英ガラスからなる保温筒１１８が配設される
。ボート８４は耐熱性で且つ反応ガスに対して不活性な
材質例えば石英からなる。ボート８４には、複数枚例え
ば１００〜１５０枚程度の基板８２を例えば３ｎｎの所
定間隔で積載できるようになっている。
蓋体１１６にはボート回転機構が配設され、処理に際し
反応管７６の垂直軸を中心にボート８４上の基板８２を
回転できるようになっている。基板８２の上記回転は、
基板に対する温度、ガスの均一性向上を図る為のもので
、基板上における薄膜の均一な形成に貢献する。この回
転機構には、上記益体１１６の下方に駆動モータ（図示
せず）が設けられ、該モータに係合する回転軸１２２が
、蓋体１１６の中心を貫通して反応管７６内に垂直に延
びる。回転軸１２２は保温筒１１８の下部に設けられた
セラミック等からなる支持台１２４に接続され、保温筒
１１８及びボート８４を支持する。
反応管７６の垂直軸を中心にボート８４上の基板８２を
回転できるようになっている。基板８２の上記回転は、
基板に対する温度、ガスの均一性向上を図る為のもので
、基板上における薄膜の均一な形成に貢献する。この回
転機構には、上記益体１１６の下方に駆動モータ（図示
せず）が設けられ、該モータに係合する回転軸１２２が
、蓋体１１６の中心を貫通して反応管７６内に垂直に延
びる。回転軸１２２は保温筒１１８の下部に設けられた
セラミック等からなる支持台１２４に接続され、保温筒
１１８及びボート８４を支持する。
マニホルドの下側パーツ１０６を貫通して反応ガスを反
応領域１１２に導入する為のガス供給管９２が配設され
る。ガス供給管９２は、第１内管７８の内面に沿って垂
直に延び、先端はボート８４の最下面とほぼ同じ高さに
位置する。第４ａ図乃至第４Ｃ図は反応ガス供給管の例
（ｓ）を示す図である。吹出し口９４が一つの場合は、
第４ａ図図示の如く供給管は直角に曲がった単管からな
る。吹出し口９４が２つ或いは４つの場合は、第４ｂ図
及び第４Ｃ図の如く、リング管部９３から吹出し口に対
応する数のノズル９５が突設された形状となる。
応領域１１２に導入する為のガス供給管９２が配設され
る。ガス供給管９２は、第１内管７８の内面に沿って垂
直に延び、先端はボート８４の最下面とほぼ同じ高さに
位置する。第４ａ図乃至第４Ｃ図は反応ガス供給管の例
（ｓ）を示す図である。吹出し口９４が一つの場合は、
第４ａ図図示の如く供給管は直角に曲がった単管からな
る。吹出し口９４が２つ或いは４つの場合は、第４ｂ図
及び第４Ｃ図の如く、リング管部９３から吹出し口に対
応する数のノズル９５が突設された形状となる。
第１内管７８は上記蓋体１１６上に載置され、ボート８
４と同時に挿入自在となっている。第３図は第１内管７
８の一例を示す図であり、これは、ガス供給管９２から
導入された反応ガス等を第１及び第２内管間の第１間隙
１１４側に通過させる為の多数の細孔９６が穿設された
筒体からなる。細孔９６は側壁のほぼ全周に亘って間隔
をおいて複数形成される６細孔９６はプロセスによって
は不要となる。第１内管７８の円周側壁の一部には、第
１内管を反応管７６内に挿入する際に、ガス供給管９２
を受入れる為の切欠９８が形成される。
４と同時に挿入自在となっている。第３図は第１内管７
８の一例を示す図であり、これは、ガス供給管９２から
導入された反応ガス等を第１及び第２内管間の第１間隙
１１４側に通過させる為の多数の細孔９６が穿設された
筒体からなる。細孔９６は側壁のほぼ全周に亘って間隔
をおいて複数形成される６細孔９６はプロセスによって
は不要となる。第１内管７８の円周側壁の一部には、第
１内管を反応管７６内に挿入する際に、ガス供給管９２
を受入れる為の切欠９８が形成される。
マニホルドの下側パーツ１０６を貫通して洗浄ガス供給
部材８８が配設され、該下側パーツに係止される。供給
部材８８の吹出し口（ｓ）９０は第１間隙１１４に臨み
、塩化水素（Ｎｕ）等のエツチングガス、窒素（ＮＺ）
、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス等から選択される洗
浄ガスをここに導入する。第５図は洗浄ガス供給部材８
８の一例を示す図であり、これは石英製直管の先端にス
テンレス製の中空リング８９が取付けられた構造からな
る。リング８９の上面には。
部材８８が配設され、該下側パーツに係止される。供給
部材８８の吹出し口（ｓ）９０は第１間隙１１４に臨み
、塩化水素（Ｎｕ）等のエツチングガス、窒素（ＮＺ）
、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス等から選択される洗
浄ガスをここに導入する。第５図は洗浄ガス供給部材８
８の一例を示す図であり、これは石英製直管の先端にス
テンレス製の中空リング８９が取付けられた構造からな
る。リング８９の上面には。
複数の細孔９０が第１間隙１１４に対して洗浄ガスを均
等に供給するように配設される９ 供給部材８８からの洗浄ガスは、 第１間隙１１４を上
昇し５反応管７６の上方の開放空間域を通り１反応管７
６ト第２内Ｔ？８０ 、！ｌ：（７＋ ７１２７ （７
）第２間隙１１５ヲ下方に流れ、 マニホルドに接続さ
れた排気管１０８から排出される。また反応領域１１２
に供給された反応ガスは、ボート８４に沿って上昇し、
一部は第１−内管７８の上方の開口端部を通り、また一
部は第１内管７８の側壁に設けられた細孔９６を通って
第１間隙１１４に流入し、洗浄ガスと同じ流路を通って
排出される。即ち両間隙１１４，１１５は、第１内管の
側壁に設けられた細孔９６からマニホルドの排気管１０
８に繋がる排気路を形成し、この排気路は塩化水素ガス
等の洗浄ガスと、モノシラン等の反応後の反応ガスとの
共通のガス流路となる。また第１間隙［４側の排気ガス
が反応領域１１２である第１内管７８内側へ流れ込まな
いように、第１内管７８側壁の細孔９６はガス流路を形
成している第１間隙１１４の流路断面積に比べて極めて
小さく形成され、しかも反応ガス及び洗浄ガスは、反応
