TW202414597A - 成膜方法及處理裝置 - Google Patents
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Abstract
提供一種能改善氮化硼膜對凹部之填埋特性的技術。
本揭露一態樣之成膜方法，係具有：準備具有凹部之基板的工序；將包含含硼氣體與含氮氣體之第1氣體供給至該基板，以使氮化硼膜成膜在該凹部的工序；以及將不含含硼氣體但包含含氮氣體之第2氣體供給至該基板，以對該氮化硼膜進行熱處理的工序。
Description
本揭露係關於一種成膜方法及處理裝置。
已知有一種交互反覆成膜步驟與蝕刻步驟以將膜填埋至形成在基板表面的凹部之技術(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本特開2019-33230號公報
本揭露係提供一種能改善氮化硼膜對凹部之填埋特性的技術。
本揭露一態樣之成膜方法，係具有：準備具有凹部之基板的工序；將包含含硼氣體與含氮氣體之第1氣體供給至該基板，以使氮化硼膜成膜在該凹部的工序；以及將不含含硼氣體但包含含氮氣體之第2氣體供給至該基板，以對該氮化硼膜進行熱處理的工序。
根據本揭露，便能改善氮化硼膜對凹部之填埋特性。
以下，一邊參照圖式一邊說明本揭露之非用以限定的範例之實施形態。所有圖式中，會針對相同或對應之構件或零件賦予相同或對應之參照符號以省略重複說明。
[成膜方法]
參照圖1及圖2對實施形態相關的成膜方法進行說明。如圖1所示，實施形態相關的成膜方法具有準備工序S10、氮化硼膜成膜工序S20及熱處理工序S30。
在準備工序S10中，如圖2(a)所示，準備表面具有凹部102的基板101。基板101可以是例如矽基板等半導體基板。凹部102例如可以是溝槽、孔。在凹部102的表面上也可以形成例如氧化矽膜、氮化矽膜等絕緣膜。
氮化硼膜成膜工序S20係在準備工序S10之後進行。在氮化硼膜成膜工序S20中，如圖2(b)所示，會向基板101供給包含含硼氣體與含氮氣體的第1氣體，在凹部102成膜出氮化硼膜103。在氮化硼膜成膜工序S20中，會成膜出富硼的氮化硼膜103。富硼的氮化硼膜103是意指在膜中留有氮化空間的氮化硼膜103。富硼的氮化硼膜103包含在膜中具有懸鍵(dangling bond)的硼。當在凹部102成膜出氮化硼膜103後，會有在凹部102中產生間隙104的情形。間隙104例如是空隙(void)、接縫(seam)。
氮化硼膜成膜步驟S20可以包含將基板101保持在第1溫度的動作。第1溫度較佳為300℃以下。在這種情況下，可以成膜出包含較多在膜中具有懸鍵的硼的氮化硼膜103。另外，容易成膜出表面粗糙度小的氮化硼膜103。第1溫度更佳為235℃以下。在這種情況下，可以成膜出包含特別多在膜中具有懸鍵的硼的氮化硼膜103。
作為第1氣體中所含有的含硼氣體，例如可以舉出二硼烷(B
2H
6)氣體。作為第1氣體中所含有的含氮氣體，例如可以舉出氨(NH
3)氣。成膜出氮化硼膜103的方法沒有特別限定。例如，可以藉由原子層沉積(Atomic Layer Deposition : ALD)、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition : CVD)來成膜出氮化硼膜103。另外，第1氣體也可以是含有與含硼氣體及含氮氣體不同的氣體，例如非活性氣體。作為非活性氣體，例如可以舉出氮(N
2)氣、氬(Ar)氣。
熱處理工序S30係在氮化硼膜成膜工序S20之後進行。在熱處理工序S30中，會向基板101供給不含含硼氣體但包含含氮氣體的第2氣體，以對氮化硼膜103進行熱處理。藉此，硼的懸鍵與第2氣體中所含有的含氮氣體的氮鍵結而氮化。因此，氮化硼膜103的體積增加而膨脹。其結果，間隙104會被氮化硼膜103填埋而使間隙104消失。亦即，能夠改善氮化硼膜103對凹部102的填埋特性。在圖2(c)中，氮化硼膜103中體積增加之前的部分係用符號103a表示，膨脹後的部分係用符號103b表示。另外，由於硼的懸鍵的數量減少，所以氮化硼膜103的膜質會提高。
熱處理工序S30可包含將基板101保持在第2溫度的動作。第2溫度是高於第1溫度的溫度。第2溫度較佳為550℃以上。在這種情況下，促進了硼的懸鍵與含氮氣體的氮的鍵結。
