JPH0997767A - 半導体製造装置の縦型炉 - Google Patents
半導体製造装置の縦型炉Info
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- JPH0997767A JPH0997767A JP27477695A JP27477695A JPH0997767A JP H0997767 A JPH0997767 A JP H0997767A JP 27477695 A JP27477695 A JP 27477695A JP 27477695 A JP27477695 A JP 27477695A JP H0997767 A JPH0997767 A JP H0997767A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の高温処理用縦型炉に於いてシ
ール性を向上させ、クリーニングガスが反応炉より漏出
することを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガス
の使用を可能としたものである。 【構成】石英製のフランジアダプタ１３に立設した炭化
硅素製の反応管７の下端を反応管を囲繞するヒータユニ
ット１加熱域の下端に合わせ、反応管の下端にフランジ
７ａを形成し、フランジアダプタの上フランジと前記フ
ランジ間にシール溝２３を形成し、前記フランジと上フ
ランジとを重合させ、前記シール溝に不活性ガスのシー
ルガスを供給し、反応管とフランジアダプタとの接合部
をシールし、リークガスにより発生する障害を防止す
る。
ール性を向上させ、クリーニングガスが反応炉より漏出
することを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガス
の使用を可能としたものである。 【構成】石英製のフランジアダプタ１３に立設した炭化
硅素製の反応管７の下端を反応管を囲繞するヒータユニ
ット１加熱域の下端に合わせ、反応管の下端にフランジ
７ａを形成し、フランジアダプタの上フランジと前記フ
ランジ間にシール溝２３を形成し、前記フランジと上フ
ランジとを重合させ、前記シール溝に不活性ガスのシー
ルガスを供給し、反応管とフランジアダプタとの接合部
をシールし、リークガスにより発生する障害を防止す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は縦型炉を有する半導
体製造装置の、特に高温酸化処理等高温処理を行う炉口
部の改良に関するものである。
体製造装置の、特に高温酸化処理等高温処理を行う炉口
部の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４に於いて従来の半導体製造装置の高
温酸化処理用縦型炉を説明する。尚、図４は縦型炉の炉
口部分を示している。
温酸化処理用縦型炉を説明する。尚、図４は縦型炉の炉
口部分を示している。
【０００３】上端が閉塞された筒状のヒータユニット１
はヒータベース３に断熱材２を介して立設され、前記ヒ
ータベース３の下側には該ヒータユニット１の下面に取
付けられた支持ブロック４を介して反応管ベース５が設
けられている。該反応管ベース５にはフランジアダプタ
６が設けられ、該フランジアダプタ６に上端が閉塞され
た筒状の反応管７が立設されている。該反応管７は下端
がヒータベース３より下方に延出している。前記反応管
７にはボート（図示せず）が装入される様になってお
り、該ボートはボートキャップ８を介してボート受台９
に載置される様になっている。
はヒータベース３に断熱材２を介して立設され、前記ヒ
ータベース３の下側には該ヒータユニット１の下面に取
付けられた支持ブロック４を介して反応管ベース５が設
けられている。該反応管ベース５にはフランジアダプタ
６が設けられ、該フランジアダプタ６に上端が閉塞され
た筒状の反応管７が立設されている。該反応管７は下端
がヒータベース３より下方に延出している。前記反応管
７にはボート（図示せず）が装入される様になってお
り、該ボートはボートキャップ８を介してボート受台９
に載置される様になっている。
【０００４】前記断熱材２と前記反応管７の下端近傍と
の間隙を閉塞する様に炉口断熱材１０が設けられ、更に
前記反応管７の下端部には断熱クロス１１が巻設され、
炉口部の温度低下を抑制している。
の間隙を閉塞する様に炉口断熱材１０が設けられ、更に
前記反応管７の下端部には断熱クロス１１が巻設され、
炉口部の温度低下を抑制している。
【０００５】高温、１２００℃以上では石英は耐熱性に
問題があるので炭化硅素（Ｓi Ｃ）が用いられる。従来
の半導体製造装置の縦型炉に於いても、反応管７は炭化
硅素で製作され、フランジアダプタ６は石英製で製作さ
れている。
問題があるので炭化硅素（Ｓi Ｃ）が用いられる。従来
の半導体製造装置の縦型炉に於いても、反応管７は炭化
硅素で製作され、フランジアダプタ６は石英製で製作さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に、反応管
７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から
