JP2020205438A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】複数枚の基板上に膜を形成する際、基板上に形成される膜の基板間膜厚均一性を向上させる。【解決手段】基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、処理室内の基板に対して主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、を有し、第1ノズルは、天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、第1天井孔の開口面積は、第1側孔の開口面積よりも大きい。【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラムに関する。
半導体装置の製造工程の一工程として、複数枚の基板に対して原料および反応体を供給し、これら基板の上に膜を形成する処理が行われる場合がある(例えば特許文献1,2参照)。
本発明の目的は、複数枚の基板上に膜を形成する際、基板上に形成される膜の基板間膜厚均一性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
本発明の一態様によれば、
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、を有し、
前記第1ノズルは、天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、
前記第1天井孔の開口面積を、前記第1側孔の開口面積よりも大きくする技術が提供される。
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、を有し、
前記第1ノズルは、天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、
前記第1天井孔の開口面積を、前記第1側孔の開口面積よりも大きくする技術が提供される。
本発明によれば、複数枚の基板上に膜を形成する際、基板上に形成される膜の基板間膜厚均一性を向上させることが可能となる。
<本発明の一実施形態>
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図5(a)を用いて説明する。
以下、本発明の一実施形態について、図1〜図5(a)を用いて説明する。
(1)基板処理装置の構成
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
図1に示すように、処理炉202は加熱手段(加熱機構)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には、処理室201が形成される。処理室201は、基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。
処理室201内には、第1ノズルとしてのノズル249a、および、第2ノズルとしてのノズル249bが、反応管203の下部側壁を貫通するように設けられている。ノズル249a,249bには、ガス供給管232a,232bがそれぞれ接続されている。
ガス供給管232a,232bには、ガス流の上流側から順に、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)241a,241bおよび開閉弁であるバルブ243a,243bがそれぞれ設けられている。ガス供給管232a,232bのバルブ243a,243bよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管232c,232dがそれぞれ接続されている。ガス供給管232c,232dには、ガス流の上流側から順に、MFC241c,241dおよびバルブ243c,243dがそれぞれ設けられている。
ノズル249a,249bは、図2に示すように、反応管203の内壁とウエハ200との間における平面視において円環状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部(処理室201の天井部)に沿って、ウエハ200の積載方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル249a,249bは、ウエハ200が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。
ノズル249aの天井部には、図5(a)に示すように、ガスを供給する第1天井孔としてのガス供給孔251aが設けられている。ガス供給孔251aは、垂直方向上方に向かって開口しており、処理室201の天井部に向けてガスを供給することが可能となっている。ノズル249bの天井部には、垂直方向上方に向かって開口する天井孔は非設置とされている。
ノズル249a,249bの側面には、ガスを供給する第1側孔としてのガス供給孔250a、および、第2側孔としてのガス供給孔250bが、それぞれ設けられている。ガス供給孔250a,250bは、反応管203の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ200に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔250a,250bは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。後述するボート217が例えば120枚のウエハ200を保持する場合、ノズル249a,249bの側面には、ガス供給孔250a,250bが、ウエハ200の一枚一枚に対応するように120個(ウエハ200の収容枚数と同じ個数)設けられる。
本実施形態では、複数設けられるガス供給孔250a,250bのそれぞれの開口面積が、互いに同一の大きさとなっている。また、ガス供給孔251aの開口面積は、ガス供給孔250aのそれぞれの開口面積よりも大きくなっている。具体的には、ガス供給孔251a,250aはそれぞれ円形に構成されており、複数設けられるガス供給孔250a,250bのそれぞれの直径は互いに同一の大きさとなっており、ガス供給孔251aの直径はガス供給孔250a,250bのそれぞれの直径の2倍以上8倍以下の範囲内の大きさとなっている。
ガス供給管232aからは、原料(原料ガス)として、例えば、形成しようとする膜を構成する主元素としてのシリコン(Si)およびハロゲン元素を含むハロシラン原料ガスが、MFC241a、バルブ243a、ノズル249aを介して処理室201内へ供給される。
原料ガスとは、気体状態の原料、例えば、常温常圧下で液体状態である原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態である原料等のことである。ハロシラン原料とは、ハロゲン基を有するシラン原料のことである。ハロゲン基には、塩素(Cl)、フッ素(F)、臭素(Br)、ヨウ素(I)等のハロゲン元素が含まれる。ハロシラン原料ガスとしては、例えば、SiおよびClを含む原料ガス、すなわち、クロロシラン原料ガスを用いることができる。クロロシラン原料ガスは、Siソースとして作用する。クロロシラン原料ガスとしては、例えば、ヘキサクロロジシラン(Si2Cl6、略称:HCDS)ガスを用いることができる。
ガス供給管232bからは、第1反応体(第1反応ガス)として、例えば、酸素(O)含有ガスが、MFC241b、バルブ243b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給される。O含有ガスは、酸化源(酸化剤、酸化ガス)、すなわち、Oソースとして作用する。O含有ガスとしては、例えば、酸素(O2)ガスを用いることができる。
