JP3594235B2 - ガス漏れ防止機能を有する熱処理炉 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に熱処理炉に関し、より詳しくは、炉内のガスが外部へ漏れることを防止する機能を有する熱処理炉に関する。なお、本明細書でいう「熱処理」とは、広く対象物をガス雰囲気中で加熱処理することを意味し、同時に酸化あるいは還元等の化学反応が生ずる場合をも含む。
【0002】
【従来の技術】
図1は従来の熱処理炉の例を示した図である。熱処理炉10は反応管(チューブ)1とキャップ2からなる。キャップ2はチューブ1の開口3を塞いで、チューブ内のガスを閉じ込める。チューブ1は反応ガスの供給口4および排気口5を持つ。反応ガスはガス供給装置(図示なし)から配管を通って供給口4に至り、チューブ内に供給される。排気口5から出たガスはガス処理装置(図示なし)で処理されて排気される。チューブ1内にはウエハ等の対象物6が設置される。チューブ内はチューブ内あるいはチューブ外に設けられたヒータ(図示なし)により加熱される。
【0003】
図2は図1の符号A部分の拡大図である。処理時の温度が例えば約800℃以上の高温になる場合、チューブ1とキャップ2の接合部にシール用Oリングを使用することはできない。Oリングの耐熱性が低いからである。したがって、図2に示すように、チューブ1とキャップ2の接合部には小さな隙間が存在してしまう。この隙間を通ってチューブ1内のガスが外部へ漏れるという問題が発生する(図2の符号7)。特に漏れるガスが反応性(腐食性)の高いガスの場合、外部環境へ重大な悪影響を及ぼす。したがって、高温熱処理時においてガス漏れの無い熱処理炉が要求される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、高温での熱処理時においてもガス漏れの無い熱処理炉を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴は、一端に開口(23、43)と開口を取り囲むフランジ(27、47)を有する反応管(21、41)と、フランジにおいて反応管と接し開口を塞ぐキャップ(22、42)とを有する熱処理炉(20、40)において、フランジとキャップの接合間の隙間を通って反応管内のガスが外部へ漏れることを防止する手段(28、29、49、51)と、さらに、フランジとキャップの接合間の隙間のリーク・ガスを排気する手段(48、50)を設けたことである。
【0006】
また、本発明の熱処理炉の特徴は、熱処理炉を構成する反応管のフランジ(27、47)が、フランジとキャップの接合間の隙間に不活性ガスを供給するための溝(28、49)と孔(29、51)を有すること、さらにフランジとキャップの接合間の隙間を通るリーク・ガスを排気するための溝(48)と孔(50)を有することである。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図3は本発明の熱処理炉の一実施例を示した図である。熱処理炉20は反応管(チューブ)21とキャップ22からなる。キャップ22はチューブ21の開口23を塞いで、チューブ内のガスを閉じ込める。チューブ21は反応ガスの供給口24および排気口25を持つ。反応ガスはガス供給装置(図示なし)から配管を通って供給口24に至り、チューブ内に供給される。排気口25から出たガスはガス処理装置(図示なし)で処理されて排気される。チューブ21内にはウエハ等の対象物26が設置される。チューブ内はチューブ内あるいはチューブ外に設けられたヒータ(図示なし)により加熱される。これらの図3の構成は図2の従来例と同様である。
【0008】
図3では図2の従来例に対して新規な構成として、チューブ21のフランジ27に溝28と孔29を設けている。溝28はフランジ27において同心円状に設けられている。図4は図3の符号A部分の拡大図である。図4に示すように、溝28は同心円上の任意の箇所において孔29に接続されフランジ27を貫通する。なお、孔29は1つとは限らず、複数設けてもよい。
【0009】
シリコンウエハの熱酸化処理工程において、チューブ21内には反応ガスとして酸素ガスや塩化水素ガスが導入される。塩化水素ガスはハロゲン添加剤として用いられる。チューブ21内はヒータにより、約800℃以上、例えば約800℃〜約1200℃、の温度に加熱される。この場合、従来の熱処理炉では既述したように、チューブとキャップの接合部の小さな隙間を通ってチューブ内の酸素ガスや塩化水素ガスが外部へ漏れてしまう(図2)。
【0010】
これに対して、本発明の熱処理炉20では、溝28に接続する孔29から、例えば窒素ガスのような不活性ガスを注入する。不活性ガスはヘリウムガスやアルゴンガス等の他の不活性ガスであってもよい。この注入する不活性ガスの流れにより、図4に示すように、隙間から漏れようとするチューブ内のガスをチューブ内へ押し戻してガスリークを防止する。注入する不活性ガスの流量はチューブ内に導入する反応ガスの流量に対して十分小さくてよい(例えば十分の一程度)。したがって、不活性ガス量は反応ガス量に対して無視でき、たとえチューブ内に注入してもチューブ内の熱酸化反応に影響を与えることはない。なお、注入する不活性ガスの流量は熱処理炉の大きさやリーク量などに応じて適宜決めることができる。