熱處理工序S30可以包含將基板101曝露於由第2氣體生成的電漿的動作。在這種情況下，相較於不使用電漿的情況，硼的懸鍵會在低溫下與含氮氣體的氮鍵結而氮化。例如，可以在與氮化硼膜成膜工序S20相同的溫度下進行熱處理工序S30。
熱處理工序S30可以在與氮化硼膜成膜工序S20相同的處理容器內進行，也可以在與氮化硼膜成膜工序S20不同的處理容器內進行。
作為第2氣體中所含有的含氮氣體，例如可以舉出氨氣。另外，第2氣體也可以包含與含氮氣體不同的氣體，例如非活性氣體。作為非活性氣體，可以舉出例如氮氣、氬氣。
藉此，便能夠在凹部102填埋氮化硼膜103。
根據實施形態相關的成膜方法，首先在氮化硼膜成膜工序S20中，會向基板101供給包含含硼氣體與含氮氣體的第1氣體，在凹部102形成氮化硼膜103。接著，在熱處理工序S30中，會向基板101供給不含含硼氣體但包含含氮氣體的第2氣體，以對氮化硼膜103進行熱處理。藉此，在氮化硼膜成膜工序S20中成膜出的氮化硼膜103中的具有懸鍵的硼會與在熱處理工序S30中供給的第2氣體中所含有的含氮氣體的氮鍵結而氮化。因此，氮化硼膜103的體積增加而膨脹。其結果，間隙104被氮化硼膜103填埋而使間隙104消失。亦即，能夠改善氮化硼膜103對凹部102的填埋特性。另外，由於硼的懸鍵的數量減少，所以氮化硼膜103的膜質提高。
在上述實施形態中，說明了將氮化硼膜成膜工序S20與熱處理工序S30各進行1次的情況，但不限於此。例如，也可以藉由反覆多次氮化硼膜成膜工序S20與熱處理工序S30來填埋凹部102。在此情況下，由於在每次成膜出較薄的氮化硼膜103時都會進行氮化硼膜103的氮化，因此難以殘留硼的懸鍵。因此，氮化硼膜103的膜質提高。
[處理裝置]
參照圖3對能夠實施實施形態相關的成膜方法的處理裝置的一例進行說明。如圖3所示，處理裝置1是對多片基板W一次進行處理的批次式的裝置。基板W例如是半導體晶圓。
處理裝置1具備處理容器10、氣體供給部30、排氣部40、加熱部50、及控制部90。
處理容器10能夠使內部減壓。處理容器10在內部收納基板W。處理容器10具有下端敞開的有頂圓筒形狀的內管11及下端敞開並覆蓋內管11外側的有頂圓筒形狀的外管12。內管11及外管12由石英等耐熱材料形成，配置成同軸狀而成為雙重管構造。
內管11的頂部例如是平坦的。在內管11的一側，沿著其長邊方向(上下方向)形成有會收納氣體噴嘴的收納部13。例如，使內管11的側壁的一部分向外側突出而形成凸部14，將凸部14內形成為收納部13。
在與收納部13相對向之內管11的相反側的側壁上，沿著其長邊方向(上下方向)形成有矩形狀的開口15。
開口15是形成為能夠排出內管11內的氣體的氣體排氣口。開口15的長度與晶舟16的長度相同，或者是形成為分別往上下方向延伸得比晶舟16的長度要長。
處理容器10的下端係藉由例如由不銹鋼形成的圓筒形狀的歧管17支撐。在歧管17的上端形成有突緣18，在突緣18上設置外管12的下端來加以支撐。在突緣18與外管12的下端之間介設有O形環等密封構件19而使外管12內成為氣密狀態。
在歧管17上部的內壁設置有圓環狀的支撐部20，在支撐部20上設置內管11的下端來加以支撐。蓋體21會透過O形環等密封構件22氣密地安裝在歧管17下端的開口，而氣密地堵塞處理容器10下端的開口、亦即歧管17的開口。蓋體21例如由不銹鋼形成。
在蓋體21的中央部貫通設置有會透過磁性流體密封件23來可旋轉地支撐晶舟16的旋轉軸24。旋轉軸24的下部係旋轉自如地支撐在由晶舟昇降機所構成的昇降機構25的臂25A上。
在旋轉軸24的上端設有旋轉板26，在旋轉板26上透過石英製的保溫台27而載置有會保持基板W的晶舟16。因此，藉由使昇降機構25昇降，蓋體21與晶舟16會成為一體而上下移動，能夠使晶舟16相對於處理容器10內進行插入脫離。晶舟16能夠收納在處理容器10內，在上下方向上具有間隔地將多片(例如50片~150片)基板W保持為大致水平。
氣體供給部30構成為能夠將在上述成膜方法中使用的各種處理氣體導入至處理容器10內。氣體供給部30具有含硼氣體供給部31與含氮氣體供給部32。
