JP2007027427A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】石英製の配管に合成樹脂製の排気導管を連結した基板処理装置に於いて、連結部が高温となった状態でも基板処理装置からのガス漏れを確実に抑止する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室19を形成する反応管2と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管4と、該排気管4に該排気管4と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手34を介して接続される排気導管31と、前記管継手34を前記排気管4に向って付勢する付勢手段51とを具備する。
【選択図】図2
【解決手段】基板を処理する処理室19を形成する反応管2と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管4と、該排気管4に該排気管4と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手34を介して接続される排気導管31と、前記管継手34を前記排気管4に向って付勢する付勢手段51とを具備する。
【選択図】図2
Description
本発明はシリコンウェーハ等の基板に酸化膜等薄膜の生成、不純物の拡散等、基板処理を行い半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
半導体装置を製造する行程の1つに基板(以下ウェーハ)の表面に酸化膜等の薄膜の生成、不純物の拡散等の基板処理が行われる。処理される基板は、石英製の反応管内に収納され、加熱され、処理ガスが導入されると共に所定の処理圧に維持される様に排気される。
処理ガスは、例えば反応管の上端から導入され、反応後のガスは反応管下端部に連結された排気管を介して排気される。
反応管に連結される排気管は、反応管と同材質の例えば石英製であり、該排気管に連結される排気導管にはフッ素樹脂等の耐熱合成樹脂が用いられる。該排気導管と前記排気管とはフッ素樹脂製等の耐熱合成樹脂の管継手で連結される。
前記反応管から排出される排気ガスは、高温となっており、前記管継手は排気ガスによって加熱される。この為、排気管と排気導管とを気密に接合させているナット、フェルール(ブッシュ)が膨張、或は軟化して接合状態に緩みを生じる場合がある。この為、接合状態に緩みを生じることで排気管と排気導管との連結部でガス漏れを生じる虞れがある。
連結部からのガス漏れを防止するには、ナットの再締を行えばよいが、処理中高温となった状態でナットを再締することは実際には困難である。
尚、排気管に排気装置の排気導管が接続された基板処理装置を示すものとしては、特許文献1に示されるものがある。
本発明は斯かる実情に鑑み、石英製の配管に合成樹脂製の排気導管を連結した基板処理装置に於いて、連結部が高温となった状態でも基板処理装置からのガス漏れを確実に抑止するものである。
本発明は、基板を処理する処理室を形成する反応管と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管と、該排気管に該排気管と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手を介して接続される排気導管と、前記管継手を前記排気管に向って付勢する付勢手段とを具備する基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、基板を処理する処理室を形成する反応管と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管と、該排気管に該排気管と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手を介して接続される排気導管と、前記管継手を前記排気管に向って付勢する付勢手段とを具備するので、処理中高温の排気ガスが前記管継手を通過し、該管継手が加熱されても、前記付勢手段で前記管継手と前記排気管との密着性が維持され、ガスの漏出が防止され、更に加熱により前記管継手の接合部に緩みが生じた場合に半導体製造装置の筐体外部には、ガス漏れすることがない為半導体製造装置を停止させてガス漏れ対策を講じる必要がなく、稼働率の向上が図れる等の優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
先ず、図1に於いて、本発明が実施される基板処理装置の概略を説明する。
ヒータベース21に加熱手段であるヒータ10が立設され、該ヒータ10内に炭化珪素製の均熱管1が同心に収納され、該均熱管1内に炭化珪素製又は石英製の反応管2が同心に配設され、該反応管2は処理室19を画成する。
