JP2004363499A - 基板保持手段 - Google Patents
基板保持手段 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363499A JP2004363499A JP2003162881A JP2003162881A JP2004363499A JP 2004363499 A JP2004363499 A JP 2004363499A JP 2003162881 A JP2003162881 A JP 2003162881A JP 2003162881 A JP2003162881 A JP 2003162881A JP 2004363499 A JP2004363499 A JP 2004363499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wafer
- substrate
- boat
- holding means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】スリップの発生を抑制できるウエハ保持手段を提供する。
【解決手段】ボート217内にガス通路290を設け、ガス通路に連通するガス吹出口281,282を、ウエハ200の底面にガスを吹き付ける位置ならびに、ウエハ200の底面周縁部あるいはウエハ200の上面および側面の少なくとも一方にガスを吹き付ける位置に設け、吹出し口281からウエハの底面にガスを吹き付けることにより、ウエハ200をボート217から浮上させ、吹出口からウエハ200の底面周縁部にウエハ200の中央部よりも強くガスを吹き付け、あるいはウエハ200基板の上面および側面の少なくとも一方に吹出口282からガスを吹き付けることにより、ウエハ200の位置を固定する。
【選択図】 図3
【解決手段】ボート217内にガス通路290を設け、ガス通路に連通するガス吹出口281,282を、ウエハ200の底面にガスを吹き付ける位置ならびに、ウエハ200の底面周縁部あるいはウエハ200の上面および側面の少なくとも一方にガスを吹き付ける位置に設け、吹出し口281からウエハの底面にガスを吹き付けることにより、ウエハ200をボート217から浮上させ、吹出口からウエハ200の底面周縁部にウエハ200の中央部よりも強くガスを吹き付け、あるいはウエハ200基板の上面および側面の少なくとも一方に吹出口282からガスを吹き付けることにより、ウエハ200の位置を固定する。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板保持手段に関し、特に、半導体製造装置の中でも特に熱処理装置のウエハ保持手段に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
縦型装置は縦型反応炉を有し、反応炉の反応室内にボートに多段に保持させたウエハを挿入し、加熱した状態で反応室内に反応ガスを導入し、ウエハ表面に所要の薄膜を生成したり、不純物の拡散などを行う。ウエハに生成される薄膜の均一性などは、歩留まり、半導体素子の性能に大きく影響する。そのような半導体素子の性能に影響を与えるものとして、熱処理を行うことで発生するスリップが挙げられる。
【0003】
酸化処理や窒化処理そして拡散処理を行うためにウエハに熱処理を行う。しかし、薄い基板(ウエハ)に熱処理を行うとウエハが熱により変形することや、もしくはウエハ保持治具の変形やウエハの不均一な温度分布によって、ウエハ表面に亀裂(スリップ)が発生してしまう。スリップは、このような理由により発生してしまうが、スリップ発生の大きな要因は、ウエハ及びウエハ保持治具の変形によって、ウエハとウエハ保持治具との接触部分に応力が発生し、その部分を起点としてスリップが発生することにある。
【0004】
図10は、従来のウエハ保持治具(ボート)によるウエハの保持方法を説明するための図であり、図10(A)は概略縦断面図、図10(B)は概略横断面図、図10(C)は、図10(A)のD部の部分拡大概略縦断面図である。
【0005】
図10(C)に示すように、ウエハ200は、熱により膨張してA方向に移動しようとしたり、ウエハ200が熱によりやわらかくなり自重によりC方向に引っ張られてB方向に移動したりと、ウエハ200の熱による変形によって、ボート217上のウエハ200が移動してしまう。このようなことによって、ウエハ200のとウエハ保持治具217との接触部分に応力が発生し、その部分を起点としてスリップが発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の主な目的は、スリップの発生を抑制できるウエハ保持手段を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
複数の基板を保持する基板保持手段であって、
前記基板保持手段は、ガスの流路をその内部に有し、前記ガスの流路に連通するガスの吹出し口を、前記基板の底面に前記ガスを吹き付ける位置ならびに、前記基板の底面周縁部あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方にガスを吹き付ける位置に有し、
前記吹出し口から前記基板の前記底面に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板を前記基板保持手段から浮上させ、
前記吹出し口から前記基板の前記底面周縁部に前記基板の中央部よりも強く前記ガスを吹き付け、あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板の位置を固定することを特徴とする基板保持手段が提供される。
【0008】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
従来は、ウエハ200はウエハ保持手段(以降ボート217)に水平に重力(自重)によって支持されていた。前述したように、スリップはウエハ200とボート217との間に接触部があるために発生すると考えられる。よって、本発明では、図1に示すように、接触部をなくし、ウエハ200をボート217から浮上させ、ウエハ200とボート217とを非接触にした。
【0009】
ボート217のガス吹出口281よりウエハ200の底面に向かって垂直方向上方に窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを吹き付けることでウエハ200を浮上させる。図1には、ウエハ200の底面の周縁にガスを吹き付ける場合を示し、図2には、ウエハ200の底面の全面にガスを吹き付ける場合を示している。
【0010】
また、図1に示したようなウエハ200の底面の周辺にガスを吹き付けてウエハ200を浮上させる場合には、ウエハ200の表面もしくは側面よりガスを吹き付けることで浮上したウエハ200の位置を固定する。図3には、ボート217のガス吹出口282よりウエハ200の表面に向かってガスを吹き付けてウエハ200の位置を固定する場合を示し、図4には、ボート217のガス吹出口283よりウエハ200の側面に向かってガスを吹き付けてウエハ200の位置を固定する場合を示している。
