JP5059716B2 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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この縦型拡散・CVD装置は、反応容器を構成するアウターチューブと、アウターチューブの内側に設けられて処理室を形成するインナーチューブと、アウターチューブ内を加熱する加熱装置(ヒータ)と、アウターチューブおよびインナーチューブを載置し処理室を排気する排気管および処理室にガスを供給するガス導入管が接続されたマニホールドと、複数枚のウエハを垂直方向に整列させて保持して処理室に搬入するボートとを備えている。
そして、複数枚のウエハを保持したボートが処理室に下端の炉口から搬入(ボートローディング)され、処理室に成膜ガスがガス導入管から供給されるとともに、加熱装置によって処理室が加熱されることにより、ウエハの上にCVD膜が堆積される。
また、このこじ開けにより、突然外れるため、シール面を構成する部品が落下することがあり、特にシール面を構成する部品が重いフランジ等であれば危険な作業となっていた。
さらに、フランジ上にシール面を有し、このシール面にアウターチューブ等が設置してある場合には、当該こじ開けにより外れる際の反動から、アウターチューブがフランジ上で揺れて、アウターチューブとこれに隣接するマニホールドが干渉してしまい、これらが破損してしまうという問題があった。
アウターチューブ20は、例えば石英または炭化シリコンの耐熱性材料が使用されて、内径がインナーチューブ22の外径よりも大きい円筒形状に形成されている。アウターチューブ20は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。
インナーチューブ22は、例えば石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)の耐熱性材料が使用されて、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ22の筒中空部は処理室24を形成している。処理室24はウエハ1を後述するボートによって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ20とインナーチューブ22とは同心円状に設けられている。アウターチューブ20とインナーチューブ22との隙間によって筒状空間26が形成されている。
アウターチューブ20の下側には後述するマニホールド28がアウターチューブ20と同心円状に配設されている。マニホールド28の上にはアウターチューブ20およびインナーチューブ22が載置されている。プロセスチューブ18とマニホールド28とによって反応容器30が構成されている。
排気管32のアウターチューブ20との接続側と反対側である下流側には、真空ポンプ等の排気装置34が圧力検出器としての圧力センサ36および圧力調整装置38を介して接続されている。排気装置34は処理室24内の圧力が所定の圧力(真空度)となるように排気する。
圧力センサ36および圧力調整装置38には圧力制御部40が電気配線Bによって電気的に接続されている。圧力制御部40は圧力調整装置38を、圧力センサ36により検出された圧力に基づいて、処理室24内の圧力が所望の圧力となるように、かつ、所望のタイミングをもって制御する。
ガス供給管44にはガス供給部42との接続側と反対側である上流側に、ガス流量制御器としてのMFC(マスフローコントローラ)46が接続されており、MFC46はガス供給源48に接続されている。ガス供給源48は処理ガスや不活性ガスを供給する。
MFC46にはガス流量制御部50が電気配線Cによって電気的に接続されている。ガス流量制御部50はMFC46を、供給するガスの流量が所望の量となるように、かつ、所望のタイミングをもって制御する。
シールキャップ52の処理室24側にはシールキャップカバー54が設けられている。シールキャップカバー54は、例えば石英のような非金属材料によって形成されている。シールキャップカバー54はシールキャップ52を被覆することにより、金属部分が処理室24側に露出するのを防止している。
シールキャップカバー54は反応容器30下面に垂直方向下側から当接する。
図2に示すように、シールキャップ52には上面に例えばOリングで構成される第1の密閉部材52aが設けられている。
シールキャップカバー54上面にも例えばOリングで構成される第2の密閉部材54aが設けられている。
シールキャップ52にはシールキャップカバー54と反対側(下側)に、フランジ56が設けられている。フランジ56の外径は円形孔52bの口径よりも大きい。フランジ56はシールキャップ52に下方から、取り付けねじ56cにより固定されている。フランジ56には中央部に挿通孔56aが開設されている。フランジ56上面には窪み56bが挿通孔56aと同心円状に形成されている。窪み56bの口径は挿通孔56aの口径よりも大きく、シールキャップ52の円形孔52bおよびシールキャップカバー54の円形孔54bの口径以下のサイズとなっている。