含硼氣體供給部31在處理容器10內具備含硼氣體供給管31a，並且在處理容器10的外部具備含硼氣體供給路徑31b。在含硼氣體供給路徑31b中，從氣體的流通方向的上游側向下游側依序設置有含硼氣體源31c、質流控制器31d、含硼氣體用閥31e。藉此，含硼氣體源31c的含硼氣體會藉由含硼氣體用閥31e來控制供給時間點，並且藉由質流控制器31d調整為既定的流量。含硼氣體會從含硼氣體供給路徑31b流入至含硼氣體供給管31a，並從含硼氣體供給管31a噴出至處理容器10內。
含氮氣體供給部32在處理容器10內具備含氮氣體供給管32a，並且在處理容器10的外部具備含氮氣體供給路徑32b。在含氮氣體供給路徑32b中，從氣體的流通方向的上游側向下游側依序設置有含氮氣體源32c、質流控制器32d、含氮氣體用閥32e。藉此，含氮氣體源32c的含氮氣體係藉由含氮氣體用閥32e來控制供給時間點，並且藉由質流控制器32d調整為既定的流量。含氮氣體會從含氮氣體供給路徑32b流入到含氮氣體供給管32a中，並從含氮氣體供給管32a噴出到處理容器10內。
含硼氣體供給部31與含氮氣體供給部32也可以分別具備將非活性氣體導入至含硼氣體供給管31a及含氮氣體供給管32a的未圖示之非活性氣體供給路徑。在非活性氣體供給路徑中，也可以從氣體的流通方向的上游側向下游側依序設置均未圖示的非活性氣體源、質流控制器、非活性氣體用閥。
各氣體供給管(含硼氣體供給管31a、含氮氣體供給管32a)例如由石英形成。各氣體供給管係固定在歧管17上。各氣體供給管在內管11的附近位置處會沿鉛垂方向直線狀地延伸，並且在歧管17內彎折成L字狀而往水平方向延伸，藉此貫通歧管17。各氣體供給管彼此是沿著內管11的周向並排設置，互相形成為相同的高度。
在含硼氣體供給管31a中位於內管11的部位係設有多個含硼氣體噴出口31f。在含氮氣體供給管32 a中位於內管11的部位係設有多個含氮氣體噴出口32f。各噴出口(含硼氣體噴出口31f、含氮氣體噴出口32f)係沿著各氣體供給管的延伸方向每隔既定的間隔形成。各噴出口會朝向水平方向噴出氣體。各噴出口彼此之間的間隔例如被設定為與晶舟16所保持的基板W的間隔相同。各噴出口在高度方向上的位置被設定為在上下方向上相鄰的基板W之間的中間位置。藉此，各噴出口便能夠有效率地向相鄰的基板W間的相對面供給氣體。
氣體供給部30也可以混合多種氣體而從1個供給管噴出混合後的氣體。各氣體供給管(含硼氣體供給管31a、含氮氣體供給管32a)可以是相互不同的形狀或配置。氣體供給部30除了供給含硼氣體、含氮氣體、非活性氣體以外，還可以供給其他氣體。
排氣部40會將從內管11內經由開口15排出且經由內管11與外管12之間的空間P1而從排氣埠41排出的氣體進行排氣。排氣埠41是形成在歧管17的上部的側壁且為支撐部20的上方。排氣埠41係連接有排氣通道42。在排氣通道42中，從氣體的流通方向的上游側向下游側依序設置有壓力調整閥43與真空泵44。排氣部40會根據控制部90的動作來使壓力調整閥43及真空泵44動作，一邊藉由真空泵44吸引處理容器10內的氣體，一邊藉由壓力調整閥43調整處理容器10內的壓力。
加熱部50在外管12的徑向外側具有包圍外管12的圓筒形狀的加熱器51。加熱器51藉由對處理容器10的整個側周圍進行加熱，以對收容在處理容器10內的各基板W進行加熱。
控制部90可以應用具有一個以上的處理器91、記憶體92、未圖示之輸出入介面及電子電路的電腦。處理器91是CPU、ASIC、FPGA、由多個離散半導體構成的電路等中的1個或多個的組合。記憶體92包含揮發性記憶體、非揮發性記憶體(例如，CD、DVD、硬碟、快閃記憶體等)，儲存有使處理裝置1動作的程式、基板處理的處理條件等的配方。處理器91執行儲存在記憶體92中的程式和配方，藉此控制處理裝置1的各構成以實施上述成膜方法。
[處理裝置的動作]
對在處理裝置1中實施實施形態相關的成膜方法時的動作進行說明。
首先，控制部90控制昇降機構25將保持有多片基板W的晶舟16搬入到處理容器10內，藉由蓋體21將處理容器10下端的開口氣密地堵塞並密閉。各基板W是在表面具有凹部102的基板101。
接著，控制部90控制氣體供給部30、排氣部40及加熱部50以執行氮化硼膜成膜工序S20。具體而言，首先，控制部90控制排氣部40將處理容器10內減壓至既定的壓力，控制加熱部50將基板溫度調整至既定的溫度並加以維持。既定的溫度例如為300℃以下。然後，控制部90控制氣體供給部30向處理容器10內供給包含含硼氣體及含氮氣體的第1氣體。藉此，在凹部102中成膜出富硼的氮化硼膜103。