【0011】
図2に示したようなウエハ200の底面の全面にガスを吹き付けてウエハ200の底面の全面を支持するタイプについては、図5に示すように、ボート217のガス吹出口284よりウエハ200の周縁部底面にウエハ200の中央部よりもガスを強く吹き付けることでウエハ200を固定させる。
ここでウエハ200の位置を固定させるとは、ウエハ200が微小な変動をする場合においても、所望の処理結果が得られる範囲内にウエハ200を位置させることをいう。
【0012】
ボート217には、図6に示すように、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスをウエハに吹き付けるためにその内部にガス通路290を設け、内部を中空にした形状とする。
【0013】
また、ウエハ200を浮上させるために、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスをウエハ200に吹き付けるが、ガスが冷たいとウエハ200が冷えてスリップの発生要因となってしまう。ガスは、ボート217内を通るので、図7に示すように、ヒータ207によって反応室280内のウエハ200が加熱されているときはボート217も加熱されているためにガスも加熱されている。しかし、それでも不十分の場合は、図8に示すように、ガス加熱ユニット273を設けて、ガス加熱ユニット273により加熱したガスをガス導入管272を介してボート217内に導入してスリップの発生を抑制させる。
【0014】
本実施の形態のウエハ支持治具によりスリップを発生させずに熱処理を行う事ができ、半導体素子の性能を向上でき生産性を高めることが出来る。その結果、▲1▼高温処理が出来(1200℃以上も可能)、そして、▲2▼高速昇降温処理に対応できスループットが高くなるという優れた効果を奏する。
【0015】
次に、本実施の形態のウエハ保持手段(ボート)217が好適に使用されるCVD処理炉について、図9を参照して説明する。
【0016】
CVD処理炉は、主制御部101によって制御される構成となっており、主制御部101は、温度制御部102、ガス流量制御部103、圧力制御部104、駆動制御部105を備えている。
【0017】
外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円上に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の下部から供給されたガスは、インナーチューブ204内を上昇し、その後インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0018】
アウターチューブ205およびインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205およびインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0019】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤上の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。アウターチューブ205より下方に位置するようにガスの供給管232が設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがインナーチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241はガス流量制御部103に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得るようになっている。
【0020】
また、基板(以下ウエハ200)をボート217から浮上固定させるためのガスをボート217に供給するガス導入管272には、ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)271)に連結されており、MFC271はガス流量制御部103に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得るようになっている。
【0021】
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部104により制御する。
【0022】
シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。ボートエレベータ115を所定のスピードにするように、駆動制御部105により制御する。
【0023】
アウターチューブ205の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円上に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、温度制御部102により制御する。
【0024】
図9に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ115によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウエハ200を搭載する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておく。また、MFC271により、ガスをガス導入管272を介してボート217内に導入し、ウエハ200をボートから浮上固定した状態でボート217に搭載する。ボートエレベータ115により、ボート217を上昇させてアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ205内を上昇し、ウエハ200に対して均等に供給される。
【0025】
CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の圧力になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間CVD処理を行う。
【0026】
このようにしてCVD処理が終了すると、次のウエハ200のCVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウエハ200をアウターチューブ205から取出す。アウターチューブ205から取出されたボート217上の処理済のウエハ200は、未処理のウエハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、CVD処理が成される。
【0027】
なお、本実施の形態の処理炉にて行われる処理の例を挙げれば、次のとおりである。