領域１１２側の圧力が排気路１１．４側の圧力に比べて
高くなるように流量制御される。
等に供給するように配設される９ 供給部材８８からの洗浄ガスは、 第１間隙１１４を上
昇し５反応管７６の上方の開放空間域を通り１反応管７
６ト第２内Ｔ？８０ 、！ｌ：（７＋ ７１２７ （７
）第２間隙１１５ヲ下方に流れ、 マニホルドに接続さ
れた排気管１０８から排出される。また反応領域１１２
に供給された反応ガスは、ボート８４に沿って上昇し、
一部は第１−内管７８の上方の開口端部を通り、また一
部は第１内管７８の側壁に設けられた細孔９６を通って
第１間隙１１４に流入し、洗浄ガスと同じ流路を通って
排出される。即ち両間隙１１４，１１５は、第１内管の
側壁に設けられた細孔９６からマニホルドの排気管１０
８に繋がる排気路を形成し、この排気路は塩化水素ガス
等の洗浄ガスと、モノシラン等の反応後の反応ガスとの
共通のガス流路となる。また第１間隙［４側の排気ガス
が反応領域１１２である第１内管７８内側へ流れ込まな
いように、第１内管７８側壁の細孔９６はガス流路を形
成している第１間隙１１４の流路断面積に比べて極めて
小さく形成され、しかも反応ガス及び洗浄ガスは、反応
領域１１２側の圧力が排気路１１．４側の圧力に比べて
高くなるように流量制御される。
上記構造の縦型ＣＶＤ装置の動作態様を以下に説明する
。
。
先ず、基板移し替え装置（図示せず）により、所望の数
の基板８２が上記の態様でボート８４上に積載される。
の基板８２が上記の態様でボート８４上に積載される。
そしてこのボート８４が、昇降機構７４により下方位置
に下ろされた蓋体の保温筒１１８上自動的に載置され、
またボート８４の周囲を非接触状態で囲むように蓋体１
１６上に第１内管７８がセットされる。この後、ボート
８４及び第１内管７８は、昇降機構７４により所定量上
昇され、反応管７６内の予め定められた位置に、第２内
管８０の内面に接触することなく搬入される。この時、
上記反応管下部のマニホルド１０２と上記蓋体１１６と
が当接することにより、自動的にボート８４が位置決め
されると共に、気密な反応空間が形成される。次に反応
管８４内が所望の低圧状態例えば１〜５ Ｔｏｒｒ”に
保持されるように、反応管７６に連携する真空ポンプ（
図示せず）が作動制御される。また減圧操作と並行して
、予めヒータ８６に電圧が印加され、ヒータが所望の温
度例えば６００〜１２００℃に設定される。
に下ろされた蓋体の保温筒１１８上自動的に載置され、
またボート８４の周囲を非接触状態で囲むように蓋体１
１６上に第１内管７８がセットされる。この後、ボート
８４及び第１内管７８は、昇降機構７４により所定量上
昇され、反応管７６内の予め定められた位置に、第２内
管８０の内面に接触することなく搬入される。この時、
上記反応管下部のマニホルド１０２と上記蓋体１１６と
が当接することにより、自動的にボート８４が位置決め
されると共に、気密な反応空間が形成される。次に反応
管８４内が所望の低圧状態例えば１〜５ Ｔｏｒｒ”に
保持されるように、反応管７６に連携する真空ポンプ（
図示せず）が作動制御される。また減圧操作と並行して
、予めヒータ８６に電圧が印加され、ヒータが所望の温
度例えば６００〜１２００℃に設定される。
上記所望の条件の設定後、マスフロー・コントローラ等
により５００５ＣＣＭ程度に流量調整されて反応領域１
１２内に反応ガス、例えばシラン、ジクロシランが所定
時間供給される。上記ガス供給管の吹出し口９４から導
入さ九た反応ガスは、ボート８４に沿っ；上昇し、一部
は第１内管７８の上方の端部開口を通って反応管７６の
上部空間に至り、また一部は第１内管７８の側壁に設け
られた細孔９６を通って第１間隙１１４に流入する。
により５００５ＣＣＭ程度に流量調整されて反応領域１
１２内に反応ガス、例えばシラン、ジクロシランが所定
時間供給される。上記ガス供給管の吹出し口９４から導
入さ九た反応ガスは、ボート８４に沿っ；上昇し、一部
は第１内管７８の上方の端部開口を通って反応管７６の
上部空間に至り、また一部は第１内管７８の側壁に設け
られた細孔９６を通って第１間隙１１４に流入する。
また上記反応ガスの導入と同時に、洗浄ガス供給部材８
８から洗浄ガス、例えばエツチングガスである塩化水素
ガスが５００８ＣＣＭ程度供給される。この際、第１内
管内部即ち反応領域１１２側の圧力が間隙１１４．１１
５側の圧力よりも常に高くなるように維持される。この
ように反応ガス及び洗浄ガスの流量が制御されることに
より、間隙１１４，１１５側のガスが反応領１１１２側
に逆流することはなくなる。
８から洗浄ガス、例えばエツチングガスである塩化水素
ガスが５００８ＣＣＭ程度供給される。この際、第１内
管内部即ち反応領域１１２側の圧力が間隙１１４．１１
５側の圧力よりも常に高くなるように維持される。この
ように反応ガス及び洗浄ガスの流量が制御されることに
より、間隙１１４，１１５側のガスが反応領１１１２側
に逆流することはなくなる。
従って、基板８２上における所期の反応に悪影響を及ぼ
すことなく、反応管７６内面、第２内管８０の内外面、
及び第１内管７８の外面における反応化合物の生成及び
付着の聞止を、反応領域１１２内における所期反応と同
時進行的に行うことが可能となる。
すことなく、反応管７６内面、第２内管８０の内外面、
及び第１内管７８の外面における反応化合物の生成及び
付着の聞止を、反応領域１１２内における所期反応と同
時進行的に行うことが可能となる。
洗浄ガスがエツチングガスのような反応処理中に生成さ
れる化合物を分解するガスである場合は。
れる化合物を分解するガスである場合は。
同ガスは化学的な作用と物理的な作用とにより、上記化
合物の生成及び付着を阻止する。即ち、化学的な作用は
化合物の化学的な分解であり、また物理的な作用は反応
管壁面におけるガスの滞留防止である。洗浄ガスが不活
性ガスである場合は。
合物の生成及び付着を阻止する。即ち、化学的な作用は
