JP2010239115A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010239115A
JP2010239115A JP2010001898A JP2010001898A JP2010239115A JP 2010239115 A JP2010239115 A JP 2010239115A JP 2010001898 A JP2010001898 A JP 2010001898A JP 2010001898 A JP2010001898 A JP 2010001898A JP 2010239115 A JP2010239115 A JP 2010239115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas supply
processing chamber
gas
supply nozzle
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010001898A
Other languages
English (en)
Inventor
Junichi Tanabe
潤一 田邊
Atsushi Moriya
敦 森谷
Kiyohisa Ishibashi
清久 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2010001898A priority Critical patent/JP2010239115A/ja
Priority to US12/716,855 priority patent/US20100229795A1/en
Priority to KR1020100020934A priority patent/KR101132237B1/ko
Priority to TW099106948A priority patent/TW201041069A/zh
Priority to CN2010101323577A priority patent/CN101834119B/zh
Publication of JP2010239115A publication Critical patent/JP2010239115A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制する。
【解決手段】処理室２０１内に設けられたコーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室内の石英部材をコーティングし、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して基板上にエピタキシャル膜を形成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
ＤＲＡＭ等の半導体装置の製造工程の一工程として、複数の基板を所定の間隔で積層状に保持して処理室内に搬入する工程と、処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して基板上に薄膜を形成する工程と、複数の基板を処理室内より搬出する工程と、を有する基板処理工程が実施されてきた。係る基板処理工程は、基板を処理する処理室と、基板を加熱する加熱手段と、処理室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ノズルを含む成膜ガス供給手段と、を有する基板処理装置により実施されてきた。
上述の基板処理工程においては、処理室内に設けられた石英部材に起因する基板の汚染を抑制させ、或いは処理室内における熱伝導効率を向上させるため、基板上に薄膜を形成する工程の前に、処理室内の石英部材をＳｉ薄膜によりコーティングする工程が行われる場合があった。係る工程では、処理室内を加熱しつつ、成膜ガス供給ノズルによりシリコン（Ｓｉ）を含むコーティングガスを供給し、石英部材の表面にＳｉ薄膜を形成していた。
しかしながら、処理室内を加熱すると成膜ガス供給ノズル内も同様に加熱されるため、成膜ガス供給ノズルによりＳｉを含むコーティングガスを供給すると、成膜ガス供給ノズル内壁にもＳｉ薄膜が形成されてしまう場合があった。そして、係る状態で成膜ガス供給ノズル内に成膜ガスを供給すると、形成されたＳｉ薄膜を下地として更に薄膜が形成されてしまい、成膜ガス供給ノズルが閉塞したり破損したりしてしまう場合があった。また、成膜ガス供給ノズル内にて成膜ガスが消費されることから、基板に供給される成膜ガスの流量制御が困難となってしまう場合があった。
本発明は、成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内にコーティングガスを供給するコーティングガス供給ノズルを含むコーティングガス供給手段と、前記処理室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ノズルを含む成膜ガス供給手段と、前記加熱手段、前記コーティングガス供給手段、及び前記成膜ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記コーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングし、前記成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して前記基板上にエピタキシャル膜を形成するように制御する基板処理装置が提供される。
本発明に係る基板処理装置によれば、成膜ガス供給ノズル内壁におけるＳｉ薄膜の形成を抑制することが可能となる。
本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の平面透視図である。 本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図である。 本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の処理炉、及び処理炉周辺の概略構成図である。 本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の処理炉内のガス流を例示する模式図である。 本発明の第１の実施形態に係る基板処理工程を例示するフロー図である。
＜本発明の第１の実施形態＞
以下に、本発明の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の平面透視図であり、図２は、本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の側面透視図（図１のＸ−Ｘ断面図）であり、図３は、本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置の処理炉、及び処理炉周辺の概略構成図（図１のＹ−Ｙ断面図）である。
（１）基板処理装置の構成
図１、図２に示すように、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部（図１の下側）には、開口部としての正面メンテナンス口１０３が設けられている。また、正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する２枚の正面メンテナンス扉１０４ａ，１０４ｂが設けられている。
基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外へ搬送するには、基板収容容器（ウエハキャリアともいう）としてのポッド１１０が使用される。ポッド１１０内には、複数枚のウエハ２００が格納されるように構成されている。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド１１０を筐体１１１内外へ搬送するポッド搬入搬出口１１２が、筐体１１１の内外を連通するように設けられている。ポッド搬入搬出口１１２は、開閉機構としてのフロントシャッタ１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側には、基板収容器受渡し台としてのロードポート１１４が設けられている。ロードポート１１４上にはポッド１１０が載置され、ロードポート１１４上にてポッド１１０の位置合わせをすることが可能なように構成されている。ポッド１１０は、図示しない工程内搬送装置によってロードポート１１４上に載置され、また、ロードポート１１４上から搬出されるように構成されている。
筐体１１１内の前後方向の略中央部（図２に示す筐体１１１内の略中央部）における上部空間には、基板収容器載置棚としての回転式ポッド棚１０５が設けられている。回転式ポッド棚１０５は、垂直方向に設けられて水平面内で間欠回転する支柱１１６と、基板収容器載置台としての複数枚の棚板１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、支柱１１６における上下４段の各位置において、水平姿勢で放射状に固定されるようにそれぞれ構成されている。なお、各棚板１１７には、複数個のポッド１１０がそれぞれ載置されるように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、基板収容器搬送装置としてのポッド搬送装置１１８が設けられている。ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降移動する基板収容器昇降機構としてのポッドエレベータ１１８ａと、ポッド１１０を保持したまま水平移動する基板収容器搬送機構としてのポッド搬送機構１１８ｂと、を備えている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの協調動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、及び後述する載置台１２２との間で、ポッド１１０を搬送するように構成さ
れている。