▲1▼処理温度を1200℃とし、処理ガスであるArガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面を高清浄、高品質にする熱処理を行う。
▲2▼処理温度を1200℃とし、処理ガスであるH2ガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面を高清浄、高品質にする熱処理を行う。
▲3▼処理温度を1100℃とし、処理ガスであるO2ガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面にSiO2(酸化膜)を薄く形成する処理を行う。
▲4▼処理温度を1000℃とし、処理ガスであるO2ガス、H2ガスをそれぞれ10リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面にSiO2(酸化膜)を厚く形成する処理を行う。
【0028】
また、ウエハを浮上固定させるのに使用するガスについては、上記▲1▼の処理であればArガス、▲2▼の処理であればH2ガス、▲3▼の処理であればO2ガス、▲4▼であればH2ガスを、それぞれ17.7Pa以上のガス流でウエハの下側から流してウエハを浮上させる。そして、ウエハを固定するためには、同じガスを(17.7+α)Pa以上のガス流で流すようにする。
【0029】
そして、ウエハの処理に使用するガスと同じ種類のガスをウエハを浮上固定させるガスとして使用することが好ましいが、H2には爆発の恐れがあり、Arは高価格であるといったことから、処理ガスが薄まっても良いのであれば、ウェーハを浮上固定するのに、N2といった安価で安全なガスを使用することも可能である。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、スリップの発生を抑制できるウエハ保持手段が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図2】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図3】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図4】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図5】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図6】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図7】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図8】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図9】本発明の実施の形態のウエハ保持治具が好適に適用されるCVD装置の概略縦断面図である。
【図10】従来のウエハ保持治具(ボート)によるウエハの保持方法を説明するための図であり、図10(A)は概略縦断面図、図10(B)は概略横断面図、図10(C)は、図10(A)のD部の部分拡大概略縦断面図である。
【符号の説明】
200…ウエハ
217…ボート
272ガス導入管
273ガス加熱ユニット
281〜284ガス吹出口
290ガス通路
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板保持手段に関し、特に、半導体製造装置の中でも特に熱処理装置のウエハ保持手段に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
縦型装置は縦型反応炉を有し、反応炉の反応室内にボートに多段に保持させたウエハを挿入し、加熱した状態で反応室内に反応ガスを導入し、ウエハ表面に所要の薄膜を生成したり、不純物の拡散などを行う。ウエハに生成される薄膜の均一性などは、歩留まり、半導体素子の性能に大きく影響する。そのような半導体素子の性能に影響を与えるものとして、熱処理を行うことで発生するスリップが挙げられる。
【0003】
酸化処理や窒化処理そして拡散処理を行うためにウエハに熱処理を行う。しかし、薄い基板(ウエハ)に熱処理を行うとウエハが熱により変形することや、もしくはウエハ保持治具の変形やウエハの不均一な温度分布によって、ウエハ表面に亀裂(スリップ)が発生してしまう。スリップは、このような理由により発生してしまうが、スリップ発生の大きな要因は、ウエハ及びウエハ保持治具の変形によって、ウエハとウエハ保持治具との接触部分に応力が発生し、その部分を起点としてスリップが発生することにある。
【0004】
図10は、従来のウエハ保持治具(ボート)によるウエハの保持方法を説明するための図であり、図10(A)は概略縦断面図、図10(B)は概略横断面図、図10(C)は、図10(A)のD部の部分拡大概略縦断面図である。
【0005】
図10(C)に示すように、ウエハ200は、熱により膨張してA方向に移動しようとしたり、ウエハ200が熱によりやわらかくなり自重によりC方向に引っ張られてB方向に移動したりと、ウエハ200の熱による変形によって、ボート217上のウエハ200が移動してしまう。このようなことによって、ウエハ200のとウエハ保持治具217との接触部分に応力が発生し、その部分を起点としてスリップが発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の主な目的は、スリップの発生を抑制できるウエハ保持手段を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
複数の基板を保持する基板保持手段であって、
前記基板保持手段は、ガスの流路をその内部に有し、前記ガスの流路に連通するガスの吹出し口を、前記基板の底面に前記ガスを吹き付ける位置ならびに、前記基板の底面周縁部あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方にガスを吹き付ける位置に有し、
前記吹出し口から前記基板の前記底面に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板を前記基板保持手段から浮上させ、
前記吹出し口から前記基板の前記底面周縁部に前記基板の中央部よりも強く前記ガスを吹き付け、あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板の位置を固定することを特徴とする基板保持手段が提供される。
【0008】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