該反応管2の下端部には導入口5が取付けられ、該導入口5はガス供給管3を介して図示しない処理ガス供給源、或は窒素ガス等の不活性ガス(パージガス)供給源に接続され、前記ガス供給管3には流量制御手段、例えばマスフローコントローラ22が設けられている。又前記反応管2の下端部には排気ポート9が連通され、該排気ポート9はガス排気管4を介して図示しない排気装置に接続され、前記ガス排気管4には圧力センサ23、圧力調整器24が設けられている。
前記導入口5には導管6が連通され、該導管6は前記反応管2の外面に沿って上昇し、該反応管2の上端面に設けられたガス溜め部7に連通し、該ガス溜め部7は分散孔8を介して前記処理室19と連通している。
該処理室19には炭化珪素製のボート16が装入、引出し可能となっており、該ボート16はボートキャップ15、ベース12を介してシールキャップ13に載置され、該シールキャップ13は前記反応管2の下端開放面を気密に閉塞可能である。前記シールキャップ13はボートエレベータ18によって支持され、該ボートエレベータ18は前記シールキャップ13を介して前記ボートキャップ15、前記ボート16を昇降可能であり、昇降によって該ボート16が前記処理室19に装脱可能となっている。
前記ボートキャップ15は前記ベース12に対して回転可能であり、前記ボートキャップ15は回転手段14によって回転可能となっている。
図1中、25は主制御部を示し、該主制御部25は温度制御部26、ガス流量制御部27、駆動制御部28、圧力制御部29を具備している。
炉内の所要箇所の温度を検出する熱電対11からの検出結果は前記温度制御部26に入力され、該温度制御部26は温度検出結果を基に前記処理室19が所定温度、例えばプロセス温度となる様に前記ヒータ10を制御する。又、前記ガス流量制御部27は前記導入口5から導入される反応ガスを所定流量に制御し、前記圧力制御部29は、前記圧力センサ23から入力される圧力を基に前記圧力調整器24を制御して前記処理室19の圧力を所定圧力、例えばプロセス圧力に制御する。
前記駆動制御部28は、前記回転手段14を制御して処理中の前記ボート16を所定の回転速度で回転させ、又前記ボートエレベータ18を制御して、前記ボート16の昇降を行わせる。
以下、基板処理の一例、例えば、酸化・拡散処理・アニール処理を説明する。
前記ボートエレベータ18を駆動して、前記ボート16を降下させる。
図示しないウェーハ移載機により前記ボート16にウェーハ17を1バッチ分の所定枚数移載する。前記ヒータ10により前記反応管2が前記均熱管1を介して加熱され、前記熱電対11により検出される前記処理室19の温度に基づいて、該処理室19の温度が処理温度、例えば600℃に制御される。尚、予め前記処理室19は前記導入口5、前記導管6、前記ガス溜め部7、前記分散孔8を介して不活性ガスが供給され、不活性ガスが充填されている。
未処理ウェーハ17が装填された前記ボート16が前記ボートエレベータ18により前記反応管2に装入される。前記ボート16の装入状態では、前記ベース12が前記反応管2の下端開口部を気密に閉塞する。前記処理室19の温度を、例えば処理温度としての1200℃に昇温しつつ前記圧力センサ23の検出圧力を基に前記処理室19の圧力が処理圧、例えば750Torr〜760Torrに維持される。
前記回転手段14が駆動され、前記ボート16を介して前記ウェーハ17が回転される。同時に前記ガス供給管3から反応ガス若しくは水分発生器(図示せず)から水蒸気が供給される。供給された反応ガス若しくは水蒸気は、前記ガス溜め部7から前記分散孔8を通って前記反応管2を下降し、前記ウェーハ17に対して均等に供給され、酸化・拡散・アニールの所要の処理がなされる。酸化・拡散・アニール処理中の前記処理室19は、前記ガス排気管4を介して排気ガスが排気され、所定の圧力になる様前記圧力調整器24により圧力が制御される。
基板処理が完了すると、前記処理室19が不活性ガスによりガスパージされ、前記ボートエレベータ18により前記ボート16が降下され、処理済のウェーハ17が払出される。
空となった前記ボート16に未処理ウェーハ17が移載され、上記した処理が繰返される。
尚、本発明で処理される基板の処理条件は、一例としてアニール処理に於いては、処理室温度は1200℃、ガス種供給量はアルゴン(Ar)ガス、0.03m3 /min、処理圧力は755Torrである。
次に、図2〜図4に於いて、前記ガス排気管4と排気導管31との連結部について説明する。
図2は前記反応管2と連結部との関係を示しており、図2中、32は筐体のパネルを示し、該パネル32を境に上方が筐体内部、下方が筐体外部となっている。
筐体内部は処理中には、前記ヒータ10の下端部からの熱漏れ、前記反応管2内で熱せられた排気ガスの持つ熱の影響により、高温状態(例えば処理室温度1200℃の時、200℃)となっている。一方、筐体外部は処理中でも、前記ヒータ10の下端部からの熱漏れ等の影響を殆ど受けず、室温状態となっている。又筐体内部は、図示はしないが反応管2と連結部周辺の雰囲気を排気できる様になっていて連結部から反応ガス等が漏れても安全に排気できる様になっている。