化合物の化学的な分解であり、また物理的な作用は反応
管壁面におけるガスの滞留防止である。洗浄ガスが不活
性ガスである場合は。
同ガスは上記物理的な作用により」ユ記化合物の生成及
び付着を阻止する。
び付着を阻止する。
に述の如く所期の反応生成即ち薄膜形成と、排気ガス中
における反応化合物の除去とが同時に行われる為、処理
中におけるパーチクルの発生が非常に少なくなる。また
反応管７６内面等における反応化合物の生成及び付着も
大幅に減少する。従って輻射熱等により反応領域１１２
内の温度制御が乱されることなく良質な所期の薄膜を形
成することができる。
における反応化合物の除去とが同時に行われる為、処理
中におけるパーチクルの発生が非常に少なくなる。また
反応管７６内面等における反応化合物の生成及び付着も
大幅に減少する。従って輻射熱等により反応領域１１２
内の温度制御が乱されることなく良質な所期の薄膜を形
成することができる。
ＣＶＤ処理後、反応ガス及び洗浄ガスの供給が停止され
、不活性ガス、例えば窒素か反応管７６内に導入され、
反応管内が排気置換されると共に大気圧に復帰される。
、不活性ガス、例えば窒素か反応管７６内に導入され、
反応管内が排気置換されると共に大気圧に復帰される。
そして蓋体１１６が開放され、基板８２が積載されたボ
ート８４が昇降機構７４により下ろされ、処理が終了す
る。
ート８４が昇降機構７４により下ろされ、処理が終了す
る。
第１内管７８内面は反応化合物等が付着しやすいが、ボ
ート８４と同時に処理部外へ取出される為。
ート８４と同時に処理部外へ取出される為。
第１内管７８の交換により、処理部内の洗浄度が維持可
能となる。また第１内管７８のみの洗浄でよい為、洗浄
工程は容易となり、しかも処理装置の稼働時間の低下を
招くことはない。
能となる。また第１内管７８のみの洗浄でよい為、洗浄
工程は容易となり、しかも処理装置の稼働時間の低下を
招くことはない。
以上本発明の詳細は、添付の図面に示される望ましい実
施例に従って説明されてきたが、これら実施例に対して
は１本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更、改良
が可能となることは明白である。例えば洗浄ガスは連続
的に流しても１間欠的に流してもよい。排気路側にプラ
ズマ発生手段を配設し、プラズマエツチング効果を得る
ようにすることも可能である。また上記両実施例は共に
縦型ＣＶＤ装置であるが１本発明は反応ガスにより被処
理物を反応処理するタイプの全ての装置例えば横型でも
よいし、更にＣｖＤに限らず、拡散炉、酸化炉、プラズ
マ処理などに適用可能なものである。
施例に従って説明されてきたが、これら実施例に対して
は１本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更、改良
が可能となることは明白である。例えば洗浄ガスは連続
的に流しても１間欠的に流してもよい。排気路側にプラ
ズマ発生手段を配設し、プラズマエツチング効果を得る
ようにすることも可能である。また上記両実施例は共に
縦型ＣＶＤ装置であるが１本発明は反応ガスにより被処
理物を反応処理するタイプの全ての装置例えば横型でも
よいし、更にＣｖＤに限らず、拡散炉、酸化炉、プラズ
マ処理などに適用可能なものである。
第１図は本発明を縦型ＣｖＤ及びその処理工程に適用し
た実施例を説明するための縦型ＣｖＤ装置を示す縦断正
面図、第２図は第１図の他の実施例である他のタイプの
縦型ＣＶＤ装置を示す縦断正面図、第３図は第２図図示
装置において用いられている第１内管を示す斜視図、第
４図は第２図図示装置において使用可能な反応ガス供給
管の種々な例を示す斜視図、第５図は第２図図示装置に
おいて用いられている洗浄ガス供給管を示す斜視図であ
る。
た実施例を説明するための縦型ＣｖＤ装置を示す縦断正
面図、第２図は第１図の他の実施例である他のタイプの
縦型ＣＶＤ装置を示す縦断正面図、第３図は第２図図示
装置において用いられている第１内管を示す斜視図、第
４図は第２図図示装置において使用可能な反応ガス供給
管の種々な例を示す斜視図、第５図は第２図図示装置に
おいて用いられている洗浄ガス供給管を示す斜視図であ
る。
Claims (2)
- （１）処理容器内に着脱可能に配置された少なくとも第
１および第２の領域に区画する区画手段と、この区画手
段による第１の領域に被処理物を収容する処理部と、上
記容器内で上記処理部内と上記区画手段による第２の領
域に設けられる処理部外とを連通させる手段と、上記処
理部内に処理ガスを供給するガス供給手段と、上記容器
内で且つ上記第２の領域に洗浄ガスを供給する洗浄ガス
供給手段と、上記第２の領域を流路とするガスを排出し
上記容器に接続された排気手段と、を具備してなること
を特徴とする処理装置。 - （２）処理容器内に被処理体を搬入して処理ガスにより
処理する領域の処理後の排出ガスを排出領域を設けて処
理する方法において、上記処理領域に処理ガスを供給す
る工程と、上記被処理体を処理した処理後のガスを排出
する工程と、上記排出領域の少なくともガス流路に少な
くとも処理済ガスの流れている期間洗浄ガスを供給する
工程と上記洗浄ガスおよび反応ガスを排出する工程とを
具備してなることを特徴とする処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20444788 | 1988-08-17 | ||
| JP63-204447 | 1988-08-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02138473A true JPH02138473A (ja) | 1990-05-28 |