ガス供給管232aからは、第2反応体(第2反応ガス)として、例えば、水素(H)含有ガスが、MFC241a、バルブ243a、ノズル249aを介して処理室201内へ供給される。H含有ガスは、それ単体では酸化作用は得られないが、後述する成膜処理において、特定の条件下でO含有ガスと反応することで原子状酸素(atomic oxygen、O)等の酸化種を生成し、酸化処理の効率を向上させるように作用する。H含有ガスとしては、例えば、水素(H2)ガスを用いることができる。
ガス供給管232c,232dからは、不活性ガスとして、例えば、窒素(N2)ガスが、それぞれMFC241c,241d、バルブ243c,243d、ガス供給管232a,232b、ノズル249a,249bを介して処理室201内へ供給される。N2ガスは、パージガス、キャリアガスとして作用する。
主に、ガス供給管232a、MFC241a、バルブ243aにより、第1供給系(原料供給系)が構成される。主に、ガス供給管232a,232b、MFC241a,241b、バルブ243a,243bにより、第2供給系(反応体供給系)が構成される。主に、ガス供給管232c,232d、MFC241c,241d、バルブ243c,243dにより、不活性ガス供給系が構成される。
上述の各種供給系のうち、いずれか、或いは、全ての供給系は、バルブ243a〜243dやMFC241a〜241d等が集積されてなる集積型供給システム248として構成されていてもよい。集積型供給システム248は、ガス供給管232a〜232dのそれぞれに対して接続され、ガス供給管232a〜232d内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ243a〜243dの開閉動作やMFC241a〜241dによる流量調整動作等が、後述するコントローラ121によって制御されるように構成されている。集積型供給システム248は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管232a〜232d等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、集積型供給システム248のメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。
反応管203の側壁下方には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されている。主に、排気管231、APCバルブ244、圧力センサ245により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。
反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属材料により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の下方には、後述するボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217に接続されている。回転機構267は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、反応管203の外部に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115は、シールキャップ219を昇降させることで、ウエハ200を処理室201内外に搬入および搬出(搬送)する搬送装置(搬送機構)として構成されている。
基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25〜200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料により構成される。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料により構成される断熱板218が多段に支持されている。
反応管203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ263は、反応管203の内壁に沿って設けられている。
図3に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する成膜処理における各手順をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。RAM121bは、CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
I/Oポート121dは、上述のMFC241a〜241d、バルブ243a〜243d、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、ヒータ207、温度センサ263、回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。
CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置121cからレシピを読み出すように構成されている。CPU121aは、読み出したレシピの内容に沿うように、MFC241a〜241dによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a〜243dの開閉動作、APCバルブ244の開閉動作および圧力センサ245に基づくAPCバルブ244による圧力調整動作、真空ポンプ246の起動および停止、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、回転機構267によるボート217の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作等を制御するように構成されている。
コントローラ121は、外部記憶装置(例えば、HDD等の磁気ディスク、CD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリ等の半導体メモリ)123に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置121cや外部記憶装置123は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置121c単体のみを含む場合、外部記憶装置123単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置123を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
(2)基板処理工程
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にシリコン酸化膜(SiO膜)を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にシリコン酸化膜(SiO膜)を形成するシーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
図4に示す成膜シーケンスでは、
ウエハ200に対してノズル249aよりHCDSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対してノズル249bよりO2ガスを供給するステップ2と、
を含むサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、SiおよびOを含む膜としてSiO膜を形成する。
ウエハ200に対してノズル249aよりHCDSガスを供給するステップ1と、
ウエハ200に対してノズル249bよりO2ガスを供給するステップ2と、
を含むサイクルを所定回数(1回以上)行うことで、ウエハ200上に、SiおよびOを含む膜としてSiO膜を形成する。
なお、上述のステップ2は、ウエハ200に対して、O2ガスとH2ガスとを同時に供給する期間を含んでいる。H2ガスの供給はノズル249aより行う。
