TWI807192B - 氣體導入構造、熱處理裝置及氣體供給方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供一種可抑制膜層沉積到氣體供給管的內部並均等地供給氣體的技術。 本發明之一態樣的氣體導入構造，係對縱長之處理容器內供給處理氣體；該氣體導入構造，具備：處理氣體供給管，於該處理容器內沿著該處理容器的縱長方向延伸，並具有沿著該縱長方向形成的複數個氣體噴出孔，而處理氣體係由其一端朝向其另一端導入；對於該處理氣體供給管之較該一端更靠近該另一端之側供給稀釋氣體。

Description

氣體導入構造、熱處理裝置及氣體供給方法
本發明係有關於氣體導入構造、熱處理裝置及氣體供給方法。
已知有一種熱處理裝置，在縱長的處理容器內容納著積載於晶舟之許多片晶圓，並有一氣體供給部沿著處理容器內的縱長方向延伸，而從形成於氣體供給部的氣體噴出孔朝向水平方向供給處理氣體，以在晶圓表面形成膜層（例如，參照專利文獻1）。在此熱處理裝置，所使用的氣體供給部，係設定成：對應於配置著擋片基板之區域而形成之氣體噴出孔全體的開口率，大於對應於配置著產品基板之區域而形成之氣體噴出孔全體的開口率。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-63959號公報
[發明所欲解決的問題]
本發明提供一種可抑制膜層沉積到氣體供給管的內部並均等地供給氣體之技術。 [解決問題之技術手段]
本發明之一態樣的氣體導入構造，係對縱長之處理容器內供給處理氣體；該氣體導入構造，具備：處理氣體供給管，於該處理容器內沿著該處理容器的縱長方向延伸，並具有沿著該縱長方向形成的複數個氣體噴出孔，而處理氣體係由其一端朝向其另一端導入；對於該處理氣體供給管之較該一端更靠近該另一端之側供給稀釋氣體。 [發明之效果]
若藉由本發明，可以抑制膜層沉積到氣體供給管的內部，並且均等地供給氣體。
以下將參照附圖，針對本發明之非限定性的例示之實施形態進行說明。全部附圖中，對於相同或對應之構件或零件，會附加相同或對應之參照符號，以省略重複說明。
[成膜裝置] 針對一實施形態之成膜裝置，參照圖1及圖2以進行說明。圖1及圖2，分別係顯示熱處理裝置之構成例的縱剖面圖及橫剖面圖。
如圖1所示，熱處理裝置1，具有：處理容器34、蓋體36、晶舟38、氣體供給部40、排氣部41、以及加熱部42。
處理容器34，係容納晶舟38的縱長容器。晶舟38，係基板固持具，將許多片半導體晶圓（以下稱為「晶圓W」。）成層架狀固持成在上下方向具有既定間隔。處理容器34，具有：內管44，係圓筒形狀，其下端開啟，而有頂棚；以及外管46，係圓筒形狀，其下端開啟，而有頂棚以包覆內管44之外側。內管44及外管46，係以石英等的耐熱性材料所形成，並同軸狀地配置成雙重管構造。
內管44的頂棚部係例如平坦。於內管44之一側，沿著其縱長方向（上下方向）而形成了噴嘴容納部48，以容納氣體供給管。例如圖2所示，係使內管44之側壁的局部朝向外側突出以形成凸部50，而使凸部50內形成為噴嘴容納部48。在與噴嘴容納部48相向之內管44的相反側的側壁，則係沿著其縱長方向（上下方向）而形成了矩形的開口52。
開口52，係形成為可將內管44內之氣體加以排出的氣體排氣口。開口52的長度，形成為與晶舟38的長度相同、或是比晶舟38的長度更長而分別朝上下方向延伸。
處理容器34的下端，受到例如以不鏽鋼所形成之圓筒狀的歧管54所支撐。在歧管54的上端，形成了凸緣部56，並使外管46的下端設置於凸緣部56上而予以支撐。在凸緣部56、與外管46的下端之間，則夾著O環等的密封構件58，以使外管46內成為氣密狀態。
在歧管54之上部的內壁，設有圓環狀的支撐部60，並使內管44的下端設置於支撐部60上而對其予以支撐。在歧管54之下端的開口，夾著O環等的密封構件62而氣密地安裝著蓋體36，以氣密性地封閉處理容器34之下端的開口，亦即歧管54的開口。蓋體36，係例如以不鏽鋼所形成。
在蓋體36的中央部，隔著磁性流體密封部64而使旋轉軸66貫穿設置。旋轉軸66的下部，係旋轉自如地支撐於以晶舟升降機所構成之升降部68的臂體68A。