接著，控制部90控制氣體供給部30、排氣部40及加熱部50以執行熱處理工序S30。具體而言，首先，控制部90控制排氣部40將處理容器10內減壓至既定的壓力，控制加熱部50將基板溫度調整至既定的溫度並加以維持。既定的溫度例如為550℃以上。接著，控制部90控制氣體供給部30向處理容器10內供給不含含硼氣體但包含含氮氣體的第2氣體。藉此，硼的懸鍵與第2氣體中所含有的含氮氣體的氮鍵結而氮化。因此，氮化硼膜103的體積增加而膨脹，其結果，間隙104被氮化硼膜103填埋而使間隙104消失。亦即，能夠改善氮化硼膜103對凹部102的填埋特性。另外，由於硼的懸鍵的數量減少，所以氮化硼膜103的膜質提高。
接著，控制部90將處理容器10內昇壓為大氣壓，並且使處理容器10內降溫到搬出溫度後，控制昇降機構25將晶舟16從處理容器10內搬出。
如上所述，在處理裝置1中，藉由實施形態相關的成膜方法，便能夠將氮化硼膜103填埋至凹部102中。
[實驗結果]
首先，針對為了確認氮化硼膜的體積藉由實施形態相關的成膜方法中的熱處理工序S30而增加所進行的實驗A、B進行說明。
在實驗A中，首先，在上述的處理裝置1中，在以下所示的條件A1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。然後，藉由橢圓偏振光譜儀測定出所成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的膜厚。接著，在上述處理裝置1中，在以下所示的條件A2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由橢圓偏振光譜儀測定出熱處理後的氮化硼膜的膜厚。另外，計算出氮化硼膜在熱處理前後的膜厚變化率。膜厚變化率係藉由以下數學式計算出。
膜厚變化率=(熱處理後的膜厚－熱處理前的膜厚)／熱處理前的膜厚
(條件A1)
成膜方法：CVD
第1氣體：含硼氣體+含氮氣體+非活性氣體
含硼氣體：二硼烷氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：235℃
(條件A2)
第2氣體：含氮氣體+非活性氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：600℃
在實驗B中，首先在上述處理裝置1中，在以下所示的條件B1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。然後，藉由橢圓偏振光譜儀測定出的所成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的膜厚。接著，在上述處理裝置1中，在以下所示的條件B2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由橢圓偏振光譜儀測定出熱處理後的氮化硼膜的膜厚。另外，計算出氮化硼膜在熱處理前後的膜厚變化率。膜厚變化率係藉由以下數學式計算出。
膜厚變化率=(熱處理後的膜厚－熱處理前的膜厚)／熱處理前的膜厚
(條件B1)
成膜方法：CVD
第1氣體：含硼氣體+含氮氣體+非活性氣體
含硼氣體：二硼烷氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：300℃
(條件B2)
第2氣體：含氮氣體+非活性氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：700℃
圖4係顯示氮化硼膜在熱處理前後的膜厚變化率的圖。圖4中，左側的柱狀圖表示在實驗A中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的膜厚變化率[%]，右側的柱狀圖表示在實驗B中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的膜厚變化率[%]。
如圖4所示，在實驗A中成膜出的氮化硼膜的膜厚變化率為24.3%，在實驗B中成膜出的氮化硼膜的膜厚變化率為12.8%。從該結果表示出藉由依序進行氮化硼膜成膜工序S20及熱處理工序S30，能夠增大氮化硼膜的體積。另外，氮化硼膜的膜厚變化率在實驗A會大於實驗B。從該結果表示出在氮化硼膜成膜工序S20中，藉由將基板溫度設定為235℃，相較於將基板溫度設定為300℃，能夠增大氮化硼膜的膜厚變化率。