本明細書では、図4に示す成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。後述する変形例や他の実施形態における成膜シーケンスについても同様の表記を用いる。
(HCDS→O2+H2)×n ⇒ SiO
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
(ウエハチャージおよびボートロード)
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
(圧力調整および温度調整)
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって処理室201内が真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって処理室201内が真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。処理室201内の排気、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
(成膜ステップ)
その後、次のステップ1,2を順次実行する。
その後、次のステップ1,2を順次実行する。
[ステップ1]
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給する。
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してHCDSガスを供給する。
具体的には、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へHCDSガスを流す。HCDSガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給される。HCDSガスは、ノズル249aに設けられたガス供給孔251aおよびガス供給孔250aのそれぞれより処理室201内へ供給され、その後、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対してHCDSガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。この場合、N2ガスは、MFC241c,241dにより流量調整され、ノズル249a,249bを介して処理室201内へ供給される。
ウエハ200に対してHCDSガスを供給することで、ウエハ200の表面上に、Clを含むSi含有層(第1層)が形成される。Clを含むSi含有層は、ウエハ200の表面に、HCDSが物理吸着したり、HCDSの一部が分解した物質が化学吸着したり、HCDSが熱分解したりすること等により形成される。すなわち、Clを含むSi含有層は、HCDSやHCDSの一部が分解した物質の吸着層(物理吸着層や化学吸着層)であってもよく、Clを含むSi層であってもよい。以下、Clを含むSi含有層を、単にSi含有層とも称する。
ウエハ200上にSi含有層を形成した後、バルブ243aを閉じ、処理室201内へのHCDSガスの供給を停止する。そして、処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。このとき、バルブ243c,243dを開き、処理室201内へN2ガスを供給する。N2ガスはパージガスとして作用する。
[ステップ2]
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対してO2ガスおよびH2ガスを異なるノズルより同時に供給する。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200に対してO2ガスおよびH2ガスを異なるノズルより同時に供給する。
具体的には、バルブ243b,243aを開き、ガス供給管232b,232a内へO2ガス、H2ガスをそれぞれ流す。O2ガス、H2ガスは、それぞれ、MFC241b,241aにより流量調整され、ノズル249b,249aを介して処理室201内へ供給される。O2ガスは、ノズル249bに設けられたガス供給孔250bのそれぞれより処理室201内へ供給され、H2ガスは、ノズル249aに設けられたガス供給孔251aおよびガス供給孔250aのそれぞれより処理室201内へ供給される。O2ガスとH2ガスは、処理室201内で混合して反応し、その後、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対してO2ガスおよびH2ガスが同時かつ一緒に供給される。バルブ243c,243dの開閉制御は、ステップ1におけるバルブ243c,243dの開閉制御と同様とする。
処理室201内へO2ガスおよびH2ガスを同時かつ一緒に供給することで、これらのガスは、加熱された減圧雰囲気下においてノンプラズマで熱的に活性化(励起)されて反応し、それにより、原子状酸素(O)等の酸素を含む水分(H2O)非含有の酸化種が生成される。そして、主にこの酸化種により、ステップ1でウエハ200上に形成されたSi含有層に対して酸化処理が行われる。この酸化種の持つエネルギーは、Si含有層中に含まれるSi−Cl結合等の結合エネルギーよりも高いため、この酸化種のエネルギーをSi含有層に与えることで、Si含有層中に含まれるSi−Cl結合等は切り離される。Siとの結合が切り離されたCl等は層中から除去され、Cl2、HCl等として排出される。また、Cl等との結合が切られることで余ったSiの結合手は、酸化種に含まれるOと結びつき、Si−O結合が形成される。このようにして、Si含有層は、SiおよびOを含み、Cl等の不純物の含有量が少ない層、すなわち、高純度なSiO層(第2層)へと変化させられる(改質される)。この酸化処理によれば、O2ガスを単独で供給する場合やH2Oガス(水蒸気)を単独で供給する場合に比べ、酸化力を大幅に向上させることができる。すなわち、減圧雰囲気下においてO2ガスにH2ガスを添加することで、O2ガス単独供給の場合やH2Oガス単独供給の場合に比べ、大幅な酸化力向上効果が得られるようになる。
Si含有層をSiO層へと変化させた後、バルブ243b,243aを閉じ、処理室201内へのO2ガスおよびH2ガスの供給をそれぞれ停止する。そして、ステップ1と同様の処理手順により、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。
[所定回数実施]
ステップ1,2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを1回以上(n回)行うことにより、ウエハ200上に、SiO膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiO層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiO層を積層することで形成されるSiO膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
ステップ1,2を非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを1回以上(n回)行うことにより、ウエハ200上に、SiO膜を形成することができる。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、1サイクルあたりに形成するSiO層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiO層を積層することで形成されるSiO膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
ステップ1における処理条件としては、
HCDSガス供給流量:10〜2000sccm、好ましくは100〜1000sccm
HCDSガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