在旋轉軸66的上端，設有旋轉板70；在旋轉板70上，則隔著石英製的保溫台72而載置著固持晶圓W的晶舟38。因此，藉由使升降部68升降，而可以使蓋體36與晶舟38一體地上下移動、使晶舟38相對於處理容器34內插入及脫離。
氣體供給部40，係設於歧管54，而對內管44內供給氣體。氣體供給部40，具有：原料氣體供給部100、以及反應氣體供給部200。
原料氣體供給部100，對內管44內供給原料氣體。原料氣體供給部100，具備：原料氣體供給管110、稀釋氣體供給管120、以及連接原料氣體供給管110與稀釋氣體供給管120的連接管130。
原料氣體供給管110，會被導入來自原料氣體之供給源（未圖示）的原料氣體。原料氣體供給管110，係在內管44內沿著其縱長方向設置，並且被支撐成使其下端彎曲成L字型以貫穿歧管54。在原料氣體供給管110，沿著其縱長方向而隔著既定間隔地形成了複數個氣體噴出孔111。氣體噴出孔111，係朝向水平方向而噴出原料氣體。藉此，會與晶圓W之主面大致呈平行地供給原料氣體。既定間隔，係例如設定為與晶舟38所支撐之晶圓W的間隔相同。再者，高度方向的位置，係設定成氣體噴出孔111會位於在上下方向相鄰之晶圓W間的中間，而可以有效率地對晶圓W間的空間部供給原料氣體。原料氣體，係例如用於原子層沉積（ALD：Atomic Layer Deposition）法、化學氣相沉積（CVD：Chemical Vapor Deposition）法所進行之成膜的氣體。作為原料氣體的例子，可舉：矽原料氣體、金屬原料氣體等。原料氣體，係經由原料氣體供給管110，而導入至以加熱部42加熱至例如熱分解溫度以上之溫度的處理容器34內。
稀釋氣體供給管120，會被導入來自稀釋氣體之供給源（未圖示）的稀釋氣體。稀釋氣體供給管120，係在內管44內沿著其縱長方向設置，並且被支撐成使其下端彎曲成L字型以貫穿歧管54。稀釋氣體供給管120，經由連接管130而對原料氣體供給管110供給稀釋氣體。稀釋氣體，係用以稀釋原料氣體的氣體。作為稀釋氣體的例子，可舉：氮氣（N2 ）、Ar（氬）等的惰性氣體、氫氣（H2 ）等。又，針對原料氣體供給部100之詳情，留待後文敍述。
反應氣體供給部200，對內管44內供給反應氣體。反應氣體供給部200，具備反應氣體供給管210。反應氣體供給管210，在內管44內沿著其縱長方向設置，並且被支撐成使其下端彎曲成L字型以貫穿歧管54。在反應氣體供給管210，沿著其縱長方向而隔著既定間隔地形成了複數個氣體噴出孔211。氣體噴出孔211，係朝向水平方向而噴出反應氣體。藉此，會與晶圓W之主面大致呈平行地供給反應氣體。既定間隔，係例如設定為與晶舟38所支撐之晶圓W的間隔相同。再者，高度方向的位置，係設定成氣體噴出孔211會位於在上下方向相鄰之晶圓W間的中間，而可以有效率地對晶圓W間的空間部供給反應氣體。反應氣體，係與原料氣體起反應以使原料氧化、氮化等的氣體。作為反應氣體的例子，可舉：氧化氣體、氮化氣體等。
在係歧管54之上部的側壁、且在支撐部60之上方，形成了氣體出口82，而使得經由內管44與外管46之間的空間部84而從開口52排出之內管44內旳氣體，得以排出。在氣體出口82，設有排氣部41。排氣部41，具有連接著氣體出口82的排氣通路86；在排氣通路86，於途中依序設置壓力調整閥88及真空泵90，而可以將處理容器34內抽真空。
在外管46的外周側，宛如包覆著外管46般地設有圓筒狀之加熱部42。加熱部42，係例如加熱器，將容納於處理容器34內的晶圓W加熱。
熱處理裝置1之全體的動作，係受到控制部95所控制。控制部95，可以係例如電腦等。再者，進行熱處理裝置1之全體動作的電腦程式，係記錄於記錄媒體96。記錄媒體96，可以係例如軟碟、光碟、硬碟、快閃記憶體、DVD等。
[原料氣體供給部] 針對用於熱處理裝置1之原料氣體供給部之一例，參照圖3~圖5以進行說明。圖3、圖4及圖5，分別係顯示氣體導入構造之一例的立體圖、剖面圖及概略圖。
原料氣體供給部100，具備：原料氣體供給管110、稀釋氣體供給管120、以及連接管130。
原料氣體供給管110，係對內管44內供給處理氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。如圖5的箭頭X1所示，原料氣體係由下端朝向上端而導入至原料氣體供給管110。原料氣體供給管110具有複數個氣體噴出孔111與連接口112。