フランジ56には下面中央部に回転機構58が軸受60を介して設置されている。回転機構58の回転軸58a上端にはボート受け62が回転軸58aと一体回転するように取り付けられている。ボート受け62は、例えばステンレスまたはニッケル合金のような金属が使用されて、上部が大径で下部が小径の二段円柱形状に形成されている。ボート受け62はフランジ56の挿通孔56aおよび窪み56bと、シールキャップ52の円形孔52bとが画成する室内に嵌入されている。
ボート受け62上には台座64がボート受け62および回転軸58aと一体回転するように載せられている。台座64はアルミナセラミックスまたは透明石英もしくは不透明石英が使用されて円柱形状に形成されている。台座64はシールキャップカバー54の円形孔54b内に回転可能に嵌入されている。台座64の上にはボート66が台座64とボート受け62、回転軸58aと一体回転するように載せられている。
なお、ボート66の下部には断熱部材としての断熱板68が複数枚、水平姿勢で多段に配置されている。この断熱板68は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料が使用されて円板形状に形成されている。断熱板68は第1のヒータ14からの熱がシールキャップ52側に伝わり難くさせる。
ボートエレベータ72はプロセスチューブ18の外部に垂直に設備されている。ボートエレベータ72はボートを垂直方向に昇降させる昇降機構である。すなわち、ボートエレベータ72はボート66を処理室24へ搬入したり、処理室24から搬出したりする。
回転機構58およびボートエレベータ72には駆動制御部76が電気配線Aによって電気的に接続されている。駆動制御部76は回転機構58およびボートエレベータ72を、所望の動作をするように、かつ、所望のタイミングをもって制御する。
第1のヒータ14と温度センサ78には第1の温度制御部80が電気配線Dによって電気的に接続されている。第1の温度制御部80は第1のヒータ14への通電具合を、温度センサ78によって検出された温度情報に基づき、処理室24内の温度が所望の温度分布となるように、かつ、所望のタイミングをもって制御する。
圧力制御部40、ガス流量制御部50、駆動制御部76、第1の温度制御部80および主制御部82はコントローラ84を構成している。
図2に示すように、マニホールド28には上面に例えばOリングで構成される第3の密閉部材85が設けられている。したがって、マニホールド28はアウターチューブ20の開口部20aの下面に第3の密閉部材85を介して当接することで、反応管の開口部を気密に閉塞する。
また、図2に示すように、マニホールド28には上面にインナーチューブ22の水平方向の位置を規制する位置規制部としての突起28bが周方向全周に形成されている。
なお、突起28bは周方向に全周に形成するのではなく、所定の間隔、好ましくは、等間隔で形成してもよい。
なお、上述の第3の密閉部材85は、マニホールド28の第一接合面110に敷設されている。
ガス供給部42内にはノズル43が挿入されている。
第1の支持部材90には第1の部品96が接合され、第2の支持部材92には第2の部品98が接合されている。第1の部品96と第2の部品98は、ナット形状であり、めねじ部と中空部を有している。第1の部品96と第2の部品98には連結部材である第1のボルト93が挿入されている。
第2の部品98は、下方には第1のボルト93と係合するめねじ部98aを有し、上方に第1のボルト93の外径より内径が大きな中空部98bを有している。
すなわち、第1の部品96のめねじ部96aと第2の部品98のめねじ部98aは径もピッチも同じである。
また、第1の部品96の中空部96bと第2の部品98の中空部98bとは内径が同じであり、中空部96bと中空部98bとは重なり合っている。
ここで、好ましくはめねじ部96aの長さは、めねじ部98aの長さよりも大きいほうがよい。第1のボルト93と第1の部品96のめねじ部96aとの係合部が増えることで、より大きな力でマニホールド28を吊持する。
一方、めねじ部98aの長さをめねじ部96aの長さより小さくすることで第1のボルト93を第2の部品98から取り外ししやすくなる。
また、好ましくは中空部96bの長さは、中空部98bの長さよりも小さいほうがよい。中空部98bが大きい分、第2の支持部材92の重さが軽減され吊持が容易となる。
ここで、好ましくは「中空部96bの長さ+中空部98bの長さ>おねじ部93aの長さ」にするとよい。これにより、第1のボルト93のおねじ部93aが中空部96b、98bにある状態で第1の部品96と第2の部品98を接触させることができるため、おねじ部93aをめねじ部96aにねじ込む又はねじを外す際に容易に行うことができる。
