JP2010021385A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
炉口部を構成する非金属部材を交換することなく、処理室内の温度、均熱域の測定を可能とし、温度測定に要する作業性を向上させ、作業時間を短縮して、スループットの向上を図る。
【解決手段】
基板を内部に収納し処理する処理容器５と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体１２と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器２１を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口２３と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓４４と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えた。
【選択図】 図１

Description

本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板に対して、ＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行う基板処理装置に関し、特に処理室に連設された予備室を具備する基板処理装置及び該基板処理装置による半導体装置の製造方法に関するものである。

シリコンウェーハ等の基板にＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行い半導体装置を製造する装置として基板処理装置があり、該基板処理装置には基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。

バッチ式の基板処理装置、例えば縦型基板処理装置では反応室を画成する有天筒状の処理容器、該処理容器を囲繞する様に設けられた加熱装置等から構成される縦型炉を有する。

バッチ式の縦型基板処理装置では所定数の基板（以下、ウェーハ）が、基板保持具（以下、ボート）に水平姿勢で多段に保持され、該ボートは処理室の下端の炉口部から該処理室にボート装脱手段（以下、ボートエレベータ）により前記処理室に装入、引出しする様になっており、前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室に収納させ、ウェーハを前記ボートに保持させた状態で、所要の処理を行い、処理後は前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室から引出している。

前記加熱装置は前記処理室内を均一加熱する様に制御されるが、炉頂部、炉口部から放熱があり、前記処理室全長で均熱域を確保することは難しい。その為、前記処理室内に温度検出器を挿入して事前に前記処理室の均熱域を測定し、製品用のウェーハは均熱域で処理される様にしている。

図４は、縦型炉１を示しており、該縦型炉１はヒータベース２に立設された加熱手段であるヒータ３の内部に同心に設けられた有天筒状の外管（以下、均熱管）４、該均熱管４の内側に同心に設けられた有天筒状の内管（以下、処理容器）５から構成され、該処理容器５の内部には処理室６が画成される。前記均熱管４は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、前記処理容器５は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなる。

該処理室６には石英製のボート７が収納され、該ボート７にはウェーハ８が水平姿勢で多段に保持される様になっており、該ウェーハ８は前記ボート７に保持された状態で、基板処理される。該ボート７はボートエレベータ９によって昇降され、昇降により前記処理室６に前記ボート７が装脱される。

前記ボートエレベータ９は水平に延出する昇降アーム１１を具備し、該昇降アーム１１に金属製の蓋体１２が支持され、該蓋体１２の上面を覆う様に蓋体カバー１３が設けられ、該蓋体カバー１３にボートキャップ１４を介して前記ボート７が立設され、或は図示しないが前記蓋体カバー１３に直接前記ボート７が立設される。

前記蓋体カバー１３は前記処理容器５の下面に、Ｏリング等のシール部材１５（図５参照）を介して当接し、前記処理容器５の下端開口部を気密に閉塞する。

前記蓋体カバー１３は、前記処理室６を汚染しない非金属材料であり、例えば石英製となっており、又前記ボートキャップ１４も同様に非金属材料、例えば石英製である。

前記処理容器５の下端部にはガス導入部１６が設けられ、前記処理容器５の外壁に沿ってガス導入管１７が配設され、該ガス導入管１７の下端は前記ガス導入部１６に連通し、上端は前記処理容器５の天井部１８に連通している。又、前記処理容器５の下端部にはガス排気部１９が連通されている。

前記ガス導入部１６から導入されたガスは、前記ガス導入管１７内を流通して前記天井部１８に至り、該天井部１８に設けられた複数のガス導入口２０から前記処理室６に導入され、該処理室６を流下して前記ガス排気部１９から排気される。

前記ヒータ３で前記処理室６が加熱され、前記ガス導入部１６から処理ガスが導入されることで、前記処理室６に収納されたウェーハ８が処理される。

尚、図４中、２２は基板処理中、前記ボート７を回転させ、ウェーハ８面内の処理の均一性を向上させる為の回転機構である。

上記した様にウェーハ８に均質な処理を行う為、基板処理装置を稼働させる前に、前記処理室６の均熱域が測定される。

従来の処理室６内の均熱域（均熱長）を測定する方法を以下に説明する。

均熱域の測定は、前記蓋体１２、前記蓋体カバー１３を下方から貫通して棒状の温度検出器２１が挿入され、該温度検出器２１によって前記処理室６の軸心方向の温度分布が測定される。