筐体１１１内の下部空間には、筐体１１１内の略中央部から後端部にわたって、サブ筐体１１９が設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａ（筐体１１１内の中央部側）には、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する基板搬入搬出口としての一対のウエハ搬入搬出口１２０が、上下段に設けられている。上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設けられている。ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２と、ポッド１１０の蓋体であるキャップを着脱する蓋体着脱機構としてのキャップ着脱機構１２３と、をそれぞれ備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することによって、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
サブ筐体１１９内には、移載室１２４が形成されている。移載室１２４は、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設けられた筐体１１１内の他の空間から気密に隔離されるように構成されている。移載室１２４内の前側領域（筐体１１１内の中央部側）には、基板移載機構としてのウエハ移載機構１２５が設けられている。ウエハ移載機構１２５は、基板保持体としてのツイーザ１２５ｃ上にウエハ２００を載置して水平方向に移動させる基板移載装置としてのウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降移動させる基板移載装置昇降機構としてのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂと、を備えている。これら、ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの協調動作により、基板保持具としての後述するボート２１７にウエハ２００を装填（チャージング）し、また、ボート２１７からウエハ２００を取り出す（ディスチャージング）ことが可能なように構成されている。
また、図１に示すように、移載室１２４内の側壁部には、クリーンユニット１３４が設けられている。クリーンユニット１３４は、供給ファンおよび防塵フィルタを備えており、清浄化したガスもしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を移載室１２４内に供給するように構成されている。また、図１に示すように、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハ２００の周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設けられている。クリーンユニット１３４から移載室１２４内に供給されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５、ウエハ移載装置１２５ａ、ロードロック室１４１にあるボート２１７の周囲を通過した後に、図示しないダクトにより吸引される。そして、ダクトにより吸引されたガスは、筐体１１１の外部へと排気されるか、もしくは、クリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側にまで循環されて清浄化された後、再び移載室１２４内に供給されるように構成されている。
移載室１２４内の後側領域（筐体１１１内の後端部側）には、内部を大気圧未満の圧力（負圧）に維持可能な気密機能を有する耐圧筐体１４０が設置されている。耐圧筐体１４０の内部には、ボート２１７を収容可能なロードロック方式の待機室としてのロードロック室１４１が形成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａには、ウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が設けられている。ウエハ搬入搬出開口１４２に設けられたゲートバルブ１４３を開けることにより、ロードロック室１４１と移載室１２４とが連通するように構成されている。図１に示すように、耐圧筐体１４０の他の側壁には、ロードロック室１４１内へ窒素ガスを供給するガス供給管１４４と、ロードロック室１４１内を負圧に排気するための排気管１４５と、がそれぞれ設けられている。ロードロック室１４１の上方には、ウエハ２００を処理する処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部には、処理炉２０２内と移載室１２４内とが連通するように開口が設けられている。処理炉２０２に設けられた開口は、炉口開閉機構としての炉口ゲートバルブ１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、
炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。
図１に示すように、筐体１１１内には、ボート２１７を昇降移動させるボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の下端部には連結具としてのアーム１２８が設けられており、アーム１２８上には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で設けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を下方から垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５が上昇した時に処理炉２０２に設けられた開口を閉塞するように構成されている。ボート２１７の構成については後述する。
（２）基板処理装置の動作
次に、本発明の第１の実施形態にかかる基板処理装置１００の動作について説明する。
図１および図２に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４上に載置されると、フロントシャッタ１１３が移動してポッド搬入搬出口１１２が開放される。そして、ポッド搬送装置１１８により、ロードポート１１４上のポッド１１０が、ポッド搬入搬出口１１２を介して筐体１１１内へと搬入される。筐体１１１内へ搬入されたポッド１１０は、直接に、もしくは、回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上に載置されて一時的に保管された後に、上下４段のうちいずれか一の載置台１２２上へと移載される。
この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０は、キャップ着脱機構１２３によって閉じられている。また、ボートエレベータ１１５は降下した状態となっており、処理炉２０２の下端部の開口は炉口ゲートバルブ１４７により閉塞された状態となっている。また、移載室１２４内には、クリーンユニット１３４によりクリーンエア１３３が供給されている。例えば、クリーンエア１３３として窒素ガスを移載室１２４内に供給して充満させることにより、移載室１２４内の酸素濃度は、例えば２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１内の他の領域よりも遥かに低くなっている。
載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、そのキャップがウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられる。そして、キャップ着脱機構１２３によってキャップが取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。そして、あらかじめ内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２が、ゲートバルブ１４３の動作により開放される。そして、ポッド１１０内のウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってピックアップされ、ウエハ出し入れ口を介して移載室１２４内に搬入され、ノッチ合わせ装置１３５によって周方向の向きが整合され、移載室１２４内の後方にあるロードロック室１４１内へ搬送され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。その後、同様の動作が繰り返され、ポッド１１０内に残っているウエハ２００がボート２１７内に装填される。
なお、上述の作業中には、他方の載置台１２２上には、回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０が移載される。そして、キャップ着脱機構１２３によってキャップが取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填（チャージング）されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられる。そして、ロードロック室１４１内は排気管１４５により排気され、処理炉２０２内の圧力と同じ圧力まで減圧される。ロードロック室１４１内が処理炉２０２内の圧力まで減圧されたら、炉口ゲートバルブ１４７が水平移動して処理炉２０２の下端部の開口が開放される。続いて、ボートエレベータ１１５が上昇して、複数のウエハ２００を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ロード）され、処理炉２０２の下端部の開口がシールキャップ２１９に
よって気密に閉塞される。
ボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ロード）された後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。その後、ノッチ合わせ装置１３５によるウエハ２００の周方向の向きの整合工程を除き、上述の手順とはほぼ逆の手順により、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１の外部へと搬出される。
（３）処理炉の構成
続いて、本実施形態にかかる基板処理装置１００が備える処理炉２０２及びその周辺の構成について、図３を参照しながら説明する。
図３に示すように、本実施形態にかかる処理炉２０２は、反応管としてのアウターチューブ２０５を有している。アウターチューブ２０５は、石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５の内側の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００を、後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ２０５の外側には、アウターチューブ２０５と同心円状にヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、ヒータ素線とその周囲に設けられた断熱部材とにより構成され、図示しない保持体に支持されることにより垂直に据え付けられている。なお、ヒータ２０６の近傍には、処理室２０１内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ（図示せず）が設けられている。ヒータ２０６及び温度センサには、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、温度センサにより検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調節し、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるよう制御する。主に、ヒータ２０６、温度センサ（図示せず）により、ウエハ２００を加熱する加熱手段が構成される。
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状に、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えば、ステンレス等の金属材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。このマニホールド２０９は、アウターチューブ２０５を支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。また、マニホールド２０９の下方には、待機室としてのロードロック室１４１が設けられている。ロードロック室１４１を構成する耐圧筐体１４０の天板１４０ｂとマニホールド２０９との間には、シール部材としてのＯリングが設けられている。このマニホールド２０９が天板１４０ｂにより支持されることにより、アウターチューブ２０５は垂直に据え付けられた状態となっている。このアウターチューブ２０５とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。なお、天板１４０ｂには、処理炉２０２の開口部である炉口１６１が設けられている。
マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内に成膜ガス供給ノズル２８０ａと、処理室２０１内にコーティングガス供給ノズル２８０ｂと、がそれぞれ貫通するように接続されている。成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂの下流側は、処理室２０１の内壁に沿って例えば鉛直方向に配設されている。成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂの下流端（上端）には、ガス噴出口が設けられている。すなわち、本実施形態では、インナーチューブが設けられておらず、成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂを用いて処理室
２０１内の上部から各種ガスの供給を行うように構成されている。成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂの上流側は、マニホールド２０９の側壁を水平方向に貫通して、マニホールド２０９外周側に突出している。成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂは石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等により構成されている。
成膜ガス供給ノズル２８０ａの上流端には、成膜ガス供給管２３２ａが接続されている。成膜ガス供給管２３２ａは上流側で４本に分岐している。４つに分岐した成膜ガス供給管２３２ａは、バルブ１７１〜１７４、ガス流量制御装置としてのＭＦＣ１８１〜１８４を介して、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４にそれぞれ接続されている。第１ガス供給源１９１は例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のＳｉ元素含有ガスを供給するように構成されている。第２ガス供給源１９２は例えばゲルマン（ＧｅＨ４）等のＧｅ元素含有ガスを供給するように構成されている。第３ガス供給源１９３はＨ２ガスを供給するように構成されている。第４ガス供給源１９４はパージガスとして例えばＮ２ガスを供給するように構成されている。バルブ１７１〜１７３を開けることにより、成膜ガスとしてのＳｉ元素含有ガスとＧｅ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスが、処理室２０１内に供給される。成膜ガスの組成や流量は、ＭＦＣ１８１〜１８３により調整することが可能である。また、バルブ１７１〜１７３を閉め、バルブ１７４を開けることにより、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内がパージガスとしてのＮ２ガスによりパージされる。パージガスの流量はＭＦＣ１８４により調整することが可能である。主に、成膜ガス供給ノズル２８０ａ、成膜ガス供給管２３２ａ、バルブ１７１〜１７４、ＭＦＣ１８１〜１８４、第１ガス供給源１９１、第２ガス供給源１９２、第３ガス供給源１９３，第４ガス供給源１９４により、成膜ガス供給手段が構成される。
コーティングガス供給ノズル２８０ｂの上流端には、コーティングガス供給管２３２ｂが接続されている。コーティングガス供給管２３２ｂは上流側で２本に分岐している。２つに分岐したコーティングガス供給管２３２ｂは、バルブ１７５，１７６、ガス流量制御装置としてのＭＦＣ１８５，１８６を介して、第５ガス供給源１９５、第６ガス供給源１９６にそれぞれ接続されている。第５ガス供給源１９５は例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のＳｉ元素含有ガスを供給するように構成されている。第６ガス供給源１９６はＨ２ガスを供給するように構成されている。バルブ１７５，１７６を開けることにより、コーティングガスとしてのＳｉ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスが、処理室２０１内に供給されるように構成されている。コーティングガスの組成や流量は、ＭＦＣ１８５，１８６により調整することが可能である。主にコーティングガス供給ノズル２８０ｂ、コーティングガス供給管２３２ｂ、バルブ１７５，１７６、ＭＦＣ１８５，１８６、第５ガス供給源１９５、第６ガス供給源１９６により、コーティングガス供給手段が構成される。
ＭＦＣ１８１〜１８６、バルブ１７１〜１７６には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、成膜ガス供給手段及びコーティングガス供給手段から処理室２０１内に所望のタイミングで所望の組成、所望の流量のガスを供給するようにＭＦＣ１８１〜１８６、バルブ１７１〜１７６をそれぞれ制御する。
また、マニホールド２０９の側壁にはガス排気管２３１が接続されている。ガス排気管２３１の下流側には、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４２は、その開度により処理室２０１内の圧力を調整する圧力調整器として構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４２の上流側におけるガス排気管２３１内には、図示しないが、処理室２０１内の圧力を検知する圧力検知手段としての圧力センサが設けられてい
る。なお、圧力センサは、ガス排気管２３１内に限らず、処理室２０１内に設けられていてもよい。圧力センサ及びＡＰＣバルブ２４２には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサにより検出された圧力に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を調節し、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように制御する。主に、ガス排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４２、真空排気装置２４６、圧力センサ（図示せず）により、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気手段が構成される。
