JP6820793B2 - 基板処理装置、排気管のコーティング方法及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
前記処理容器内に設けられ、前記基板を処理するときに、前記基板に酸化ガスを供給可能な酸化ガス供給ノズルと、
該処理容器に接続された排気管と、
該排気管を介して前記処理容器内を排気する排気手段と、
前記処理容器内の前記酸化ガス供給ノズルよりも前記排気管に近い位置に設けられ、前記処理容器を介して前記排気管内にシリコン含有ガス及び酸化ガスの少なくとも一方を供給可能な排気管コーティング用ガスノズルと、
前記処理容器を加熱する加熱手段と、を有し、
前記基板を処理するときには前記酸化ガス供給ノズルから前記酸化ガスが前記基板に供給されて前記排気管コーティング用ガスノズルからは前記シリコン含有ガス及び前記酸化ガスはいずれも供給されず、前記処理容器内に前記基板が存在しないときに前記排気管コーティング用ガスノズルから前記シリコン含有ガス又は前記酸化ガスが供給される。
11 インナーチューブ
20 ヒーター
30 マニホールド
40 処理ガスノズル
41、111 吐出孔
50 処理ガス供給配管
60〜64 バルブ
70 処理ガス供給源
71 シリコン含有ガス供給源
72 酸化ガス供給源
80 排気管
81 分岐排気管
90 自動制御バルブ
100 真空ポンプ
110 排気管コーティング用ガスノズル
120〜122 コーティング用ガス供給配管
160 ウエハボート
210 制御部
Claims (15)
- 基板を収容して処理可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を処理するときに、前記基板に酸化ガスを供給可能な酸化ガス供給ノズルと、
該処理容器に接続された排気管と、
該排気管を介して前記処理容器内を排気する排気手段と、
前記処理容器内の前記酸化ガス供給ノズルよりも前記排気管に近い位置に設けられ、前記処理容器を介して前記排気管内にシリコン含有ガス及び酸化ガスの少なくとも一方を供給可能な排気管コーティング用ガスノズルと、
前記処理容器を加熱する加熱手段と、を有し、
前記酸化ガス供給ノズルは、
前記基板を処理するときには前記酸化ガス供給ノズルから前記酸化ガスが前記基板に供給されて前記排気管コーティング用ガスノズルからは前記シリコン含有ガス及び前記酸化ガスはいずれも供給されず、前記処理容器内に前記基板が存在しないときに前記排気管コーティング用ガスノズルから前記シリコン含有ガス又は前記酸化ガスが供給される基板処理装置。 - 前記基板に処理するときに、前記基板にシリコン含有ガスを供給可能であり、前記処理容器内の前記排気管コーティング用ガスノズルよりも前記排気管に遠い位置に設けられたシリコン含有ガス供給ノズルを更に有し、
前記排気管コーティング用ガスノズルは前記酸化ガスを供給可能であり、
前記排気手段により排気しながら、前記シリコン含有ガス供給ノズルから前記シリコン含有ガス、前記排気管コーティング用ガスノズルから前記酸化ガスを供給することにより、前記排気管内にSiO2コーティング膜の形成が可能である請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記シリコン含有ガス供給ノズルからの前記シリコン含有ガスの供給と、前記排気管コーティング用ガスノズルからの前記酸化ガスの供給を交互に行わせる制御手段を更に有し、
ALD成膜により前記SiO2コーティング膜の形成が可能である請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記排気管コーティング用ガスノズルから前記シリコン含有ガス及び前記酸化ガスを交互に供給させる制御手段を更に有し、
ALD成膜により前記排気管内にSiO2コーティング膜を形成することが可能である請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記基板が前記処理容器に収容されていないときに、前記排気管内に前記SiO2コーティング膜を形成する請求項3又は4に記載の基板処理装置。
- 前記処理容器内にクリーニングガスを供給可能なクリーニングガスノズルを更に有し、
前記基板が前記処理容器に収容されていないときは、該クリーニングガスノズルからクリーニングガスが供給されて前記処理容器内のクリーニングが行われた後を含む請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記処理容器は、水平に保持した複数の基板を鉛直方向に所定間隔を空けて積載可能な基板保持具を収容可能な縦長の円筒形の側面を含む形状を有するとともに、該側面の内周面に沿った円筒形の側面を有するインナーチューブを有し、
前記排気管コーティング用ガスノズルは、前記インナーチューブの内側に設けられた請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記処理容器内には、処理ガスを供給可能な処理ガスノズルが複数設けられ、前記基板上に成膜処理を行うことが可能である請求項1乃至7のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記シリコン含有ガスはシランガスであり、
前記酸化ガスはオゾンガスである請求項1乃至8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 処理容器内に処理対象が存在しないときに、前記処理容器に接続された排気管を介して前記処理容器内を排気する工程と、
前記処理容器内の処理対象を処理するときに処理ガスを供給した位置よりも前記排気管に近い位置から酸化ガスを供給するとともに、前記処理容器内の任意の箇所からシリコン含有ガスを供給し、前記処理容器内に前記処理対象が存在しないときに前記排気管内にSiO2コーティング膜を形成する工程と、を有する排気管のコーティング方法。 - 前記酸化ガス及び前記シリコン含有ガスは交互に供給され、ALD成膜により前記排気管内に前記SiO2コーティング膜を形成する請求項10に記載の排気管のコーティング方法。
- 前記シリコン含有ガスは、前記処理容器内の前記排気管近傍から供給される請求項11に記載の排気管のコーティング方法。
- 前記酸化ガス及び前記シリコン含有ガスは、前記処理容器内の前記排気管近傍に設けられた同一ノズルから交互に供給される請求項12に記載の排気管のコーティング方法。
- 前記処理容器内をドライクリーニングする工程を更に有し、
前記排気管内に前記SiO2コーティング膜を形成する工程は、前記処理容器内をドライクリーニングする工程の後に行われる請求項10乃至13のいずれか一項に記載の排気管のコーティング方法。 - 前記シリコン含有ガスはシランガスであり、
前記酸化ガスはオゾンガスである請求項10乃至14のいずれか一項に記載の排気管のコーティング方法。
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US11155916B2 (en) * | 2018-09-21 | 2021-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and methods for pumping gases from a chamber |
US11703229B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-07-18 | Yi-Ming Hung | Temperature adjustment apparatus for high temperature oven |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2991830B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1999-12-20 | 三菱電機株式会社 | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 |
US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
JP3408530B2 (ja) | 2001-04-26 | 2003-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置用部材およびその製造方法 |
JP3947126B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2007-07-18 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置 |
JP3913723B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2007-05-09 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2010239115A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP6125846B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2017-05-10 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
US9234276B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Novellus Systems, Inc. | Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties |
JP6195152B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2017-09-13 | 株式会社リコー | 微粒子製造装置 |
JP6022276B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2016-11-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
JP6476369B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2019-03-06 | 株式会社Kokusai Electric | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
JP6128969B2 (ja) * | 2013-06-03 | 2017-05-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP6242095B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-12-06 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
WO2015045137A1 (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 |
JP6045485B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2016-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US9828672B2 (en) * | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
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