従来は、ウエハ200はウエハ保持手段(以降ボート217)に水平に重力(自重)によって支持されていた。前述したように、スリップはウエハ200とボート217との間に接触部があるために発生すると考えられる。よって、本発明では、図1に示すように、接触部をなくし、ウエハ200をボート217から浮上させ、ウエハ200とボート217とを非接触にした。
【0009】
ボート217のガス吹出口281よりウエハ200の底面に向かって垂直方向上方に窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどを吹き付けることでウエハ200を浮上させる。図1には、ウエハ200の底面の周縁にガスを吹き付ける場合を示し、図2には、ウエハ200の底面の全面にガスを吹き付ける場合を示している。
【0010】
また、図1に示したようなウエハ200の底面の周辺にガスを吹き付けてウエハ200を浮上させる場合には、ウエハ200の表面もしくは側面よりガスを吹き付けることで浮上したウエハ200の位置を固定する。図3には、ボート217のガス吹出口282よりウエハ200の表面に向かってガスを吹き付けてウエハ200の位置を固定する場合を示し、図4には、ボート217のガス吹出口283よりウエハ200の側面に向かってガスを吹き付けてウエハ200の位置を固定する場合を示している。
【0011】
図2に示したようなウエハ200の底面の全面にガスを吹き付けてウエハ200の底面の全面を支持するタイプについては、図5に示すように、ボート217のガス吹出口284よりウエハ200の周縁部底面にウエハ200の中央部よりもガスを強く吹き付けることでウエハ200を固定させる。
ここでウエハ200の位置を固定させるとは、ウエハ200が微小な変動をする場合においても、所望の処理結果が得られる範囲内にウエハ200を位置させることをいう。
【0012】
ボート217には、図6に示すように、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスをウエハに吹き付けるためにその内部にガス通路290を設け、内部を中空にした形状とする。
【0013】
また、ウエハ200を浮上させるために、窒素ガス、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスをウエハ200に吹き付けるが、ガスが冷たいとウエハ200が冷えてスリップの発生要因となってしまう。ガスは、ボート217内を通るので、図7に示すように、ヒータ207によって反応室280内のウエハ200が加熱されているときはボート217も加熱されているためにガスも加熱されている。しかし、それでも不十分の場合は、図8に示すように、ガス加熱ユニット273を設けて、ガス加熱ユニット273により加熱したガスをガス導入管272を介してボート217内に導入してスリップの発生を抑制させる。
【0014】
本実施の形態のウエハ支持治具によりスリップを発生させずに熱処理を行う事ができ、半導体素子の性能を向上でき生産性を高めることが出来る。その結果、▲1▼高温処理が出来(1200℃以上も可能)、そして、▲2▼高速昇降温処理に対応できスループットが高くなるという優れた効果を奏する。
【0015】
次に、本実施の形態のウエハ保持手段(ボート)217が好適に使用されるCVD処理炉について、図9を参照して説明する。
【0016】
CVD処理炉は、主制御部101によって制御される構成となっており、主制御部101は、温度制御部102、ガス流量制御部103、圧力制御部104、駆動制御部105を備えている。
【0017】
外管(以下アウターチューブ205)は例えば石英(SiO2)等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管(以下インナーチューブ204)は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ205内に同心円上に配置されている。アウターチューブ205とインナーチューブ204の間の空間は筒状空間250を成す。インナーチューブ204の下部から供給されたガスは、インナーチューブ204内を上昇し、その後インナーチューブ204の上部開口から上昇したガスは、筒状空間250を通過して排気管231から排気されるようになっている。
【0018】
アウターチューブ205およびインナーチューブ204の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド209が係合され、このマニホールド209にアウターチューブ205およびインナーチューブ204が保持されている。このマニホールド209は保持手段(以下ヒータベース251)に固定される。アウターチューブ205の下端部およびマニホールド209の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材(以下Oリング220)が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【0019】
マニホールド209の下端開口部には、例えばステンレス等よりなる円盤上の蓋体(以下シールキャップ219)がOリング220を介して気密シール可能に着脱自在に取付けられている。アウターチューブ205より下方に位置するようにガスの供給管232が設けられている。これらのガスの供給管232により、処理用のガスがインナーチューブ205内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管232はガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)241)に連結されており、MFC241はガス流量制御部103に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得るようになっている。
【0020】
また、基板(以下ウエハ200)をボート217から浮上固定させるためのガスをボート217に供給するガス導入管272には、ガスの流量制御手段(以下マスフローコントローラ(MFC)271)に連結されており、MFC271はガス流量制御部103に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得るようになっている。
【0021】
マニホールド209の上部には、圧力調節器(例えばAPC、N2バラスト制御器があり、以下ここではAPC242とする)及び、排気装置(以下真空ポンプ246)に連結されたガスの排気管231が接続されており、アウターチューブ205とインナーチューブ204との間の筒状空間250を流れるガスを排出し、アウターチューブ205内をAPC242により圧力を制御することにより、所定の圧力の雰囲気にするよう圧力検出手段(以下圧力センサ245)により検出し、圧力制御部104により制御する。
【0022】
シールキャップ219は昇降手段(以下ボートエレベータ115)に連結されていて、ボート217を昇降させる。ボートエレベータ115を所定のスピードにするように、駆動制御部105により制御する。