複數個氣體噴出孔111，係沿著內管44的縱長方向而隔著既定間隔形成。一旦有原料氣體導入至原料氣體供給管110，複數個氣體噴出孔111就會將原料氣體以水平方向朝向內管44內噴出。
連接口112，係一開口，形成於原料氣體供給管110之上部當中與稀釋氣體供給管120相向的位置。連接口112，形成為例如圓形。連接口112，連接著連接管130的一端。
稀釋氣體供給管120，係對原料氣體供給管110供給稀釋氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。稀釋氣體供給管120，係例如相對於原料氣體供給管110沿著內管44的周向並排配置。如圖5的箭頭X2所示，稀釋氣體係由下端朝向上端而導入至稀釋氣體供給管120。稀釋氣體供給管120具有連接口122。
連接口122，係一開口，形成於稀釋氣體供給管120之上部當中與原料氣體供給管110相向的位置。連接口122，連接著連接管130的另一端。
連接管130，係連接原料氣體供給管110之上部與稀釋氣體供給管120之上部的管狀構件，使得原料氣體供給管110之內部與稀釋氣體供給管120之內部連通。連接管130，其一端係與連接口112連接，另一端係與連接口122連接。
若藉由如此的原料氣體供給部100，由於會從稀釋氣體供給管120經由連接管130而對原料氣體供給管110之至少上部供給稀釋氣體，所以會抑制原料氣體在原料氣體供給管110之上部的滯留。藉此，可以抑制膜層沉積到原料氣體供給管110的內部。其結果，可以減輕膜層在原料氣體供給管110之內部剝落所造成的微塵粒（particle）之產生。再者，藉由抑制原料氣體在原料氣體供給管110之上部的滯留，會降低在原料氣體供給管110之上部的原料氣體之濃度。其結果，從原料氣體供給管110之上部一路到下部之範圍內的原料氣體濃度不均就會變小，而可以從複數個氣體噴出孔111均等地供給氣體。
又，在圖3~圖5，雖係例示連接管130連接著原料氣體供給管110之上部與稀釋氣體供給管120之上部的情形，但並不限定於此。只要設置成使得連接管130，至少連接著比起原料氣體供給管110之下端更靠近上端側、與稀釋氣體供給管120即可。例如，連接管130亦可係連接：從原料氣體供給管110之上端起算而往下端側既定距離的位置、與從稀釋氣體供給管120之上端起算而往下端側既定距離的位置。
再者，在圖3~圖5，雖係例示原料氣體供給管110、稀釋氣體供給管120及連接管130構成為不同個體的情形，但並不限定於此。例如，原料氣體供給管110、稀釋氣體供給管120及連接管130，亦可構成為一體。
針對用於熱處理裝置1之原料氣體供給部之另一例，參照圖6以進行說明。圖6係顯示氣體導入構造之另一例的概略圖。
圖6所示之原料氣體供給部600，就原料氣體供給管610與稀釋氣體供給管620係以複數個連接管630連接的這一點而言，係與原料氣體供給部100不同。
原料氣體供給部600，具備：原料氣體供給管610、稀釋氣體供給管620、以及複數個連接管630。
原料氣體供給管610，係對內管44內供給處理氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。如圖6的箭頭X3所示，原料氣體係由下端朝向上端而導入至原料氣體供給管610。原料氣體供給管610具有複數個氣體噴出孔611與複數個連接口612。
複數個氣體噴出孔611，係沿著內管44的縱長方向而隔著既定間隔形成。一旦有原料氣體導入至原料氣體供給管610，複數個氣體噴出孔611就會將原料氣體以水平方向朝向內管44內噴出。
複數個連接口612，係開口，形成於原料氣體供給管610之至少包含上部而與稀釋氣體供給管620相向的上下方向之複數位置。各連接口612，形成為例如圓形。複數個連接口612，分別連接著連接管630的一端。
稀釋氣體供給管620，係對原料氣體供給管610供給稀釋氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。稀釋氣體供給管620，係例如相對於原料氣體供給管610而沿著內管44的周向並排配置。如圖6的箭頭X4所示，稀釋氣體係由下端朝向上端而導入至稀釋氣體供給管620。稀釋氣體供給管620具有複數個連接口622。