処理温度:250〜800℃、好ましくは400〜700℃
処理圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
HCDSガス供給流量:10〜2000sccm、好ましくは100〜1000sccm
HCDSガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
N2ガス供給流量(ガス供給管毎):10〜10000sccm
処理温度:250〜800℃、好ましくは400〜700℃
処理圧力:1〜2666Pa、好ましくは67〜1333Pa
が例示される。
ステップ2における処理条件としては、
O2ガス供給流量:100〜10000sccm
H2ガス供給流量:100〜10000sccm
O2ガスおよびH2ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
処理圧力:13.3〜1333Pa、好ましくは13.3〜399Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
O2ガス供給流量:100〜10000sccm
H2ガス供給流量:100〜10000sccm
O2ガスおよびH2ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは1〜60秒
処理圧力:13.3〜1333Pa、好ましくは13.3〜399Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
原料ガスとしては、HCDSガスの他、モノクロロシラン(SiH3Cl、略称:MCS)ガス、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガス、トリクロロシラン(SiHCl3、略称:TCS)ガス、テトラクロロシラン(SiCl4、略称:STC)ガス、オクタクロロトリシラン(Si3Cl8、略称:OCTS)ガス等のクロロシラン原料ガスを用いることができる。
第1反応ガスとしては、O2ガスの他、亜酸化窒素(N2O)ガス、一酸化窒素(NO)ガス、二酸化窒素(NO2)ガス、オゾン(O3)ガス、H2ガス+O3ガス、水蒸気(H2Oガス)、一酸化炭素(CO)ガス、二酸化炭素(CO2)ガス等のO含有ガスを用いることができる。
第2反応ガスとしては、H2ガスの他、重水素(D2)ガス等のH含有ガスを用いることができる。
不活性ガスとしては、N2ガスの他、例えば、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いることができる。
(アフターパージおよび大気圧復帰)
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。N2ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
(ボートアンロードおよびウエハディスチャージ)
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取出される(ウエハディスチャージ)。
(3)本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
(a)HCDSガスを供給するノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設け、その開口面積を、ノズル249aの側部に設けられたガス供給孔250aのそれぞれの開口面積よりも大きくすることにより、ウエハ200上に形成されるSiO膜のウエハ間膜厚均一性(以下、WtWとも称する)を向上させることが可能となる。
ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設置しない場合、ステップ1を実施した際に、処理室201内のウエハ収容領域(ウエハ配列領域)の上部領域におけるHCDSガスの濃度が低下し、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量が不足する場合がある。結果として、この上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の膜厚が、ウエハ収容領域の下部領域や中央部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の膜厚よりも薄くなる場合がある。すなわち、ウエハ200上に形成されるSiO膜のWtWが低下する場合がある。また、ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設置したとしても、その開口面積が、ノズル249aの側部に設けられたガス供給孔250aのそれぞれの開口面積以下の大きさである場合、ステップ1を実施した際に、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度が依然として低く、また、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量も依然として不足し、ウエハ200上に形成されるSiO膜のWtWが、ガス供給孔251aを非設置とする場合のそれと同様の傾向を示す場合がある。
これに対し、本実施形態のように、ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設け、その開口面積を上述のように大きくすることにより、ステップ1を実施した際、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度を増加させる方向に、すなわち、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量を増やす方向に制御することが可能となる。これにより、ウエハ収容領域の上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の膜厚を増加させ、結果として、ウエハ200上に形成されるSiO膜のWtWを向上させることが可能となる。
なお、ガス供給孔251aの直径を、ガス供給孔250aの直径の2倍以上の大きさとした場合、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度をさらに増加させ、結果として、ウエハ200上に形成されるSiO膜のWtWをさらに向上させることが可能となる。但し、ガス供給孔251aの直径がガス供給孔250aの直径の8倍を超えると、ノズル249a内の圧力が低下し、ガス供給孔250aから水平方向に供給されるガスの流速が不足する場合がある。また、ノズル249a内におけるHCDSガスの滞在時間が短くなり、ノズル249aから処理室201へ供給された後のHCDSガスの分解が進行しにくくなる場合がある。これらの場合、ウエハ収容領域の下部領域や中央部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の膜厚が、ウエハ収容領域の上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の膜厚よりも薄くなる等、WtWが低下する場合がある。また、ウエハ200上に形成されるSiO膜のウエハ面内膜厚均一性(以下、WiWとも称する)が低下する場合もある。ガス供給孔251aの直径を、ガス供給孔250aの直径の8倍以下の大きさとすることで、これらの課題を解消することが可能となる。以上のことから、ガス供給孔251aの直径は、ガス供給孔250aの直径の2倍以上8倍以下の大きさとするのが好ましい。なお、ノズル249bのガス供給孔250bの直径をノズル249aのガス供給孔250aの直径と同一とした場合、ガス供給孔251aの直径は、ガス供給孔250bの直径の2倍以上8倍以下の大きさとするのが好ましい。