【0023】
アウターチューブ205の外周には加熱手段(以下ヒータ207)が同心円上に配置されている。ヒータ207は、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段(以下熱電対263)により温度を検出し、温度制御部102により制御する。
【0024】
図9に示した処理炉による減圧CVD処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ115によりボート217を下降させる。ボート217に複数枚のウエハ200を搭載する。次いで、ヒータ207により加熱しながら、アウターチューブ205内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管232に接続されたMFC241により予めアウターチューブ205内を不活性ガスで充填しておく。また、MFC271により、ガスをガス導入管272を介してボート217内に導入し、ウエハ200をボートから浮上固定した状態でボート217に搭載する。ボートエレベータ115により、ボート217を上昇させてアウターチューブ205内に移し、アウターチューブ205の内部温度を所定の処理温度に維持する。同時にガスの供給管232から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ205内を上昇し、ウエハ200に対して均等に供給される。
【0025】
CVD処理中のアウターチューブ205内は、排気管231を介して排気され、所定の圧力になるようAPC242により圧力が制御され、所定時間CVD処理を行う。
【0026】
このようにしてCVD処理が終了すると、次のウエハ200のCVD処理に移るべく、アウターチューブ205内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ115によりボート217を下降させて、ボート217及び処理済のウエハ200をアウターチューブ205から取出す。アウターチューブ205から取出されたボート217上の処理済のウエハ200は、未処理のウエハ200と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ205内に上昇され、CVD処理が成される。
【0027】
なお、本実施の形態の処理炉にて行われる処理の例を挙げれば、次のとおりである。
▲1▼処理温度を1200℃とし、処理ガスであるArガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面を高清浄、高品質にする熱処理を行う。
▲2▼処理温度を1200℃とし、処理ガスであるH2ガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面を高清浄、高品質にする熱処理を行う。
▲3▼処理温度を1100℃とし、処理ガスであるO2ガスを30リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面にSiO2(酸化膜)を薄く形成する処理を行う。
▲4▼処理温度を1000℃とし、処理ガスであるO2ガス、H2ガスをそれぞれ10リットル/分流し、処理圧力を大気圧(760torr)として、ウエハ表面にSiO2(酸化膜)を厚く形成する処理を行う。
【0028】
また、ウエハを浮上固定させるのに使用するガスについては、上記▲1▼の処理であればArガス、▲2▼の処理であればH2ガス、▲3▼の処理であればO2ガス、▲4▼であればH2ガスを、それぞれ17.7Pa以上のガス流でウエハの下側から流してウエハを浮上させる。そして、ウエハを固定するためには、同じガスを(17.7+α)Pa以上のガス流で流すようにする。
【0029】
そして、ウエハの処理に使用するガスと同じ種類のガスをウエハを浮上固定させるガスとして使用することが好ましいが、H2には爆発の恐れがあり、Arは高価格であるといったことから、処理ガスが薄まっても良いのであれば、ウェーハを浮上固定するのに、N2といった安価で安全なガスを使用することも可能である。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、スリップの発生を抑制できるウエハ保持手段が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図2】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図3】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図4】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図5】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図6】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図7】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図8】本発明の実施の形態のウエハ保持治具を説明するための概略縦断面図である。
【図9】本発明の実施の形態のウエハ保持治具が好適に適用されるCVD装置の概略縦断面図である。
【図10】従来のウエハ保持治具(ボート)によるウエハの保持方法を説明するための図であり、図10(A)は概略縦断面図、図10(B)は概略横断面図、図10(C)は、図10(A)のD部の部分拡大概略縦断面図である。
【符号の説明】
200…ウエハ
217…ボート
272ガス導入管
273ガス加熱ユニット
281〜284ガス吹出口
290ガス通路
Claims (1)
- 複数の基板を保持する基板保持手段であって、
前記基板保持手段は、ガスの流路をその内部に有し、前記ガスの流路に連通するガスの吹出し口を、前記基板の底面に前記ガスを吹き付ける位置ならびに、前記基板の底面周縁部あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方にガスを吹き付ける位置に有し、
前記吹出し口から前記基板の前記底面に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板を前記基板保持手段から浮上させ、