前記温度検出器２１が前記蓋体１２、前記蓋体カバー１３を貫通する部分の詳細が、図５、図６に示される。

図５は、前記温度検出器２１が挿入される前の状態を示している。

前記処理室６の温度測定を行う場合には、測定用蓋体カバー１３ａが用いられる。該測定用蓋体カバー１３ａには前記温度検出器２１が挿通する開口２３が穿設されている。

前記蓋体１２に金属製の挿入出部（以下、温度検出器ポート）２４が、前記開口２３と同心に固着されている。該温度検出器ポート２４は前記昇降アーム１１を貫通して下方に延出しており、前記温度検出器２１を前記処理室６に挿入する場合の案内となり、又前記温度検出器２１が前記処理室６で鉛直姿勢を維持できる様に前記温度検出器２１を保持する。尚、該温度検出器２１と前記温度検出器ポート２４との間にはＯリング２５等が設けられ、気密にシールされる。

前記処理室６の軸心方向に沿って所要箇所の温度が検出され、均熱域が測定されると、前記温度検出器２１は引抜かれ、基板の処理が行われるが、前記温度検出器２１を引抜いた状態では、前記開口２３を通して前記蓋体１２が前記処理室６に露出する状態となる。

この為、処理ガスに、腐食性ガス、例えばＨＣｌ、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等のＣｌ系ガスが用いられる場合は、前記蓋体１２の腐食が問題となり、或は該蓋体１２からの金属汚染が問題となる。

又、前記開口２３は前記温度検出器２１が挿通するだけの大きさを有していることから、前記処理室６のガスが前記開口２３に向って流れ易くなる。斯かるガスの流れを抑制する為、前記温度検出器ポート２４側からシールガスを流すことも考えられるが、シールする為には大量のガスが必要となり、ランニングコストが大きくなり、又前記処理室６のガス濃度のバランスが崩れ、所望の膜が形成されなくなるという問題がある。

従って、従来では、基板処理装置を生産稼働させる場合は、図６に示される様に、前記開口２３が明いていない、蓋体カバー１３に交換している。

尚、均熱域を測定する場合としては、基板処理装置を設置した場合、処理温度を変更した場合等、少なからず存在し、測定の度に前記測定用蓋体カバー１３ａと前記蓋体カバー１３の交換をしなければならない。該測定用蓋体カバー１３ａ、該蓋体カバー１３の交換は、前記ボート７、前記ボートキャップ１４等を取外し、更に再組立の必要があり、前記ボート７、前記ボートキャップ１４を再組立てした場合は、前記ボート７にウェーハ８を移載する搬送機構との再調整も必要となり、均熱域測定後の基板処理装置を始動させる迄に多大な調整作業と時間とを必要としていた。

特開平５−１５２２３１号公報

本発明は斯かる実情に鑑み、炉口部を構成する非金属部材を交換することなく、処理室内の温度、均熱域の測定を可能とし、温度測定に要する作業性を向上させ、作業時間を短縮して、スループットの向上を図るものである。

本発明は、基板を内部に収納し処理する処理容器と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えた基板処理装置に係るものであり、又前記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記ガス流通路にガスが流通している状態で前記処理容器内にて基板を処理する半導体装置の製造方法に係るものである。

本発明によれば、基板を内部に収納し処理する処理容器と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えたので、前記非金属部材を２種類用意する必要がなく、コストの低減が図れ、又温度検出器の挿脱が、炉口部の分解、組立て作業無しに行うことができ、均熱域の測定等、処理室の温度測定に必要とされる作業量が大幅に減少し、作業時間が短縮してスループットが向上する等の優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

先ず、本発明が実施される縦型炉１の一例として、図４で示した縦型炉１について説明する。尚、上記した縦型炉１についての説明と重複する部分については、説明を省略する。

処理容器５の下端部にはガス導入部１６が設けられており、該ガス導入部１６には、ガス供給管２７が接続されている。該ガス供給管２７は、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２８を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。尚、処理室６に水蒸気を供給する必要がある場合は、前記ガス供給管２７の前記ガス流量制御器２８よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。前記ガス流量制御器２８には、ガス流量制御部２９が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

ガス排気部１９には、ガス排気管３１が接続され、該ガス排気管３１には前記ガス排気部１９から下流側に向って圧力検出器としての圧力センサ３２、圧力調整装置３３、排気装置３４が接続されており、前記処理室６の圧力が所定の圧力となる様、排気し得る様に構成されている。圧力調整装置３３及び前記圧力センサ３２には、圧力制御部３５が電気的に接続されており、該圧力制御部３５は前記圧力センサ３２により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置３３により前記処理室６の圧力が所望の圧力となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記処理容器５の下端開口（基板入出口）は蓋体カバー１３によって気密に閉塞可能となっている。該蓋体カバー１３は蓋体１２の上面を覆う様に設けられ、該蓋体１２はボートエレベータ９に昇降可能に設けられた昇降アーム１１に支持されている。