(b)HCDSガスを供給するノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設け、その開口面積を、ノズル249aの側部に設けられたガス供給孔250aのそれぞれの開口面積よりも大きくすることにより、ウエハ200上に形成されるSiO膜のWiWを向上させることが可能となる。
ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設置しない場合、上述したように、ステップ1を実施した際に、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度が低下し、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量が不足する場合がある。この場合、この上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜のウエハ面内膜厚分布(以下、面内膜厚分布とも称する)が、ウエハ200の表面の周縁部(外周部)で最も厚く、中央部に近づくにつれて徐々に薄くなる分布(以下、中央凹分布とも称する)となる場合がある。また、ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設置したとしても、その開口面積が、ノズル249aの側部に設けられたガス供給孔250aのそれぞれの開口面積以下の大きさである場合、ステップ1を実施した際に、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度が依然として低く、また、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量も依然として不足する場合があり、この上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の面内膜厚分布が、ガス供給孔251aを非設置とする場合のそれと同様の傾向を示す場合がある。
これに対し、本実施形態のように、ノズル249aの天井部にガス供給孔251aを設け、その開口面積を上述のように大きくすることにより、ステップ1を実施した際、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度を増加させる方向に、すなわち、この上部領域に収容されたウエハ200に対するHCDSガスの供給量を増やす方向に制御することが可能となる。これにより、ウエハ収容領域の上部領域に収容されたウエハ200上に形成されるSiO膜の面内膜厚分布を、中央凹分布から、ウエハ200の表面の中央部から周縁部にわたって膜厚変化の少ない平坦な膜厚分布(以下、フラット分布とも称する)に近づけることが可能となる。すなわち、ウエハ200上に形成されるSiO膜が有する中央凹分布の度合を緩和させ、WiWを向上させることが可能となる。
(c)上述の効果は、HCDSガス以外の上述の原料ガスを用いる場合や、O2ガス以外の上述のO含有ガスを用いる場合や、H2ガス以外の上述のH含有ガスを用いる場合や、N2ガス以外の上述の不活性ガスを用いる場合にも、同様に得ることができる。
<本発明の他の実施形態>
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、図5(b)に示すように、ノズル249bの天井部に、垂直方向に向かって開口する第2天井孔としてのガス供給孔251bを設置してもよい。この場合、ガス供給孔251aの開口面積は、ガス供給孔251bの開口面積よりも大きくし、また、ガス供給孔250bの開口面積よりも大きくする。好ましくは、ガス供給孔251a,251b,250bをそれぞれ円形としたとき、ガス供給孔251aの直径は、ガス供給孔250bの直径の2倍以上8倍以下の大きさとする。また好ましくは、ガス供給孔251aの直径は、ガス供給孔251bの直径の2倍以上8倍以下の大きさとする。図5(b)に示す構成のノズル249a,249bを用いる場合であっても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。なお、ガス供給孔251bは、ノズル249b内においてガスが吹き溜まることを防止するよう作用する。
また例えば、反応体として、アンモニア(NH3)ガス等の窒素(N)含有ガス、プロピレン(C3H6)ガス等の炭素(C)含有ガス、トリエチルアミン((C2H5)3N、略称:TEA)ガス等のNおよびCを含むガス、トリクロロボラン(BCl3)ガス等の硼素(B)含有ガス等を用い、以下に示す成膜シーケンスにより、基板上に、シリコン酸窒化膜(SiON膜)、シリコン窒化膜(SiN膜)、シリコン炭窒化膜(SiCN膜)、シリコン酸炭窒化膜(SiOCN膜)、シリコン硼炭窒化膜(SiBCN膜)、シリコン硼窒化膜(SiBN膜)等を形成するようにしてもよい。これらの場合においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。これら反応体を供給する際の処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態において反応体を供給する際のそれらと同様とすることができる。
(HCDS→NH3→O2)×n ⇒ SiON
(HCDS→NH3)×n ⇒ SiN
(HCDS→TEA)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
(HCDS→NH3)×n ⇒ SiN
(HCDS→TEA)×n ⇒ SiCN
(HCDS→C3H6→NH3)×n ⇒ SiCN
(HCDS→TEA→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→NH3→O2)×n ⇒ SiOCN
(HCDS→C3H6→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBCN
(HCDS→BCl3→NH3)×n ⇒ SiBN
また例えば、原料として、チタニウムテトラクロライド(TiCl4)ガスやトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3、略称:TMA)ガス等を用い、以下に示す成膜シーケンスにより、基板上に、チタン窒化膜(TiN膜)、チタン酸窒化膜(TiON膜)、チタンアルミニウム炭窒化膜(TiAlCN膜)、チタンアルミニウム炭化膜(TiAlC膜)、チタン炭窒化膜(TiCN膜)、チタン酸化膜(TiO膜)等を形成するようにしてもよい。これらの場合においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。これら原料や反応体を供給する際の処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態において原料や反応体を供給する際のそれらと同様とすることができる。
(TiCl4→NH3)×n ⇒ TiN
(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
(TiCl4→TMA→NH3)×n ⇒ TiAlCN
(TiCl4→TMA)×n ⇒ TiAlC
(TiCl4→TEA)×n ⇒ TiCN
(TiCl4→H2O)×n ⇒ TiO
(TiCl4→NH3→O2)×n ⇒ TiON
(TiCl4→TMA→NH3)×n ⇒ TiAlCN
(TiCl4→TMA)×n ⇒ TiAlC
(TiCl4→TEA)×n ⇒ TiCN
(TiCl4→H2O)×n ⇒ TiO
基板処理に用いられるレシピは、処理内容に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置123を介して記憶装置121c内に格納しておくことが好ましい。そして、処理を開始する際、CPU121aが、記憶装置121c内に格納された複数のレシピの中から、基板処理の内容に応じて、適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、1台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の膜を、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担を低減でき、操作ミスを回避しつつ、処理を迅速に開始できるようになる。