また、好ましくは、第1のボルト93は作業者が手で取付取外し可能とするようにローレット式のボルトとするとよい。
なお、以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ84により制御される。
この状態で、シールキャップ52は第1の密閉部材52a、シールキャップカバー54および第2の密閉部材54aを介してマニホールド28の下面をシールした状態となる。
また、処理室24内が第1の温度である150℃以上(好ましくは500℃以上850℃以下)の所望の温度となるように第1のヒータ14によって加熱される。この際、処理室24内が所望の温度分布となるように、温度センサ78が検出した温度情報に基づき第1のヒータ14への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構58によってボート66が回転されることにより、ウエハ1が回転される。
導入されたガスは処理室24内を上昇し、インナーチューブ22の上端開口から筒状空間26に流出して排気管32から排気される。
ガスは処理室24内を通過する際にウエハ1の表面と接触し、この際に熱CVD反応によってウエハ1の表面上に薄膜が堆積(デポジション)される。
その後、処理済ウエハ1はボート66から取出される(ウエハディスチャージ)。
ここで、第2のボルト120は、第1のボルト93のおねじ部93aと同径同ピッチのおねじ部120aを有する。
第2のボルト120を上方から第1のボルト93を取り外した部位にねじ込み(めねじ部96aと係合し)、第2の部品98のめねじ部98aに係合する第1のボルト93のおねじ93a先端まで当接させる。そして、第1のボルト93を第2の部品98のめねじ部98aを利用して押し上げて第2の支持部材92を下方に力を加える。ここで、第2の支持部材92の下方にシールキャップ52上に設けた治具150がある場合には、好ましくは、治具150と第2の支持部材92との間に隙間を1〜2mm程度設ける。これにより、マニホールド28、インナーチューブ22及び第2の支持部材92等が自重で治具150の上に落下しても、第2の支持部材92の落下距離を小さくすることができるため、破損を防止することができる。
また、治具150と第2の支持部材92が接している形態においては、第2のボルト120を第1の部品96側から第1のボルト93を取り外した部位にねじ込み、第2の部品98のめねじ部98aに係合する第1のボルト93のおねじ93a先端まで当接させる。そして、第1のボルト93を第2の部品98のめねじ部98aで押し上げて、第2の支持部材92を下方に力を加えて、治具150を下方に徐々に下げる。
全周2箇所以上を第1のボルト93で第2の支持部材92を押し下げることにより、固着している第3の密閉部材を全周で剥がすことができ、アウターチューブ20からマニホールド28を簡単に切り離すことができる。而して、マニホールド28やアウターチューブ20、インナーチューブ22等のメンテナンスが可能となる。
尚、第1のボルト93を押し上げるのと、治具150を下方に徐々に下げるのを交互に数回繰り返してもよい。第2の支持部材92を押し下げる際は、第1の部品96に取り付けた第2のボルト120を押し下げてもよい。
ここで、第2のボルト120は、第1の部品96が中空部96bを有し、第2の部品98が中空部98bを有し、さらに中空部96bと中空部98bが連通して一体的に形成されているため、ねじ込んでも第2の支持部92にひっかからない。
図6は、本発明の第2の実施形態である基板処理装置の主要部の動作を示す。
第2の実施形態では、剥離補助手段として、第3の密閉部材85周辺に第2の加熱装置である高温ガス供給装置106を用いる。
高温ガス供給装置106には高温ガス制御部108が電気配線Eによって接続され、高温ガス制御部108もコントローラ84を構成している。
そして、密閉部材周辺が温められることで、第3の密閉部材85のシール面との固着具合が低減し、密閉部材のシール面を簡単に切り離すことができる(自重で離れる)。これにより、マニホールド28からアウターチューブ20を簡単に切り離すことができ、マニホールド28やアウターチューブ20、インナーチューブ22等のメンテナンスが可能となる。
ここで供給される高温ガスとして、例えばAir,N2等が用いられる。
尚、高温ガス噴出口である孔102を第1の支持部材90のマニホールド28側の第3の密閉部材85の水平位置に設けたが、これに限られず、第3の密閉部材85のシール面周辺であって少なくともアウターチューブ20、マニホールド28より外側に設ければよい。
また、ガス流路104、高温ガス噴出口は、ジャケット構造として、第1の支持部材90に設けたほうがスペースの無駄がなくなってよいが、その他パイプ構造として第1の支持部材90とマニホールド28の間にガス流路104と高温ガス噴出口を設けてもよい。