また、上述したように、ロードロック室１４１を構成する耐圧筐体１４０の外面には、ボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５は、下基材２４５、ガイドシャフト２６４、ボール螺子２４４、上基材２４７、昇降モータ２４８、昇降基材２５２、及びベローズ２６５を備えている。下基材２４５は、ロードロック室１４１を構成する側壁の外面に水平姿勢で固定されている。下基材２４５には、昇降台２４９と嵌合するガイドシャフト２６４、及び昇降台２４９と螺合するボール螺子２４４がそれぞれ鉛直姿勢で設けられている。ガイドシャフト２６４及びボール螺子２４４の上端には、上基材２４７が水平姿勢で固定されている。ボール螺子２４４は、上基材２４７に設けられた昇降モータ２４８により回転させられるように構成されている。また、ガイドシャフト２６４は、昇降台２４９の上下動を許容しつつ水平方向の回転を抑制するように構成されている。そして、ボール螺子２４４を回転させることにより、昇降台２４９が昇降するように構成されている。
昇降台２４９には、中空の昇降シャフト２５０が垂直姿勢で固定されている。昇降台２４９と昇降シャフト２５０との連結部は、気密に構成されている。昇降シャフト２５０は、昇降台２４９と共に昇降するように構成されている。昇降シャフト２５０の下方側端部は、ロードロック室１４１を構成する天板１４０ｂを貫通している。天板１４０ｂに設けられる貫通穴の内径は、昇降シャフト２５０と天板１４０ｂとが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも大きく構成されている。ロードロック室１４１と昇降台２４９との間には、昇降シャフト２５０の周囲を覆うように、伸縮性を有する中空伸縮体としてのベローズ２６５が設けられている。昇降台２４９とベローズ２６５との連結部、及び天板１４０ｂとベローズ２６５との連結部はそれぞれ気密に構成されており、ロードロック室１４１内の気密が保持されるように構成されている。ベローズ２６５は、昇降台２４９の昇降量に対応できる充分な伸縮量を有している。ベローズ２６５の内径は、昇降シャフト２５０とベローズ２６５とが接触することのない様に、昇降シャフト２５０の外径よりも充分に大きく構成されている。
ロードロック室１４１内に突出した昇降シャフト２５０の下端には、昇降基材２５２が水平姿勢で固定されている。昇降シャフト２５０と昇降基材２５２との連結部は、気密に構成されている。昇降基材２５２の上面には、Ｏリング等のシール部材を介してシールキャップ２１９が気密に取付けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属より構成され、円盤状に形成されている。昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基材２５２、及びシールキャップ２１９を上昇させることにより、処理炉２０２内にボート２１７が搬入（ボートロード）されると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１がシールキャップ２１９により閉塞されるよう構成されている。また、昇降モータ２４８を駆動してボール螺子２４４を回転させ、昇降台２４９、昇降シャフト２５０、昇降基材２５２、及びシールキャップ２１９を下降させることにより、処理室２０１内からボート２１７が搬出（ボートアンロード）されるよう構成されている。昇降モータ２４８には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、ボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。
昇降基材２５２の下面には、Ｏリング等のシール部材を介して駆動部カバー２５３が気密に取付けられている。昇降基材２５２と駆動部カバー２５３とにより駆動部収納ケース２５６が構成されている。駆動部収納ケース２５６の内部は、ロードロック室１４１内の雰囲気と隔離されている。駆動部収納ケース２５６の内部には、回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４には電力供給ケーブル２５８が接続されている。電力供給ケーブル２５８は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って回転機構２５４まで導かれており、回転機構２５４に電力を供給するように構成されている。回転機構２５４が備える回転軸２５５の上端部は、シールキャップ２１９を貫通して、基板保持具としてのボート２１７を下方から支持するように構成されている。回転機構２５４を作動させることにより、ボート２１７に保持されたウエハ２００を処理室２０１内で回転させることが可能なように構成されている。回転機構２５４には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４が所望のタイミングにて所望の動作をするよう制御する。
また、駆動部収納ケース２５６の内部であって回転機構２５４の周囲には、冷却機構２５７が設けられている。冷却機構２５７及びシールキャップ２１９には冷却流路２５９が形成されている。冷却流路２５９には冷却水を供給する冷却水配管２６０が接続されている。冷却水配管２６０は、昇降シャフト２５０の上端から昇降シャフト２５０内を通って冷却流路２５９まで導かれ、冷却流路２５９にそれぞれ冷却水を供給するように構成されている。
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から構成され、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝えにくくするように機能する。
また、本実施形態にかかる基板処理装置１００は、制御手段としてのコントローラ２４０を有している。コントローラ２４０は、ＣＰＵ、メモリ、ＨＤＤなどの記憶装置、操作部、入出力部を備えた主制御部２３９を備えている。主制御部２３９は、上述のガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、ボートエレベータ１１５の昇降モータ２４８、及び回転機構２５４に電気的に接続されており、基板処理装置１００全体を制御するように構成されている。そして、コントローラ２４０は、複数のウエハ２００を所定の間隔で積層状に保持して処理室２０１内に搬入する工程と、コーティングガス供給ノズル２８０ｂによりコーティングガスを供給して処理室２０１内の石英部材をコーティングする工程と、成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給してウエハ２００上に薄膜を形成する工程と、複数のウエハ２００を処理室２０１内より搬出する工程と、を有するように制御する。かかる動作については後述する。
（４）基板処理工程
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ２００上の一部表面にＳｉＧｅエピタキシャル膜を選択的に成長させる基板処理工程について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理工程を例示するフロー図である。本基板処理工程は、上述の基板処理装置１００により実施される。また、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２４０により制御される。
（クリーニング工程（Ｓ１０））
まず、処理室２０１内壁やボート２１７表面をクリーニングする。具体的には、空のボ
ート２１７（ウエハ２００を装填していないボート２１７）を処理室２０１内に搬入（ボートロード）し、真空排気装置２４６を作動させて処理室２０１内の雰囲気を排気する。そして、図示しないエッチングガス供給手段を用いて、処理室２０１内に例えばＣｌＦ３ガスやＦ２ガス等のエッチングガスを供給し、処理室２０１内壁やボート２１７表面に付着した堆積物や異物等をエッチングして除去する。所定時間経過後、処理室２０１内へのエッチングガスの供給を停止し、処理室２０１内に残留しているエッチングガスやエッチング生成物を排気する。このとき、バルブ１７１〜１７３を閉めたままバルブ１７４を開け、成膜ガス供給ノズル２８０ａから処理室２０１内へパージガスとしてのＮ２ガスを供給することで、処理室２０１内からのエッチングガスやエッチング生成物等の排出を促すことが出来る。その後、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内とロードロック室１４１内とを同程度の圧力とし、昇降モータ２４８を駆動してボート２１７を処理室２０１内から搬出（アンロード）し、ボート２１７を降下状態とする。
（初回判定工程（Ｓ１１））
続いて、次回行う成膜処理が、クリーニング直後に行われる初回の成膜処理であるか否かを判定する。ここでは、次回行う成膜処理が初回の成膜処理であることから、成膜処理に先立ち処理室２０１内の石英部材をＳｉによりコーティングする必要があると判断し、後述する工程Ｓ１２から実行する（図５の工程Ｓ１１において「Ｙｅｓ」に分岐する）。
（空のボートのロード工程（Ｓ１２））
昇降モータ２４８を駆動して、空のボート２１７（ウエハ２００を装填していないボート２１７）を処理室２０１内に搬入（ボートロード）すると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１をシールキャップ２１９により閉塞する。そして、回転機構２５４により、ボート２１７を回転させる。
（コーティング工程（Ｓ１３））