接著，針對為了確認實施形態相關的成膜方法中的氮化硼膜成膜工序S20中之基板溫度的差異對氮化硼膜中所含的硼的氮化之進行程度的影響所進行的實驗C、D進行說明。
在實驗C中，首先在上述處理裝置1中，在以下所示的條件C1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。然後，藉由X射線光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectroscopy：XPS)測定出所成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的組成。接著，在上述處理裝置1中，在以下所示的條件C2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由XPS測定出熱處理後的氮化硼膜的組成。另外，針對熱處理之前與之後，分別計算出氮化硼膜的膜中的硼濃度相對於氮濃度的比率(以下稱為「B/N比率」)。
(條件C1)
成膜方法：CVD
第1氣體：含硼氣體+含氮氣體+非活性氣體
含硼氣體：二硼烷氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：300℃
(條件C2)
第2氣體：含氮氣體+非活性氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：700℃
在實驗D中，首先在上述處理裝置1中，在以下所示的條件D1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。然後，藉由XPS測定出所成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的組成。接著，在上述處理裝置1中，在以下所示的條件D2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由XPS測定出熱處理後的氮化硼膜的組成。另外，針對熱處理之前與之後，分別計算出氮化硼膜的B/N比率。
(條件D1)
成膜方法：CVD
第1氣體：含硼氣體+含氮氣體+非活性氣體
含硼氣體：二硼烷氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：550℃
(條件D2)
第2氣體：含氮氣體+非活性氣體
含氮氣體：氨氣
非活性氣體：氮氣
基板溫度：700℃
圖5係顯示氮化硼膜在熱處理前後的B/N比率的圖。圖5中，左側的柱狀圖表示在實驗C中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的B/N比率，右側的柱狀圖表示在實驗D中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的B/N比率。
如圖5所示，在實驗C中成膜出的氮化硼膜的B/N比率在熱處理之前為4.4，在熱處理之後為1.2。另外，在實驗D中成膜出的氮化硼膜的B/N比率在熱處理之前為1.9，在熱處理之後為1.3。從該結果表示出藉由依序進行氮化硼膜成膜工序S20及熱處理工序S30，便能夠使氮化硼膜的膜中的硼氮化。另外，氮化硼膜在熱處理前後的B/N比率的變化率，在實驗C會大於實驗D。從該結果表示出在氮化硼膜成膜工序S20中，藉由將基板溫度設定為300℃，相較於將基板溫度設定為550℃，能夠增大氮化硼膜的B/N比率的變化率。
接著，針對為了確認實施形態相關的成膜方法中的氮化硼膜成膜工序S20中的基板溫度的差異對氮化硼膜的表面粗糙度造成的影響所進行的實驗E、F進行說明。
在實驗E中，首先在上述處理裝置1中，在上述條件C1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。然後，藉由掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope：SEM)測定成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的表面形狀，計算出氮化硼膜的表面粗糙度(RMS)的值。接著，在上述處理裝置1中，在上述條件C2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由SEM測定熱處理後的氮化硼膜的表面形狀，計算出氮化硼膜的表面粗糙度(RMS)的值。