前記反応管2は筐体内部に収納されており、上記した様に前記反応管2の下端部に石英製の前記排気ポート9が設けられ、該排気ポート9にはOリング等のシール部材33を介して前記ガス排気管4が気密に接続され、該ガス排気管4の開放端部は前記パネル32を貫通して突出している。尚、前記反応管2を交換したり、洗浄したりする際には、前記ヒータ10を前記ヒータベース21に載置したまま、反応管2を下降させ、ヒータ10下端から抜出す様にする為、前記反応管2の前記排気ポート9とガス排気管4との接続は筐体内部に収納する必要がある。
管継手34が前記パネル32の外側に設けられ、前記ガス排気管4の突出部分は前記管継手34に連結される。
該管継手34について、図3、図4を参照して説明する。
石英製の前記ガス排気管4より熱伝導性が低く、熱膨張率の異なるフッ素樹脂等の耐熱合成樹脂からなる管継手ブロック35を有し、該管継手ブロック35の内部にはL字状の流路36が形成される。該流路36は軸心上に形成され筐体内部に向って開口する穴と、軸心に交差する方向に形成され前記管継手ブロック35側面に開口する穴とで構成され、前記流路36の筐体内部に向って開口する端口には前記ガス排気管4が連通され、前記流路36の前記管継手ブロック35側面に開口する側口には前記排気導管31が連通される。
前記管継手ブロック35の前記パネル32側の端部には外周面が凸曲面となっている樽形状の固定部37が形成され、該固定部37は2分割された継手固定板38,38によって挾持され、該継手固定板38がボルト39により取付け板41に固着されることで、前記管継手ブロック35が前記継手固定板38,38を介して前記取付け板41に固定され、該取付け板41が前記パネル32にボルト(図示せず)により固着されることで、前記管継手ブロック35が前記パネル32に取付けられる様になっている。
前記継手固定板38の前記固定部37との当接面は、該固定部37の凸曲面に契合する凹曲面となっており、又前記継手固定板38の前記ボルト39が貫通するボルト孔は分割方向に対して直交する長孔となっており、又前記取付け板41のボルトが貫通するボルト孔42は前記分割方向と平行な長孔となっている。又、前記取付け板41、前記パネル32には前記固定部37に対して充分大きい逃げ孔43が形成されている。
而して、前記管継手ブロック35は図3に於いて、紙面に対して垂直、紙面に対して平行、軸心に対して任意な方向の回転と3方向の調整が可能となっている。
前記管継手ブロック35と前記ガス排気管4との連結は、該ガス排気管4の外端部が前記管継手ブロック35に嵌入され、石英製のガス排気管4より熱伝導性が低く、熱膨張率の異なるフッ素樹脂等の耐熱合成樹脂からなるナット44を締込むことでなされる。筐体内部で該ナット44の締込みで内在するフェルール等のブッシュが前記ガス排気管4に押圧され、気密に連結される。即ち、筐体内部の安全に排気された雰囲気下でガス排気管4とナット44の連結はなされる。
又、前記排気導管31の先端部にはテーパネジ部45が形成され、該テーパネジ部45が前記管継手ブロック35に螺子込まれることで、前記排気導管31と前記管継手ブロック35との連結がなされる。
筐体外部で前記継手固定板38には少なくとも1対のロッド46,46が螺着立設され、該ロッド46,46は前記管継手ブロック35より高く、先端部にはガイド部47が形成され、該ガイド部47の少なくとも先端部はネジ部となっている。該ガイド部47の基端は、前記管継手ブロック35の先端より低くなっており、前記ガイド部47の基端部と前記管継手ブロック35の先端部とはオーバラップする関係となっている。
前記ガイド部47には2枚の短冊状のプレート、即ち押えプレート48、バネ受けプレート49が嵌合され、該押えプレート48、前記バネ受けプレート49は前記ガイド部47に対して摺動自在となっている。
前記押えプレート48と前記バネ受けプレート49とを前記ガイド部47に嵌合させ、前記押えプレート48と前記バネ受けプレート49との間に圧縮スプリング51を圧縮状態で挾設し、前記バネ受けプレート49から突出する前記ガイド部47の先端部にナット52を螺合する。
前記圧縮スプリング51の反発力で、前記管継手ブロック35の先端に前記押えプレート48が押圧される。尚、前記押えプレート48と前記管継手ブロック35との片当りを防止する為、前記管継手ブロック35の先端は球面となってもよい。
前記押えプレート48を介して前記圧縮スプリング51の反発力が前記管継手ブロック35に作用することで、前記管継手ブロック35は前記ガス排気管4に押圧される様に付勢される。又、これにより、上述の処理中に熱せられたガス排気管4が、前記管継手ブロック35に熱膨張したとしても、前記圧縮スプリング51により吸収される為、ガス排気管4や排気ポート9に余計な応力が加わるのを防ぐことができ、ガス排気管4や排気ポート9が割れたり破損することを防止することができる。
又、前記管継手ブロック35に対する付勢力は、前記ナット52の締込み量により前記圧縮スプリング51の撓み量を調整することで、最適な値に設定することができる。筐体外部に設置されているので、当該調整を容易にすることができる。