続いて、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力（コーティング処理圧力）とする。そして、温度センサ（図示せず）により検出した温度情報に基づき、ヒータ２０６への通電具合をフィードバック制御し、処理室２０１内を所望の温度分布とする。具体的には、処理室２０１内壁やボート２１７表面の温度が例えば６５０℃〜６８０℃の範囲内の温度となるようにする。そして、バルブ１７５，１７６を開け、コーティングガスとしてのＳｉ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスを処理室２０１内に供給する。このとき、コーティングガスの組成や流量は、ＭＦＣ１８５，１８６により調整する。処理室２０１内に導入されたコーティングガスは、図４に破線で矢示するように、処理室２０１上方から下方へと流れ、ガス排気管２３１から排気される。コーティングガスは、処理室２０１内を通過する際に処理室２０１内壁やボート２１７表面と接触する。そして、処理室２０１内壁やボート２１７表面に多結晶Ｓｉ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）等からなるＳｉ薄膜が形成される。所定時間経過後、バルブ１７５，１７６を閉めて処理室２０１内へのコーティングガスの供給を停止し、処理室２０１内に残留しているコーティングガス等を排気する。以上により、処理室２０１内壁やボート２１７表面が例えば３０ｎｍから１μｍ程度の膜厚のＳｉ薄膜により覆われる（コーティングされる）こととなる。
これにより、次回のＳｉＧｅエピタキシャル膜成長において、処理室２０１内に設けられた石英部材表面（アウターチューブ２０３内壁やボート２１７表面等）に起因するウエハ２００の汚染を抑制することができる。また、処理室２０１（アウターチューブ２０３）内壁がＳｉ薄膜によりコーティングされることで、アウターチューブ２０３の熱伝導効率が向上され、基板処理の品質や生産性を向上させることができる。
このように、本実施形態では、処理室２０１内へのコーティングガスの供給を、成膜ガ
ス供給手段とは独立して設けられたコーティングガス供給手段により行うこととしている。すなわち、本実施形態では、コーティングガスを、成膜ガス供給ノズル２８０ａを介さずにコーティングガス供給ノズル２８０ｂを介して供給することとしている。そのため、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁にＳｉ薄膜が形成されてしまうことが抑制される。すなわち、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁面には、主に石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）のみが露出しており、エピタキシャル成長の下地となるＳｉ膜がほとんど存在しない状態が保持される。そして、後述の工程Ｓ２２を繰り返し実施したとしても（成膜ガス供給ノズル２８０ａ内への成膜ガスの供給を繰り返したとしても）、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁面へのＳｉＧｅエピタキシャル膜の成長が抑制される。その結果、成膜ガス供給ノズル２８０ａの閉塞や破損を抑制することができる。また、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内にて成膜ガスが消費されてしまうことを抑制でき、ウエハ２００に供給される成膜ガスの流量制御を容易に行うことが可能となり、成膜ガスを安定に供給して基板処理の品質を向上させることができる。
なお、本実施形態では、バルブ１７５，１７６を開けて処理室２０１内にコーティングガスを供給している間、或いは処理室２０１内にコーティングガスが残留している間は、バルブ１７４を開け、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内をパージガスとしてのＮ２ガスによりパージしてもよい。これにより、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内へのコーティングガスの侵入を効果的に抑制でき、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内壁におけるＳｉ薄膜の形成を更に抑制できる。また、処理室２０１内に残留しているコーティングガス等を排気する際に処理室２０１内にパージガスを供給することで、処理室２０１内から成膜ガス供給ノズル２８０ａへのコーティングガスの排気を促すことが出来る。なお、パージガスの流量は、ＭＦＣ１８４により調整する。
（ボートのアンロード工程（Ｓ１４））
ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内とロードロック室１４１内とを同程度の圧力とし、昇降モータ２４８を駆動してボート２１７を処理室２０１内から搬出（アンロード）し、降下状態とする。
（ダミーウエハの装填工程（Ｓ１５））
次に、コーティング工程を終えたボート２１７にダミーウエハを装填する。ダミーウエハは、ＳｉＧｅ膜を成膜する処理対象ウエハ２００を装填する領域の上下に任意の枚数、例えば上下に１０枚ずつ、計２０枚を装填する。このダミーウエハを装填することによって、ガス供給ノズル２８０ｂからガスを導入する際に成膜ガスが十分活性な状態でウエハに到達することが可能となる。また、ダミーウエハを装填することによって排気系から発生する汚染からの保護や、パーティクルを吸着する為、成膜ウエハへの付着抑制などの効果が期待できる。
（ダミーウエハ装填ボートのロード工程（Ｓ１６））
空のボートのロード工程（Ｓ１２）と同様にして、ダミーウエハを装填したボート２１７を処理室ロード２０１内に搬入（ボートロード）すると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１をシールキャップ２１９により閉塞する。そして、回転機構２５４により、ボート２１７を回転させる。
（ダミーウエハのＳｉコーティング工程（Ｓ１７））
コーティング工程（Ｓ１３）と同様に、ダミーウエハを装填したボート２１７に対してＳｉコーティングを行う。その際に、装填されたダミーウエハがＳｉコーティングされることになり、ダミーウエハ起因による成膜不良の抑制効果が期待できる。
（ダミーウエハ装填ボートのアンロード工程（Ｓ１８））
ボートのアンロード工程（Ｓ１４）と同様にして、Ｓｉコーティングをされたダミーウエハを装填したボートをアンロードする。
（ウエハの装填工程（Ｓ１９））
ウエハ移載機構１２５により、降下状態のボート２１７に複数枚の処理対象のウエハ２００を装填する。複数のウエハ２００は、ボート２１７により互いに所定の間隔で積層状に保持される。なお、ウエハ２００の表面上には、少なくともＳｉ面と絶縁膜面とが露出しているものとする。具体的には、シリコンウエハとして構成されたウエハ２００の表面の少なくとも一部に、例えばＳｉＯ２あるいはＳｉＮ等からなる絶縁膜が形成されており、Ｓｉ面及び絶縁膜面がそれぞれ露出しているように構成されている。なお、ウエハ２００表面に露出しているＳｉ面は、後述するＳｉＧｅエピタキシャル膜が成長する下地となる。
（ボートのロード工程（Ｓ２０））
ボート２１７へのウエハ２００の装填が完了したら、昇降モータ２４８を駆動して、図３に示すように、所定枚数のウエハ２００を保持したボート２１７を処理室２０１内に搬入（ボートロード）すると共に、処理炉２０２の開口部である炉口１６１をシールキャップ２１９により閉塞する。その後、回転機構２５４により、ボート２１７を回転させる。
（プレクリーニング工程（Ｓ２１））
続いて、成膜前にウエハ表面に残る残渣成分、例えば、酸化膜や有機物などを取り除くためのウエハ・プレクリーニング工程を行う。プレクリーニングの一つである水素ベークの場合には、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力（Ｈ２ベーク処理圧力）とする。そして、温度センサ（図示せず）により検出した温度情報に基づき、ヒータ２０６への通電具合をフィードバック制御し、処理室２０１内を所望の温度分布とする。具体的には、ウエハ２００の表面温度が例えば７００℃〜１０００℃、好ましくは８００℃以上の温度となるようにする。そして、バルブ１７３を開け、還元ガスとしてのＨ２ガスを処理室２０１内に供給する。このとき、Ｈ２ガスの流量が例えば５ｓｌｍ程度、好ましくは、２０ｓｌｍ以上になるようにＭＦＣ１８３を制御する。処理室２０１内に導入されたＨ２ガスは、図４に実線で矢示するように、処理室２０１上方から下方へと流れ、ガス排気管２３１から排気される。Ｈ２ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００表面と接触し、ウエハ２００表面の酸素（Ｏ）を還元する。例えば３０分程度の時間が経過した後、バルブ１７３を閉めて処理室２０１内へのＨ２ガスの供給を停止し、処理室２０１内に残留しているＨ２ガスや反応生成物等を排気する。このとき、バルブ１７４を開け、処理室２０１内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給すれば、処理室２０１内からの成膜ガスや反応生成物等の排気が促される。以上により、ウエハ２００表面の酸素（Ｏ）濃度が例えば１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）程度にまで低下する。
（ＳｉＧｅエピタキシャル膜の選択成膜（Ｓ２２））
続いて、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力（成膜処理圧力）とする。そして、温度センサ（図示せず）により検出した温度情報に基づき、ヒータ２０６への通電具合をフィードバック制御し、処理室２０１内を所望の温度分布とする。具体的には、ウエハ２００の表面温度が例えば４５０℃〜６００℃の範囲内の温度となるようにする。そして、バルブ１７１〜１７３を開け、成膜ガスとしてのＳｉ元素含有ガスとＧｅ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスを、処理室２０１内に供給する。成膜ガスの組成や流量は、ＭＦＣ１８１〜１８３により調整することができる。処理室２０１内に導入された成膜ガスは、図４に実線で矢示するように、処理室２０１上方から下方へと流れつつウエハ２００表面へ供給され、ガス排気管２３１から排気される。成膜ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００表面と接触する。そして、ウエハ
