JP5958231B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents
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基板が棚状に保持された基板保持具を、加熱部により囲まれた縦型の反応容器内に搬入すると共に、原料ガスとオゾンガスとを反応容器内に供給して薄膜を得る縦型熱処理装置において、
複数の製品基板が棚状に保持される製品基板領域と、この製品基板領域の上方側にて複数のダミー基板が棚状に保持されるダミー基板領域と、が割り当てられる基板保持具と、
前記反応容器内にて上下方向に伸びるように設けられると共に、前記複数の製品基板の各々に対応して、各製品基板の上方領域に臨むように形成された複数の同一の開口径のガス吐出孔を有する、原料ガスを供給するための原料ガスノズルと、
前記反応容器内にて前記原料ガスノズルに隣接して上下方向に伸びるように設けられると共に、前記複数の製品基板の各々に対応して、各製品基板の上方領域に臨むように形成された複数の同一の開口径のガス吐出孔を有する、オゾンガスを含む酸化用ガスを供給するためのオゾンガスノズルと、
前記反応容器内を原料ガスの熱分解温度以上の温度に加熱するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記原料ガスノズル及び前記オゾンガスノズルの各々のガスノズルは、
(A)前記ダミー基板領域に対応する領域にガス吐出孔が形成されると共に、当該対応する領域におけるガス吐出孔全体の開口率は、前記製品基板領域に対応する領域におけるガス吐出孔全体の開口率よりも大きくなるように設定されている構成と、
(B)前記ダミー基板領域に対応する領域よりも上方側に、当該ガスノズル内の圧力を低くするために圧抜き用のガス吐出孔が形成されている構成と、の少なくとも一方の構成を備えていることを特徴とする。
前記原料ガスノズル及び前記オゾンガスノズルの少なくとも一方のガスノズルの内部における製品基板領域に対向する領域のうち上端寄りのガス圧力は、100Torr以下である態様。
酸化用ガスの流量は、5リットル/分〜40リットル/分である態様。
前記原料ガスノズルは、原料ガスと共にキャリアガスを処理ガスとして吐出するためのものであり、
処理ガスの流量は、0.4リットル/分〜1.2リットル/分である態様。
前記原料ガスノズルと前記オゾンガスノズルとの間の離間距離は、150mm以下である態様。
また、製品基板領域1の下方側のダミー基板領域2に対向する領域では、ガス吐出孔52は、ダミーウエハWの配列間隔に対応する間隔で各ダミーウエハW毎に設けられている。そして、このダミー基板領域2の下方側の部位に対向する領域では、例えば製品基板領域1に対向する領域におけるガス吐出孔52の配列間隔よりも狭い間隔でガス吐出孔52が並んでいる。
Pa−Pc>Pa×5.6%
Pb−Pc>Pa×8.7%
従って、種々の処理条件の下では、圧力Pcは、以下のようになる。
Pa−Pc>Pa×5%
Pb−Pc>Pa×10%
これら圧力Pa〜Pcの関係式を書き換えると、以下のようになる。
Pc<Pa×95%
Pc<Pb×90%
先ず、製品基板領域1に対して、複数枚の製品ウエハWを積載する。具体的には、装置のトランスファーステージに載置されたウエハWの搬送容器(FOUP)から未処理のウエハWを順次取り出して、ウエハボート11に移し替えると共に、空になった搬送容器については保管棚(いずれも図示せず)に移載する。次いで、トランスファーステージに載置された別の搬送容器から同様に未処理のウエハWを取り出し、こうして製品基板領域1における積載可能枚数に達するまで、ウエハWの移載作業を繰り返す。
一方、ダミー基板領域2では、先の成膜処理が終了した時、各々のダミーウエハWを取り出しておらず、従ってウエハボート11にはダミーウエハWが収納されたままとなっている。あるいは、前記保管棚にはダミーウエハWを収納する専用の搬送容器が設けられていて、この搬送容器からダミーウエハWが取り出されて、ウエハボート11におけるダミー基板領域2に移載される。
O3 → O2+Oラジカル+熱
オゾンガスの熱分解温度は160℃程度であり、反応容器12内の加熱温度よりも低い。そして、既述のように、原料ガスを吐出するための原料ガスノズル51aに対して、オゾンガス(酸化用ガス)を吐出するためのオゾンガスノズル51bを隣接させている。そのため、オゾンガスノズル51bの内部でオゾンガスが熱分解すると、オゾンガスの熱分解に伴って生じる熱が原料ガスノズル51aに入熱する。従って、既述のように、反応容器12内における加熱温度が原料ガスの熱分解温度を既に超えているため、オゾンガスの熱分解に基づいて原料ガスノズル51aが更に昇温すると、原料ガスが当該原料ガスノズル51aの内部においてより一層熱分解しやすくなってしまう。図11は、オゾンガスノズル51bの内部にてオゾンガスが熱分解した時、当該オゾンガスノズル51bに隣接するガスノズル51a、51cにどのような熱の影響を及ぼしているかシミュレーションした結果を示している。図11では、オゾンガスノズル51b内にてオゾンガスが熱分解すると、ガスノズル51a、51cが50℃程度昇温している。