複數個連接口622，係開口，形成於稀釋氣體供給管620之至少包含上部而與原料氣體供給管610相向的上下方向之複數位置。複數個連接口622，分別連接著連接管630的另一端。
連接管630，係連接原料氣體供給管610與稀釋氣體供給管620的構件，使得原料氣體供給管610之內部與稀釋氣體供給管620之內部連通。連接管630，係沿著原料氣體供給管610的縱長方向設置複數個。複數個連接管630，各自以一端與連接口612連接，以另一端與連接口622連接。
若藉由如此的原料氣體供給部600，由於會從稀釋氣體供給管620經由連接管630而對原料氣體供給管610之至少上部供給稀釋氣體，所以會抑制原料氣體在原料氣體供給管610之上部的滯留。藉此，可以抑制膜層沉積到原料氣體供給管610的內部。其結果，可以減輕膜層在原料氣體供給管610之內部剝落所造成的微塵粒之產生。再者，藉由抑制原料氣體在原料氣體供給管610之上部的滯留，會降低在原料氣體供給管610之上部的原料氣體之濃度。其結果，從原料氣體供給管610之上部一路到下部之範圍內的原料氣體濃度不均就會變小，而可以從複數個氣體噴出孔611均等地供給氣體。
針對用於熱處理裝置1之原料氣體供給部之再一例，參照圖7以進行說明。圖7係顯示氣體導入構造之再一例的概略圖。
圖7所示之原料氣體供給部700，就原料氣體供給管710與稀釋氣體供給管720係經由延伸在原料氣體供給管710及稀釋氣體供給管720之上下方向之狹縫狀的連接口712、722而連接的這一點而言，係與原料氣體供給部100不同。
原料氣體供給部700，具備：原料氣體供給管710、稀釋氣體供給管720、以及連接狹縫730。
原料氣體供給管710，係對內管44內供給處理氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。如圖7的箭頭X5所示，原料氣體係由下端朝向上端而導入至原料氣體供給管710。原料氣體供給管710具有複數個氣體噴出孔711與連接口712。
複數個氣體噴出孔711，係沿著內管44的縱長方向而隔著既定間隔形成。一旦有原料氣體導入至原料氣體供給管710，複數個氣體噴出孔711就會將原料氣體以水平方向朝向內管44內噴出。
連接口712，係一開口，形成於原料氣體供給管710之上部當中與稀釋氣體供給管720相向的位置。連接口712，形成為例如在原料氣體供給管710之上下方向延伸的狹縫狀。連接口712，連接著連接狹縫730的一端。
稀釋氣體供給管720，係對原料氣體供給管710供給稀釋氣體的噴嘴，在內管44內沿著其縱長方向設置。稀釋氣體供給管720，係例如相對於原料氣體供給管710而沿著內管44的周向並排配置。如圖7的箭頭X6所示，稀釋氣體係由下端朝向上端而導入至稀釋氣體供給管720。稀釋氣體供給管720具有連接口722。
連接口722，係一開口，形成於稀釋氣體供給管720之上部當中與原料氣體供給管710相向的位置。連接口722，形成為例如在稀釋氣體供給管720之上下方向延伸的狹縫狀。連接口722，連接著連接狹縫730的另一端。
連接狹縫730，係連接原料氣體供給管710與稀釋氣體供給管720的構件，使得原料氣體供給管710之內部與稀釋氣體供給管720之內部連通。連接狹縫730，其一端係與連接口712連接，另一端係與連接口722連接。
若藉由如此的原料氣體供給部700，由於會從稀釋氣體供給管720經由連接狹縫730而對原料氣體供給管710之至少上部供給稀釋氣體，所以會抑制原料氣體在原料氣體供給管710之上部的滯留。藉此，可以抑制膜層沉積到原料氣體供給管710的內部。其結果，可以減輕膜層在原料氣體供給管710之內部剝落所造成的微塵粒之產生。再者，藉由抑制原料氣體在原料氣體供給管710之上部的滯留，會降低在原料氣體供給管710之上部的原料氣體之濃度。其結果，從原料氣體供給管710之上部一路到下部之範圍內的原料氣體濃度不均就會變小，而可以從複數個氣體噴出孔711均等地供給氣體。
[模擬實驗] 接著，針對為了確認一實施形態之氣體導入構造的效果所進行之模擬實驗，進行說明。圖8係用以說明用於模擬實驗之氣體導入構造的圖式。