２００表面のＳｉ面を下地としてＳｉＧｅエピタキシャル膜が選択的に成長する。
本実施形態のようなエピタキシャル成長法を用いた成膜工程においては、形成される膜の品質、すなわち膜のモフォロジーや、膜質・膜厚の均一性等は、成膜ガスの流れる道筋、移動速度、組成比等によって大きく左右される。本実施形態では、成膜ガス供給ノズル２８０ａが下流端（上端）に設けられたガス噴出口から成膜ガスを噴出させることで、処理室２０１上方から下方への成膜ガスの流れを作り、成膜ガスの上記挙動を制御することが可能である。
所定時間の経過後、バルブ１７１〜１７３を閉めて処理室２０１内への成膜ガスの供給を停止し、処理室２０１内に残留している成膜ガスや反応生成物等を排気する。このとき、バルブ１７４を開け、処理室２０１内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給するようにすれば、処理室２０１内からの成膜ガスや反応生成物等の排気が促される。
（ボートのアンロード工程（Ｓ２３））
続いて、ＡＰＣバルブ２４２の開度をフィードバック制御し、処理室２０１内とロードロック室１４１内とを同程度の圧力とし、昇降モータ２４８を駆動してボート２１７を処理室２０１内から搬出（アンロード）し、ボート２１７を降下状態とする。
（ウエハの脱装工程（Ｓ２４））
続いて、ウエハ移載機構１２５により、降下状態のボート２１７から処理済みウエハ２００を脱装（ウエハディスチャージ）し、ポッド１１０内に収納する。
（メンテナンス膜厚判定工程（Ｓ２５））
続いて、直前に行った成膜処理までのボート２１７上の累積膜厚がメンテナンス膜厚に到達したのか否かを判定する。直前に行った成膜処理により累積膜厚がメンテナンス膜厚に到達していない場合（Ｎｏの場合）には、上述のダミーウエハの装填工程（Ｓ１５）以降を再度実施する。
ＳｉＧｅエピタキシャル膜成膜工程後に、上述のダミーウエハのＳｉコーティング（工程Ｓ１５〜Ｓ１８）を行うことによって、例えば、前回のＳｉＧｅエピタキシャル膜の成膜処理により、処理室２０１内壁やボート２１７表面等にＧｅＯ等の反応生成物や異物が吸着することがある。本実施形態によれば、処理室２０１内壁やボート２１７表面等をＳｉ薄膜によりコーティングすることで、これらの反応生成物や異物が処理室２０１内壁やボート２１７表面等から脱落し、処理室２０１内で飛散することを防止でき、ウエハ２００の汚染を抑制することが可能となる。
メンテナンス膜厚に到達していた場合（Ｙｅｓの場合）には、初回工程であるクリーニング工程（Ｓ１０）から行うことになる。
（５）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたはそれ以上の効果を奏する。
本実施形態によれば、処理室２０１内へのコーティングガスの供給を、成膜ガス供給手段とは独立して設けられたコーティングガス供給手段により行うこととしている。すなわち、本実施形態では、コーティングガスを、成膜ガス供給ノズル２８０ａを介さずにコーティングガス供給ノズル２８０ｂを介して供給することとしている。そのため、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁にＳｉ薄膜が形成されてしまうことを抑制できる。すなわち、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁面には、主に石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）のみが露出しており、エピタキシャル成長の下地となるＳｉ膜がほとんど存在しない
状態が保持される。そして、上述の工程Ｓ２２を繰り返し実施したとしても（成膜ガス供給ノズル２８０ａ内への成膜ガスの供給を繰り返したとしても）、成膜ガス供給ノズル２８０ａの内壁面へのＳｉＧｅエピタキシャル膜の成長が抑制される。その結果、成膜ガス供給ノズル２８０ａの閉塞や破損を抑制することができる。また、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内にて成膜ガスが消費されてしまうことを抑制でき、ウエハ２００に供給される成膜ガスの流量制御を容易に行うことが可能となり、成膜ガスを安定に供給して基板処理の品質を向上させることができる。
また本実施形態によれば、成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給して前記基板上にエピタキシャル膜を形成することとしている。このように、主に石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）のみが露出した成膜ガス供給ノズル２８０ａにより成膜ガスを供給することで、成膜ガスの流量・組成比を正確に制御することができるので、形成されるエピタキシャル膜の品質が向上する。
また、本実施形態では、バルブ１７５，１７６を開けて処理室２０１内にコーティングガスを供給している間、或いは処理室２０１内にコーティングガスが残留している間は、バルブ１７４を開け、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内をパージガスとしてのＮ２ガスによりパージする。これにより、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内へのコーティングガスの侵入を効果的に抑制でき、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内壁におけるＳｉ薄膜の形成を更に抑制できる。そのため、成膜ガス供給ノズル２８０ａ内壁のＳｉ薄膜をクリーニングするメンテナンス周期を長くすることも出来る。
また、本実施形態によれば、上述のコーティング工程（Ｓ１３）を実施することで、処理室２０１内壁やボート２１７表面等を例えば３０ｎｍから１μｍ程度の膜厚のＳｉ薄膜により覆う（コーティングする）。これにより、次回のＳｉＧｅエピタキシャル膜成長において、処理室２０１内に設けられた石英部材表面（アウターチューブ２０３内壁やボート２１７表面等）に起因するウエハ２００の汚染を抑制することができる。また例えば、前回のＳｉＧｅエピタキシャル膜の成膜処理により、処理室２０１内壁やボート２１７表面等に吸着したＧｅＯ等の反応生成物や異物が次回のＳｉＧｅエピタキシャル膜成長時に残っている場合がある。本実施形態によれば、処理室２０１内壁やボート２１７表面をＳｉ薄膜によりコーティングすることで、これらの反応生成物や異物が処理室２０１内壁やボート２１７表面から脱落し、処理室２０１内で飛散することを防止でき、ウエハ２００の汚染を抑制することが可能となる。また、処理室２０１（アウターチューブ２０３）内壁がＳｉ薄膜によりコーティングされることで、アウターチューブ２０３の熱伝導効率が向上され、基板処理の品質や生産性を向上させることができる。
また、本実施形態のクリーニング工程（Ｓ１０）、プレクリーニング工程（Ｓ２１）、ＳｉＧｅエピタキシャル膜の選択成膜（Ｓ２２）、空のボートのＳｉコーティング工程（Ｓ１３）、ダミーウエハとボートのＳｉコーティング工程（Ｓ１７）において、バルブ１７４を開け、処理室２０１内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給することで、処理室２０１内からの残留ガス等の排気を促すことができる。そして、基板処理の生産性を向上させることができる。
また、本実施形態によれば、初回判定工程（Ｓ１１）において、次回行う成膜処理が、初回の成膜処理であるか否かを判定している。そして、次回行う成膜処理が初回の成膜処理でない場合には、成膜処理に先立ち処理室２０１内の石英部材をコーティングする必要はないものと判断し、上述の工程Ｓ１２〜Ｓ１４を実行することなく、工程Ｓ１５以降の実行を開始することとしている。これにより、基板処理の生産性を向上させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、インナーチューブが設けられておらず、成膜ガス供給ノズル２８０ａ及びコーティングガス供給ノズル２８０ｂを用いて処理室２０１内の上部から成膜各種ガスを供給している。このため、処理室２０１内の下方に残留している汚染物質の拡散を抑制できる。その結果、ウエハ２００表面などへの異物の吸着が抑制され、基板処理の品質を向上させることができる。
＜本発明の第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態にかかる基板処理装置について説明する。本実施形態にかかる基板処理装置においては、コーティングガス供給手段に関わる構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、それ以外の構成については第１の実施形態にかかる説明および図３を参照するものとし、詳細な説明は省略する。
本実施形態において、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの直径は、成膜ガス供給ノズル２８０ａの直径より大きくなっている。あるいは、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの、鉛直方向に延びる下流側の直径のみを、成膜ガス供給ノズル２８０ａの下流側の直径より大きくしてもよい。また、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの直径に応じて、コーティングガスの最適な流速、流量が得られるよう、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの下流端（上端）に設けられたガス噴出口の口径を最適化してもよい。
本実施形態によれば、以下に示す１つまたはそれ以上の効果を奏する。