第3の実施形態では、剥離補助手段として、第3の密閉部材85周辺に第2の加熱装置である高温流体供給装置112を設ける。
高温流体流路114は、第3の密閉部材85に熱が伝わりやすいようにジャケット構造として第1の支持部材90に設ける。その他、第1の支持部材90の周辺にパイプ構造として高温流体流路を設けても良い。高温流体流路114の内部に高温の液体を流し、密閉部材全周を第3の温度である150℃以上昇温する。
高温流体供給装置112には高温流体制御部116が電気配線Fによって接続され、高温流体制御部116もコントローラ84を構成している。
第3の実施形態では、高温流体流路114を第1の支持部材90のアウターチューブ20の開口部20aの上面側に設けたが、これに限られず、密閉部材のシール面周辺に設ければよい。
ここで供給される高温流体の温度は、好ましくは100℃以上300℃以下である。
また、ここで供給される高温流体として、例えばガルデン液等が用いられる。
第4の実施形態では、剥離補助手段として、第3の密閉部材85周辺に第2の加熱装置であるジャケット状の第2のヒータ116を設ける。
第4の実施形態では、第2のヒータ116をアウターチューブ20の開口部20aの上面に設置したが、これに限られず、密閉部材のシール面周辺に設ければよい。
ここで使用される第2のヒータの温度は、好ましくは100℃以上300℃以下である。
また、第2の実施形態の高温ガス制御部108、第3の実施形態の高温流体制御部116、第4の実施形態の第2の温度制御部117がコントローラ84にすべて構成されているように説明したが、高温ガス制御部108、高温流体制御部116、第2の温度制御部117のうち少なくとも1つ以上がコントローラ84に構成されていれば良い。
また、反応管とアウターチューブ、インナーチューブの2重管仕様として説明したがこれに限らず例えば、アウターチューブのみの1重管仕様としてもよいし、3重管以上の仕様であっても適用可能である。
前記反応容器を少なくとも前記第1の温度より低い温度であってメンテナンスのために第2の温度に下げた後に前記密閉部材が第3の温度となるように前記第2の加熱装置を制御する加熱制御装置をさらに備える。
10 基板処理装置
12 処理炉
14 第1のヒータ
18 プロセスチューブ
20 アウターチューブ
22 インナーチューブ
24 処理室
28 マニホールド
30 反応容器
52 シールキャップ
52a 第1の密閉部材
54a 第2の密閉部材
85 第3の密閉部材
90 第1の支持部材
92 第2の支持部材
93 第1のボルト
102 孔
104 ガス流路
106 高温ガス供給装置
108 高温ガス制御部
112 高温流体供給装置
114 高温流体流路
116 第2のヒータ
120 第2のボルト
Claims (4)
- 反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成された反応容器内で基板を第1の温度で熱処理する工程と、
熱処理された基板を反応容器から搬出する工程と、
前記反応容器を少なくとも前記第1の温度より低い第2の温度にし、前記密閉部材を前記第2の温度より高く前記第1の温度より低い第3の温度にする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、
前記反応容器の温度を制御する第1の温度制御部と、
前記密閉部材の温度を制御する第2の温度制御部と
を有し、
前記第1の温度制御部は、前記反応容器を少なくとも基板の熱処理温度である前記第1の温度より低い第2の温度に下げるよう制御し、
前記第2の温度制御部は、前記密閉部材が前記第2の温度より高く、前記第1の温度より低い第3の温度となるように制御する
基板処理装置。 - 反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成された反応容器内で基板を第1の温度で熱処理する工程と、
熱処理された基板を反応容器から搬出する工程と、
前記反応容器を少なくとも前記第1の温度より低い第2の温度にし、
前記反応管を支持する第1の支持部と前記マニホールドを支持する第2の支持部とを連結する連結部材を第1の支持部から取り外した後に前記連結部材を取り外した前記第1の支持部の部位に押し込み部材を取り付ける工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、
前記反応管を支持する第1の支持部と、
前記マニホールドを支持する第2の支持部と、
前記第1の支持部と前記第2の支持部とを連結する連結部材と、
前記連結部材を前記第1の支持部から取り出した後に、前記連結部材を取り外した前記第1の支持部に取り付けて、前記反応管と前記マニホールドとを剥離する押し込み部材と
を有する基板処理装置。
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