【0011】
図5は本発明の熱処理炉の別の一実施例を示した図である。熱処理炉40は反応管(チューブ)41とキャップ42からなる。キャップ42はチューブ41の開口43を塞いで、チューブ内のガスを閉じ込める。チューブ41は反応ガスの供給口44および排気口45を持つ。反応ガスはガス供給装置(図示なし)から配管を通って供給口44に至り、チューブ内に供給される。排気口45から出たガスはガス処理装置(図示なし)で処理されて排気される。チューブ41内にはウエハ等の対象物46が設置される。チューブ内はチューブ内あるいはチューブ外に設けられたヒータ(図示なし)により加熱される。これらの図5の構成は図3の実施例と同様である。
【0012】
図5では図3の実施例に対して新規な構成として、チューブ41のフランジ47に溝を2つ(48、49)設けている。2つの溝48、49はフランジ47において同心円状に設けられている。図6は図5の符号A部分の拡大図である。図6に示すように、溝48、49は共に同心円上の任意の箇所において孔50、51に接続されフランジ47を貫通する。なお、孔50、51は1つつ゛とは限らず、各々複数設けてもよい。
【0013】
2つの孔(溝)のうち、孔51(溝49)は図3の場合と同様に不活性ガスの注入口として使用される。一方、孔50(溝48)は、チューブ内からのリークガスおよび注入する不活性ガスの排気口として使用される。図6の熱処理炉40では、ガス供給用の孔51(溝49)から供給される不活性ガス流によりチューブ内からのリークガスをチューブ内に押し戻すと共に排気用孔50(溝48)からリークガスの一部を排気させる機能を有する。したがって、チューブ内のガスのリークをより完全に防ぐことができる。また、注入される不活性ガスの一部も排気用孔50(溝48)から排気される。したがって、チューブ内に入る不活性ガスの量が軽減され、チューブ内の熱酸化反応に影響を与える恐れがより低くなる。
【0014】
以上、本発明の実施例について、図面に基づいて種々説明したが、本発明は上記した実施例に限定されるものではない。その他、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良,修正,変形を加えた態様で実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の熱処理炉を示す図である。
【図2】図1の符号A部の拡大図である。
【図3】本発明の熱処理炉の一実施例を示す図である。
【図4】図3の符号A部分の拡大図である。
【図5】本発明の熱処理炉の一実施例を示した図である。
【図6】図5の符号A部分の拡大図である。
【符号の説明】
1、21、41:チューブ
2、22、42:キャップ
3、23、43:開口
4、24、44:ガス供給口
5、25、45:ガス排気口
6、26、46:熱処理対象物
7:31、52、53、54:ガスの流れ
10、20、40:熱処理炉
28、48、49:溝
29、50、51:孔
Claims (6)
- 一端に開口と該開口を取り囲むフランジを有する反応管と、
前記フランジにおいて前記反応管と接し前記開口を塞ぐキャップと、
前記フランジと前記キャップの接合間の隙間を通って前記反応管内のガスが外部へ漏れることを防止する手段とを含み、
前記ガス漏れ防止手段は、前記フランジに設けられた、前記キャップとの接合面に開口を有する第1の溝と、該第1の溝の少なとも一部において前記フランジを貫通する第1の孔を有し、前記第1の孔から前記フランジと前記キャップの接合間の隙間に不活性ガスを供給して、前記フランジと前記キャップの接合間の隙間を通るリーク・ガスを前記反応管内へ押し戻すことを特徴とする、熱処理炉。 - 前記ガス漏れ防止手段は、さらに、前記フランジに設けられた、前記キャップとの接合面に開口を有する第2の溝と、該第2の溝の少なとも一部において前記フランジを貫通する第2の孔を有し、前記第2の孔から前記フランジと前記キャップの接合間の隙間のリーク・ガスを排気することを特徴とする、請求項1の熱処理炉。
- 前記フランジの前記キャップとの接合断面は円形断面を有し、前記第1の溝は前記円形断面に同心円状に設けられている、請求項1の熱処理炉。
- 前記フランジの前記キャップとの接合断面は円形断面を有し、前記第2の溝は前記円形断面に同心円状に設けられている、請求項2の熱処理炉。
- 前記接合断面において、前記第2の溝は前記第1の溝よりも内側に設けれている、請求項4の熱処理炉。
- 前記反応管はガス供給口を有し、該ガス供給口から反応管に設置した半導体基板を酸化または熱処理するための反応ガスを供給する、請求項1または2記載の熱処理炉。
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