於模擬實驗1，評估在使用了7個原料氣體供給部A~G（參照圖8）以作為氣體導入構造而對處理容器內供給作為原料氣體之六氯矽乙烷（HCD）氣體時，原料氣體供給部A~G之高度位置與SiCl2 之莫耳分率間的關係。又，在模擬實驗1所使用的參數如下。
處理容器內的溫度：630°C 處理容器內的壓力：0.4Torr（53Pa） 導入至原料氣體供給管的氣體：HCD/N2 （300/5000sccm） 導入至稀釋氣體供給管的氣體：N2 （1000sccm）
原料氣體供給部A，係僅由原料氣體供給管A1（內徑16mm）形成。在原料氣體供給管A1，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。
原料氣體供給部B，具有：原料氣體供給管B1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管B2（內徑16mm）、以及連接管B3（內徑10mm）。在原料氣體供給管B1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管B1與稀釋氣體供給管B2，係在上端附近之一處，以連接管B3連接。
原料氣體供給部C，具有：原料氣體供給管C1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管C2（內徑16mm）、以及5個連接管C3（內徑10mm）。在原料氣體供給管C1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管C1與稀釋氣體供給管C2，係在包含上端附近之一處的上部之5處，以連接管C3連接。
原料氣體供給部D，具有：原料氣體供給管D1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管D2（內徑16mm）、以及15個連接管D3（內徑10mm）。在原料氣體供給管D1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管D1與稀釋氣體供給管D2，係在包含上端附近之一處的上部至中央部為止之範圍的15處，以連接管D3連接。
原料氣體供給部E，具有：原料氣體供給管E1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管E2（內徑16mm）、以及170個連接管E3（內徑1.2mm）。在原料氣體供給管E1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管E1與稀釋氣體供給管E2，係在包含上端附近之一處的上部至下部為止之範圍的170處，以連接管E3連接。
原料氣體供給部F，具有：原料氣體供給管F1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管F2（內徑16mm）、以及連接部F3（長度207mm，寬度2mm）。在原料氣體供給管F1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管F1與稀釋氣體供給管F2，係在從上端至長度207mm為止之範圍，以連接部F3連接。
原料氣體供給部G，具有：原料氣體供給管G1（內徑16mm）、稀釋氣體供給管G2（內徑16mm）、以及連接部G3（長度1277mm，寬度2mm）。在原料氣體供給管G1，與原料氣體供給管A1同樣地，沿著其縱長方向，形成了170個氣體噴出孔（孔徑1.2mm）。原料氣體供給管G1與稀釋氣體供給管G2，係在從上端至長度1277mm為止之範圍，以連接部G3連接。
圖9係顯示模擬實驗1之結果的圖式，代表在使用了7個原料氣體供給部A~G（參照圖8）而對處理容器內供給HCD氣體時，原料氣體供給部A~G之高度位置與SiCl2 之莫耳分率間的關係。圖9中，橫軸代表原料氣體供給管之高度位置[m]，位置0m代表原料氣體供給部A~G之下端，位置1.62m代表原料氣體供給部A~G之上端。再者，圖9中，縱軸代表SiCl2 之莫耳分率。