前記蓋体１２は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成され、前記蓋体カバー１３は、例えば石英製であり、円盤状に形成されている。

該蓋体カバー１３の上面には前記処理容器５の下端と当接するシール部材としてのＯリング１５が設けられる。前記蓋体１２の前記処理室６と反対側には、ボート７を回転させる回転機構２２が設置されている。該回転機構２２の回転軸３７は前記蓋体１２と前記蓋体カバー１３を貫通して、断熱筒としての前記ボートキャップ１４に接続されており、該ボートキャップ１４を介して前記ボート７を回転させることでウェーハ８を回転させる様に構成されている。

前記回転機構２２、前記ボートエレベータ９及び図示しない基板搬送機構には、駆動制御部３８が電気的に接続されており、前記回転機構２２、前記ボートエレベータ９、前記基板搬送機構が所望の動作をする様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記ボート７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェーハ８を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持する様に構成されている。前記ボートキャップ１４は、炉口からの放熱を抑制する断熱部材として設けられ、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、前記ボート７を支持する様に設けられており、ヒータ３からの熱が前記処理容器５の下端側に伝わり難くなる様に構成されている。

前記均熱管４と前記処理容器５との間には、温度検出器としての温度センサ（図示せず）が配設され、前記ヒータ３と前記温度センサには、電気的に温度制御部３９が接続されており、前記温度センサにより検出された温度情報に基づき前記ヒータ３への通電状態を調整することにより前記処理室６の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。

前記ガス流量制御部２９、前記圧力制御部３５、前記駆動制御部３８、前記温度制御部３９は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部４１に電気的に接続されている。

次に、上記構成に係る縦型炉１を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ウェーハ８に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記主制御部４１により制御される。

複数枚のウェーハ８が前記ボート７に装填（ウェーハチャージ）されると、図４に示されている様に、複数枚のウェーハ８を保持した前記ボート７は、前記ボートエレベータ９によって上昇されて前記処理室６に装入（ボートローディング）される。この状態で、前記蓋体１２は前記蓋体カバー１３、前記Ｏリング１５を介して前記処理容器５の下端開口を気密に閉塞した状態となる。

前記処理室６が所望の圧力となる様に前記排気装置３４によって排気される。この際、前記処理室６の圧力は、前記圧力センサ３２で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置３３が、前記圧力制御部３５によってフィードバック制御される。

又、前記処理室６が所望の温度となる様に前記ヒータ３によって加熱される。この際、前記処理室６が所望の温度分布となる様に前記温度センサ（図示せず）が検出した温度情報に基づき前記ヒータ３への通電状態が前記温度制御部３９によってフィードバック制御される。続いて、前記回転機構２２により、前記ボートキャップ１４、前記ボート７が回転されることで、ウェーハ８が回転する。

次いで、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源から供給され、前記ガス流量制御器２８にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管２７から前記ガス導入部１６及び前記ガス導入管１７を流通し天井部１８に至り、複数のガス導入口２０から前記処理室６にシャワー状に導入される。

尚、ウェーハ８に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、前記ガス流量制御器２８にて所望の流量となる様に制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、該水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を含むガスが前記処理室６に導入される。導入されたガスは前記処理室６を流下し、前記ガス排気部１９から排気される。ガスは前記処理室６を通過する際にウェーハ８の表面と接触し、ウェーハ８に対して酸化、拡散等の処理がなされる。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室６が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室６の圧力が常圧に復帰される。

その後、前記ボートエレベータ９により前記蓋体１２が下降されて、前記処理容器５の下端が開口されると共に、処理済ウェーハ８がボート７に保持された状態で前記処理容器５の下端から該処理容器５の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ８は前記ボート７より払出される（ウェーハディスチャージ）。

尚、一例迄、本実施の形態の縦型炉にてウェーハ８を処理する際の処理条件としては、例えば、ＨＣｌ酸化処理に於いては、処理ガスとしてＨＣｌ、Ｏ2 が使用され、又、ＨＣｌクリーニング処理に於いては、Ｈ2 、Ｏ2 による酸化膜形成後、ＨＣｌガスによってクリーニング処理が成される。

尚、処理温度８００〜１２００℃、大気圧、ガス種、ガス供給流量Ｏ2 （１〜２０ ｌ／ｍｉｎ）、ＨＣｌ（０．１〜５ ｌ／ｍｉｎ）が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハ８に処理がなされる。