下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは
大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設
けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に
集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材
料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしま
う。この為前記反応管７の下端にはフランジを設けるこ
とができず、図４で示した従来例では反応管７の下端に
はフランジが形成されていない。更に、前記反応管７と
フランジアダプタ６との間には、耐熱性の問題からシー
ル材が設けられてなく、前記反応管７とフランジアダプ
タ６との間のシールは反応管７下端面と反応管フランジ
アダプタ６上端面との面接触のみである。
７の下端部はヒータユニット１に囲繞される加熱域から
下方に突出している為、下端部と加熱域にある部分とは
大きな温度差が生じる。反応管７の下端にフランジを設
けた場合、前記温度差に起因する熱応力がフランジ部に
集中する。又、反応管７の材料である炭化硅素は脆い材
料であるので、大きな熱応力が生じると破損してしま
う。この為前記反応管７の下端にはフランジを設けるこ
とができず、図４で示した従来例では反応管７の下端に
はフランジが形成されていない。更に、前記反応管７と
フランジアダプタ６との間には、耐熱性の問題からシー
ル材が設けられてなく、前記反応管７とフランジアダプ
タ６との間のシールは反応管７下端面と反応管フランジ
アダプタ６上端面との面接触のみである。
【０００７】その為、クリーニングガスとして塩化水素
（ＨＣｌ）ガスを反応管７内に流すと、前記反応管７と
フランジアダプタ６との接触面からＨＣｌガスが漏出
し、装置の金属部を腐食させてしまうという問題があっ
た。
（ＨＣｌ）ガスを反応管７内に流すと、前記反応管７と
フランジアダプタ６との接触面からＨＣｌガスが漏出
し、装置の金属部を腐食させてしまうという問題があっ
た。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、高温処理用縦
型炉に於いてクリーニングガスが反応炉より漏出するこ
とを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガスの使用
を可能としたものである。
型炉に於いてクリーニングガスが反応炉より漏出するこ
とを防止し、クリーニングガスとしてＨＣｌガスの使用
を可能としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、石英製のフラ
ンジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を反
応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせた
ことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉、及び該半導
体製造装置に於いて反応管の下端にフランジを形成し、
フランジアダプタの上フランジにシール溝を形成し、前
記フランジと上フランジとを重合させ、前記シール溝に
不活性ガスのシールガスを供給した半導体製造装置の縦
型炉、或は該半導体製造装置に於いて反応管のフランジ
とフランジアダプタの上フランジとの重合位置近傍にガ
ス検知ノズルを設けた半導体製造装置の縦型炉或は前記
半導体製造装置に於いて反応管のフランジとフランジア
ダプタの上フランジとの重合位置近傍に不活性パージガ
ス供給用のガスパージノズルを設けた半導体製造装置の
縦型炉に係るものである。
ンジアダプタに立設した炭化硅素製の反応管の下端を反
応管を囲繞するヒータユニット加熱域の下端に合わせた
ことを特徴とする半導体製造装置の縦型炉、及び該半導
体製造装置に於いて反応管の下端にフランジを形成し、
フランジアダプタの上フランジにシール溝を形成し、前
記フランジと上フランジとを重合させ、前記シール溝に
不活性ガスのシールガスを供給した半導体製造装置の縦
型炉、或は該半導体製造装置に於いて反応管のフランジ
とフランジアダプタの上フランジとの重合位置近傍にガ
ス検知ノズルを設けた半導体製造装置の縦型炉或は前記
半導体製造装置に於いて反応管のフランジとフランジア
ダプタの上フランジとの重合位置近傍に不活性パージガ
ス供給用のガスパージノズルを設けた半導体製造装置の
縦型炉に係るものである。
【００１０】反応管全体が加熱域内に設けられているの
で温度差が生じることがなく、温度差による熱応力も発
生することがない。又、シール溝を形成し、該シール溝
に不活性ガスのシールガスを供給しているので反応管と
フランジアダプタとの接合部のシールが成される。又、
反応管とフランジアダプタの両フランジの重合位置近傍
にガス検知ノズルを設けることでガスのリークがあると