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。さらに本実施形態によれば、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの直径は、前記成膜ガス供給ノズル２８０ａの直径よりも大きい構成となっている。これにより、メンテナンス時期を延ばすことができる。コーティングガス供給時、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの内壁には徐々にＳｉ薄膜が形成される。このためＳｉ薄膜がある厚さ以上に達した場合は、コーティングガス供給ノズル２８０ｂの閉塞や破損を回避するために、Ｓｉ薄膜の除去やコーティングガス供給ノズル２８０ｂの交換といった、メンテナンスが必要となる。コーティングガス供給ノズル２８０ｂを太く構成することで、このメンテナンス時期を延ばし、メンテナンス頻度を抑えることができる。
＜本発明の他の実施形態＞
上述の実施形態では、ウエハ２００の表面上に、少なくともＳｉ面と絶縁膜面とが露出しており、Ｓｉ面上に選択的にエピタキシャル膜を堆積する場合について説明したが、本発明は上述の形態に限定されない。すなわち、選択的にエピタキシャル膜を堆積する場合に限らず、ウエハ２００の表面全域にエピタキシャル膜を成長させる場合にも好適に適用可能である。また、選択エピタキシャル成長に限らず、選択多結晶成長（Ｐｏｌｙ成長）その他選択成長にも好適に適用可能である。
上述の実施形態では、成膜ガスとしてＳｉ元素含有ガスとＧｅ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスを用い、ウエハ２００上にＳｉＧｅエピタキシャル膜を成長させる場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、成膜ガスとしてＳｉ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスを用い、ウエハ２００上にＳｉエピタキシャル膜を成長させる場合等にも本発明は好適に適用可能である。そして、本発明は、上述の実施形態のように成膜ガス供給管２３２ａが４つに分岐する形態に限定されず、供給するガスの種別に応じて３つ以下に分岐していてもよく、５つ以上に分岐していてもよい。
上述の実施形態では、コーティングガスとしてＳｉ元素含有ガスとＨ２ガスとの混合ガスを用い、処理室２０１内に設けられた石英部材表面（アウターチューブ２０３内壁やボート２１７表面等）に例えば多結晶Ｓｉ（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）等からなるＳｉ薄膜を成長さ
せる場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。そして、本発明は、上述の実施形態のようにコーティングガス供給管２３２ｂが２つに分岐する形態に限定されず、供給するガスの種別に応じて分岐していなくてもよく、３つ以上に分岐していてもよい。
上述の実施形態では、基板処理装置１００が縦型ＣＶＤ装置として構成されている場合について説明したが、本発明は係る形態に限定されない。例えば、横型ＣＶＤ、枚葉型ＣＶＤ装置など、減圧下でウエハ等の基板を処理する処理室を備える基板処理装置にも本発明は好適に適用可能である。
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内にコーティングガスを供給するコーティングガス供給ノズルを含むコーティングガス供給手段と、前記処理室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ノズルを含む成膜ガス供給手段と、前記加熱手段、前記コーティングガス供給手段、及び前記成膜ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記コーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングし、前記成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して前記基板上にエピタキシャル膜を形成するように制御する基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記制御部は、前記成膜ガス供給ノズル内にパージガスを供給しつつ、前記処理室内の石英部材をコーティングする。
また好ましくは、前記コーティングガス供給ノズルの直径は、前記成膜ガス供給ノズルの直径よりも大きい。
本発明の他の態様によれば、複数の基板を所定の間隔で積層状に保持して処理室内に搬入する工程と、前記処理室内に設けられたコーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングする工程と、前記処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給してエピタキシャル膜を形成する工程と、前記基板を前記処理室内より搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記処理室内にコーティングガスを供給するコーティングガス供給ノズルを含むコーティングガス供給手段と、前記処理室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ノズルを含む成膜ガス供給手段と、前記加熱手段、前記コーティングガス供給手段、及び前記成膜ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記コーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングする工程と、前記成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して前記基板上に薄膜を形成する工程と、を有するように制御する基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記処理室内の石英部材をコーティングする工程では、前記成膜ガス供給ノズル内にパージガスを供給する。
また好ましくは、前記コーティングガスはＳｉ含有ガスである。
本発明の他の態様によれば、複数の基板を所定の間隔で積層状に保持して処理室内に搬入する工程と、前記処理室内に設けられたコーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングする工程と、前記処理室内に設けられた成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して薄膜を形成する工程と、前記基板を前記処理室内より搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２０６ ヒータ
２８０ａ 成膜ガス供給ノズル
２８０ｂ コーティングガス供給ノズル
２４０ コントローラ（制御手段）

Claims (2)

  1. 基板を処理する処理室と、
    前記基板を加熱する加熱手段と、
    前記処理室内にコーティングガスを供給するコーティングガス供給ノズルを含むコーティングガス供給手段と、
    前記処理室内に成膜ガスを供給する成膜ガス供給ノズルを含む成膜ガス供給手段と、
    前記加熱手段、前記コーティングガス供給手段、及び前記成膜ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、
    前記制御部は、前記コーティングガス供給ノズルによりコーティングガスを供給して前記処理室内の石英部材をコーティングし、前記成膜ガス供給ノズルにより成膜ガスを供給して前記基板上にエピタキシャル膜を形成するように制御する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、前記成膜ガス供給ノズル内にパージガスを供給しつつ、前記処理室内の石英部材をコーティングする
    ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
JP2010001898A 2009-03-10 2010-01-07 基板処理装置 Pending JP2010239115A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010001898A JP2010239115A (ja) 2009-03-10 2010-01-07 基板処理装置
US12/716,855 US20100229795A1 (en) 2009-03-10 2010-03-03 Substrate processing apparatus
KR1020100020934A KR101132237B1 (ko) 2009-03-10 2010-03-09 기판 처리 장치
TW099106948A TW201041069A (en) 2009-03-10 2010-03-10 Substrate processing apparatus
CN2010101323577A CN101834119B (zh) 2009-03-10 2010-03-10 衬底处理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009055913 2009-03-10
JP2010001898A JP2010239115A (ja) 2009-03-10 2010-01-07 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010239115A true JP2010239115A (ja) 2010-10-21

Family

ID=42718149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010001898A Pending JP2010239115A (ja) 2009-03-10 2010-01-07 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20100229795A1 (ja)
JP (1) JP2010239115A (ja)