次に、本発明が実施された炉口部について、図１を参照して説明する。

前記蓋体１２にポート孔４３を穿設し、該ポート孔４３に温度検出器ポート２４を取付ける。該温度検出器ポート２４は前記昇降アーム１１を貫通して下方に延出している。

前記温度検出器ポート２４の上端部、少なくとも該温度検出器ポート２４の一部である前記蓋体１２に固定される部分はステンレス鋼等の金属材料であり、前記温度検出器ポート２４の全体を金属材料としてもよく、下端部については前記温度検出器２１の挿脱に容易な合成樹脂としてもよい。

前記蓋体カバー１３には開口２３が穿設され、該開口２３は前記ポート孔４３と同心になっており、前記温度検出器ポート２４が支障なく挿通可能な大きさとなっている。

前記開口２３の内面には雌螺子が刻設され、前記開口２３には封止栓４４が螺合により、嵌脱可能となっている。

図２、図３に見られる様に、該封止栓４４は、太径の栓部４５と該栓部４５から上方に突出し、該栓部４５より細径の摘み部４６とで構成され、前記栓部４５の外周面には前記雌螺子と螺合する雄螺子が刻設されている。前記摘み部４６は、前記開口２３に嵌設された状態で、該開口２３から突出する高さとなっており、前記蓋体１２が前記ボートエレベータ９によって降下された状態では、作業者が摘み、回転できる様になっている。

前記摘み部４６は、前記蓋体１２に前記封止栓４４を螺合した状態で前記蓋体１２の上面側より突出し、摘める高さで構成されている。

前記栓部４５の外面には軸心方向に延びる溝４７が少なくとも１本刻設され、該溝４７は前記封止栓４４が前記開口２３に嵌合された状態で、前記ポート孔４３を経て前記処理室６と前記温度検出器ポート２４の内部とを連通するガス流通路となっている。

該温度検出器ポート２４には前記温度検出器２１が取外されている際に不活性ガス供給ライン４８が連通される様に形成されており、該不活性ガス供給ライン４８は不活性ガス供給源４９に接続され、前記不活性ガス供給ライン４８には開閉弁５１、流量調整器５２が設けられ、該開閉弁５１、該流量調整器５２は前記ガス流量制御部２９（図４参照）によって開閉、流量が制御される。

図１は、基板処理装置が生産稼働可能な状態、又生産稼働中の状態を示しており、前記開口２３が前記封止栓４４によって閉塞されていることで、金属部材である前記蓋体１２が処理室６に露出することが防止される。又、処理ガスに、Ｃｌ系の腐食性ガスが用いられている場合は、前記開口２３から流出したガスによって前記蓋体１２、前記温度検出器ポート２４が腐食されることが防止される。

前記不活性ガス供給ライン４８より不活性ガス、例えばアルゴンガス、窒素ガス等を供給することで、前記温度検出器ポート２４内を流通した不活性ガスが、前記溝４７を通って前記処理室６に流出する。従って、前記溝４７により不活性ガスの流れを形成し易くなり、該処理室６から、前記溝４７から或は雌螺子と雄螺子間の隙間を通って外部に腐食性ガスが漏出することが防止され、前記封止栓４４を境として反処理室６側は、不活性ガス雰囲気となり、前記蓋体１２、前記温度検出器ポート２４に対する腐食防止は、更に効果的となる。又、不活性ガス量が少量で済み、ランニングコストを小さくでき、更に前記処理室６のガス濃度のバランスを維持し、ウェーハ８への膜形成に悪影響を及さずに済む。

前記処理室６の均熱域を測定する場合は、前記ボートエレベータ９により前記蓋体１２を降下させ、前記摘み部４６を摘み、回して前記開口２３より取外す。

前記温度検出器ポート２４より温度検出器２１、例えば熱電対を挿入する。該温度検出器２１は前記処理室６の下端から上端に到達する長さを有し、下端から上端迄の全域の温度測定が可能となっている。

尚、温度測定時にも前記不活性ガス供給ライン４８から、不活性ガスを導入してもよい。

尚、ガス流通路としての前記溝４７は、前記開口２３の雌螺子側に設けてもよく、或は前記封止栓４４を該封止栓４４の軸心方向に貫通する孔を穿設してもよい。この場合にあっては、前記温度検出器ポート２４に前記不活性ガス供給ライン４８を接続する際には前記温度検出器ポート２４に対向する位置に溝又は孔を設ける様にすると溝又は孔にガスが流れ易くなる。