その後、各ガスの供給を停止すると共に、ウエハボート11を下降させて、処理済みの製品ウエハWを元の搬送容器内に戻すと共に、ダミーウエハWについては各々ウエハボート11に積載したまま、続いて未処理の製品ウエハWに対して同様に成膜処理が行われる。
オゾンガスノズル51bとしては、既述の図5に挙げた例に代えて、以上説明した原料ガスノズル51aと同じ構成を用いても良い。
更に、以上述べた各例では、原料ガスとオゾンガスとを交互にウエハWに供給するALD法について説明したが、これら原料ガスとオゾンガスとを同時にウエハWに供給するCVD(Chemical Vapor Deposition)法により薄膜を形成しても良い。即ち、原料ガスノズル51a及びオゾンガスノズル51bから夫々原料ガス及びオゾンガスを同時にウエハWに供給する場合であっても、これら原料ガス及びオゾンガスの熱分解を抑えることにより、原料ガスノズル51a内への原料ガスの付着を抑えることができる。
1 製品基板領域
2 ダミー基板領域
11 ウエハボート
12 反応容器
13 ヒータ
21 排気口
51a〜51c ガスノズル
52 ガス吐出孔
Claims (8)
- 基板が棚状に保持された基板保持具を、加熱部により囲まれた縦型の反応容器内に搬入すると共に、原料ガスとオゾンガスとを反応容器内に供給して薄膜を得る縦型熱処理装置において、
複数の製品基板が棚状に保持される製品基板領域と、この製品基板領域の上方側にて複数のダミー基板が棚状に保持されるダミー基板領域と、が割り当てられる基板保持具と、
前記反応容器内にて上下方向に伸びるように設けられると共に、前記複数の製品基板の各々に対応して、各製品基板の上方領域に臨むように形成された複数の同一の開口径のガス吐出孔を有する、原料ガスを供給するための原料ガスノズルと、
前記反応容器内にて前記原料ガスノズルに隣接して上下方向に伸びるように設けられると共に、前記複数の製品基板の各々に対応して、各製品基板の上方領域に臨むように形成された複数の同一の開口径のガス吐出孔を有する、オゾンガスを含む酸化用ガスを供給するためのオゾンガスノズルと、
前記反応容器内を原料ガスの熱分解温度以上の温度に加熱するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記原料ガスノズル及び前記オゾンガスノズルの各々のガスノズルは、
(A)前記ダミー基板領域に対応する領域にガス吐出孔が形成されると共に、当該対応する領域におけるガス吐出孔全体の開口率は、前記製品基板領域に対応する領域におけるガス吐出孔全体の開口率よりも大きくなるように設定されている構成と、
(B)前記ダミー基板領域に対応する領域よりも上方側に、当該ガスノズル内の圧力を低くするために圧抜き用のガス吐出孔が形成されている構成と、の少なくとも一方の構成を備えていることを特徴とする縦型熱処理装置。 - 前記原料ガスノズルは、前記(A)の構成を備えると共に、上端が閉じられ、
前記オゾンガスノズルは、前記(A)の構成を備えると共に、上端が開口していることを特徴とする請求項1記載の縦型熱処理装置。 - 前記オゾンガスノズルは、前記ダミー基板領域に対応する領域よりも上方側において側周壁に前記圧抜き用のガス吐出孔が形成されていることを特徴とする請求項2記載の縦型熱処理装置。
- 前記原料ガスノズル及び前記オゾンガスノズルの各々は、前記(A)の構成及び前記(B)の構成を備えていることを特徴とする請求項1に記載の縦型熱処理装置。
- 反応容器内の温度は260℃〜310℃に設定され、
前記原料ガスノズル及び前記オゾンガスノズルの少なくとも一方のガスノズルの内部における製品基板領域に対向する領域のうち上端寄りのガス圧力は、100Torr以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の縦型熱処理装置。 - 酸化用ガスの流量は、5リットル/分〜40リットル/分であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の縦型熱処理装置。
- 前記原料ガスノズルは、原料ガスと共にキャリアガスを処理ガスとして吐出するためのものであり、
処理ガスの流量は、0.4リットル/分〜1.2リットル/分であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の縦型熱処理装置。 - 前記原料ガスノズルと前記オゾンガスノズルとの間の離間距離は、150mm以下であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の縦型熱処理装置。
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