上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置122を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。
上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、一度に1枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態や変形例と同様なシーケンス、処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態や変形例と同様の効果が得られる。
上述の実施形態の手法により形成したSi膜は、コンタクトホールの埋め込みによるコンタクトプラグの形成等の用途に、好適に用いることが可能である。
また、上述の各種実施形態は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態の処理手順、処理条件と同様とすることができる。
以下、実施例について説明する。
実施例として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す成膜シーケンスにより、複数枚のウエハ上にSiO膜を形成した。HCDSガスおよびH2ガスの供給に用いたノズルA、O2ガスの供給に用いたノズルBの構成は、それぞれ、図5(a)に示す第1、第2ノズル(ノズル249a,249b)の構成と同様とした。ノズルAに設置した天井孔の直径は、ノズルAに設置したそれぞれの側孔の直径の2倍以上8倍以下の範囲内の大きさとした。ノズルBの構成は、天井孔を非設置とした点を除いてノズルAの構成と同様とした。処理条件は、上述の実施形態に記載の処理条件範囲内の所定の条件とした。
比較例として、実施例と同様の成膜シーケンスにより、複数枚のウエハ上にSiO膜を形成した。HCDSガスおよびH2ガスの供給に用いたノズルCの構成は、天井孔を非設置とした点を除いて実施例で用いたノズルAの構成と同様とした。O2ガスの供給に用いたノズルDの構成は、実施例で用いたノズルBの構成と同様とした。基板処理装置が有する他の部材の構成は、実施例で用いた基板処理装置の各部材の構成と同様とした。処理条件は、実施例における処理条件と同様とした。
そして、実施例および比較例のそれぞれについて、ステップ1を実施した際の処理室内におけるHCDSガスの濃度分布を測定した。図6(a)は、比較例におけるHCDSガスの濃度分布を、図6(b)は、実施例におけるHCDSガスの濃度分布をそれぞれ示している。図6(a)、図6(b)の縦軸は、ウエハ収容領域内におけるウエハの収容位置(120が上部、0が下部、以下同様)を示している。図6(a)、図6(b)の横軸は、処理室内におけるHCDSガスのN2ガスに対する分圧比率(HCDS/N2)を示しており、これは、HCDSガスの濃度と同義である。
図6(a)に示すように、比較例では、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度が、ウエハ収容領域の中央部領域や下部領域におけるHCDSガスの濃度に比べて大幅に低下していた。これに対し、図6(b)に示すように、実施例では、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガスの濃度が大幅に増加していた。これらのことから、所定の開口面積を有する天井孔を設置したノズルAを用いてHCDSガスの供給を行うことにより、天井孔を非設置としたノズルCを用いてHCDSガスの供給を行う場合に比べ、ウエハ収容領域の上部領域におけるHCDSガス濃度を増加させる等、HCDSガスの濃度分布を広範囲に制御可能であることが分かる。
続いて、実施例および比較例のそれぞれについて、ウエハ上に形成されたSiO膜の膜厚を測定し、WtW,WiWを評価した。図7(a)はWtWの評価結果を示す図であり、図7(b)はWiWの評価結果を示す図である。図7(a)、図7(b)の縦軸は、ウエハ収容領域内におけるウエハの収容位置を示している。図7(a)の横軸は各ウエハ上に形成されたSiO膜の平均膜厚(Å)を示しており、図7(b)の横軸は各ウエハ上に形成されたSiO膜のWiWを示している。WiWは、その値が小さいほどウエハ面内における膜厚の均一性が高いことを意味している。いずれの図においても、■は実施例を、◆は比較例をそれぞれ示している。
図7(a)に示すように、比較例では、ウエハ収容領域の上部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜の平均膜厚が、ウエハ収容領域の中央部領域や下部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜の平均膜厚に比べて薄くなっていた。これに対し、実施例では、ウエハ収容領域の上部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜の平均膜厚が、ウエハ収容領域の中央部領域や下部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜の平均膜厚に比べて厚くなっていた。SiO膜の平均膜厚のウエハ間での分布を比較すると、実施例の方が、比較例に比べてWtWが良好であった。また、比較例および実施例におけるSiO膜の平均膜厚のウエハ間分布は、それぞれ、図6(a)、図6(b)に示すHCDSガスの濃度分布と略同様の傾向を有していた。これらのことから、所定の開口面積を有する天井孔を設置したノズルAを用いてHCDSガスの供給を行うことにより、天井孔を非設置としたノズルCを用いてHCDSガスの供給を行う場合に比べ、ウエハ収容領域におけるHCDSガスの濃度分布を最適化させ、WtWを向上させることが可能であることが分かった。
図7(b)に示すように、比較例において、ウエハ収容領域の上部領域や下部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜は、ウエハ収容領域の中央部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜に比べて強い中央凹分布を示しており、WiWが低下していた。これに対し、実施例において、ウエハ収容領域の上部領域や下部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜のWiWは、ウエハ収容領域の中央部領域に収容されたウエハ上に形成されたSiO膜のWiWと同等であり、いずれも良好であった。これらのことから、側孔よりも開口面積の大きな天井孔を設置したノズルを用いてHCDSガスの供給を行うことにより、ウエハ収容領域におけるHCDSガスの濃度分布を最適化させ、ウエハ収容領域の全域にわたってWiWを向上させることが可能となることが分かった。
続いて、実施例および比較例のそれぞれについて、ステップ2を実施した際の処理室内におけるH2ガスの濃度分布を測定した。図8は、実施例および比較例におけるH2ガスの濃度分布を示している。図8の縦軸は、ウエハ収容領域内におけるウエハの収容位置を示している。図8の横軸は、処理室内におけるH2ガスのO2ガスおよびN2ガスに対する分圧比率(H2/O2+N2)を示しており、これは、H2ガスの濃度と同義である。図8において、実線は実施例を、破線は比較例をそれぞれ示している。