又、前記温度検出器ポート２４を分岐させ、分岐した部分に前記不活性ガス供給ライン４８を接続してもよい。

この様に接続すると、前記温度検出器２１が前記温度検出器ポート２４に挿入された状態であっても前記不活性ガス供給ライン４８に接続したままにすることができ、前記温度検出器２１により温度を測定しつつ、不活性ガスを供給し続けることができる。

尚、前記温度検出器ポート２４には、前記不活性ガス供給ライン４８を連通乃至分岐することに代えて、排気装置（図示せず）によって減圧排気可能な排気ライン５３を連通し、該排気ライン５３より排気する様にしてもよい。尚、排気装置は、前記圧力制御部３５によって制御するとよい。この場合、前記不活性ガス供給ライン４８から不活性ガスを供給する際に奏する効果に加えて、特にウェーハ８の処理に使用される処理ガスが腐食性ガスでない場合に、金属面が露出している雰囲気を前記処理室６に入れない様にすることができる。

又、前記温度検出器ポート２４には、前記不活性ガス供給ライン４８と前記排気ライン５３共に接続する様にしてもよい。この場合、ウェーハ８の処理に使用される処理ガスが腐食性ガスである場合には不活性ガスを供給、腐食性ガスでない場合には減圧排気する様に切替えを行うとよい。この場合、前記不活性ガス供給ライン４８への不活性ガスの供給は、前記ガス流量制御部２９により制御し、前記排気装置は、前記圧力制御部３５によって制御し、切替え制御は、前記主制御部４１により制御するとよい。

本発明によれば、前記蓋体カバー１３を２種類用意する必要がなく、コストの低減が図れ、又均熱域測定後のボート７、ボートキャップ１４、蓋体１２等の分解、再組立、及びウェーハ移載のティーチングが不要となり、装置を稼働させる迄の時間が短縮でき、スループットが向上する。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板を内部に収納し処理する処理容器と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓と、該封止栓が設けられた状態で前記処理容器内に連通するガス流通路とを備えたことを特徴とする基板処理装置。

（付記２）前記蓋体は、金属部材で形成されている付記１の基板処理装置。

（付記３）前記挿入出部にガス供給ラインが設けられている付記１の基板処理装置。

（付記４）前記挿入出部の途中から分岐してガス供給ラインが設けられている付記１の基板処理装置。

（付記５）前記挿入出部にガス排気ラインが設けられている付記１の基板処理装置。

（付記６）前記開口から前記封止栓を取外すことで、前記温度検出器が前記挿人出部及び前記開ロ孔から前記処理容器内へ挿入可能となる付記１の基板処理装置。

（付記７）前記温度検出器は、前記処理容器内の少なくとも基板処理領域における上下方向全域の温度が測定可能である付記１の基板処理装置。

（付記８）前記封止栓は、前記開口に装着された際に、前記開口より突出する凸部が形成されている付記１の基板処理装置。

（付記９）ガス流通路は、前記凸部より外周側に形成されている付記８の基板処理装置。

（付記１０）ガス流通路は、溝形状である付記１の基板処理装置。

本発明の実施の形態の要部を示す断面図である。 本発明の実施の形態に使用される封止栓の正面図である。 該封止栓の平面図である。 縦型炉の一例を示す断面図である。 従来の均熱域測定時に使用される測定用蓋体カバーが設けられた状態の炉口部の断面図である。 従来の生産稼働時の縦型炉の炉口部を示す断面図である。

符号の説明

１ 縦型炉
５ 処理容器
６ 処理室
９ ボートエレベータ
１１ 昇降アーム
１２ 蓋体
１３ 蓋体カバー
１４ ボートキャップ
２１ 温度検出器
２３ 開口
２４ 温度検出器ポート
４４ 封止栓
４６ 摘み部
４８ 不活性ガス供給ライン
４９ 不活性ガス供給源
５３ 排気ライン

Claims (2)

1. 基板を内部に収納し処理する処理容器と、該処理容器の基板入出口を蓋する蓋体と、該蓋体の前記処理容器側を覆う非金属部材と、前記蓋体に設けられ、前記処理容器内に温度検出器を挿入出可能にする挿入出部と、前記非金属部材に設けられ、前記温度検出器が挿通可能な開口と、該開口に着脱可能に設けられ、少なくとも前記処理容器内と前記挿入出部とを隔離する封止栓と、該封止栓が設けられた状態で前記挿入出部と前記処理容器内とを連通させる前記開口より小さい大きさの流路断面で形成されるガス流通路とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記ガス流通路にガスが流通している状態で前記処理容器内にて基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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