直ちに検出ができ、又ガスのリークがあると、ガスパー
ジノズルから不活性ガスを供給してリークガスの希釈を
行いリークガスにより発生する障害を防止する。
で温度差が生じることがなく、温度差による熱応力も発
生することがない。又、シール溝を形成し、該シール溝
に不活性ガスのシールガスを供給しているので反応管と
フランジアダプタとの接合部のシールが成される。又、
反応管とフランジアダプタの両フランジの重合位置近傍
にガス検知ノズルを設けることでガスのリークがあると
直ちに検出ができ、又ガスのリークがあると、ガスパー
ジノズルから不活性ガスを供給してリークガスの希釈を
行いリークガスにより発生する障害を防止する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１２】図１〜図３中、図４中で示したものと同様
の構成要素には同符号を付してある。
の構成要素には同符号を付してある。
【００１３】上下に上フランジ１３ａ，下フランジ１３
ｂを有する石英製のフランジアダプタ１３を反応管ベー
ス５上に載設する。該フランジアダプタ１３の上フラン
ジ１３ａの上端はヒータユニット１の加熱域の下端と一
致、又は略一致しており、前記上フランジ１３ａに炭化
硅素製の反応管７のフランジ７ａが重合され、反応管７
が立設される。前記フランジアダプタ１３のヒータベー
ス３より下方に露出する部分には断熱クロス１１が巻設
されている。
ｂを有する石英製のフランジアダプタ１３を反応管ベー
ス５上に載設する。該フランジアダプタ１３の上フラン
ジ１３ａの上端はヒータユニット１の加熱域の下端と一
致、又は略一致しており、前記上フランジ１３ａに炭化
硅素製の反応管７のフランジ７ａが重合され、反応管７
が立設される。前記フランジアダプタ１３のヒータベー
ス３より下方に露出する部分には断熱クロス１１が巻設
されている。
【００１４】前記断熱クロス１１、前記フランジアダプ
タ１３の円筒側壁を貫通して反応ガス導入ポート１４が
設けられる。該反応ガス導入ポート１４は先端が閉塞さ
れ、先端部上面に反応ガス導入ノズル１５が連通してい
る。該反応ガス導入ポート１４は反応管７の上端部迄延
び、反応ガス導入ポート１４の上端、及び適宜箇所に穿
設された導入孔（図示せず）より反応ガスを導入する様
になっている。又、前記フランジアダプタ１３の円筒側
壁には排気ポート１６が連通され、外端部は断熱クロス
１１を貫通して外部に突出している。
タ１３の円筒側壁を貫通して反応ガス導入ポート１４が
設けられる。該反応ガス導入ポート１４は先端が閉塞さ
れ、先端部上面に反応ガス導入ノズル１５が連通してい
る。該反応ガス導入ポート１４は反応管７の上端部迄延
び、反応ガス導入ポート１４の上端、及び適宜箇所に穿
設された導入孔（図示せず）より反応ガスを導入する様
になっている。又、前記フランジアダプタ１３の円筒側
壁には排気ポート１６が連通され、外端部は断熱クロス
１１を貫通して外部に突出している。
【００１５】前記反応ガス導入ポート１４には給気配管
１７が接続され、反応ガス導入ポート１４のフランジ、
給気配管１７のフランジ間にＯリング１８が介設され、
両フランジはフランジクランプ１９により結合される。
又、前記排気ポート１６には排気配管２０が接続され、
排気ポート１６のフランジ、排気配管２０のフランジ間
にＯリング１８が介設され、両フランジはフランジクラ
ンプ１９により結合される。
１７が接続され、反応ガス導入ポート１４のフランジ、
給気配管１７のフランジ間にＯリング１８が介設され、
両フランジはフランジクランプ１９により結合される。
又、前記排気ポート１６には排気配管２０が接続され、
排気ポート１６のフランジ、排気配管２０のフランジ間
にＯリング１８が介設され、両フランジはフランジクラ
ンプ１９により結合される。
【００１６】前記反応ガス導入ポート１４、排気ポート
１６と干渉しない位置にシールガス導入ポート２１を固
着する。該シールガス導入ポート２１と図示しないシー
ルガス源とは配管２２により接続する。又、前記上フラ
ンジ１３ａの上面にシール溝２３が刻設され該シール溝
２３と前記シールガス導入ポート２１とは給気連絡管２
４により連通され、前記シール溝２３と前記排気ポート
１６とは排気連絡管２５により連通されている。
１６と干渉しない位置にシールガス導入ポート２１を固
着する。該シールガス導入ポート２１と図示しないシー
ルガス源とは配管２２により接続する。又、前記上フラ
ンジ１３ａの上面にシール溝２３が刻設され該シール溝
２３と前記シールガス導入ポート２１とは給気連絡管２
４により連通され、前記シール溝２３と前記排気ポート
１６とは排気連絡管２５により連通されている。
【００１７】前記断熱クロス１１の周面から挿入し、断
熱クロス１１の上端面から突出するＬ字状の窒素ガスパ
ージノズル２６、ガス検知ノズル２７を各々設け、前記
窒素ガスパージノズル２６は図示しない窒素ガス供給源
に接続し、前記ガス検知ノズル２７は図示しないガス検
出器にそれぞれ接続する。
熱クロス１１の上端面から突出するＬ字状の窒素ガスパ
ージノズル２６、ガス検知ノズル２７を各々設け、前記
窒素ガスパージノズル２６は図示しない窒素ガス供給源