図8に示すように、実施例におけるH2ガスの濃度分布は、比較例におけるH2ガスの濃度分布と略同様であった。すなわち、所定の開口面積を有する天井孔を設置したノズルAを用いた場合の処理室内におけるH2ガスの濃度分布は、天井孔を非設置としたノズルCを用いた場合の処理室内におけるH2ガスの濃度分布と殆ど変わらなかった。このことから、H2ガスの供給に用いるノズルを、HCDSガスの供給に用いるノズルと共用としても、ウエハ上に形成されるSiO膜のWtWやWiWには殆ど影響を与えないことが分かった。
さらに続いて、実施例で用いた基板処理装置を用い、ウエハに対してHCDSガス、O2+H2ガス、NH3ガスをこの順に非同時に供給するサイクルを所定回数行う成膜シーケンスにより、ウエハ上にSiON膜を形成した。HCDSガス、H2ガスの供給はノズルAを用いて行い、O2ガス、NH3ガスの供給はノズルBを用いて行った。その結果、ウエハ上に形成されたSiON膜におけるWtW,WiWは、実施例において形成されたSiO膜のそれらと同様の傾向を示すことが確認された。
<本発明の好ましい態様>
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
(付記1)
本発明の一態様によれば、
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、
を有し、
前記第1ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第1側孔の開口面積よりも大きい基板処理装置が提供される。
本発明の一態様によれば、
基板に対して主元素を含む膜を形成する処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して前記主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、
を有し、
前記第1ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第1側孔の開口面積よりも大きい基板処理装置が提供される。
(付記2)
付記1に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第1側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記1に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第1側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
(付記3)
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第2天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第2側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第2天井孔の開口面積よりも大きく、また、前記第2側孔の開口面積よりも大きい。
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルは、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第2天井孔と、
側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第2側孔と、
を有し、
前記第1天井孔の開口面積は、前記第2天井孔の開口面積よりも大きく、また、前記第2側孔の開口面積よりも大きい。
(付記4)
付記3に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記3に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2側孔の直径の2倍以上8倍以下である。
(付記5)
付記3または4に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2天井孔の直径の2倍以上8倍以下である。
付記3または4に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第1天井孔の直径は、前記第2天井孔の直径の2倍以上8倍以下である。
(付記6)
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルの側部には水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、
前記第2ノズルの天井部には第2天井孔が非設置とされる。
付記1または2に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記第2ノズルの側部には水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、
前記第2ノズルの天井部には第2天井孔が非設置とされる。
(付記7)
付記1〜6のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される制御部と、
をさらに有する。
付記1〜6のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される制御部と、
をさらに有する。
(付記8)
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給する処理と、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給する処理と、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
(付記9)
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
付記7に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記制御部は、前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体として第1反応体を前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記反応体として第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御するよう構成される。
(付記10)
本発明の他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
(付記11)
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、
天井部に設けられ垂直方向に向かって開口する第1天井孔と、側部に設けられ水平方向に向かって開口する複数の第1側孔と、を有し、前記第1天井孔の開口面積が、前記第1側孔の開口面積よりも大きい第1ノズルを介して、形成しようとする膜の主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200 ウエハ(基板)
249a ノズル(第1ノズル)
250a ガス供給孔(第1側孔)
251a ガス供給孔(第1天井孔)
249b ノズル(第2ノズル)
250b ガス供給孔(第2側孔)
249a ノズル(第1ノズル)
250a ガス供給孔(第1側孔)
251a ガス供給孔(第1天井孔)
249b ノズル(第2ノズル)
250b ガス供給孔(第2側孔)
Claims (21)
- 基板に対して膜を形成する処理が行われる処理室と、
前記処理室内の基板に対して前記膜を構成する主元素を含む原料を供給する第1ノズルと、
前記処理室内の基板に対して反応体を供給する第2ノズルと、
を有し、
前記第1ノズルの側部には水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、
前記第1ノズルの先端部には、前記複数の第1側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置され、