由圖9所示可知，於原料氣體供給部A，SiCl2 之莫耳分率在上端之位置急劇增加。另一方面可知，於原料氣體供給部B~G，抑制了SiCl2 之莫耳分率在上端之位置的急劇增加。由這些結果可以想見，藉由對於原料氣體供給部之至少上部供給稀釋氣體，可以抑制原料氣體在原料氣體供給管之上部的滯留。再者，可知於原料氣體供給部C~E、G，SiCl2 之莫耳分率在從下端至上端為止之範圍內的最大值，尤為縮小。
於模擬實驗2，評估在使用了原料氣體供給部A、B（參照圖8）以作為氣體導入構造而對處理容器內供給作為原料氣體之HCD氣體時，原料氣體供給部A、B之高度位置與SiCl2 之莫耳分率間的關係。又，於模擬實驗2，係使得從使用原料氣體供給部B之情況下之稀釋氣體供給管供給至原料氣體供給管而作為稀釋氣體的N2 氣體之流量，設定為100sccm、500sccm、1000sccm。又，在模擬實驗2所使用的參數如下。
處理容器內的溫度：630°C 處理容器內的壓力：0.4Torr（53Pa） 導入至原料氣體供給管的氣體：HCD/N2 （300/5000sccm） 導入至稀釋氣體供給管的氣體：N2 （100、500、1000sccm）
圖10係顯示模擬實驗2之結果的圖式，代表在使用了原料氣體供給部A、B（參照圖8）而對處理容器內供給HCD氣體時，原料氣體供給部A、B之高度位置與SiCl2 之莫耳分率間的關係。圖10中，橫軸代表原料氣體供給管之高度位置[m]，位置0m代表原料氣體供給部A、B之下端，位置1.62m代表原料氣體供給部A、B之上端。再者，圖10中，縱軸代表SiCl2 之莫耳分率。
由圖10所示可知，藉由將導入至稀釋氣體供給管B2之N2 氣體的流量加以變化，從下端至上端為止之範圍內的SiCl2 之莫耳分率呈現最大值的高度位置，有所位移。由此結果可以想見，藉由調整供給至原料氣體供給部的稀釋氣體之流量，就可以調整在高度方向之原料氣體的濃度分佈。
又，於上述實施形態，原料氣體供給部100、600、700係氣體導入構造之一例，原料氣體供給管110、610、710係處理氣體供給管之一例，連接管130、630及連接狹縫730係連接部之一例。再者，晶圓W係基板之一例。
應視本次所揭露之實施形態在所有層面皆屬例示，並非用以限定。上述實施形態，可在不脫離隨附之申請專利範圍及其旨趣的情況下，以各種形態加以省略、置換、變更。
於上述實施形態，係以原料氣體供給管110在內管44內沿著其縱長方向設置、並且被支撐成使其下端彎曲成L字型以貫穿歧管54之情形為例而進行說明，但並不限定於此。例如，原料氣體供給管110，亦可係在內管44內沿著其縱長方向設置、並且其下端係受到歧管54支撐之直管狀。至於稀釋氣體供給管120及反應氣體供給管210，亦與原料氣體供給管110相同。
於上述實施形態，係以原料氣體供給部100具備原料氣體供給管110、稀釋氣體供給管120、以及連接原料氣體供給管110與稀釋氣體供給管120的連接管130之情形為例而進行說明，但並不限定於此。例如，反應氣體供給部200亦可與原料氣體供給部100之構成相同。亦即，反應氣體供給部200亦可構成為具備反應氣體供給管、稀釋氣體供給管、以及連接反應氣體供給管與稀釋氣體供給管的連接管。
於上述實施形態，作為熱處理裝置，係以橫向流型裝置為例而進行說明，亦即從原料氣體供給部100供給至處理容器34內的原料氣體，會經由設置成與原料氣體供給部100相向的開口52排出；但並不限定於此。例如，熱處理裝置亦可係上方排氣型裝置，亦即從原料氣體供給部100供給至處理容器34內的原料氣體，會經由設置於處理容器34之頂棚部的氣體排氣口排出。
1:熱處理裝置 34:處理容器 36:蓋體 38:晶舟 40:氣體供給部 41:排氣部 42:加熱部 44:內管 46:外管 48:噴嘴容納部 50:凸部 52:開口 54:歧管 56:凸緣部 58:密封構件 60:支撐部 62:密封構件 64:磁性流體密封部 66:旋轉軸 68:升降部 68A:臂體 70:旋轉板 72:保溫台 82:氣體出口 84:空間部 86:排氣通路 88:壓力調整閥 90:真空泵 95:控制部 96:記錄媒體 100,600,700:原料氣體供給部 110,610,710:原料氣體供給管 120,620,720:稀釋氣體供給管 130,630:連接管 200:反應氣體供給部 210:反應氣體供給管 111,211,611,711:氣體噴出孔 112,612,712:連接口 122,622,722:連接口 X1~X6:箭頭 730:連接狹縫 A,B,C,D,E,F,G:原料氣體供給部 A1,B1,C1,D1,E1,F1,G1:原料氣體供給管 B2,C2,D2,E2,F2,G2:稀釋氣體供給管 B3,C3,D3,E3,F3,G3:連接管