に接続し、前記ガス検知ノズル２７は図示しないガス検
出器にそれぞれ接続する。
【００１８】尚、図中２８はボートキャップ８のフラン
ジと下フランジ１３ｂ間とをシールするＯリングであ
り、２９はボート受台９の下面に埋設され前記Ｏリング
２８を冷却する為の冷却管、３０は下フランジ１３ｂを
固定するフランジ押え３１に形成された冷却路３２に冷
却水を給排する為のノズルである。
ジと下フランジ１３ｂ間とをシールするＯリングであ
り、２９はボート受台９の下面に埋設され前記Ｏリング
２８を冷却する為の冷却管、３０は下フランジ１３ｂを
固定するフランジ押え３１に形成された冷却路３２に冷
却水を給排する為のノズルである。
【００１９】以下、作用を説明する。
【００２０】ヒータユニット１により加熱した状態で、
図示しないボートにウェーハを装填し、ボートを反応管
７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス導入ポート
１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応管７内に反
応ガスを導入し、ウェーハに所要の処理、例えば酸化処
理を行う。処理後のガスは前記排気ポート１６、排気配
管２０を介して排出される。処理が完了したウェーハは
図示しないボートと共に引出される。
図示しないボートにウェーハを装填し、ボートを反応管
７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス導入ポート
１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応管７内に反
応ガスを導入し、ウェーハに所要の処理、例えば酸化処
理を行う。処理後のガスは前記排気ポート１６、排気配
管２０を介して排出される。処理が完了したウェーハは
図示しないボートと共に引出される。
【００２１】次に、反応管７内をＨＣｌガスによるクリ
ーニングを行う場合、ウェーハが装填されていないボー
トを反応管７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス
導入ポート１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応
管７内にＨＣｌガスを導入し、更にＨＣｌガスを前記排
気ポート１６、排気配管２０を介して排出する。
ーニングを行う場合、ウェーハが装填されていないボー
トを反応管７内に装入し、前記給気配管１７、反応ガス
導入ポート１４、反応ガス導入ノズル１５を介して反応
管７内にＨＣｌガスを導入し、更にＨＣｌガスを前記排
気ポート１６、排気配管２０を介して排出する。
【００２２】前記配管２２、給気連絡管２４を介して前
記シール溝２３にシールガス、例えば窒素ガスを供給す
る。シール溝２３内の圧力は反応管７内外の圧力よりも
高くしておき、該反応管７内のＨＣｌガスが上フランジ
１３ａと反応管７のフランジ間より外部へリークするの
をシールする。前記シール溝２３内のガスは前記排気連
絡管２５を介して排気ポート１６に排気される為、反応
管内部からシール溝２３へのＨＣｌガスのリークがあっ
たとしても窒素ガスにより希釈された状態で排気ポート
１６に排出される。
記シール溝２３にシールガス、例えば窒素ガスを供給す
る。シール溝２３内の圧力は反応管７内外の圧力よりも
高くしておき、該反応管７内のＨＣｌガスが上フランジ
１３ａと反応管７のフランジ間より外部へリークするの
をシールする。前記シール溝２３内のガスは前記排気連
絡管２５を介して排気ポート１６に排気される為、反応
管内部からシール溝２３へのＨＣｌガスのリークがあっ
たとしても窒素ガスにより希釈された状態で排気ポート
１６に排出される。
【００２３】又、前記窒素ガスパージノズル２６から窒
素ガスを上フランジ１３ａ近傍に供給する。上フランジ
１３ａ近傍を窒素ガスで希釈し、前記ガス検知ノズル２
７によりＨＣｌガスのリークを監視する。ＨＣｌガスの
リークがあると前記ガス検知ノズル２７を介して図示し
ないガス検知器が直ちにＨＣｌガスのリークを検出し、
警報器を作動し、或は制御装置にフィードバックし反応
管７のＨＣｌガスの供給を停止する等の処置を行う。
素ガスを上フランジ１３ａ近傍に供給する。上フランジ
１３ａ近傍を窒素ガスで希釈し、前記ガス検知ノズル２
７によりＨＣｌガスのリークを監視する。ＨＣｌガスの
リークがあると前記ガス検知ノズル２７を介して図示し
ないガス検知器が直ちにＨＣｌガスのリークを検出し、
警報器を作動し、或は制御装置にフィードバックし反応
管７のＨＣｌガスの供給を停止する等の処置を行う。
【００２４】前記した様に、酸化炉或は拡散炉では高温
（１２００℃）処理となり、炉口部の温度も又高温とな
る。前記反応管７の下端はヒータユニット１の下端と一
致、或は略一致しており、本実施の形態の様に炭化硅素
製の反応管７下端にフランジ７ａを形成したとしてもフ
ランジ近傍で大きな温度差が生じることがない。従っ
て、反応管７のフランジ７ａが熱応力により破損するこ
とがない。更に、石英製のフランジアダプタ１３はヒー
タユニット１内の加熱域に含まれる部分がないので、耐