| JP2654996B2 JP2654996B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16490679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206402A Expired - Lifetime JP2654996B2 (ja) | 1988-08-17 | 1989-08-09 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4989540A (ja) |
| JP (1) | JP2654996B2 (ja) |
| KR (1) | KR0155151B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333570A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法 |
| JPH04366196A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる珪素のクリーニング方法 |
| JPH05217929A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 酸化拡散処理装置 |
| JPH08218173A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Nec Corp | 常圧ｃｖｄ装置 |
| US6296710B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multi-port gas injector for a vertical furnace used in semiconductor processing |
| WO2010026879A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給部材およびプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120634B2 (ja) * | 1988-12-27 | 1995-12-20 | 東京エレクトロン東北株式会社 | 処理装置 |
| KR940011005B1 (ko) * | 1989-09-09 | 1994-11-22 | 캐논 가부시끼가이샤 | 알킬 알루미늄 하이드라이드를 이용한 퇴적막 형성법 |
| US5127365A (en) * | 1990-02-27 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts |
| US5279670A (en) * | 1990-03-31 | 1994-01-18 | Tokyo Electron Sagami Limited | Vertical type diffusion apparatus |
| JP2598336B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1997-04-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| US5076206A (en) * | 1990-10-31 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Vertical LPCVD reactor |
| JPH0547717A (ja) * | 1991-01-22 | 1993-02-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ表面処理の終点検出方法及びプラズマ表面処理装置の状態監視方法 |
| US5118642A (en) * | 1991-01-24 | 1992-06-02 | Daidousanso Co., Ltd. | Method for producing semiconductors |
| US5318633A (en) * | 1991-03-07 | 1994-06-07 | Tokyo Electron Sagami Limited | Heat treating apparatus |
| JPH04308090A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | M B K Maikurotetsuku:Kk | 気相化学反応生成装置のロードロック機構 |
| JP2819073B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1998-10-30 | 東京エレクトロン株式会社 | ドープド薄膜の成膜方法 |
| US5443686A (en) * | 1992-01-15 | 1995-08-22 | International Business Machines Corporation Inc. | Plasma CVD apparatus and processes |
| TW239164B (ja) * | 1992-08-12 | 1995-01-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JPH06151340A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Nippon Ee S M Kk | 熱処理装置 |
| US5444217A (en) * | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
| US5580388A (en) * | 1993-01-21 | 1996-12-03 | Moore Epitaxial, Inc. | Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors |
| US5362353A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Faraday cage for barrel-style plasma etchers |
| JP3292540B2 (ja) * | 1993-03-03 | 2002-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP3125199B2 (ja) * | 1993-03-18 | 2001-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| JPH0786173A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP3971810B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-09-05 | 三星電子株式会社 | 縦型拡散炉 |
| US5972078A (en) * | 1997-07-31 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | Exhaust rinse manifold for use with a coating apparatus |
| US6027569A (en) * | 1998-06-03 | 2000-02-22 | Seh America, Inc. | Gas injection systems for a LPCVD furnace |
| US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
| JP3396431B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2003-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化処理方法および酸化処理装置 |
| JP3579278B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びシール装置 |
| US6666924B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-12-23 | Asm America | Reaction chamber with decreased wall deposition |
| US6564810B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-05-20 | Asm America | Cleaning of semiconductor processing chambers |
| JP3594235B2 (ja) * | 2000-05-22 | 2004-11-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ガス漏れ防止機能を有する熱処理炉 |
| US20040221810A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-11-11 | Miles Ronald O. | Process boat and shell for wafer processing |
| WO2004008491A2 (en) * | 2002-07-15 | 2004-01-22 | Aviza Technology, Inc. | Thermal processing system and configurable vertical chamber |
| JP4523225B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US20050098107A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross-flow liner |
| US20050121145A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-06-09 | Du Bois Dale R. | Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors |
| US20070240644A1 (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-18 | Hiroyuki Matsuura | Vertical plasma processing apparatus for semiconductor process |
| KR100851391B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2008-08-08 | 세메스 주식회사 | 탄소나노튜브 합성장치 및 방법 |
| JP4918453B2 (ja) * | 2007-10-11 | 2012-04-18 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置及び薄膜形成装置 |
| JP4564570B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-10-20 | 三井造船株式会社 | 原子層堆積装置 |
| JP5881956B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2016-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびウェーハホルダ |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR101879175B1 (ko) * | 2011-10-20 | 2018-08-20 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| CN104103483B (zh) * | 2013-04-10 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种进气装置及等离子体加工设备 |