前記第2ノズルの側部には水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、
前記第2ノズルの先端部には、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる基板処理装置。 - 前記第1孔の直径は、前記複数の第1側孔のそれぞれの直径の2倍以上8倍以下である請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1孔の開口面積は、前記複数の第2側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記第1孔の直径は、前記複数の第2側孔のそれぞれの直径の2倍以上8倍以下である請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記第2ノズルの先端部には、前記第2孔が設置され、
前記第1孔の直径は、前記第2孔の直径の2倍以上8倍以下である請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
をさらに有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体として第1反応体および第2反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記第1反応体を前記基板に対して供給する処理と、前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
をさらに有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記原料を供給する第1供給系と、
前記反応体として第1反応体および第2反応体を供給する第2供給系と、
前記処理室内において、前記第1ノズルを介して前記原料を基板に対して供給する処理と、前記第2ノズルを介して前記第1反応体を前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1供給系および前記第2供給系を制御することが可能なよう構成される制御部と、
をさらに有する請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記主元素はシリコンを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記原料はハロシランを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記原料はクロロシランを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記原料は、モノクロロシランガス、ジクロロシランガス、トリクロロシランガス、テトラクロロシランガス、ヘキサクロロジシランガス、およびオクタクロロトリシランガスのうち少なくともいずれかを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記反応体は、酸素含有ガス、水素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガス、窒素および炭素を含むガス、および硼素含有ガスのうち少なくともいずれかを含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第1反応体は酸素含有ガスを含み、前記第2反応体は水素含有ガスを含む請求項7または8に記載の基板処理装置。
- 前記第1反応体は、酸素ガス、亜酸化窒素ガス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、オゾンガス、水蒸気、一酸化炭素ガス、および二酸化炭素ガスのうち少なくともいずれかを含み、前記第2反応体は、水素ガスおよび重水素ガスのうち少なくともいずれかを含む請求項7または8に記載の基板処理装置。
- 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔の開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、第1反応体を、前記基板に対して供給する工程と、
前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する処理と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する工程と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、第1反応体を、前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する工程と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔の開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、第1反応体を、前記基板に対して供給する手順と、
前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 - 基板処理装置の処理室内において、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第1側孔が設置され、先端部に、前記第1側孔のそれぞれの開口面積よりも大きい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第1孔が設置される第1ノズルを介して、形成しようとする膜を構成する主元素を含む原料を、基板に対して供給する手順と、
側部に水平方向に向かって開口する複数の第2側孔が設置され、先端部に、前記第1孔の開口面積よりも小さい開口面積を有し、垂直方向に向かって開口する第2孔が設置されるか、もしくは、前記第2孔が非設置とされる第2ノズルを介して、第1反応体を、前記基板に対して供給するとともに、前記第1ノズルを介して前記第2反応体を前記基板に対して供給する手順と、
を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に前記主元素を含む膜を形成する手順をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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---|---|---|---|---|
KR20230028137A (ko) | 2021-08-20 | 2023-02-28 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 가스 분사기 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014063959A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2014236129A (ja) * | 2013-06-03 | 2014-12-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
JP2017028256A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | 株式会社日立国際電気 | ガス供給ノズル、基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
-
2020
- 2020-09-02 JP JP2020147502A patent/JP2020205438A/ja active Pending
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