熱性が問題となることはない。
（１２００℃）処理となり、炉口部の温度も又高温とな
る。前記反応管７の下端はヒータユニット１の下端と一
致、或は略一致しており、本実施の形態の様に炭化硅素
製の反応管７下端にフランジ７ａを形成したとしてもフ
ランジ近傍で大きな温度差が生じることがない。従っ
て、反応管７のフランジ７ａが熱応力により破損するこ
とがない。更に、石英製のフランジアダプタ１３はヒー
タユニット１内の加熱域に含まれる部分がないので、耐
熱性が問題となることはない。
【００２５】而して、炉口部が高温である縦型炉に於い
てＨＣｌガスを用いて装置の洗浄が安全に行える。
てＨＣｌガスを用いて装置の洗浄が安全に行える。
【００２６】尚、上記窒素ガスパージノズル２６による
窒素ガスのパージはガス検知ノズル２７でＨＣｌガス等
有害ガスのリークを検出した時点で開始してもよい。
又、パージガス、或はシール溝２３に供給するガスは窒
素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘリウ
ムガスであってもよい。又、シール溝２３は反応管７の
フランジ７ａに設けてもよく、或は上フランジ１３ａ、
フランジ７ａの両方に形成してもよい。
窒素ガスのパージはガス検知ノズル２７でＨＣｌガス等
有害ガスのリークを検出した時点で開始してもよい。
又、パージガス、或はシール溝２３に供給するガスは窒
素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘリウ
ムガスであってもよい。又、シール溝２３は反応管７の
フランジ７ａに設けてもよく、或は上フランジ１３ａ、
フランジ７ａの両方に形成してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、高温処
理の縦型炉でガスクリーニングのリークを防止し、高温
炉、例えば拡散炉でのＨＣｌガスクリーニングが可能と
なるので、分解してからの洗浄が大幅に減少し、更に定
期的にＨＣｌガスクリーニングを行うことでウェーハへ
の重金属汚染がなくなり、処理品質、歩留まりが向上す
る。
理の縦型炉でガスクリーニングのリークを防止し、高温
炉、例えば拡散炉でのＨＣｌガスクリーニングが可能と
なるので、分解してからの洗浄が大幅に減少し、更に定
期的にＨＣｌガスクリーニングを行うことでウェーハへ
の重金属汚染がなくなり、処理品質、歩留まりが向上す
る。
【００２８】又、反応管とフランジアダプタとの高温部
でのシールに於いて、接合部に溝を形成し、該溝に不活
性ガスを供給し陽圧とすることで、確実にＨＣｌガス等
の腐食性ガスのリークが防止でき、更にシール部にパー
ジガスを供給する様にしているので万一腐食性ガスのリ
ークがあっても希釈され、装置の金属部の腐食を防止で
きる。
でのシールに於いて、接合部に溝を形成し、該溝に不活
性ガスを供給し陽圧とすることで、確実にＨＣｌガス等
の腐食性ガスのリークが防止でき、更にシール部にパー
ジガスを供給する様にしているので万一腐食性ガスのリ
ークがあっても希釈され、装置の金属部の腐食を防止で
きる。
【００２９】更に又、炭化硅素製の反応管が加熱域、加
熱域外とに掛渡って設けられない為、反応管にフランジ
を形成することができ確実なシールを行える、等の優れ
た効果を発揮する。
熱域外とに掛渡って設けられない為、反応管にフランジ
を形成することができ確実なシールを行える、等の優れ
た効果を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す炉口部の部分断面図
であり、図３のＡ−Ｏ−Ｂ断面図である。
であり、図３のＡ−Ｏ−Ｂ断面図である。
【図２】本発明の実施の形態を示す炉口部の部分断面図
であり、図３のＣ−Ｏ−Ｄ断面図である。
であり、図３のＣ−Ｏ−Ｄ断面図である。
【図３】本発明の実施の形態を示す炉口部の平断面図で
あり、図１のＥ−Ｅ断面図である。
あり、図１のＥ−Ｅ断面図である。
【図４】従来例の炉口部の断面図である。
１ ヒータユニット ７ 反応管 １３ フランジアダプタ １３ａ 上フランジ ２１ シールガス導入ポート ２３ シール溝 ２４ 給気連絡管 ２５ 排気連絡管 ２６ 窒素ガスパージノズル ２７ ガス検知ノズル
Claims (4)
- 【請求項１】 石英製のフランジアダプタに立設した炭
化硅素製の反応管の下端を該反応管を囲繞するヒータユ
ニット加熱域の下端に合わせたことを特徴とする半導体
製造装置の縦型炉。 - 【請求項２】 反応管の下端にフランジを形成し、フラ
ンジアダプタの上フランジと前記フランジ間にシール溝
を形成し、前記フランジと上フランジとを重合させ、前
記シール溝にシールガスを供給した請求項１の半導体製
造装置の縦型炉。 - 【請求項３】 反応管のフランジとフランジアダプタの
上フランジとの重合位置近傍にガス検知ノズルを設けた
請求項２の半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項４】 反応管のフランジとフランジアダプタの
上フランジとの重合位置近傍に不活性パージガス供給用
のガスパージノズルを設けた請求項２の半導体製造装置
の縦型炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27477695A JPH0997767A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体製造装置の縦型炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27477695A JPH0997767A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体製造装置の縦型炉 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009039750A Division JP4964908B2 (ja) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 反応管のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997767A true JPH0997767A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17546413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27477695A Pending JPH0997767A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 半導体製造装置の縦型炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997767A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006030857A1 (ja) * | 2004-09-16 | 2006-03-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 熱処理装置及び基板の製造方法 |
| JP2007266337A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009195773A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 化学装置 |
| JP2021007156A (ja) * | 2016-04-25 | 2021-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 自己組織化単分子層処理のための化学物質供給チャンバ |
| EP4156235A1 (en) | 2021-09-24 | 2023-03-29 | Kokusai Electric Corp. | Substrate processing apparatus, use of substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and computer program product |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP27477695A patent/JPH0997767A/ja active Pending
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| JP4815352B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-11-16 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置、基板の製造方法、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US8963051B2 (en) | 2004-09-16 | 2015-02-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing substrates |
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| EP4156235A1 (en) | 2021-09-24 | 2023-03-29 | Kokusai Electric Corp. | Substrate processing apparatus, use of substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and computer program product |
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| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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