在實驗F中，首先，在上述處理裝置1中，在上述條件D1下執行氮化硼膜成膜工序S20，在矽基板上成膜出氮化硼膜。藉由SEM測定成膜出的(熱處理之前的)氮化硼膜的表面形狀，計算出氮化硼膜的表面粗糙度(RMS)的值。接著，在上述處理裝置1中，在上述條件D2下執行熱處理工序S30，對氮化硼膜施予熱處理。然後，藉由SEM測定熱處理後的氮化硼膜的表面形狀，計算出氮化硼膜的表面粗糙度(RMS)的值。
圖6係顯示氮化硼膜在熱處理前後的表面粗糙度(RMS)的圖。圖6中，左側的柱狀圖表示在實驗E中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的RMS[nm]，右側的柱狀圖表示在實驗F中成膜出的氮化硼膜在熱處理前後的RMS[nm]。
如圖6所示，在實驗E中成膜出的氮化硼膜的RMS在熱處理之前是0.26，在熱處理之後是0.64。另外，在實驗F中成膜出的氮化硼膜的RMS在熱處理之前為2.34，在熱處理之後為2.56。從該結果表示出在氮化硼膜成膜工序S20中，藉由將基板溫度設定為300℃，相較於將基板溫度設定為550℃，能夠減小氮化硼膜的表面粗糙度。
應認為本次所揭露之實施形態在所有方面皆為範例而非用來加以限制。上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其要旨的範圍內也能以各種形態來加以省略、置換、變更。
101:基板
102:凹部
103:氮化硼膜
圖1係顯示實施形態相關之成膜方法的流程圖。
圖2係顯示實施形態相關之成膜方法的剖面圖。
圖3係顯示實施形態相關之處理裝置的概略圖。
圖4係顯示氮化硼膜在熱處理前後之膜厚變化率的圖。
圖5係顯示氮化硼膜在熱處理前後之B/N比率的圖。
圖6係顯示氮化硼膜在熱處理前後之表面粗糙度(RMS)的圖。
101:基板
102:凹部
103:氮化硼膜
103a:氮化硼膜中體積增加之前的部分
103b:氮化硼膜中體積膨脹後的部分
104:間隙
Claims (8)
- 一種成膜方法，係具有： 準備具有凹部之基板的工序； 將包含含硼氣體與含氮氣體之第1氣體供給至該基板，以使氮化硼膜成膜在該凹部的工序；以及 將不含含硼氣體但包含含氮氣體之第2氣體供給至該基板，以對該氮化硼膜進行熱處理的工序。
- 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中使該氮化硼膜成膜的工序係包含將該基板保持在第1溫度的動作； 對該氮化硼膜進行熱處理的工序係包含將該基板保持在較該第1溫度要高的第2溫度的動作。
- 如申請專利範圍第2項之成膜方法，其中該第1溫度係300℃以下； 該第2溫度係550℃以上。
- 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中對該氮化硼膜進行熱處理的工序係包含使該基板曝露在從該第2氣體生成之電漿的動作。
- 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中對該氮化硼膜進行熱處理的工序係包含使該氮化硼膜之體積增加的動作。
- 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中使該氮化硼膜成膜的工序與對該氮化硼膜進行熱處理的工序會反覆多次。
- 如申請專利範圍第1至6項中任一項之成膜方法，其中該含硼氣體係二硼烷氣體； 該含氮氣體係氨氣。
- 一種處理裝置，係具備處理容器、氣體供給部、及控制部； 該控制部係構成為會控制該氣體供給部以執行下述工序： 將具有凹部之基板收納在該處理容器內的工序； 將包含含硼氣體與含氮氣體之第1氣體供給至該處理容器內，以使氮化硼膜成膜在該凹部的工序；以及 將不含含硼氣體但包含含氮氣體之第2氣體供給至該處理容器內，以對該氮化硼膜進行熱處理的工序。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022-065844 | 2022-04-12 |
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