前記吹出し口から前記基板の前記底面周縁部に前記基板の中央部よりも強く前記ガスを吹き付け、あるいは前記基板の上面および側面の少なくとも一方に前記ガスを吹き付けることにより、前記基板の位置を固定することを特徴とする基板保持手段。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162881A JP2004363499A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 基板保持手段 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162881A JP2004363499A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 基板保持手段 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363499A true JP2004363499A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=34054895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003162881A Withdrawn JP2004363499A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 基板保持手段 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004363499A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9273533B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-03-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Well tool including swellable material and integrated fluid for initiating swelling |
US20180114706A1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer boat assembly and substrate processing apparatus including the same |
-
2003
- 2003-06-06 JP JP2003162881A patent/JP2004363499A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9273533B2 (en) | 2006-11-15 | 2016-03-01 | Halliburton Energy Services, Inc. | Well tool including swellable material and integrated fluid for initiating swelling |
US20180114706A1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer boat assembly and substrate processing apparatus including the same |
CN107978545A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 三星电子株式会社 | 晶片舟组件及包含晶片舟组件的衬底处理设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7858534B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus | |
US9076644B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device | |
US20120214317A1 (en) | Substrate processing apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method | |
CN110277305B (zh) | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | |
US8303712B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and process tube | |
US20230055506A1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, and gas injector | |
JP2007243014A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
JP4971954B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 | |
JP2006319201A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4516318B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP4282539B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2004363499A (ja) | 基板保持手段 | |
CN115537776A (zh) | 成膜装置 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP2010086985A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010021385A (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2009016426A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2006186015A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4516838B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006093411A (ja) | 基板処理装置 | |
CN112740373A (zh) | 基板处理装置 | |
JP2007234935A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2001345314A (ja) | 熱処理装置及びその方法 | |
JP2004228459A (ja) | ウエーハの熱処理方法及び熱処理装置並びに熱処理用ボート | |
JP2001257167A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060330 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080325 |