| CN114551206A (zh) * | 2015-12-04 | 2022-05-27 | 应用材料公司 | 用以防止hdp-cvd腔室电弧放电的先进涂层方法及材料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352356A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Deposition prevention method in hot wall type reaction furnace |
| JPS5926238U (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-18 | 日本電気株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| JPS6386424A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4430149A (en) * | 1981-12-30 | 1984-02-07 | Rca Corporation | Chemical vapor deposition of epitaxial silicon |
| JPS61176113A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Toshiba Corp | 半導体処理装置 |
| JPS62244123A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
| JPS62245626A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Furendo Tec Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置 |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1206402A patent/JP2654996B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 US US07/392,597 patent/US4989540A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 KR KR1019890011478A patent/KR0155151B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352356A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Hitachi Ltd | Deposition prevention method in hot wall type reaction furnace |
| JPS5926238U (ja) * | 1982-08-10 | 1984-02-18 | 日本電気株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| JPS6386424A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Nec Corp | 気相成長装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333570A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法 |
| JPH04366196A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-18 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる珪素のクリーニング方法 |
| JPH05217929A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Tokyo Electron Tohoku Kk | 酸化拡散処理装置 |
| JPH08218173A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-27 | Nec Corp | 常圧ｃｖｄ装置 |
| US6296710B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multi-port gas injector for a vertical furnace used in semiconductor processing |
| WO2010026879A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給部材およびプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900003966A (ko) | 1990-03-27 |
| KR0155151B1 (ko) | 1998-12-01 |
| US4989540A (en) | 1991-02-05 |
| JP2654996B2 (ja) | 1997-09-17 |
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