KR (1) KR101132237B1 (ja)
CN (1) CN101834119B (ja)
TW (1) TW201041069A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014524658A (ja) * 2011-08-02 2014-09-22 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP2016076518A (ja) * 2014-10-02 2016-05-12 株式会社Sumco 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP2019091763A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び成膜方法

Families Citing this family (333)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) * 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9018065B2 (en) * 2012-05-08 2015-04-28 Globalfoundries Inc. Horizontal epitaxy furnace for channel SiGe formation
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
CN104752275B (zh) * 2013-12-29 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室以及半导体加工设备
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN103928317B (zh) * 2014-04-28 2016-10-26 北京七星华创电子股份有限公司 提高工艺片成膜均匀性的方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
JP6380063B2 (ja) 2014-12-08 2018-08-29 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
FR3057390B1 (fr) * 2016-10-11 2018-12-07 Soitec Four vertical avec dispositif de piegeage de contaminants
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6820793B2 (ja) * 2017-04-27 2021-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
JP6794976B2 (ja) * 2017-12-15 2020-12-02 株式会社ダイフク 移載設備、移載方法
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
EP3599290A3 (en) * 2018-07-24 2020-06-03 Lg Electronics Inc. Chemical vapor deposition equipment for solar cell and deposition method thereof
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
US20210292902A1 (en) * 2020-03-17 2021-09-23 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) * 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4267624B2 (ja) * 2003-08-07 2009-05-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
CN1762043B (zh) * 2003-08-26 2010-05-05 株式会社日立国际电气 半导体装置的制造方法及衬底处理装置
JP4272486B2 (ja) * 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
JP4866658B2 (ja) * 2006-05-23 2012-02-01 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
JP2008078448A (ja) * 2006-09-22 2008-04-03 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4978355B2 (ja) * 2007-07-19 2012-07-18 富士通セミコンダクター株式会社 成膜装置及びそのコーティング方法
US8372482B2 (en) * 2009-02-27 2013-02-12 Goodrich Corporation Methods and apparatus for controlled chemical vapor deposition

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014524658A (ja) * 2011-08-02 2014-09-22 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド エピタキシャルプロセスのための半導体製造設備
JP2016076518A (ja) * 2014-10-02 2016-05-12 株式会社Sumco 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
US10379094B2 (en) 2014-10-02 2019-08-13 Sumco Corporation Contamination control method of vapor deposition apparatus and method of producing epitaxial silicon wafer
JP2019091763A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201041069A (en) 2010-11-16
KR101132237B1 (ko) 2012-03-30
CN101834119A (zh) 2010-09-15
KR20100102066A (ko) 2010-09-20
CN101834119B (zh) 2012-04-04
US20100229795A1 (en) 2010-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101132237B1 (ko) 기판 처리 장치
JP5902073B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2013012719A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2008091761A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JPWO2007018139A1 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2014067796A5 (ja)
JP2011216784A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR20090033788A (ko) 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 장치
KR101550590B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP5546654B2 (ja) 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法、及び異物除去方法
JP4324632B2 (ja) 半導体装置の製造方法および基板処理装置
JP2009123950A (ja) 基板処理装置
JP2009272367A (ja) 基板処理装置
JP2009117554A (ja) 基板処理装置
JP5848788B2 (ja) 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法
JP2012138530A (ja) 基板の製造方法、半導体デイバスの製造方法及び基板処理装置
JP5785062B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2013062271A (ja) 基板処理装置
JP7440480B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム
JP2009289807A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013058561A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2012195422A (ja) 基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
JP2011222656A (ja) 基板処理装置
TWI857371B (zh) 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
JP2005243737A (ja) 基板処理装置