【圖1】顯示熱處理裝置之構成例的縱剖面圖 【圖2】顯示熱處理裝置之構成例的橫剖面圖 【圖3】顯示氣體導入構造之一例的立體圖 【圖4】顯示氣體導入構造之一例的剖面圖 【圖5】顯示氣體導入構造之一例的概略圖 【圖6】顯示氣體導入構造之另一例的概略圖 【圖7】顯示氣體導入構造之再一例的概略圖 【圖8】（A）~（G）用以說明用於模擬實驗之氣體導入構造的圖式 【圖9】顯示模擬實驗1之結果的圖式 【圖10】顯示模擬實驗2之結果的圖式
100:原料氣體供給部
110:原料氣體供給管
120:稀釋氣體供給管
130:連接管
111:氣體噴出孔
112:連接口
122:連接口
X1,X2:箭頭

Claims (14)

  1. 一種氣體導入構造，對縱長之處理容器內供給處理氣體；該氣體導入構造，包括：處理氣體供給管，於該處理容器內沿著該處理容器的縱長方向延伸，並具有沿著該縱長方向形成的複數個氣體噴出孔，而處理氣體係由其一端朝向其另一端導入；對於該處理氣體供給管之較該一端更靠近該另一端之側供給稀釋氣體。
  2. 如請求項1之氣體導入構造，更包括：稀釋氣體供給管，於該處理容器內，沿著該處理容器的縱長方向延伸；以及連接部，使該處理氣體供給管之內部與該稀釋氣體供給管之內部連通。
  3. 如請求項2之氣體導入構造，其中，該連接部，係沿著該處理氣體供給管的縱長方向設置複數個。
  4. 如請求項2或3之氣體導入構造，其中，該連接部，係形成為管狀。
  5. 如請求項2之氣體導入構造，其中，該連接部，係形成為沿著該處理氣體供給管的縱長方向延伸。
  6. 如請求項2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中， 該連接部，至少使該處理氣體供給管之上部與該稀釋氣體供給管連接。
  7. 如請求項2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中，該處理氣體供給管與該稀釋氣體供給管，係沿著該處理容器的周向並排配置。
  8. 如請求項1、2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中，該處理氣體，係原料氣體。
  9. 如請求項8之氣體導入構造，其中，該原料氣體，係經由該處理氣體供給管，而導入至已加熱至熱分解溫度以上之溫度的該處理容器內。
  10. 如請求項1、2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中，該稀釋氣體，係惰性氣體或氫氣。
  11. 如請求項1、2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中，在該處理容器的外周側，設有將該處理容器加熱的加熱部。
  12. 如請求項1、2、3、5項中任一項之氣體導入構造，其中，該處理容器，容納著成層架狀固持於基板固持具的複數片基板。
  13. 一種熱處理裝置，包括：處理容器，係縱長形； 氣體導入構造，對該處理容器內供給處理氣體；排氣部，排出該處理容器內的該處理氣體；以及加熱部，配置於該處理容器的外周側；該氣體導入構造，具備處理氣體供給管，該處理氣體供給管係於該處理容器內沿著該處理容器的縱長方向延伸，並具有沿著該縱長方向形成的複數個氣體噴出孔，而處理氣體係由其一端朝向其另一端導入；對於該處理氣體供給管之較該一端更靠近該另一端之側供給稀釋氣體。
  14. 一種氣體供給方法，對縱長之處理容器內供給處理氣體；該氣體供給方法，包括以下步驟：當從於該處理容器內沿著該處理容器的縱長方向延伸、並具有沿著該縱長方向形成的複數個氣體噴出孔、而處理氣體係由其一端朝向其另一端導入的處理氣體供給管，對該處理容器內供給處理氣體時，至少對於該處理氣體供給管之較該一端更靠近該另一端之側供給稀釋氣體。
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