尚、前記管継手ブロック35を前記ガス排気管4に付勢する手段としては、前記圧縮スプリング51に限らず、前記押えプレート48と前記バネ受けプレート49との間に皿バネ、板バネ等を介設してもよく、或は前記継手固定板38と前記押えプレート48との間に引張りバネを設けてもよく、更に前記押えプレート48、前記バネ受けプレート49、前記圧縮スプリング51に代え、湾曲した板バネを前記ロッド46,46に掛渡して設けてもよい。
上述した様に、前記継手固定板38は前記ガス排気管4に向って、付勢された状態となっているので、半導体製造装置を稼働し、前記ガス排気管4、前記管継手ブロック35を通って高温の排気ガスが前記排気導管31より排出されることで、前記管継手34が加熱され、前記ナット44の締付け状態に緩みが生じたとしても、前記圧縮スプリング51の付勢力で、前記ガス排気管4と前記管継手34との気密状態が維持され、前記排気ガスが前記ガス排気管4と前記管継手34との連結部分から漏出することが防止される。又、万一連結部分から漏出したとしても連結部分が筐体内部にある為筐体外部のクリーンルーム(作業空間)に漏出することが防止される。
尚、排気ポート9にガス排気管4を介して管継手34を接続する様に説明したが、排気ポート9を設けず直接ガス排気管4を反応管2に固着する様にしてもよい。又、上記実施の形態では、ガス排気管4と排気導管31とが交差して連結される管継手34について説明したが、ガス排気管4と排気導管31とを直線的に連結される管継手34についても実施可能であることは言う迄もない。
又フェルール、管継手ブロック等、排気管との連結部に用いる材料はフッ素樹脂等の耐熱合成樹脂として特にPTFE材とするとよい。PTFE材は最高使用温度260℃であり、耐薬品性に優れ、熱伝導率0.25w/m・Kと、石英の1〜3w/m・Kよりはるかに低い。又石英の様に割れ易くもない。尚熱膨張率は0.14×10-6 [1/K]と石英の0.5×10-6 [1/K]と異なる。
1 均熱管
2 反応管
3 ガス供給管
4 ガス排気管
9 排気ポート
31 排気導管
34 管継手
35 管継手ブロック
37 固定部
38 継手固定板
39 ボルト
41 取付け板
42 ボルト孔
44 ナット
46 ロッド
48 押えプレート
49 バネ受けプレート
51 圧縮スプリング
2 反応管
3 ガス供給管
4 ガス排気管
9 排気ポート
31 排気導管
34 管継手
35 管継手ブロック
37 固定部
38 継手固定板
39 ボルト
41 取付け板
42 ボルト孔
44 ナット
46 ロッド
48 押えプレート
49 バネ受けプレート
51 圧縮スプリング
Claims (1)
- 基板を処理する処理室を形成する反応管と、該反応管の周囲に設けられ前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管の下端部から処理室を排気する様設けられた排気管と、該排気管に該排気管と熱膨張率の異なる材料で形成された管継手を介して接続される排気導管と、前記管継手を前記排気管に向って付勢する付勢手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005207633A JP2007027427A (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005207633A JP2007027427A (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007027427A true JP2007027427A (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=37787802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005207633A Pending JP2007027427A (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007027427A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102465279A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置 |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005207633A patent/JP2007027427A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102465279A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 真空处理装置的组装方法以及真空处理装置 |
JP2012104755A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置の組み立て方法及び真空処理装置 |
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